專利名稱：用于對準目標的衍射元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于對準目標的衍射元件。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應用到襯底上，通常是襯底的所需部分上的機器。例 如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ICs)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模 或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案 轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。 通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進行 的。通常，單獨的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標部分的網(wǎng)絡(luò)。光刻技術(shù)被廣泛地看作制造IC或其他裝置和/或結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟之一。然而， 隨著使用光刻技術(shù)制造的特征的尺寸不斷變小，光刻技術(shù)變成實現(xiàn)將要被制造的最小化IC 或其他裝置和/或結(jié)構(gòu)的更為關(guān)鍵的因素。圖案印刷的限制的理論上的估計由下式(1)給出
權(quán)利要求
1.一種對準特征，包括陣列形式的吸收器疊層；以及耦合到對應的吸收器疊層的陣列形式的多層反射器疊層；其中所述吸收器疊層和多層反射器疊層配置成在被具有用于圖案形成裝置預對準的 波長的光照射時沿預對準系統(tǒng)的預定方向衍射光并加強用于圖案形成裝置預對準的預定 衍射級。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對準特征，其中，所述吸收器疊層和多層反射器疊層中的每 一個占據(jù)所述對準特征的面積的至少一半。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的對準特征，其中，所述吸收器疊層和多層反射器疊層配置 成在被用于圖案形成裝置預對準的波長照射時加強第一級或更高級衍射，同時顯著地減小 零級衍射和鏡面反射。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的對準特征，其中，所述吸收器疊層和多層反射器疊層 布置成棋盤形圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的對準特征，其中，所述吸收器疊層和多層反射器 疊層是多個方形，每個方形具有尺寸為β /^^的邊，其中d是所述對準特征的衍射光柵周期。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的對準特征，其中，所述吸收器疊層和多層反射器 疊層是多個半徑為《Α/^的圓，其中d是所述對準特征的衍射光柵周期。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的對準特征，其中，所述吸收器疊層和多層反射器 疊層具有產(chǎn)生倒相的、等于用于圖案形成裝置預對準的入射波長的一半的高度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項所述的對準特征，其中，吸收器疊層和多層反射器疊層 的表面被刻槽，以便加強用于圖案形成裝置預對準的預定衍射級。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項所述的對準特征，其中，用于圖案形成裝置對準的波長 在大約650nm到IOOOnm的近紅外區(qū)域中。
10.一種用于預對準圖案形成裝置的方法，包括步驟在圖案形成裝置上形成對準目標，所述對準目標具有多個對準特征，每個對準特征包 括配置成加強用于圖案形成裝置預對準的預定衍射級的衍射元件；使用用于圖案形成裝置預對準的波長照射所述對準目標；和使用由所述對準目標衍射的輻射以預對準所述圖案形成裝置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述衍射元件具有是所述對準特征的衍射光 柵周期的函數(shù)的尺寸。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的方法，其中，所述衍射元件占據(jù)每個對準特征的面積 的至少一半。
13.根據(jù)權(quán)利要求10-13中任一項所述的方法，其中所述衍射元件配置成在被用于圖 案形成裝置預對準的波長照射時加強第一級或更高級衍射，同時顯著地減小零級衍射和鏡 面反射。
14.根據(jù)權(quán)利要求10-14中任一項所述的方法，其中，所述衍射元件以棋盤形圖案形式 布置在每個對準特征內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求10-14中任一項所述的方法，其中，所述衍射元件是多個方形，每個 方形具有尺寸為
16.根據(jù)權(quán)利要求10-15中任一項所述的方法，其中，所述衍射元件是多個半徑為
17.根據(jù)權(quán)利要求10-16中任一項所述的方法，其中，所述衍射元件具有產(chǎn)生倒相的、 等于用于圖案形成裝置預對準的波長的一半的高度。
18.根據(jù)權(quán)利要求10-17中任一項所述的方法，其中，所述衍射元件的表面被刻槽，以 便加強用于圖案形成裝置對準的預定衍射級。
19.根據(jù)權(quán)利要求10-18中任一項所述的方法，其中，用于圖案形成裝置對準的波長在 大約650nm到IOOOnm的近紅外區(qū)域內(nèi)。
20.一種光刻設(shè)備，包括照射源，配置成調(diào)節(jié)輻射束；和反射型圖案形成裝置，所述反射型圖案形成裝置包括用于預對準所述圖案形成裝置的 對準目標，每個對準目標包括對準特征，每個對準特征具有配置成加強用于圖案形成裝置 預對準的特定衍射級的衍射元件。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的光刻設(shè)備，其中，所述衍射元件以棋盤形圖案布置在每個 對準特征內(nèi)。
22.根據(jù)權(quán)利要求20或21所述的光刻設(shè)備，其中，所述衍射元件的尺寸是所述對準特 征的衍射光柵周期的函數(shù)。
23.根據(jù)權(quán)利要求20-22中任一項所述的光刻設(shè)備，其中，所述衍射元件是多個方形，每個方形具有尺寸為
24.根據(jù)權(quán)利要求20-23中任一項所述的光刻設(shè)備，其中，所述衍射元件是多個半徑為
25.根據(jù)權(quán)利要求20-24中任一項所述的光刻設(shè)備，其中，所述衍射元件具有產(chǎn)生倒相 的、等于用于圖案形成裝置預對準的入射波長的一半的高度。
26.根據(jù)權(quán)利要求20-25中任一項所述的光刻設(shè)備，其中，所述衍射元件的表面被刻 槽，以便加強用于圖案形成裝置預對準的預定衍射級。
27.根據(jù)權(quán)利要求20-26中任一項所述的光刻設(shè)備，其中，用于圖案形成裝置的波長在 大約650nm到IOOOnm的近紅外區(qū)域內(nèi)。
28.一種具有一面積的對準特征，所述對準特征包括在第一層上的陣列形式的第一輪廓；和在第二層上的陣列形式的第二輪廓，使得所述第一和第二層形成相位光柵，其中所述 第一輪廓占據(jù)所述對準特征的所述面積的至少一半。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的對準特征，其中，所述第一和第二層包括相同的材料。
30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的對準特征，其中，所述第一和第二層包括不同的材料。
31.根據(jù)權(quán)利要求28-30中任一項所述的對準特征，其中，所述第一層包括多層疊層。
32.根據(jù)權(quán)利要求28-31中任一項所述的對準特征，其中，所述第二層包括多層疊層。
33.一種襯底，已經(jīng)在其上形成根據(jù)權(quán)利要求1-10或28-32中任一項所述的對準特征。
34.一種器件制造方法，包括步驟使用根據(jù)權(quán)利要求10-19中任一項所述的方法來預對準襯底和圖案形成裝置；和 將圖像投影到所述襯底的輻射敏感層上。
全文摘要
提供一種圖案形成裝置，包括具有由多個衍射元件形成的對準特征的對準目標，每個衍射元件包括吸收器疊層和多層反射器疊層。衍射元件配置成在使用具有用于圖案形成裝置預對準的波長的光進行照射時沿預對準系統(tǒng)的預定方向衍射光并且加強用于圖案形成裝置預對準的預定衍射級。衍射元件占據(jù)每個對準特征的面積的至少一半。衍射元件配置成在使用用于掩模版預對準的波長進行照射時加強第一級或更高級衍射，同時顯著地減小零級衍射級和鏡面反射。每個衍射元件的尺寸是每個對準特征的衍射光柵周期的函數(shù)。
文檔編號G03F9/00GK102007456SQ200980113420
公開日2011年4月6日 申請日期2009年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月15日
發(fā)明者M·阿力夫, R·A·薩拉爾德森, Y·烏拉迪米爾斯基 申請人:Asml控股股份有限公司