專利名稱：調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻技術(shù)，尤其涉及一種調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
投影光刻機(jī)是一種把掩模上的圖案通過(guò)投影物鏡投影到硅片表面的設(shè)備。為了使 硅片表面位于指定的曝光位置，必須有自動(dòng)調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)進(jìn)行精確控制。在工藝過(guò)程中， 需要檢測(cè)自動(dòng)調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)是否正確調(diào)焦調(diào)平，即檢測(cè)硅片表面是否已位于指定的曝光位 置，檢測(cè)的方法是獲得整個(gè)曝光場(chǎng)內(nèi)硅片表面高度與傾斜信息，以此來(lái)判斷自動(dòng)調(diào)焦調(diào)平 系統(tǒng)是否正確調(diào)焦調(diào)平，而自動(dòng)調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)又根據(jù)這些信息作相應(yīng)調(diào)節(jié)，以精確控制硅 片位置。為了獲得整個(gè)曝光場(chǎng)內(nèi)硅片表面高度與傾斜信息，通常在曝光場(chǎng)內(nèi)設(shè)計(jì)多個(gè)測(cè)量 標(biāo)記，以所述測(cè)量標(biāo)記為測(cè)量點(diǎn)，測(cè)量各測(cè)量點(diǎn)上硅片表面高度與傾斜量，以此獲得整個(gè)曝 光場(chǎng)內(nèi)硅片表面高度與傾斜信息，這種檢測(cè)方法對(duì)標(biāo)記板以及光機(jī)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、加工、裝調(diào) 要求很高。
公開(kāi)日期為1984年4月18日、專利號(hào)為4823014的美國(guó)專利中提供了一種獨(dú)特 的調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)技術(shù)方案，該方案利用多個(gè)不同波長(zhǎng)的半導(dǎo)體激光器(Laser Diode, LD)合 成寬帶波長(zhǎng)，以減小層間干涉效應(yīng)對(duì)測(cè)量精度的影響；為了利用同一光路實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片表面 多點(diǎn)位置的測(cè)量，該方案采用了布拉格BRAGG聲光衍射效應(yīng)進(jìn)行掃描測(cè)量以及布置不同角 度的入射光點(diǎn)。該方案只需使用一個(gè)測(cè)量點(diǎn)即可達(dá)到多點(diǎn)探測(cè)，克服了多光斑測(cè)量的缺點(diǎn)， 但也存在以下缺點(diǎn)1、聲光衍射器件的衍射效率與超聲波功率是非線性關(guān)系，即掃描硅片的光強(qiáng)不易 恒定；2、只能實(shí)現(xiàn)一維掃描，即只能對(duì)過(guò)曝光場(chǎng)中心且垂直于調(diào)焦系統(tǒng)光軸與投影物鏡 光軸所構(gòu)成的面的線上點(diǎn)進(jìn)行測(cè)量，確定其傾斜和離焦信息，降低了對(duì)整個(gè)曝光場(chǎng)的測(cè)量 精度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置，在掃描和步進(jìn)兩個(gè)方向(即X軸 向和Y軸向)上對(duì)整個(gè)硅片曝光場(chǎng)進(jìn)行全場(chǎng)多點(diǎn)掃描測(cè)量，大幅度提高測(cè)量精度。為了達(dá)到上述的目的，本發(fā)明提供一種調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置，其包括照明單元、投影 及步進(jìn)掃描單元、光學(xué)成像單元和探測(cè)器；所述照明單元發(fā)射出的光束通過(guò)投影及步進(jìn)掃 描單元入射到硅片表面上，所述投影及步進(jìn)掃描單元在一維方向上作掃描振動(dòng)，在與之正 交的另一維方向上作步進(jìn)運(yùn)動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片表面整個(gè)曝光場(chǎng)的掃描，獲取檢測(cè)信息，攜 帶檢測(cè)信息的光束經(jīng)硅片表面反射后由光學(xué)成像單元成像到探測(cè)器上，所述探測(cè)器對(duì)檢測(cè) 信息進(jìn)行處理，以獲得硅片表面偏離曝光位置的數(shù)據(jù)信息。上述調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置，其中，所述投影及步進(jìn)掃描單元包括為投影前組鏡頭、掃3描反射鏡、投影后組鏡頭、第一驅(qū)動(dòng)器和第二驅(qū)動(dòng)器；照明單元發(fā)射出的光束依次通過(guò)投影 前組鏡頭、掃描反射鏡、投影后組鏡頭入射到硅片表面上；所述第一驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)掃描反射鏡 作掃描振動(dòng)；所述第二驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)掃描反射鏡、第一驅(qū)動(dòng)器和投影后組鏡頭作步進(jìn)運(yùn)動(dòng)。上述調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置，其中，所述掃描反射鏡位于投影前組鏡頭和投影后組鏡 頭的焦闌處。上述調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置，其中，所述光學(xué)成像單元包括成像前組鏡頭、孔徑光闌和 成像后組鏡頭；光束經(jīng)硅片表面反射后依次通過(guò)成像前組鏡頭、孔徑光闌和成像后組鏡頭， 最后垂直入射到探測(cè)器上。上述調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置，其中，所述照明單元包括依次排列的白光點(diǎn)光源、小孔 屏、準(zhǔn)直透鏡、消雜光光闌和孔徑光闌。上述調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置，其中，所述照明單元包括多個(gè)發(fā)光體、多根光纖、多個(gè)光 束準(zhǔn)直單元、一光波合束單元和一孔徑光闌；所述多個(gè)發(fā)光體發(fā)射出的光分別經(jīng)一光纖傳 輸至一光束準(zhǔn)直單元，再進(jìn)入光波合束單元合成為寬波帶的光束，該寬波帶的光束通過(guò)孔 徑光闌形成一寬波帶的光束。上述調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置，其中，所述發(fā)光體發(fā)射出的光波的波長(zhǎng)選取在630nm 980nmo上述調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置，其中，所述發(fā)光體為發(fā)光二極管或半導(dǎo)體激光器。上述調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置，其中，所述探測(cè)器是面陣電荷耦合器件、面陣位置敏感器 件，或者是線陣電荷耦合器件陣列、線陣位置敏感器件陣列。本發(fā)明調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置利用投影及步進(jìn)掃描單元在掃描和步進(jìn)兩個(gè)方向上 (即X軸和Y軸方向)，對(duì)整個(gè)硅片曝光場(chǎng)進(jìn)行更接近真實(shí)硅片表面狀況的全場(chǎng)多點(diǎn)掃描測(cè) 量，從而大大提高了測(cè)量精度，且工藝適應(yīng)性強(qiáng)；本發(fā)明調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置的照明單元結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。


本發(fā)明的調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置由以下的實(shí)施例及附圖給出。圖1是本發(fā)明調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)框圖；圖2是本發(fā)明調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明中照明單元實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明中照明單元實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明中探測(cè)器一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置進(jìn)行掃描操作時(shí)的示意圖；圖7是本發(fā)明調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置進(jìn)行步進(jìn)操作時(shí)的示意圖；圖8是本發(fā)明中硅片表面上掃描軌跡示意圖。
具體實(shí)施例方式以下將結(jié)合圖1 圖8對(duì)本發(fā)明的調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。參見(jiàn)圖1，本發(fā)明調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置包括照明單元3、投影及步進(jìn)掃描單元4、光學(xué) 成像單元5和探測(cè)器6 ；
所述照明單元3發(fā)射出的極細(xì)光束(光斑直徑在毫米量級(jí)的光束)通過(guò)投影及步 進(jìn)掃描單元4入射到光刻機(jī)載片臺(tái)上的硅片表面2上，光束經(jīng)硅片表面2反射后由光學(xué)成 像單元5成像到探測(cè)器6上，所述探測(cè)器6對(duì)探測(cè)信號(hào)進(jìn)行相關(guān)處理，獲得整個(gè)曝光場(chǎng)內(nèi)硅 片表面高度與傾斜信息，為后續(xù)伺服控制(圖中未示)提供依據(jù)。在圖1中，取光刻機(jī)投影物鏡1的光軸Ax所在的方向?yàn)閆軸，垂直于紙面的方向?yàn)?Y軸。當(dāng)硅片表面2偏離投影物鏡1的焦平面Δ Z距離時(shí)(即硅片表面2的離焦量為ΔΖ， 圖1中實(shí)線表示投影物鏡1的焦平面，虛線表示硅片表面2實(shí)際所處的平面)，光束經(jīng)硅片 表面2反射后在探測(cè)器6上會(huì)有相應(yīng)的變化量Δ L，離焦量Δ Z與變化量Δ L的關(guān)系如下 AL = 2 ΔΖβρ ι θ，其中，θ為光束入射到硅片表面2的入射角，β 2為光學(xué)成像單元5的 光學(xué)放大倍率。由離焦量ΔΖ與變化量AL的關(guān)系式可知，可通過(guò)測(cè)量變化量AL得到硅 片表面2的離焦量ΔΖ。參見(jiàn)圖2，圖2和圖1 一樣，取光刻機(jī)投影物鏡1的光軸Ax所在的方向?yàn)閆軸，垂 直于紙面的方向?yàn)閅軸。所述投影及步進(jìn)掃描單元4包括為投影前組鏡頭41、掃描反射鏡42、投影后組鏡 頭43、第一驅(qū)動(dòng)器J和第二驅(qū)動(dòng)器M ；所述掃描反射鏡42、第一驅(qū)動(dòng)器J和投影后組鏡頭43剛性連接，照明單元3發(fā)射 出的極細(xì)光束依次通過(guò)投影前組鏡頭41、掃描反射鏡42、投影后組鏡頭43入射到硅片表面 2上；所述第一驅(qū)動(dòng)器J驅(qū)動(dòng)掃描反射鏡42圍繞Y軸方向作掃描振動(dòng)；所述第二驅(qū)動(dòng)器M驅(qū)動(dòng)掃描反射鏡42、第一驅(qū)動(dòng)器J和投影后組鏡頭43沿Y軸方 向作步進(jìn)運(yùn)動(dòng)；所述光學(xué)成像單元5包括成像前組鏡頭51、孔徑光闌52和成像后組鏡頭53 ；光束 經(jīng)硅片表面2反射后依次通過(guò)成像前組鏡頭51、孔徑光闌52和成像后組鏡頭53，最后垂直 入射到探測(cè)器6上。為了保證測(cè)量的精度，所述投影及步進(jìn)掃描單元4和光學(xué)成像單元5均為雙遠(yuǎn)心 結(jié)構(gòu)，所述掃描反射鏡42位于投影前組鏡頭41和投影后組鏡頭43的焦闌處，構(gòu)成遠(yuǎn)心掃 描系統(tǒng)。所述照明單元3發(fā)射出的光束可以是白光(如鹵素?zé)?，也可以是由多個(gè)波長(zhǎng)的光 波合束而成的。參見(jiàn)圖3，所示為所述照明單元3的一實(shí)施例，該照明單元3包括依次排列的白光 點(diǎn)光源31a、小孔屏32a、準(zhǔn)直透鏡33a、消雜光光闌3 和孔徑光闌35a，該照明單元3發(fā)射 出極細(xì)平行光束。參見(jiàn)圖4，所示為所述照明單元3的另一實(shí)施例，該照明單元3包括N個(gè)發(fā)光體(Light Emitting Diode, LED) (311,312,313......31N)、N 根光纖(321、322、323...... 32N)、Nf光束準(zhǔn)直單元(331、332、333...... 33N)、一光波合束單元34b和一孔徑光闌35b，所述N個(gè)發(fā)光體發(fā)射出的光波的波長(zhǎng)分別為ApXyX3.......λ N，所述N個(gè)發(fā)光體發(fā)射出的光分別經(jīng)一光纖傳輸至一光束準(zhǔn)直單元，再進(jìn)入光波合束單元34b合成為 較寬波帶的光束，該光束通過(guò)孔徑光闌3 形成有較寬波帶的極細(xì)光束。為避免曝光波長(zhǎng) 與光刻膠的層間干涉效應(yīng)對(duì)測(cè)量精度的影響，發(fā)光體發(fā)射出的光波的波長(zhǎng)選取在630nm 980nm，本實(shí)施例中的發(fā)光體可以用半導(dǎo)體激光器(Laser Diode, LD)來(lái)代替。本發(fā)明調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置的照明單元3結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。所述探測(cè)器6可以是面陣電荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD)、面陣位 置敏感器件(Position Sensitive Device，PSD)，或者是線陣電荷耦合器件陣列、線陣位置 敏感器件陣列。參見(jiàn)圖5，所示為所述探測(cè)器6的一實(shí)施例，該實(shí)施例為線陣CXD陣列，其包含η個(gè) 線陣CCD。以下結(jié)合圖6 圖8，介紹本發(fā)明調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置的工作原理照明單元3發(fā)出的極細(xì)光束沿投影及步進(jìn)掃描單元4入射到硅片表面2上，形成 單個(gè)測(cè)量光點(diǎn)0。當(dāng)掃描反射鏡42在第一驅(qū)動(dòng)器J的驅(qū)動(dòng)下圍繞Y軸方向作掃描振動(dòng)(如 圖6所示掃描反射鏡42在第一驅(qū)動(dòng)器J的驅(qū)動(dòng)下以角速度ω繞Y軸轉(zhuǎn)動(dòng))時(shí)，硅片表面 2上的測(cè)量光點(diǎn)就會(huì)以0點(diǎn)為中心沿X方向在A點(diǎn)到B點(diǎn)范圍內(nèi)往復(fù)移動(dòng)(探測(cè)器6上相 應(yīng)為以0'點(diǎn)為中心沿X方向在A'點(diǎn)到B'點(diǎn)范圍內(nèi)往復(fù)移動(dòng)，如圖5所示)；當(dāng)掃描反射 鏡42、第一驅(qū)動(dòng)器J與投影后組鏡頭43沿Y軸方向作步進(jìn)運(yùn)動(dòng)(如圖7所示掃描反射鏡 42、第一驅(qū)動(dòng)器J與投影后組鏡頭43在第二驅(qū)動(dòng)器M的驅(qū)動(dòng)下沿Y軸方向作步進(jìn)運(yùn)動(dòng))時(shí)， 測(cè)量光點(diǎn)在硅片表面2上又會(huì)以0點(diǎn)為中心在C點(diǎn)到D點(diǎn)范圍內(nèi)移動(dòng)(探測(cè)器6上相應(yīng)為 以0'點(diǎn)為中心沿Y方向在C'點(diǎn)到D'點(diǎn)范圍內(nèi)往復(fù)移動(dòng)，如圖5所示)，由此實(shí)現(xiàn)在掃描 方向與步進(jìn)方向?qū)杵砻?整個(gè)曝光場(chǎng)的掃描。測(cè)量光點(diǎn)經(jīng)后續(xù)的光學(xué)成像單元5后在 探測(cè)器6上成像，且測(cè)量光點(diǎn)的主光線與探測(cè)器6垂直(即測(cè)量光點(diǎn)的主光線在探測(cè)器6 上的入射角為零)。探測(cè)器6輸出測(cè)量光點(diǎn)的探測(cè)信號(hào)，可通過(guò)對(duì)各探測(cè)信號(hào)的預(yù)處理、插 值、工藝相關(guān)性等處理得出各曝光場(chǎng)的高度，以及對(duì)多個(gè)曝光場(chǎng)高度的平均或加權(quán)、平面或 曲面擬合等處理，得出曝光場(chǎng)整體或多個(gè)曝光場(chǎng)的高度、傾斜量信息，為后續(xù)伺服控制等提 供依據(jù)。為了獲取硅片表面2上整個(gè)曝光場(chǎng)內(nèi)足夠多的信息，可按需設(shè)計(jì)掃描反射鏡42對(duì) 應(yīng)在AB范圍內(nèi)的掃描點(diǎn)數(shù)，以及投影及步進(jìn)掃描單元4對(duì)應(yīng)在CD范圍內(nèi)的步進(jìn)步數(shù)。為保證本發(fā)明調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置對(duì)硅片表面各曝光場(chǎng)進(jìn)行有效的掃描測(cè)量，現(xiàn)設(shè) 定其工作流程如下當(dāng)檢測(cè)裝置工作時(shí)，照明單元3打開(kāi)后，第一驅(qū)動(dòng)器J對(duì)掃描反射鏡42進(jìn)行初始 化，第二驅(qū)動(dòng)器M對(duì)掃描反射鏡42與投影后組鏡頭43進(jìn)行初始化，使得入射到硅片表面2 上的光線在硅片表面2上得到測(cè)量光點(diǎn)0 ；然后由第二驅(qū)動(dòng)器M驅(qū)動(dòng)反射鏡42、第一驅(qū)動(dòng)器 J與投影后組鏡頭43進(jìn)行步進(jìn)運(yùn)動(dòng)，使得入射到硅片表面2上的光線到達(dá)硅片表面2上的 C點(diǎn)一側(cè)，鎖定第二驅(qū)動(dòng)器Μ,由第一驅(qū)動(dòng)器J驅(qū)動(dòng)掃描反射鏡42開(kāi)始掃描，如圖6所示，完 成曝光場(chǎng)X方向掃描，掃描位置即圖8中線條1所示曝光場(chǎng)的橫向長(zhǎng)度ρ，這樣，如圖5所 示，在探測(cè)器6上就會(huì)相應(yīng)的k個(gè)位置信息。然后第一驅(qū)動(dòng)器J鎖定掃描反射鏡42，第二 驅(qū)動(dòng)器M驅(qū)動(dòng)反射鏡42、第一驅(qū)動(dòng)器J與投影后組鏡頭43，步進(jìn)到曝光場(chǎng)內(nèi)線條2對(duì)應(yīng)的 位置，鎖定第二驅(qū)動(dòng)器M,由第一驅(qū)動(dòng)器J驅(qū)動(dòng)掃描反射鏡42完成曝光場(chǎng)內(nèi)線條2位置的 掃描，在探測(cè)器上就會(huì)有對(duì)應(yīng)的線條2上k個(gè)位置信息。重復(fù)以上過(guò)程，直到完成線條η位 置的掃描，得到線條η上的k個(gè)位置信息。因此，總測(cè)量點(diǎn)個(gè)數(shù)為nXk，得到整個(gè)曝光場(chǎng)內(nèi) nXk個(gè)位置探測(cè)信息。
本發(fā)明調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置利用投影及步進(jìn)掃描單元在掃描和步進(jìn)兩個(gè)方向上 (即X軸和Y軸方向)，對(duì)整個(gè)硅片曝光場(chǎng)進(jìn)行更接近真實(shí)硅片表面狀況的全場(chǎng)多點(diǎn)掃描測(cè) 量，從而大大提高了測(cè)量精度，且工藝適應(yīng)性強(qiáng)；本發(fā)明調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置的照明單元結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。
權(quán)利要求
1.一種調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置，其特征在于，其包括照明單元、投影及步進(jìn)掃描單元、光學(xué) 成像單元和探測(cè)器；所述照明單元發(fā)射出的光束通過(guò)投影及步進(jìn)掃描單元入射到硅片表面上，所述投影及 步進(jìn)掃描單元在一維方向上作掃描振動(dòng)，在與之正交的另一維方向上作步進(jìn)運(yùn)動(dòng)，從而實(shí) 現(xiàn)對(duì)硅片表面整個(gè)曝光場(chǎng)的掃描，獲取檢測(cè)信息，攜帶檢測(cè)信息的光束經(jīng)硅片表面反射后 由光學(xué)成像單元成像到探測(cè)器上，所述探測(cè)器對(duì)檢測(cè)信息進(jìn)行處理，以獲得硅片表面偏離 曝光位置的數(shù)據(jù)信息。
2.如權(quán)利要求1所述的調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置，其特征在于，所述投影及步進(jìn)掃描單元包 括投影前組鏡頭、掃描反射鏡、投影后組鏡頭、第一驅(qū)動(dòng)器和第二驅(qū)動(dòng)器；照明單元發(fā)射出的光束依次通過(guò)投影前組鏡頭、掃描反射鏡、投影后組鏡頭入射到硅 片表面上；所述第一驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)掃描反射鏡作掃描振動(dòng)；所述第二驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)掃描反射鏡、第一驅(qū)動(dòng)器和投影后組鏡頭作步進(jìn)運(yùn)動(dòng)。
3.如權(quán)利要求2所述的調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置，其特征在于，所述掃描反射鏡位于投影前 組鏡頭和投影后組鏡頭的焦闌處。
4.如權(quán)利要求1所述的調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置，其特征在于，所述光學(xué)成像單元包括成像 前組鏡頭、孔徑光闌和成像后組鏡頭；光束經(jīng)硅片表面反射后依次通過(guò)成像前組鏡頭、孔徑 光闌和成像后組鏡頭，最后垂直入射到探測(cè)器上。
5.如權(quán)利要求1所述的調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置，其特征在于，所述照明單元包括依次排列 的白光點(diǎn)光源、小孔屏、準(zhǔn)直透鏡、消雜光光闌和孔徑光闌。
6.如權(quán)利要求1所述的調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置，其特征在于，所述照明單元包括多個(gè)發(fā)光 體、多根光纖、多個(gè)光束準(zhǔn)直單元、一光波合束單元和一孔徑光闌；所述多個(gè)發(fā)光體發(fā)射出的光分別經(jīng)一光纖傳輸至一光束準(zhǔn)直單元，再進(jìn)入光波合束單 元合成為寬波帶的光束，該寬波帶的光束通過(guò)孔徑光闌形成一寬波帶的光束。
7.如權(quán)利要求6所述的調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置，其特征在于，所述發(fā)光體發(fā)射出的光波的 波長(zhǎng)選取在630nm 980nm。
8.如權(quán)利要求7所述的調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置，其特征在于，所述發(fā)光體為發(fā)光二極管或 半導(dǎo)體激光器。
9.如權(quán)利要求1所述的調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置，其特征在于，所述探測(cè)器是面陣電荷耦合 器件、面陣位置敏感器件，或者是線陣電荷耦合器件陣列、線陣位置敏感器件陣列。
全文摘要
本發(fā)明的調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置包括照明單元、投影及步進(jìn)掃描單元、光學(xué)成像單元和探測(cè)器；所述照明單元發(fā)射出的光束通過(guò)投影及步進(jìn)掃描單元入射到硅片表面上，所述投影及步進(jìn)掃描單元在一維方向上作掃描振動(dòng)，在與之正交的另一維方向上作步進(jìn)運(yùn)動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片表面整個(gè)曝光場(chǎng)的掃描，獲取檢測(cè)信息，攜帶檢測(cè)信息的光束經(jīng)硅片表面反射后由光學(xué)成像單元成像到探測(cè)器上，所述探測(cè)器對(duì)檢測(cè)信息進(jìn)行處理，以獲得硅片表面偏離曝光位置的數(shù)據(jù)信息。本發(fā)明調(diào)焦調(diào)平檢測(cè)裝置利用投影及步進(jìn)掃描單元在步進(jìn)和掃描兩個(gè)方向上，對(duì)整個(gè)硅片曝光場(chǎng)進(jìn)行更接近真實(shí)硅片表面狀況的全場(chǎng)多點(diǎn)掃描測(cè)量，從而大大提高了測(cè)量精度，且工藝適應(yīng)性強(qiáng)。
文檔編號(hào)G03F7/22GK102043352SQ20091019710
公開(kāi)日2011年5月4日 申請(qǐng)日期2009年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月13日
發(fā)明者張沖, 陳飛彪, 魏禮俊 申請(qǐng)人:上海微電子裝備有限公司