專利名稱：像素結(jié)構(gòu)、其制作方法及多域垂直配向型液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)及應(yīng)用該像素結(jié)構(gòu)的一種多域垂直配向型液晶顯示裝置(multi domain vertical alignment LCD)，本發(fā)明還關(guān)于所述的像 素結(jié)構(gòu)的制作方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)液晶顯示裝置(例如TN型的液晶顯示裝置)于不同視角觀察時(shí)，會(huì) 發(fā)現(xiàn)不同的相位差值，從而感受到不同的亮度。更甚者，可發(fā)現(xiàn)灰階反轉(zhuǎn)(gray scale inversion)的現(xiàn)象。前述問(wèn)題，使得傳統(tǒng)的液晶顯示裝置的視角受限， 此在近年來(lái)液晶顯示裝置朝大尺寸面版及多人使用的目標(biāo)發(fā)展的情形下，更 使得傳統(tǒng)液晶顯示裝置的適用性受到質(zhì)疑。
為解決上述問(wèn)題，業(yè)界業(yè)己發(fā)展出多種增加視角的技術(shù)。其中之一稱為 多域垂直配向(multi domain vertical alignment, MVA)技術(shù)。MVA技術(shù)主要 于顯示裝置中分隔多個(gè)配向區(qū)域，借此使液晶材料之間呈現(xiàn)一互相補(bǔ)償?shù)呐?列方式，以于不同視角觀察到相同的相位差值，從而擴(kuò)大視角范圍并避免灰 階反轉(zhuǎn)現(xiàn)象。于此，常用的MVA技術(shù)是于液晶顯示裝置中的適當(dāng)處(例如彩 色濾光片上)設(shè)置凸塊(protrusions)，以便分隔多個(gè)配向區(qū)域。簡(jiǎn)言之，前 述技術(shù)通過(guò)凸塊使液晶材料產(chǎn)生傾角，以便于施加電壓至液晶材料時(shí)，讓不 同配向區(qū)域中的液晶材料朝不同方向傾斜，借此改善視角范圍。此一方式雖 可以解決前述視角狹隘的問(wèn)題，卻常可發(fā)現(xiàn)因凸塊所引起的漏光現(xiàn)象，此一 漏光現(xiàn)象則影響液晶顯示裝置的顯示效果。
由上述說(shuō)明可知，先前技術(shù)為擴(kuò)大視角而于液晶顯示裝置的面版中設(shè)置 凸塊，但卻導(dǎo)致漏光現(xiàn)象。有鑒于此，提供一不需設(shè)置凸塊但具有大視角的
液晶顯示裝置，為業(yè)界所殷切期盼。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)，其包含 一下基板，其具有一 晶體管區(qū)及一像素區(qū)； 一第一圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于該下基板上，該第一圖 案化導(dǎo)電層包含一數(shù)據(jù)導(dǎo)線以及設(shè)置于該晶體管區(qū)內(nèi)的一柵極； 一圖案化絕 緣層，覆蓋該第一圖案化導(dǎo)電層； 一主動(dòng)層，設(shè)置于該柵極上方的該圖案化 絕緣層上； 一第二圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于該圖案化絕緣層以及該主動(dòng)層上， 該第二圖案化導(dǎo)電層包括一柵極導(dǎo)線以及設(shè)置于該主動(dòng)層上的一源極與一漏 極； 一像素電極，設(shè)置于該圖案化絕緣層上且與該漏極電性連接； 一圖案化 保護(hù)層，覆蓋于該圖案化絕緣層、該第二圖案化導(dǎo)電層與該像素電極之上； 以及一第三圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于該圖案化保護(hù)層上，該第三圖案化導(dǎo)電層 包括一數(shù)據(jù)導(dǎo)線連接電極、 一柵極導(dǎo)線連接電極、至少一配向電極與一共通 電極，其中，該數(shù)據(jù)導(dǎo)線與該源極通過(guò)該數(shù)據(jù)導(dǎo)線連接電極呈電性連接，該 柵極導(dǎo)線與該柵極通過(guò)該柵極導(dǎo)線連接電極呈電性連接，該配向電極與該像 素電極呈電性連接，而部分該共通電極位于該數(shù)據(jù)導(dǎo)線上方。
本發(fā)明的另一 目的在于提供一種多域垂直配向型液晶顯示裝置，其包含 一上基板、 一定義有一晶體管區(qū)及一像素區(qū)的下基板、以及一設(shè)置于該上基 板及下基板間的液晶材料，該像素區(qū)內(nèi)定義有復(fù)數(shù)配向區(qū)域，該裝置另于該 上基板與該下基板之間包含 一像素電極，設(shè)置于該像素區(qū)內(nèi)；以及至少一 配向電極，設(shè)置于該像素電極上，且與該像素電極電性連接。本發(fā)明的再一 目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，用于多域垂直配 向型液晶顯示裝置，包含提供一定義有一晶體管區(qū)及一像素區(qū)的下基板； 于該下基板上形成一第一圖案化導(dǎo)電層，其包含一數(shù)據(jù)導(dǎo)線以及設(shè)置于該晶 體管區(qū)內(nèi)的一柵極；于該第一圖案化導(dǎo)電層上覆蓋一絕緣層；于部分該柵極 上方的該絕緣層上形成一主動(dòng)層；形成一第二圖案化導(dǎo)電層，其包含一柵極 導(dǎo)線以及設(shè)置于該晶體管區(qū)內(nèi)的一源極與一漏極；于該像素區(qū)內(nèi)形成一像素 電極，與該漏極電性連接；形成一保護(hù)層于該絕緣層、該第二圖案化導(dǎo)電層 與該像素電極之上；施行一蝕刻制造工藝，以于該保護(hù)層與該絕緣層形成復(fù) 數(shù)接觸窗，分別暴露部分該源極、部分該數(shù)據(jù)導(dǎo)線、部分該像素電極、部分 該柵極及部分該柵極導(dǎo)線；以及形成一第三圖案化導(dǎo)電層于該保護(hù)層上以及 該復(fù)數(shù)接觸窗之中。
在本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)的制造方法中，形成該第三圖案化導(dǎo)電層的步驟包 含形成一數(shù)據(jù)導(dǎo)線連接電極于該經(jīng)暴露的部分該數(shù)據(jù)導(dǎo)線上及該經(jīng)暴露的 部分該源極上，以電性連接該數(shù)據(jù)導(dǎo)線與該源極；形成一柵極導(dǎo)線連接電極 于該經(jīng)暴露的部分該柵極導(dǎo)線上以及經(jīng)暴露的部分該柵極上，以電性連接該 柵極導(dǎo)線與該柵極；以及形成至少一配向電極于該經(jīng)暴露的部分該像素電極 上，該至少一配向電極與該像素電極電性連接。


圖1A為本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖； 圖1B則為圖1 A中剖面線AA'、 BB'及CC'處的剖面示意圖； 圖2A及圖2B為數(shù)據(jù)導(dǎo)線上方的部份共通電極于該數(shù)據(jù)導(dǎo)線的橫切方向上 存在不連續(xù)部份的示意圖；以及圖3至圖8為制造本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)流程的示意圖。
附圖標(biāo)號(hào) 101 上基板 1031 晶體管區(qū) 105 液晶材料層 111、 llla 數(shù)據(jù)導(dǎo)線 12—'"103 下基板 1033像素區(qū)11 第一圖案化導(dǎo)電層113 柵極 12， 13主動(dòng)層131半導(dǎo)體通道層133歐姆接觸層14第二圖案化導(dǎo)電層141源極143漏極145柵極導(dǎo)線15像素電極16圖案化保護(hù)層17配向區(qū)域18第三圖案化導(dǎo)電層181、181a 配向電極183共通電極185數(shù)據(jù)導(dǎo)線連接電極187柵極導(dǎo)線連接電極191第一接觸窗193第二接觸窗195第三接觸窗195第四接觸窗199第五接觸窗具體實(shí)施方式
為讓本發(fā)明的上述目的、技術(shù)特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文將以較 佳實(shí)施例配合附圖以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。為有效解決前述視角狹隘及漏光現(xiàn)象的問(wèn)題，本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，尤其是應(yīng)用該像素結(jié)構(gòu)的一種多域垂直配向型液晶顯示裝置。 一并參考圖1A 及圖1B，其為具有本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的多域垂直配向型液晶顯示裝置的示意圖， 其中圖1A為位于下基板上的本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖IB則為圖1A中 剖面線AA'、 BB'及CC'處的剖面圖。多域垂直配向型液晶顯示裝置包含一上 基板101、 一定義有一晶體管區(qū)1031與一像素區(qū)1033的下基板103以及一設(shè) 置于上基板101及下基板103間的液晶材料層105。像素區(qū)1033內(nèi)則定義有 復(fù)數(shù)個(gè)配向區(qū)域17。于多域垂直配向型液晶顯示裝置的上基板101與下基板103間，即下基 板103面向上基板101的側(cè)面上，設(shè)置有一第一圖案化導(dǎo)電層11，其包含一 數(shù)據(jù)導(dǎo)線111以及一設(shè)置于晶體管區(qū)1031內(nèi)的柵極113。一圖案化絕緣層12， 覆蓋該第一圖案化導(dǎo)電層11。于柵極113上方的圖案化絕緣層12上則設(shè)有一主動(dòng)層13。主動(dòng)層13包含一半導(dǎo)體通道層131以及一位于半導(dǎo)體通道層131 上的歐姆接觸層133。一第二圖案化導(dǎo)電層14，設(shè)置于圖案化絕緣層12以及主動(dòng)層13上，其 包含設(shè)置于該主動(dòng)層13上的一源極141與一漏極143以及一柵極導(dǎo)線145。 一像素電極15設(shè)置于圖案化絕緣層12上，且與漏極143呈電性連接。如圖1B所示，本發(fā)明多域垂直配向型液晶顯示裝置中的像素電極15與 數(shù)據(jù)導(dǎo)線111設(shè)置于不同層，數(shù)據(jù)導(dǎo)線111設(shè)置于下基板103上，而像素電 極15則設(shè)置于圖案化絕緣層12上。此一結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可使數(shù)據(jù)導(dǎo)線111與像 素電極15上下分開設(shè)置于不同層，且于兩者之間存在一絕緣材料(即圖案化 絕緣層12)。從而，可進(jìn)一步縮短數(shù)據(jù)導(dǎo)線111與像素電極15間的距離，但 不致產(chǎn)生短路情況。此一結(jié)果將可進(jìn)一步增加像素結(jié)構(gòu)的幵口率(aperture ratio)，即可使顯示裝置的光源更充分、更有效率地投射出，并減少光源消耗 于顯示裝置內(nèi)的比例。一圖案化保護(hù)層16覆蓋于圖案化絕緣層12、第二圖案化導(dǎo)電層14與像 素電極15之上。于數(shù)據(jù)導(dǎo)線111上方的圖案化絕緣層12與圖案化保護(hù)層16 中設(shè)有一第一接觸窗191以暴露部分?jǐn)?shù)據(jù)導(dǎo)線111，以及于源極141上方的圖 案化保護(hù)層16中設(shè)有一第二接觸窗193以暴露部分源極141。另外，于柵極 導(dǎo)線145上方的圖案化保護(hù)層16中設(shè)有一第三接觸窗195以暴露部分柵極導(dǎo) 線145，以及于柵極113上方的圖案化絕緣層12與圖案化保護(hù)層16中設(shè)有一 第四接觸窗197以暴露部分柵極113。像素電極15上方的圖案化保護(hù)層16中 則設(shè)有至少一第五接觸窗199以暴露部分像素電極15。一第三圖案化導(dǎo)電層18設(shè)置于圖案化保護(hù)層16上，其包含一共通電極 181、 一配向電極183、 一數(shù)據(jù)導(dǎo)線連接電極185與一柵極導(dǎo)線連接電極187。 其中， 一部分共通電極181位于該數(shù)據(jù)導(dǎo)線Ul上方， 一部分共通電極181 則位于部分像素電極15上方，以便構(gòu)成一儲(chǔ)存電容(圖中虛線圈起處)。另 外，于此實(shí)施例中，使于數(shù)據(jù)導(dǎo)線111上方的部份共通電極181于該數(shù)據(jù)導(dǎo)
線111的橫切方向上不存在不連續(xù)部份。也可視需求，于橫切方向上存在不 連續(xù)部分。其中，共通電極181于數(shù)據(jù)導(dǎo)線111的橫切方向上存在不連續(xù)部份的一態(tài)樣如圖2A及圖2B所示，圖2B為圖2A沿DD，的剖面圖，共通電極 181的二部分通過(guò)一條狀區(qū)域橋接，形成一如"H"狀的局部共通電極181a， 局部共通電極181a于數(shù)據(jù)導(dǎo)線llla的橫切方向僅在橋接區(qū)域連續(xù)，其余部份 均不連續(xù)。數(shù)據(jù)導(dǎo)線連接電極185設(shè)置于第一接觸窗191與第二接觸窗193內(nèi)，從 而使數(shù)據(jù)導(dǎo)線111與源極143電性連接；柵極導(dǎo)線連接電極187設(shè)置于第三 接觸窗195與第四接觸窗197內(nèi)，使柵極導(dǎo)線145與柵極113電性連接；配 向電極183則設(shè)置于第五接觸窗199內(nèi)，并與像素電極15電性連接。通過(guò)配 向電極183與像素電極15間的電性連接，當(dāng)于像素電極15中施加電壓時(shí)， 將使配向電極183與像素電極15具有同一電位，并產(chǎn)生一可供液晶材料配向 用的電場(chǎng)。此一電場(chǎng)將使位于該配向電極183四周的不同配向區(qū)域中的液晶 材料傾向不同的方向，以增加視角的范圍。此即，本發(fā)明可于不使用現(xiàn)有技 術(shù)的凸塊手段的情形下，通過(guò)在像素區(qū)中設(shè)置配向電極的方式以提供液晶材 料配向用的電場(chǎng)，從而增加視角范圍且無(wú)漏光問(wèn)題。一并參考圖1A，以下將說(shuō)明前述本發(fā)明像素結(jié)構(gòu)的制造方法。首先參考 圖3，提供一定義有一晶體管區(qū)1031及一像素區(qū)1033的下基板103。接著， 于下基板103上形成一第一圖案化導(dǎo)電層11，其包含一數(shù)據(jù)導(dǎo)線111以及一 設(shè)置于該晶體管區(qū)1031內(nèi)的柵極113。續(xù)參圖4，于該第一圖案化導(dǎo)電層11上覆蓋一絕緣層12'。之后，于部分 該柵極上方的絕緣層12'上形成一主動(dòng)層13。于此，可于該主動(dòng)層13的形成 操作中包含依序于絕緣層12，上形成一半導(dǎo)體通道層131以及一歐姆接觸層 133。然后，參考圖5，形成一第二圖案化導(dǎo)電層14，其包含一源極141、 一漏 極143、以及一柵極導(dǎo)線145，其中，源極141與漏極143設(shè)置于該晶體管區(qū)1031內(nèi)且分別與歐姆接觸層133電性連接。詳言之，先于絕緣層12'上形成一 導(dǎo)電層，之后，利用光刻及蝕刻技術(shù)以圖案化該導(dǎo)電層，形成一第二圖案化 導(dǎo)電層14。于進(jìn)行前述蝕刻技術(shù)的同時(shí)，還將蝕刻位于源極141及漏極143 間的歐姆接觸層133，從而使歐姆接觸層133分開為源極部分及漏極部分(圖之后，參考圖6，于像素區(qū)1031內(nèi)形成一像素電極15并與漏極143電性 連接。像素電極15由透明導(dǎo)電材料所構(gòu)成。該透明導(dǎo)電材料可為氧化銦錫、 氧化銦鋅或前述的組合。其后，參考圖7，形成一保護(hù)層(圖未繪示)，覆蓋絕緣層12'、第二圖 案化導(dǎo)電層14與像素電極15。接著，施行一蝕刻制造工藝，以形成一圖案化 絕緣層12及一圖案化保護(hù)層16。其中，圖案化絕緣層12及圖案化保護(hù)層16 包含一第一接觸窗191、 一第二接觸窗193、 一第三接觸窗195、 一第四接觸 窗197以及至少一第五接觸窗199，以分別暴露部分?jǐn)?shù)據(jù)導(dǎo)線lll、部分源極 141、部分柵極導(dǎo)線145、部分柵極113及部分像素電極15。該蝕刻制造工藝 可為任何適宜的濕式蝕刻制造工藝或干式蝕刻制造工藝。最后，參考圖8，形成一第三圖案化導(dǎo)電層18，覆蓋該圖案化保護(hù)層16 及各接觸窗191、 193、 195、 197、 199內(nèi)。詳言之，該第三圖案化導(dǎo)電層18 包含一共通電極181、至少一配向電極183、數(shù)據(jù)導(dǎo)線連接電極185及一柵極 導(dǎo)線連接電極187。其中，數(shù)據(jù)導(dǎo)線連接電極185形成于第一接觸窗191及第 二接觸窗193內(nèi)，使數(shù)據(jù)導(dǎo)線111與源極141電性連接；柵極導(dǎo)線連接電極 187形成于第三接觸窗195及第四接觸窗197內(nèi)，使柵極113及柵極導(dǎo)線145 電性連接；且配向電極183形成于第五接觸窗199內(nèi)，并與像素電極15電性 連接。第三圖案化導(dǎo)電層18由選自以下群組的材料所構(gòu)成透明導(dǎo)電材料、導(dǎo) 電金屬、導(dǎo)電金屬合金及前述的組合。其中，透明導(dǎo)電材料可為氧化銦錫 (indium tin oxide， ITO )、氧化銦鋅(indium zinc oxide, IZO)或前述的組合；導(dǎo)電 金屬則可為鋁、銅、鎢、鉻、鉬或其組合。
綜上所述，本發(fā)明通過(guò)設(shè)置一與像素電極同電位的配向電極的手段，可 有效應(yīng)用于多域垂直配向型液晶顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)中，以達(dá)到增加視角的 功效。另外，本發(fā)明還通過(guò)將數(shù)據(jù)導(dǎo)線設(shè)于下基板上，而像素電極設(shè)于圖案 化絕緣層上的手段，進(jìn)一步增加像素結(jié)構(gòu)的幵口率。
上述實(shí)施例僅為例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，以及闡釋本發(fā)明的 技術(shù)特征，而非用于限制本發(fā)明的保護(hù)范疇。任何熟悉本技術(shù)的人士均可在 不違背本發(fā)明的技術(shù)原理及精神的情況下，可輕易完成的改變或均等性的安 排均屬于本發(fā)明所主張的范圍。因此，本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍應(yīng)如權(quán)利要求所述。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，包含一下基板，其具有一晶體管區(qū)及一像素區(qū)；一第一圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于所述的下基板上，所述的第一圖案化導(dǎo)電層包含一數(shù)據(jù)導(dǎo)線以及設(shè)置于所述的晶體管區(qū)內(nèi)的一柵極；一圖案化絕緣層，覆蓋所述的第一圖案化導(dǎo)電層；一主動(dòng)層，設(shè)置于所述的柵極上方的所述的圖案化絕緣層上；一第二圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于所述的圖案化絕緣層以及所述的主動(dòng)層上，所述的第二圖案化導(dǎo)電層包括一柵極導(dǎo)線以及設(shè)置于所述的主動(dòng)層上的一源極與一漏極；一像素電極，設(shè)置于所述的圖案化絕緣層上且與所述的漏極電性連接；一圖案化保護(hù)層，覆蓋于所述的圖案化絕緣層、所述的第二圖案化導(dǎo)電層與所述的像素電極之上；以及一第三圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于所述的圖案化保護(hù)層上，所述的第三圖案化導(dǎo)電層包括一數(shù)據(jù)導(dǎo)線連接電極、一柵極導(dǎo)線連接電極、至少一配向電極與一共通電極，其中，所述的數(shù)據(jù)導(dǎo)線與所述的源極通過(guò)所述的數(shù)據(jù)導(dǎo)線連接電極呈電性連接，所述的柵極導(dǎo)線與所述的柵極通過(guò)所述的柵極導(dǎo)線連接電極呈電性連接，所述的至少一配向電極與所述的像素電極呈電性連接，而部分所述的共通電極位于所述的數(shù)據(jù)導(dǎo)線上方。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述的共通電極還與所述的像素 電極部分重迭，以構(gòu)成一儲(chǔ)存電容。
3. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述的主動(dòng)層包括一半導(dǎo)體通道 層以及位于所述的半導(dǎo)體通道層上的一歐姆接觸層。
4. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述的數(shù)據(jù)導(dǎo)線上方的所述的圖 案化絕緣層與所述的圖案化保護(hù)層具有一第一接觸窗，所述的源極上方的所 述的圖案化保護(hù)層具有一第二接觸窗，而所述的數(shù)據(jù)導(dǎo)線連接電極設(shè)置于所 述的第一接觸窗與第二接觸窗內(nèi)，并使所述的數(shù)據(jù)導(dǎo)線與所述的源極呈電性 連接。
5. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述的柵極導(dǎo)線上方的所述的圖 案化保護(hù)層具有一第三接觸窗，所述的柵極上方的所述的圖案化絕緣層與所 述的圖案化保護(hù)層具有一第四接觸窗，而所述的柵極導(dǎo)線連接電極設(shè)置于所 述的第三接觸窗與第四接觸窗內(nèi)，并使所述的柵極導(dǎo)線與所述的柵極呈電性 連接。
6. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中所述的像素電極上方的所述的圖案化保護(hù)層中具有至少一第五接觸窗，而所述的至少一配向電極設(shè)置于所述的至少一第五接觸窗內(nèi)，并與所述 的像素電極呈電性連接。
7. —種多域垂直配向型液晶顯示裝置，其包含一上基板、 一定義有一晶 體管區(qū)及一像素區(qū)的下基板、以及一設(shè)置于所述的上基板及下基板間的液晶 材料，所述的像素區(qū)內(nèi)定義有復(fù)數(shù)配向區(qū)域，所述的裝置另于所述的上基板與所述的下基板之間包含一像素電極，設(shè)置于所述的像素區(qū)內(nèi)；以及至少一配向電極，設(shè)置于所述的像素電極上，且與所述的像素電極電性 連接。
8. 如權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，還包含一第一圖案化導(dǎo)電層，設(shè)置于所述的下基板上且包含一數(shù)據(jù)導(dǎo)線以及設(shè)置于所述的晶體管區(qū)內(nèi)的一柵極；一圖案化絕緣層位于所述的第一圖案化導(dǎo)電層上； 一主動(dòng)層，設(shè)置于所述的柵極上方的所述的圖案化絕緣層上； 一源極及一漏極，其相對(duì)于主動(dòng)層而實(shí)質(zhì)上設(shè)置于所述的主動(dòng)層兩側(cè)，其中所述的像素電極設(shè)置于所述的圖案化絕緣層上且與所述的漏極電性連接；一柵極導(dǎo)線，設(shè)置于所述的圖案化絕緣層上且與所述的柵極電性連接；一圖案化保護(hù)層，設(shè)置于所述的漏極、所述的源極、所述的柵極導(dǎo)線及所述的像素電極上；以及一共通電極，設(shè)置于所述的圖案化保護(hù)層上，其中部份所述的共通電極 位于所述的數(shù)據(jù)導(dǎo)線上方。
9. 如權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其中所述的共通電極更與所述的 像素電極部分重迭，以構(gòu)成一儲(chǔ)存電容。
10. 如權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，還包含一數(shù)據(jù)導(dǎo)線連接電極，以 電性連接所述的數(shù)據(jù)導(dǎo)線與所述的源極。
11. 如權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，還包含一柵極導(dǎo)線連接電極，以 電性連接所述的柵極導(dǎo)線與所述的柵極。
12. 如權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其中所述的主動(dòng)層包含一半導(dǎo)體 通道層及其上的一歐姆接觸層。
13. 如權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其中所述的源極與所述的漏極 分別與所述的歐姆接觸層電性連接。
14. 一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，所述的像素結(jié)構(gòu)用于多域垂直配向型液晶 顯示裝置，所述的方法包含提供定義有一晶體管區(qū)及一像素區(qū)的一下基板；于所述的下基板上形成一第一圖案化導(dǎo)電層，其包含一數(shù)據(jù)導(dǎo)線以及設(shè)置于所述的晶體管區(qū)內(nèi)的一柵極；于所述的第一圖案化導(dǎo)電層上覆蓋一絕緣層； 于部分所述的柵極上方的所述的絕緣層上形成一主動(dòng)層； 形成一第二圖案化導(dǎo)電層，其包含一柵極導(dǎo)線以及設(shè)置于所述的晶體管區(qū)內(nèi)的一源極與一漏極；于所述的像素區(qū)內(nèi)形成一像素電極，與所述的漏極電性連接；形成一保護(hù)層于所述的絕緣層、所述的第二圖案化導(dǎo)電層與所述的像素電極之上；施行一蝕刻制造工藝，以于所述的保護(hù)層與所述的絕緣層形成復(fù)數(shù)接觸 窗，分別暴露部分所述的源極、部分所述的數(shù)據(jù)導(dǎo)線、部分所述的像素電極、 部分所述的柵極及部分所述的柵極導(dǎo)線；以及形成一第三圖案化導(dǎo)電層于所述的保護(hù)層上以及所述的復(fù)數(shù)接觸窗之中。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中形成所述的第三圖案化導(dǎo)電層的步 驟包含形成一數(shù)據(jù)導(dǎo)線連接電極于所述的經(jīng)暴露的部分所述的數(shù)據(jù)導(dǎo)線上及 所述的經(jīng)暴露的部分所述的源極上，以電性連接所述的數(shù)據(jù)導(dǎo)線與所述的源 極。
16. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中形成所述的第三圖案化導(dǎo)電層的步 驟包含形成一柵極導(dǎo)線連接電極于所述的經(jīng)暴露的部分所述的柵極導(dǎo)線上以 及經(jīng)暴露的部分所述的柵極上，以電性連接所述的柵極導(dǎo)線與所述的柵極。
17. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中形成所述的第三圖案化導(dǎo)電層的步 驟包含形成至少一配向電極于所述的經(jīng)暴露的部分所述的像素電極上，所述 的至少一配向電極與所述的像素電極電性連接。
18. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中形成所述的第三圖案化導(dǎo)電層的步 驟包含形成一共通電極，其中部分所述的共通電極形成于所述的數(shù)據(jù)導(dǎo)線上 方。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述的共通電極與所述的像素電極 部分重迭，以構(gòu)成一儲(chǔ)存電容。
20. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述的蝕刻制造工藝包括一濕式蝕 刻制造工藝或一干式蝕刻制造工藝。
21. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述的形成所述的主動(dòng)層的步驟系 包含 形成一半導(dǎo)體通道層；以及形成一歐姆接觸層于所述的半導(dǎo)體通道層上。
22. 如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述的源極與所述的漏極分別與所 述的歐姆接觸層電性連接。
23. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中第三圖案化導(dǎo)電層由選自以下群組 的材料所構(gòu)成透明導(dǎo)電材料、導(dǎo)電金屬、導(dǎo)電金屬合金及前述的組合。
24. 如權(quán)利要求23所述的方法，其中所述的透明導(dǎo)電材料為氧化銦錫、 氧化銦鋅或前述的組合。
25. 如權(quán)利要求23所述的方法，其中所述的導(dǎo)電金屬包含鋁、銅、鉤、 鉻、鉬或其組合。
26. 如權(quán)利要求14所述的方法，其中所述的像素電極由透明導(dǎo)電材料所 構(gòu)成。
27. 如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述的透明導(dǎo)電材料包含氧化銦錫、 氧化銦鋅或前述的組合。
全文摘要
本發(fā)明關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)，包含一下基板，其具有一晶體管區(qū)及一像素區(qū)；一第一圖案化導(dǎo)電層，包含一數(shù)據(jù)導(dǎo)線以及設(shè)置于晶體管區(qū)內(nèi)的一柵極；一圖案化絕緣層，覆蓋第一圖案化導(dǎo)電層；一主動(dòng)層，設(shè)置于柵極上方的圖案化絕緣層上；一第二圖案化導(dǎo)電層，包括一柵極導(dǎo)線以及設(shè)置于主動(dòng)層上的一源極與一漏極；一像素電極，設(shè)置于圖案化絕緣層上且與漏極電性連接；一圖案化保護(hù)層，覆蓋于圖案化絕緣層、第二圖案化導(dǎo)電層與像素電極的上；以及一第三圖案化導(dǎo)電層，包括一數(shù)據(jù)導(dǎo)線連接電極、一柵極導(dǎo)線連接電極、至少一配向電極與一共通電極，其中，數(shù)據(jù)導(dǎo)線與源極通過(guò)數(shù)據(jù)導(dǎo)線連接電極呈電性連接，柵極導(dǎo)線與柵極系通過(guò)柵極導(dǎo)線連接電極呈電性連接。
文檔編號(hào)G02F1/133GK101109883SQ20071014657
公開日2008年1月23日 申請(qǐng)日期2007年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月21日
發(fā)明者李錫烈, 楊敦鈞, 林祥麟 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司