專利名稱：形成對稱的光刻膠圖形的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種形成對稱的光刻膠圖形的方法。
背景技術(shù)：
光刻工藝是一種用來去掉晶圓表面層上所規(guī)定的特定區(qū)域的基本操作。該工藝是 半導(dǎo)體工藝過程中非常重要的一道工序，它是用來在不同的器件和電路表面上建立圖形的 工藝過程。該工藝過程的目標(biāo)有兩個(gè)首先是在晶圓表面建立盡可能接近設(shè)計(jì)規(guī)則所要求 尺寸的圖形；第二個(gè)目標(biāo)是在晶圓表面正確定位圖形。整個(gè)電路圖形必須被正確地定位于 晶圓表面，電路圖形上單獨(dú)的每一部分之間的相對位置也必須是正確的。半導(dǎo)體器件最終 的圖形是由多個(gè)掩膜版按照特定的順序在晶圓表面一層一層疊加建立起來的。在光刻工藝之前，首先要在掩膜版上形成所需的圖形，之后通過光刻工藝把所需 要的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓表面的每一層。圖形轉(zhuǎn)移是通過兩步來完成的。首先，圖形被轉(zhuǎn)移到 光刻膠涂層。光刻膠是一種感光物質(zhì)，在曝光后會(huì)導(dǎo)致其自身性質(zhì)和結(jié)構(gòu)的變化。被曝光 的部分由非溶性物質(zhì)變?yōu)榭扇苄晕镔|(zhì)(正膠)或者由可溶性物質(zhì)變?yōu)榉侨苄晕镔|(zhì)(負(fù)膠)。 通過顯影劑可以把可溶性物質(zhì)去掉，從而在光刻膠涂層留下所需要的圖形。第二次圖形轉(zhuǎn) 移是從光刻膠涂層到晶圓表面層的轉(zhuǎn)移。當(dāng)通過刻蝕方法將晶圓表面層沒有被光刻膠覆蓋 的部分去掉的時(shí)候，圖形轉(zhuǎn)移就發(fā)生了。通常，光刻膠里包括四種基本的成分聚合物、溶劑、感光劑和添加劑。對光刻膠的 光敏性有影響的成分是一些對光和能量敏感的特殊聚合物。在負(fù)膠中，聚合物經(jīng)曝光后由 非聚合狀態(tài)變?yōu)榫酆蠣顟B(tài)，聚合狀態(tài)的聚合物是一種抗刻蝕的物質(zhì)。在正膠中，聚合物是相 對不可溶的，在用適當(dāng)?shù)哪芰科毓夂螅酆衔镛D(zhuǎn)換為可溶狀態(tài)。溶劑是光刻膠中容量最大的 成分，溶劑使得光刻膠處于液態(tài)，并且使光刻膠能夠通過旋轉(zhuǎn)的方式涂在晶圓表面。光敏劑 用來產(chǎn)生或控制聚合物的特定反應(yīng)，具體用于限制反應(yīng)能量的波譜范圍或者把反應(yīng)能量限 制到某一特定波長，使得聚合物僅與該特定波長的能量發(fā)生反應(yīng)。添加劑與光刻膠混合在 一起來達(dá)到特定的結(jié)果。一些負(fù)膠包含有染色劑，它在光刻膠薄涂層中用來吸收和控制光 線。正膠可能會(huì)有化學(xué)的抗溶解系統(tǒng)。這些添加劑可以阻止光刻膠沒有被曝光的部分在顯 影過程中被溶解。光刻工藝通常包括晶圓預(yù)處理、在晶圓表面打底膠、旋涂光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)、曝 光、后烘、顯影、顯影后檢視、硬烘、刻蝕及刻蝕后檢視等工序。旋涂光刻膠時(shí)，首先用真空吸盤將晶圓固定，吸盤是一個(gè)平的、與真空管線相連的 空心金屬盤。吸盤表面有許多小孔，當(dāng)晶圓放在上面時(shí)，真空的吸力使晶圓與吸盤緊密接 觸。接著，將預(yù)先確定的膠量噴灑在晶圓表面，之后，吸盤上施加的轉(zhuǎn)矩使其按一個(gè)受控的 速率迅速上升到最大旋轉(zhuǎn)速度。當(dāng)晶圓以最大旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)一預(yù)定時(shí)間段之后，以受控的 方式減速至停止，從而形成平坦并且均勻的光刻膠涂層。旋涂光刻膠之后，晶圓必須經(jīng)歷一次軟烘，或稱前烘。軟烘是一種以蒸發(fā)光刻膠中 的一部分溶劑為目的的加熱過程。蒸發(fā)溶劑有兩個(gè)原因。溶劑的主要作用是能夠讓光刻膠3在晶圓表面涂一薄層，在這個(gè)作用完成后，溶劑的存在會(huì)干擾后續(xù)工藝過程。光刻膠里的溶 劑會(huì)吸收光，進(jìn)而干擾光敏感聚合物中正常的化學(xué)變化，因此需要盡量減小溶劑對曝光過 程的影響。第二個(gè)原因是光刻膠的烘干會(huì)幫助光刻膠與晶圓表面更好的黏結(jié)。時(shí)間和溫度 是軟烘的參數(shù)。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中軟烘的時(shí)間與溫度參數(shù)。參見圖1，現(xiàn)有技術(shù)中軟烘時(shí)使 用恒定的溫度烘焙一定的時(shí)間，例如烘焙溫度為90-140°C，烘焙的時(shí)間為40-90S。軟烘之后的晶圓被曝光并經(jīng)過后烘、顯影等工序，形成需要的光刻膠圖形，從而將 圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠涂層。在顯影之后需要完成光刻掩膜工藝的第一次質(zhì)檢，即顯影后檢視。 其目的在于區(qū)分那些有很低可能性通過最終掩膜檢驗(yàn)的晶圓，提供工藝性能和工藝控制數(shù) 據(jù)；以及分揀出需要重做的晶圓。圖2為使用圖1的軟烘參數(shù)對厚光刻膠涂層進(jìn)行烘焙之后顯影得到的光刻膠圖形 的截面圖。從圖2可以看出，使用厚的光刻膠涂層(例如厚度大于800A的涂層)進(jìn)行光刻 時(shí)，得到的光刻膠圖形的兩個(gè)側(cè)壁具有不同的角度，即光刻膠圖形不對稱。如果使用這種不 對稱的光刻膠圖形作為掩膜，對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行刻蝕，則得到的刻蝕圖形如圖3所示。圖3 為使用圖2所示的光刻膠圖形作為掩膜對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行刻蝕得到的圖形的截面圖。從圖 3可以看出，以不對稱的光刻膠圖形作為掩膜對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行刻蝕時(shí)，得到的圖形也是不 對稱的。如果在該不對稱圖形的溝槽中沉積互連線，則會(huì)使得互連線的方塊電阻過大或者 不均勻，從而影響到制作而成的半導(dǎo)體器件的電學(xué)特性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種形成對稱的光刻膠圖形的方法，減小由于光刻膠圖形不對稱而對 半導(dǎo)體器件造成的影響。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的一種形成對稱的光刻膠圖形的方法，包括對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行預(yù)處理并打底膠； 形成光刻膠涂層；以低的第一溫度烘焙所述光刻膠涂層第一預(yù)定時(shí)間段；以比所述第一溫 度高的第二溫度烘焙所述光刻膠涂層第二預(yù)定時(shí)間段；對烘焙之后的光刻膠涂層進(jìn)行曝 光、后烘并顯影，形成光刻膠圖形，其中所述光刻膠涂層的厚度大于800A,并且其中所述第 二預(yù)定時(shí)間段小于所述第一預(yù)定時(shí)間段。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，使用精確控溫?zé)岚鍖λ龉饪棠z涂層進(jìn)行烘焙。在該實(shí)施例中，所述低的第一溫度可以為75_125°C，優(yōu)選為100°C。在該實(shí)施例中，所述第二溫度可以為100-150°C，優(yōu)選為115°C。在該實(shí)施例中，所述第一預(yù)定時(shí)間段可以為40-180S，優(yōu)選為100S。在該實(shí)施例中，所述第二預(yù)定時(shí)間段可以為30-60S，優(yōu)選為40S。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案，對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行預(yù)處理并打底膠； 形成光刻膠涂層；以低的第一溫度烘焙所述光刻膠涂層第一預(yù)定時(shí)間段；以比所述第一溫 度高的第二溫度烘焙所述光刻膠涂層第二預(yù)定時(shí)間段；對烘焙之后的光刻膠涂層進(jìn)行曝 光、后烘并顯影，形成光刻膠圖形，其中所述光刻膠涂層的厚度大于800A,并且其中所述第 二預(yù)定時(shí)間段小于所述第一預(yù)定時(shí)間段。低溫長時(shí)間的烘焙，加長了應(yīng)力釋放的過程，從而 釋放了光刻膠涂層中的大部分應(yīng)力，高溫短時(shí)間的烘焙進(jìn)一步去除了低溫烘焙無法去除的 溶劑，從而實(shí)現(xiàn)了應(yīng)力釋放和溶劑去除之間的平衡。最終得到對稱的光刻膠圖形，減小了由于光刻膠圖形不對稱而對半導(dǎo)體器件造成的影響。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中軟烘的時(shí)間與溫度參數(shù)；圖2為使用圖1的軟烘參數(shù)對厚光刻膠涂層進(jìn)行烘焙之后顯影得到的光刻膠圖形 的截面圖；圖3為使用圖2所示的光刻膠圖形作為掩膜對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行刻蝕得到的圖形的 截面圖；圖4為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中形成對稱的光刻膠圖形所采用的軟烘的時(shí)間與溫度 參數(shù)；圖5為使用圖4的軟烘參數(shù)對厚光刻膠涂層進(jìn)行烘焙之后顯影得到的光刻膠圖形 的截面圖；圖6為使用圖5的光刻膠圖形作為掩膜對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行刻蝕之后得到的圖形的 截面圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。本發(fā)明提供的形成對稱的光刻膠圖形的方法，使用兩步烘焙法，在對半導(dǎo)體晶圓 進(jìn)行預(yù)處理、打底膠并形成光刻膠涂層之后，首先以低的第一溫度烘焙光刻膠涂層第一預(yù) 定時(shí)間段，然后以比第一溫度高的第二溫度烘焙光刻膠涂層第二預(yù)定時(shí)間段，其中光刻膠 涂層的厚度大于800A,并且第二預(yù)定時(shí)間段小于第一預(yù)定時(shí)間段。最后對烘焙之后的光刻 膠涂層進(jìn)行曝光、后烘并顯影，形成需要的光刻膠圖形。由于光刻膠的主要成分是聚合物，并且厚膠通常分辨率低，并且是由具有大分子 的聚合物形成。在旋涂光刻膠時(shí)，高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的極大的離心力使得聚合物鏈承受較大的 應(yīng)力。軟烘過程使得一部分應(yīng)力得到釋放。由于軟烘的過程就是去除光刻膠涂層中溶劑的 過程，當(dāng)溶劑被去除時(shí)，光刻膠涂層變硬，使得其中的另一部分應(yīng)力難以釋放。而在曝光之 后，大塊的光刻膠涂層被劃分為較小的塊，從而使得剩余的應(yīng)力得到了釋放。此時(shí)應(yīng)力釋放 的過程使得光刻膠變形，從而使光刻膠圖形側(cè)壁的角度不相等，形成不對稱的圖形。本發(fā)明的方案使用兩步法實(shí)施軟烘，低溫長時(shí)間的烘焙，加長了應(yīng)力釋放的過程， 從而釋放了光刻膠涂層中的大部分應(yīng)力，高溫短時(shí)間的烘焙進(jìn)一步去除了低溫烘焙無法去 除的溶劑，從而實(shí)現(xiàn)了應(yīng)力釋放和溶劑去除之間的平衡。在本發(fā)明的使用精確控溫?zé)岚鍖饪棠z涂層進(jìn)行烘焙的實(shí)施例中，第一溫度 為75-125°C，優(yōu)選為100°C ；第二溫度為100_150°C，優(yōu)選為115°C ；第一預(yù)定時(shí)間段為 40-180S，優(yōu)選為100S ；第二預(yù)定時(shí)間段為30-60S，優(yōu)選為40S。以下結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。首先，為了獲得平坦而均勻的光刻膠涂層并且使光刻膠與晶圓之間有良好的粘附 性，通常在涂膠之前對晶圓進(jìn)行預(yù)處理。預(yù)處理的第一步通常是一次脫水烘焙，在真空或干 燥氮?dú)獾臍夥罩?，以一定的高溫對晶圓進(jìn)行烘焙。該步的目的是除去晶圓表面吸附的水分。緊接在烘焙之后的通常是旋涂底膠。旋涂底膠的目的是為了增強(qiáng)光刻膠在晶圓表面的附著力。通常所使用的底膠是六甲基乙硅烷(圓此)。具體來說，使用底膠器在預(yù)處理 之后的晶圓表面噴灑底膠，接著以一定的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)晶圓，使底膠均勻地鋪展在整個(gè)晶圓表 面，然后提高晶圓的轉(zhuǎn)速以便使底膠干燥。旋涂光刻膠時(shí)，首先用真空吸盤將晶圓固定，吸盤是一個(gè)平的、與真空管線相連的 空心金屬盤。吸盤表面有許多小孔，當(dāng)晶圓放在上面時(shí)，真空的吸力使晶圓與吸盤緊密接 觸。接著，將預(yù)先確定的膠量噴灑在晶圓表面，之后，吸盤上施加的轉(zhuǎn)矩使其按一個(gè)受控的 速率迅速上升到最大旋轉(zhuǎn)速度。當(dāng)晶圓以最大旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)一預(yù)定時(shí)間段之后，以受控的 方式減速至停止，從而形成平坦并且均勻的光刻膠涂層。旋涂光刻膠之后，晶圓必須經(jīng)歷一次軟烘，或稱前烘。軟烘是一種以蒸發(fā)光刻膠中 的一部分溶劑為目的的加熱過程。蒸發(fā)溶劑有兩個(gè)原因。溶劑的主要作用是能夠讓光刻膠 在晶圓表面涂一薄層，在這個(gè)作用完成后，溶劑的存在會(huì)干擾后續(xù)工藝過程。光刻膠里的溶 劑會(huì)吸收光，進(jìn)而干擾光敏感聚合物中正常的化學(xué)變化，因此需要盡量減小溶劑對曝光過 程的影響。第二個(gè)原因是光刻膠的烘干會(huì)幫助光刻膠與晶圓表面更好的黏結(jié)。時(shí)間和溫度 是軟烘的參數(shù)。本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中使用兩步烘焙法對光刻膠涂層進(jìn)行軟烘。該實(shí)施例采用 精確控溫?zé)岚鍖?shí)施軟烘。首先，使用較低的溫度(第一溫度)，例如可以是75-125 ，優(yōu) 選為100°C，對光刻膠涂層進(jìn)行軟烘。本次軟烘的持續(xù)時(shí)間為第一預(yù)定時(shí)間，例如可以是 40-180S，優(yōu)選是100S。接著，使用較高的溫度(第二溫度)，例如可以是100-150°C，優(yōu)選為 115°C，對經(jīng)過低溫烘焙的光刻膠涂層進(jìn)行軟烘。本次軟烘的持續(xù)時(shí)間可以短于低溫烘焙的 時(shí)間段，例如可以是30-60S，優(yōu)選是40S。圖4為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例中形成對稱的光刻膠圖形所采用的軟烘的時(shí)間與溫度 參數(shù)。參見圖4，首先在100°C下對光刻膠涂層烘焙100S，接著在115°C下對光刻膠涂層烘 焙 40S。除了使用熱板實(shí)現(xiàn)軟烘之外，還可以使用烘箱、微波烘焙等設(shè)備對光刻膠涂層進(jìn) 行軟烘。其中烘箱包括利用氣體的對流加熱的對流烘箱、真空烘箱以及移動(dòng)帶式紅外烘箱 等，對流烘箱和真空烘箱需要的時(shí)間較長，而移動(dòng)帶式紅外烘箱由于使用紅外輻射源，這種 烘焙方式比對流烘箱和真空烘箱所使用的時(shí)間短得多。熱板烘焙所需要時(shí)間短于烘箱需要 的時(shí)間，但是比紅外烘箱所需的時(shí)間長。微波烘焙是烘焙方式中加熱速度最快的一種設(shè)備， 其需要的時(shí)間更短。在利用本發(fā)明的方法實(shí)現(xiàn)軟烘時(shí)，第一次烘焙的溫度在現(xiàn)有技術(shù)利用對應(yīng)烘焙方 式所使用溫度的二分之一至兩倍之間選擇，烘焙的時(shí)間在現(xiàn)有技術(shù)利用對應(yīng)烘焙方式所需 時(shí)間的一倍至兩倍之間選擇；而第二次烘焙的溫度通常比現(xiàn)有技術(shù)利用對應(yīng)烘焙方式所使 用的溫度高10°c，烘焙的時(shí)間為現(xiàn)有技術(shù)利用對應(yīng)烘焙方式所需時(shí)間的三分之二。對兩步烘焙法軟烘過的光刻膠涂層進(jìn)行曝光。曝光的第一步是將所需圖形在晶圓 表面上定位或?qū)?zhǔn)，第二步是通過曝光燈或其它輻射源將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠涂層上。曝光 之后的晶圓需要進(jìn)行后烘，其目的在于減小駐波效應(yīng)。后烘的時(shí)間和溫度是由烘焙方法、曝 光條件以及光刻膠化學(xué)所決定的。后烘之后的晶圓上記錄有器件或電路圖案的曝光和未曝光區(qū)域。通過對未聚合 光刻膠的化學(xué)分解來使圖案顯影。在光刻膠上成功地使圖案顯影要依賴于光刻膠的曝光6機(jī)理。對于負(fù)膠來說，光刻膠的聚合區(qū)域在顯影液中分解。例如，可以使用顯影二甲苯作 為負(fù)膠的顯影液。而對于正膠來說，聚合區(qū)域和未聚合區(qū)域在顯影液中有不同溶解率，約為 1 4，也就是說在顯影中總會(huì)從聚合區(qū)域溶解掉一些光刻膠。因此，使用過度的顯影液或 顯影時(shí)間過長會(huì)導(dǎo)致光刻膠太薄而不能使用。結(jié)果有可能導(dǎo)致在刻蝕中翹起或斷裂。正膠 的顯影液有兩種堿-水溶液和非離子溶液。堿-水溶液可以是氫氧化鈉或氫氧化鉀。軟 烘時(shí)間和溫度、曝光度、顯影液濃度、時(shí)間、溫度以及顯影方法都會(huì)對顯影結(jié)果產(chǎn)生影響。在顯影之后需要對晶圓進(jìn)行硬烘，其目的實(shí)質(zhì)上與軟烘一樣，就是通過溶劑的蒸 發(fā)來固化光刻膠。另外，硬烘的特別目的在于使光刻膠與晶圓表面有良好的黏結(jié)性。該步 驟的參數(shù)也是烘焙時(shí)間和溫度。在顯影和烘焙之后就是要完成光刻掩膜工藝的第一次質(zhì)檢，即顯影后檢視。其目 的在于區(qū)分那些有很低可能性通過最終掩膜檢驗(yàn)的晶圓，提供工藝性能和工藝控制數(shù)據(jù)； 以及分揀出需要重做的晶圓。圖5為使用圖4的軟烘參數(shù)對厚光刻膠涂層進(jìn)行烘焙之后顯影得到的光刻膠圖形 的截面圖。從圖5中可以看出，使用本發(fā)明的方法之后得到的厚光刻膠圖形的兩個(gè)側(cè)壁具 有基本相等的角度。對通過顯影后檢視的晶圓進(jìn)行刻蝕，去除殘留的光刻膠，然后進(jìn)行刻蝕后檢視，對 于刻蝕后檢視合格的晶圓進(jìn)行其它工藝處理。圖6為使用圖5的光刻膠圖形作為掩膜對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行刻蝕之后得到的圖形的 截面圖。從圖6可以看出，使用圖5的光刻膠圖形作為掩膜進(jìn)行刻蝕，形成的臺(tái)階的兩個(gè)側(cè) 壁具有基本相等的角度，得到的是對稱的臺(tái)階。在這種圖形的臺(tái)階之間沉積互連線時(shí)，互連 線的方塊電阻是均勻的，減小了由于光刻膠圖形不對稱而產(chǎn)生的對半導(dǎo)體器件電學(xué)特性的影響。由以上所述可以看出，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案，對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行預(yù)處理并打 底膠；形成光刻膠涂層；以低的第一溫度烘焙所述光刻膠涂層第一預(yù)定時(shí)間段；以比所述 第一溫度高的第二溫度烘焙所述光刻膠涂層第二預(yù)定時(shí)間段；對烘焙之后的光刻膠涂層進(jìn) 行曝光、后烘并顯影，形成光刻膠圖形，其中所述光刻膠涂層的厚度大于800A,并且其中所 述第二預(yù)定時(shí)間段小于所述第一預(yù)定時(shí)間段。低溫長時(shí)間的烘焙，加長了應(yīng)力釋放的過程， 從而釋放了光刻膠涂層中的大部分應(yīng)力，高溫短時(shí)間的烘焙進(jìn)一步去除了低溫烘焙無法去 除的溶劑，從而實(shí)現(xiàn)了應(yīng)力釋放和溶劑去除之間的平衡。最終得到對稱的光刻膠圖形，減小 了由于光刻膠圖形不對稱而對半導(dǎo)體器件造成的影響。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在 本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù) 范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種形成對稱的光刻膠圖形的方法，包括對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行預(yù)處理并打底膠；形成光刻膠涂層；以低的第一溫度烘焙所述光刻膠涂層第一預(yù)定時(shí)間段；以比所述第一溫度高的第二溫度烘焙所述光刻膠涂層第二預(yù)定時(shí)間段；對烘焙之后的光刻膠涂層進(jìn)行曝光、后烘并顯影，形成光刻膠圖形，其中所述光刻膠涂層的厚度大于800A,并且其中所述第二預(yù)定時(shí)間段小于所述第一預(yù)定時(shí)間段。
2.如權(quán)利要求1所述的形成對稱的光刻膠圖形的方法，其特征在于，使用精確控溫?zé)?板對所述光刻膠涂層進(jìn)行烘焙。
3.如權(quán)利要求2所述的形成對稱的光刻膠圖形的方法，其特征在于，所述低的第一溫 度為 75-125°C。
4.如權(quán)利要求3所述的形成對稱的光刻膠圖形的方法，其特征在于，所述第一溫度為 100°C。
5.如權(quán)利要求2所述的形成對稱的光刻膠圖形的方法，其特征在于，所述第二溫度為 100-150°C。
6.如權(quán)利要求5所述的形成對稱的光刻膠圖形的方法，其特征在于，所述第二溫度為 115°C。
7.如權(quán)利要求2所述的形成對稱的光刻膠圖形的方法，其特征在于，所述第一預(yù)定時(shí) 間段為40-180S。
8.如權(quán)利要求7所述的形成對稱的光刻膠圖形的方法，其特征在于，所述第一預(yù)定時(shí) 間段為IOOS0
9.如權(quán)利要求2所述的形成對稱的光刻膠圖形的方法，其特征在于，所述第二預(yù)定時(shí) 間段為30-60S。
10.如權(quán)利要求9所述的形成對稱的光刻膠圖形的方法，其特征在于，所述第二預(yù)定時(shí) 間段為40S。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種形成對稱的光刻膠圖形的方法，包括對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行預(yù)處理并打底膠；形成光刻膠涂層；以低的第一溫度烘焙光刻膠涂層第一預(yù)定時(shí)間段；以比第一溫度高的第二溫度烘焙光刻膠涂層第二預(yù)定時(shí)間段；對烘焙之后的光刻膠涂層進(jìn)行曝光、后烘并顯影，形成光刻膠圖形，其中光刻膠涂層的厚度大于并且其中第二預(yù)定時(shí)間段小于第一預(yù)定時(shí)間段。低溫長時(shí)間的烘焙，加長了應(yīng)力釋放的過程，從而釋放了光刻膠涂層中的大部分應(yīng)力，高溫短時(shí)間的烘焙進(jìn)一步去除了低溫烘焙無法去除的溶劑，從而實(shí)現(xiàn)了應(yīng)力釋放和溶劑去除之間的平衡。最終得到對稱的光刻膠圖形，減小了由于光刻膠圖形不對稱而對半導(dǎo)體器件造成的影響。
文檔編號(hào)G03F7/38GK102053486SQ20091019848
公開日2011年5月11日 申請日期2009年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月5日
發(fā)明者安輝 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司