專利名稱：回流方法、圖形形成方法和tft元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如在薄膜晶體管(TFT)元件等半導(dǎo)體裝置用的圖形形成過程中可以利用的抗蝕劑的回流方法以及使用其的圖形形成方法和液晶顯示裝置用TFT元件的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，半導(dǎo)體裝置的高集成化與微細(xì)化正在進(jìn)展。但是，如果進(jìn)行高集成化或微細(xì)化，則半導(dǎo)體裝置的制造過程復(fù)雜化，制造成本增加。因此，為了大幅度地降低制造成本，而研究統(tǒng)合光刻技術(shù)用的掩模圖形的形成工序以縮短總體的工序數(shù)。
作為削減掩模圖形的形成工序數(shù)的技術(shù)，提出通過在抗蝕劑上浸透有機溶劑而使抗蝕劑軟化，改變抗蝕劑圖形的形狀，由此可以省略掩模圖形的形成工序的回流處理(例如專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1日本特開2002-334830號公報(權(quán)利要求書等)在所述專利文獻(xiàn)1的方法中，存在著難以控制使抗蝕劑軟化擴展時的方向和抗蝕劑的覆蓋面積這樣的問題。例如，雖然在專利文獻(xiàn)1的第四實施方式中，公開有使存在膜厚差的抗蝕劑掩?；亓鞫采wTFT元件的溝道區(qū)域的技術(shù)，但是在該情況下，例如，如圖26A中所示，具有膜厚差的抗蝕劑507a、507b作為先前的蝕刻工序的掩模而使用的狀態(tài)下，在作為下層膜的電阻性(ohmic)接點505和源極·漏極電極506之上，以與之相同的面積形成。
因此，如圖26B中所示，回流后的變形抗蝕劑511大幅度地脫離所述源極·漏極電極506和有電阻的接點層505的面積，進(jìn)而擴展到下層的a-Si層504上。這樣一來，抗蝕劑擴展到不僅本來的回流處理的目標(biāo)區(qū)域(在該情況下溝道區(qū)域510)，還擴展到圖26B中虛線圍著的周邊區(qū)域Z1，由此，例如為了制造一個TFT元件所需的面積(點面積)加大，對高集成化或微細(xì)化的適應(yīng)變得困難。再者，在圖26A、圖26B中，標(biāo)號503是氮化硅等絕緣膜，標(biāo)號510是溝道區(qū)域，柵極電極未畫出(圖27A～圖27C中也是同樣)。
此外，在專利文獻(xiàn)1的第五實施方式中，如圖27A中所示，提出在對具有膜厚差的抗蝕劑507a、507b進(jìn)行回流處理前，設(shè)置O2等離子體進(jìn)行的灰化工序的技術(shù)。在該情況下，如圖27B中所示，通過O2等離子體進(jìn)行的灰化，薄抗蝕劑部分被去除，在鄰接于溝道區(qū)域510的位置上殘留已縮小的抗蝕劑508a、508b，之后，進(jìn)行回流處理。但是，在進(jìn)行O2等離子體灰化的情況下，因為通?？刮g劑也向橫向消減，因此在面臨溝道區(qū)域510的抗蝕劑508a、508b的側(cè)面與下層膜(源極·漏極電極506)的端部形成臺階D。如果形成這種臺階D，則比起平坦面來直到越過臺階D需要時間，因此軟化的抗蝕劑停滯，結(jié)果，使流動方向的控制變得困難。
例如，即使是在臺階D處軟化的抗蝕劑的流動停滯的情況下，也由于進(jìn)行向沒有臺階的方向的流動，所以變形抗蝕劑的覆蓋區(qū)域偏移，在最壞的情況下，例如，如圖27C中所示，溝道區(qū)域510完全未被變形抗蝕劑511覆蓋，或者周邊的禁止抗蝕劑流入?yún)^(qū)域Z2被變形抗蝕劑511所覆蓋，有可能引起器件的性能不良。此外，臺階D處的軟化抗蝕劑的流動的停滯，使回流工序的工序時間長期化而成為降低TFT制造的生產(chǎn)率的原因。
這樣一來，在專利文獻(xiàn)1的方法中，如果使回流前的抗蝕劑面積與下層膜一致，則因為無法避免軟化的抗蝕劑向周邊區(qū)域的流出而因此存在著對TFT元件的微細(xì)化的適應(yīng)變得困難這樣的問題，另一方面，在因灰化處理等使抗蝕劑面積相對下層膜縮小的情況下，在軟化的抗蝕劑擴展的方向上形成例如臺階，在臺階上在軟化的抗蝕劑的流動(也就是，面積的擴大)中發(fā)生停滯，無法使抗蝕劑流入目標(biāo)區(qū)域，存在著作為掩模的功能受損這樣的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明目的在于提供一種在抗蝕劑的回流處理中，能夠高精度地控制軟化的抗蝕劑的流動方向和流動面積，因此可以應(yīng)用于圖形形成或者液晶顯示裝置用TFT元件的制造中的技術(shù)。
為了解決上述課題，本發(fā)明的第一觀點，提供一種回流方法，其特征在于其是對具有下層膜、以及在該下層膜的上層以形成有露出所述下層膜的露出區(qū)域和覆蓋所述下層膜的覆蓋區(qū)域的方式而圖形形成的抗蝕劑膜的被處理體，通過使所述抗蝕劑膜的抗蝕劑軟化流動，覆蓋所述露出區(qū)域的一部分或者全部的回流方法，其中，作為所述抗蝕劑膜，使用因部位而膜厚變化、至少具有膜厚厚的厚膜部與相對于該厚膜部膜厚相對薄的薄膜部的形狀的抗蝕劑膜。
在上述第一觀點的回流方法中，優(yōu)選通過所述厚膜部與所述薄膜部的配置控制軟化的所述抗蝕劑的流動方向或者覆蓋面積。例如，也可以在應(yīng)該促進(jìn)軟化的所述抗蝕劑的擴展一側(cè)設(shè)置所述厚膜部，在應(yīng)該抑制所述抗蝕劑的擴展一側(cè)設(shè)置所述薄膜部?；蛘?，也可以在應(yīng)該促進(jìn)軟化的所述抗蝕劑的擴展一側(cè)設(shè)置所述薄膜部，在應(yīng)該抑制所述抗蝕劑的擴展一側(cè)設(shè)置所述厚膜部。
此外，優(yōu)選在有機溶劑氣氛中使所述抗蝕劑變形。而且，能夠通過所述抗蝕劑膜的平面形狀，控制軟化的所述抗蝕劑的流動方向和覆蓋面積。此外，也可以在所述抗蝕劑膜與所述露出區(qū)域之間形成臺階。
此外，還可以通過利用網(wǎng)板掩模(halftone mask)的半曝光處理以及其后的顯影處理形成所述抗蝕劑膜的所述厚膜部與所述薄膜部。
本發(fā)明的第二觀點，提供一種圖形形成方法，其特征在于，包括在被處理體的被蝕刻膜的上層上形成抗蝕劑膜的抗蝕劑膜形成工序；圖形形成所述抗蝕劑膜，并且因部位而使所述抗蝕劑膜的膜厚變化，至少設(shè)置膜厚厚的厚膜部與相對于該厚膜部膜厚相對薄的薄膜部的掩模圖形形成工序；對所述圖形形成的抗蝕劑膜進(jìn)行再顯影處理而縮小其覆蓋面積的再顯影處理工序；使所述抗蝕劑膜的抗蝕劑軟化變形，并且一邊通過所述厚膜部與所述薄膜部的配置控制軟化抗蝕劑的流動方向與流動量一邊覆蓋所述被蝕刻膜的目標(biāo)區(qū)域的回流工序；以變形后的所述抗蝕劑作為掩模蝕刻所述被蝕刻膜的露出區(qū)域的第一蝕刻工序；
去除變形后的所述抗蝕劑的工序；以及對通過去除變形后的所述抗蝕劑而再露出的所述被蝕刻膜的目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行蝕刻的第二蝕刻工序。
在上述第二觀點的圖形形成方法中，優(yōu)選在所述回流工序中，通過所述厚膜部與所述薄膜部的配置控制所述軟化抗蝕劑的流動方向或覆蓋面積。例如，也可以在所述回流工序中在應(yīng)該促進(jìn)所述軟化抗蝕劑的擴展一側(cè)設(shè)置所述厚膜部，在應(yīng)該抑制所述軟化抗蝕劑的擴展一側(cè)設(shè)置所述薄膜部?；蛘?，也可以在所述回流工序中在應(yīng)該促進(jìn)所述軟化抗蝕劑的擴展一側(cè)設(shè)置所述薄膜部，在應(yīng)該抑制所述軟化抗蝕劑的擴展一側(cè)設(shè)置所述厚膜部。
此外，優(yōu)選在所述回流工序中，在有機溶劑氣氛中使所述抗蝕劑變形。此外，也可以在所述回流工序中，還通過所述抗蝕劑膜的平面形狀，控制所述軟化抗蝕劑的流動方向和覆蓋面積。
此外，優(yōu)選在所述再顯影處理工序前，進(jìn)行去除抗蝕劑表面的變質(zhì)層的前處理工序。此外，也可以在所述掩模圖形形成工序中，通過用網(wǎng)板掩模的半曝光處理以及其后的顯影處理形成所述抗蝕劑膜的所述厚膜部與所述薄膜部。
而且，優(yōu)選被處理體是在基板上形成柵極線和柵極電極，并且形成覆蓋它們的柵極絕緣膜，而且在所述柵極絕緣膜上，自下而上依次形成a-Si膜、歐姆接觸用Si膜和源極·漏極電極用金屬膜的層積結(jié)構(gòu)體，所述被蝕刻膜是所述歐姆接觸用Si膜。在該情況下，也可以通過所述再顯影處理，在面臨所述目標(biāo)區(qū)域側(cè)的所述抗蝕劑膜的端部與其下層的源極·漏極電極用金屬膜的端部之間形成臺階。
此外，本發(fā)明的第三觀點，提供一種液晶顯示裝置用TFT元件的制造方法，其特征在于，包括在基板上形成柵極線和柵極電極的工序；形成覆蓋所述柵極線和柵極電極的柵極絕緣膜的工序；在所述柵極絕緣膜上，自下而上依次堆積a-Si膜、歐姆接觸用Si膜和源極·漏極電極用金屬膜的工序；在所述源極·漏極電極用金屬膜上形成抗蝕劑膜的工序；
對所述抗蝕劑膜進(jìn)行半曝光處理和顯影處理，形成源極電極用抗蝕劑掩模和漏極電極用抗蝕劑掩模，并且針對所述源極電極用抗蝕劑掩模和所述漏極電極用抗蝕劑掩模的各個，因部位使膜厚變化，至少形成膜厚厚的厚膜部以及相對于對該厚膜部膜厚相對薄的薄膜部的掩模圖形形成工序；以所述源極電極用抗蝕劑掩模和所述漏極電極用抗蝕劑掩模作為掩模蝕刻所述源極·漏極電極用金屬膜，形成源極電極用金屬膜與漏極電極用金屬膜，并且在所述源極電極用金屬膜與所述漏極電極用金屬膜之間的溝道區(qū)域用凹部上露出下層的歐姆接觸用Si膜的工序；對圖形形成的所述源極電極用抗蝕劑掩模和所述漏極電極用抗蝕劑掩模進(jìn)行再顯影處理，在殘留所述厚膜部和所述薄膜部的狀態(tài)下，縮小各自的覆蓋面積的工序；通過使在縮小后的所述源極電極用抗蝕劑掩模和所述漏極電極用抗蝕劑掩模上作用有機溶劑而軟化的軟化抗蝕劑變形，覆蓋所述源極電極用金屬膜與所述漏極電極用金屬膜之間的溝道區(qū)域用凹部內(nèi)的所述歐姆接觸用Si膜的回流工序；以變形后的所述抗蝕劑以及所述源極電極用金屬膜和所述漏極電極用金屬膜作為掩模，蝕刻下層的所述歐姆接觸用Si膜和所述a-Si膜的工序；去除變形后的所述抗蝕劑，在所述源極電極用金屬膜與所述漏極電極用金屬膜之間的溝道區(qū)域用凹部內(nèi)再次露出所述歐姆接觸用Si膜的工序，以及以所述源極電極用金屬膜與所述漏極電極用金屬膜作為掩模，蝕刻在它們之間的所述溝道區(qū)域用凹部上露出的所述歐姆接觸用Si膜的工序。
在上述第三觀點的液晶顯示裝置用TFT元件的制造方法中，優(yōu)選在所述回流工序中，通過所述厚膜部與所述薄膜部的配置控制所述軟化抗蝕劑的流動方向或覆蓋面積。在該情況下，例如，也可以在面臨所述源極電極用金屬膜與所述漏極電極用金屬膜之間的所述溝道區(qū)域用凹部側(cè)設(shè)置所述厚膜部?；蛘?，也可以在面臨所述源極電極用金屬膜與所述漏極電極用金屬膜之間的所述溝道區(qū)域用凹部側(cè)設(shè)置所述薄膜部。
此外，在所述回流工序中，還能夠通過所述抗蝕劑膜的平面形狀，控制所述軟化抗蝕劑的流動方向和覆蓋面積。
此外，也可以通過所述再顯影處理，使面臨所述溝道區(qū)域用凹部側(cè)的所述源極電極用抗蝕劑掩模的端部與所述漏極電極用抗蝕劑掩模的端部的距離形成為比其下層的所述源極電極用金屬膜的端部與所述漏極電極用金屬膜的端部的距離要寬。
本發(fā)明的第四觀點，提供一種控制程序，在計算機上動作，執(zhí)行時，控制回流處理裝置，使得在處理腔室內(nèi)進(jìn)行上述第一觀點的回流方法。
本發(fā)明的第五觀點，提供一種計算機能夠讀取的存儲介質(zhì)，是儲存有在計算機上動作的控制程序的計算機能夠讀取的存儲介質(zhì)，其中，所述控制程序，是在執(zhí)行時，控制回流處理裝置，使得在處理腔室內(nèi)進(jìn)行上述第一觀點的回流方法。
本發(fā)明的第六觀點，提供一種回流處理裝置，其特征在于，包括具有放置被處理體的支撐臺的處理腔室；用于將有機溶劑供給到處理腔室內(nèi)的氣體供給機構(gòu)；以及控制部，其進(jìn)行控制，使得在所述處理腔室內(nèi)進(jìn)行第一觀點的回流方法。
如果使用本發(fā)明，則通過作為回流處理中使用的抗蝕劑膜，使用具有膜厚厚的厚膜部與膜厚薄的薄膜部的抗蝕劑膜，高精度地控制軟化的抗蝕劑的流動方向或流動面積(擴展面積)成為可能。因此，通過將本發(fā)明的回流方法運用于以抗蝕劑作為掩模的蝕刻工序重復(fù)進(jìn)行的TFT元件等半導(dǎo)體裝置的制造，不僅使得省掩?；c工序數(shù)的消減成為可能，而且實現(xiàn)處理時間的縮短與蝕刻精度的提高，對半導(dǎo)體裝置的高集成化或微細(xì)化的適應(yīng)也成為可能。


圖1是說明回流處理系統(tǒng)的概要的圖。
圖2是表示再顯影處理·除膜劑單元的概略構(gòu)成的俯視圖。
圖3是表示再顯影處理·除膜劑單元的概略構(gòu)成的剖視圖。
圖4是表示回流處理單元(REFLW)的概略構(gòu)成的剖視圖。
圖5A是現(xiàn)有技術(shù)的回流方法的原理圖，示出回流前的狀態(tài)。
圖5B是現(xiàn)有技術(shù)的回流方法的原理圖，示出回流中途的狀態(tài)。
圖5C是現(xiàn)有技術(shù)的回流方法的原理圖，示出回流后的狀態(tài)。
圖6A是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的回流方法的原理圖，示出回流前的狀態(tài)。
圖6B是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的回流方法的原理圖，示出回流中途的狀態(tài)。
圖6C是根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的回流方法的原理圖，示出回流后的狀態(tài)。
圖7A是根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的回流方法的原理圖，示出回流前的狀態(tài)。
圖7B是根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的回流方法的原理圖，示出回流中途的狀態(tài)。
圖7C是根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的回流方法的原理圖，示出回流后的狀態(tài)。
圖8A是說明軟化抗蝕劑的流動速度與稀釋劑(thinner)濃度的關(guān)系的圖。
圖8B是說明軟化抗蝕劑的流動速度與溫度的關(guān)系的圖。
圖8C是說明軟化抗蝕劑的流動速度與壓力的關(guān)系的圖。
圖8D是說明軟化抗蝕劑的流動速度與稀釋劑流量的關(guān)系的圖。
圖9是說明回流方法的原理的參考圖。
圖10是說明回流方法的原理的參考圖。
圖11A是根據(jù)本發(fā)明的又一個實施方式的回流方法的原理圖。
圖11B是圖11A中所示的抗蝕劑部分的剖視圖。
圖12是在TFT元件的制造過程中，在絕緣基板上形成有柵極電極和層積膜的狀態(tài)的基板的縱剖視圖。
圖13是在TFT元件的制造過程中，形成有抗蝕劑膜的狀態(tài)的基板的縱剖視圖。
圖14是在TFT元件的制造過程中，進(jìn)行半曝光處理的狀態(tài)的基板的縱剖視圖。
圖15是在TFT元件的制造過程中，進(jìn)行半曝光處理后的基板的縱剖視圖。
圖16是在TFT元件的制造過程中，顯影后的基板的縱剖視圖。
圖17是在TFT元件的制造過程中，蝕刻電極用金屬膜后的基板的縱剖視圖。
圖18是在TFT元件的制造過程中，進(jìn)行前處理和再顯影處理后的基板的縱剖視圖。
圖19是在TFT元件的制造過程中，回流處理后的基板的縱剖視圖。
圖20是在TFT元件的制造過程中，蝕刻n+Si膜和a-Si膜后的基板的縱剖視圖。
圖21是在TFT元件的制造過程中，去除變形抗蝕劑后的基板的縱剖視圖。
圖22是在TFT元件的制造過程中，形成溝道區(qū)域的狀態(tài)的基板的縱剖視圖。
圖23是對應(yīng)于圖18的俯視圖。
圖24是對應(yīng)于圖19的俯視圖。
圖25是表示TFT元件的制造過程的流程圖。
圖26A是說明現(xiàn)有技術(shù)的回流方法的圖，示出回流前的狀態(tài)。
圖26B是說明現(xiàn)有技術(shù)的回流方法的圖，示出回流后的狀態(tài)。
圖27A是說明現(xiàn)有技術(shù)的回流方法的圖，示出回流前的狀態(tài)。
圖27B是說明現(xiàn)有技術(shù)的回流方法的圖，示出灰化后的狀態(tài)。
圖27C是說明現(xiàn)有技術(shù)的回流方法的圖，示出回流后的狀態(tài)。
標(biāo)號說明1盒站；2處理站；3控制部；20中央搬送部；21搬送裝置；30再顯影處理·除膜劑單元(remover unit)(REDEV/REMV)；60回流處理單元(REFLW)；80a、80b、80c加熱·冷卻處理單元(HP/COL)；100回流處理系統(tǒng)；101、102下層膜；103抗蝕劑；103a厚膜部；103b薄膜部；G基板；D臺階；S1目標(biāo)區(qū)域；S2禁止區(qū)域。
具體實施例方式
下面，參照附圖，對本發(fā)明的最佳實施方式進(jìn)行說明。
圖1是表示能夠很好地利用于本發(fā)明的回流方法的回流處理系統(tǒng)的總體的概略俯視圖。這里，舉出備有使LCD用玻璃基板(以下單記為“基板”)G的表面上形成的抗蝕劑膜，在顯影處理后軟化變形，進(jìn)行再覆蓋用的回流處理的回流處理單元，與在該回流處理前所進(jìn)行的再顯影處理和前處理用的再顯影處理·除膜劑單元(REDEV/REMV)的回流處理系統(tǒng)為例進(jìn)行說明。該回流處理系統(tǒng)100包括放置收容多個基板G的盒C的盒站(搬入搬出部)1，具有在基板G上施行包括回流處理和再顯影處理在內(nèi)的一系列處理用的多個處理單元的處理站(處理部)2，以及控制回流處理系統(tǒng)100的各構(gòu)成部的控制部3。其中，在圖1中，以回流處理系統(tǒng)100的縱長方向為X方向，以在平面上與X方向正交的方向為Y方向。
盒站1鄰接于處理站2的一方的端部而配置。該盒站1具有用來在盒C與處理站2之間進(jìn)行基板G的搬入搬出的搬送裝置11，在該盒站1處進(jìn)行盒C對外部的搬入搬出。此外，搬送裝置11具有能夠在沿著作為盒C的排列方向的Y方向設(shè)置的搬送路10上移動的搬送臂11a。該搬送臂11a能夠向X方向進(jìn)出·退避、向上下方向升降和旋轉(zhuǎn)地設(shè)置，構(gòu)成為在盒C與處理站2之間進(jìn)行基板G的交接。
處理站2具有用來實施對基板G進(jìn)行抗蝕劑的回流處理、其前處理和再顯影處理時的一系列工序的多個處理單元。在這些各處理單元中，基板G逐張地被處理。此外，處理站2具有基本上在X方向上延長的基板G搬送用的中央搬送路20，隔著該中央搬送路20在其兩側(cè)面臨中央搬送路20地配置各處理單元。
此外，在中央搬送路20上，包括在與各處理單元之間進(jìn)行基板G的搬入搬出用的搬送裝置21，具有能夠在作為各處理單元的排列方向的X方向上移動的搬送臂21a。而且，該搬送臂21a能夠向Y方向進(jìn)出·退避、向上下方向升降和旋轉(zhuǎn)地設(shè)置，構(gòu)成為在與各處理單元之間進(jìn)行基板的搬入搬出。
沿著處理站2的中央搬送路20，在一方側(cè)，從盒站1側(cè)開始，依次排列再顯影處理·除膜劑單元(REDEV/REMV)30和回流處理單元(REFLW)60，沿著中央搬送路20在另一方側(cè)，三個加熱·冷卻處理單元(HP/COL)80a、80b、80c排列成一列。各加熱·冷卻處理單元(HP/COL)80a、80b、80c在豎直方向上多級地層積配置(未畫出)。
再顯影處理·除膜劑單元(REDEV/REMV)30是進(jìn)行去除在回流處理前在未畫出的別的處理系統(tǒng)中所進(jìn)行的金屬蝕刻等處理時的變質(zhì)層用的前處理和進(jìn)行再顯影抗蝕劑的圖形的再顯影處理的處理單元。該再顯影處理·除膜劑單元(REDEV/REMV)30備有自旋式的液處理機構(gòu)，一邊保持基板G同時以一定速度旋轉(zhuǎn)，一邊從再顯影處理用的再顯影劑液噴出噴嘴和前處理用的回流液噴出噴嘴，將各自的處理液向基板G噴出，構(gòu)成為進(jìn)行再顯影劑液的涂敷或前處理(抗蝕劑表面變質(zhì)層的去除處理)。
這里，參照圖2和圖3對再顯影處理·除膜劑單元(REDEV/REMV)30進(jìn)行說明。圖2是再顯影處理·除膜劑單元(REDEV/REMV)30的俯視圖，圖3是再顯影處理·除膜劑單元(REDEV/REMV)30中的罩蓋部的剖視圖。如圖2中所示，再顯影處理·除膜劑單元(REDEV/REMV)30由水槽31包圍總體。此外，如圖3中所示，在再顯影處理·除膜劑單元(REDEV/REMV)30中，將機械地保持基板G的保持機構(gòu)、例如自旋卡盤32設(shè)置成能利用電動機等旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)33而旋轉(zhuǎn)，在該自旋卡盤32的下側(cè)，配置有包圍旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)33的罩蓋34。自旋卡盤32能夠通過未畫出的升降機構(gòu)而升降，在上升位置處、在與搬送臂21a間進(jìn)行基板G的交接。該自旋卡盤32成為可以利用真空吸引力等吸附保持基板G。
在罩蓋34的外周離開地設(shè)有兩個下杯(under cup)35·36，在這兩個下杯35·36之間的上方，升降自如地設(shè)置有主要用來使再顯影劑液流向下方的內(nèi)杯(inner cup)37，在下杯36的外側(cè)，與內(nèi)杯37一體地升降自如地設(shè)置有主要用來使沖洗液流向下方的外杯38。其中，在圖3中，在朝紙面左側(cè)示出在再顯影劑液的排出時內(nèi)杯37和外杯38上升的位置，在右側(cè)示出在沖洗液的排出時它們下降的位置。
在下杯35的內(nèi)周側(cè)底部配置有在旋轉(zhuǎn)干燥時用來對單元內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣口39，在兩個下杯35·36間設(shè)置有主要用來排除再顯影劑液的排液管40a，在下杯36的外周側(cè)底部設(shè)置有主要用來排除沖洗液的排液管40b。
在外杯38的一方側(cè)，如圖2中所示，設(shè)置有再顯影劑液和沖洗液供給用的噴嘴保持臂41，在噴嘴保持臂41中收容有為了將再顯影劑液涂敷于基板G而使用的再顯影劑液噴出噴嘴42a和除膜劑液噴出噴嘴42b。
噴嘴保持臂41構(gòu)成為沿著導(dǎo)軌43的縱長方向利用帶驅(qū)動等驅(qū)動機構(gòu)44橫向移動基板G，由此，在再顯影劑液的涂敷時或者除膜劑液的噴出時，噴嘴保持臂41一邊從再顯影劑液噴出噴嘴42a噴出再顯影劑液或者從除膜劑液噴出噴嘴42b噴出除膜劑液，一邊掃描經(jīng)過靜止的基板G。
此外，再顯影劑液噴出噴嘴42a和除膜劑液噴出噴嘴42b構(gòu)成為在噴嘴等待部45處待機，在該噴嘴等待部45上設(shè)置有清洗再顯影劑液噴出噴嘴42a、除膜劑液噴出噴嘴42b的噴嘴清洗機構(gòu)46。
在外杯38的另一方側(cè)，設(shè)置有純水等沖洗液噴出用的噴嘴保持臂47，在噴嘴保持臂47的前端部分設(shè)置有沖洗液噴出噴嘴48。作為沖洗液噴出噴嘴48，例如可以使用具有管狀的噴出口的設(shè)備。噴嘴保持臂47被設(shè)置成能夠利用驅(qū)動機構(gòu)49沿著導(dǎo)軌43的縱長方向自由滑動，一邊從沖洗液噴出噴嘴48噴出沖洗液，一邊掃描經(jīng)過基板G上。
接下來，說明利用上述再顯影處理·除膜劑單元(REDEV/REMV)30的前處理和再顯影處理工序的概略。首先，使內(nèi)杯37與外杯38位于下級位置(圖3的右側(cè)中所示的位置)，使保持基板G的搬送臂21a插入再顯影處理·除膜劑單元(REDEV/REMV)30內(nèi)，按照該定時使自旋卡盤32上升，將基板G向自旋卡盤32交接。使搬送臂21a躲避并待機到再顯影處理·除膜劑單元(REDEV/REMV)30外后，使基板G所放置的自旋卡盤32下降并保持于規(guī)定位置。然后，使噴嘴保持臂41移動、并配置于內(nèi)杯37內(nèi)的規(guī)定位置，使升降機構(gòu)50b伸展，僅使除膜劑液噴出噴嘴42b定位于下方而被保持，一邊掃過基板G一邊利用除膜劑液噴出噴嘴42b將堿性除膜劑液噴出到基板G上。接著，這里，作為除膜劑液，可以使用例如強堿水溶液。在直到經(jīng)過規(guī)定的反應(yīng)時間之間，收攏升降機構(gòu)50b而使除膜劑液噴出噴嘴42b回到并保持于上方的位置，使噴嘴保持臂41從內(nèi)杯37和外杯38躲避，代之以驅(qū)動噴嘴保持臂47，使沖洗液噴出噴嘴48移動到基板G上的規(guī)定位置。接著，使內(nèi)杯37與外杯38上升，保持于上級位置(圖3的左側(cè)位置)。
然后，使基板G以低速旋轉(zhuǎn)而進(jìn)入到甩掉基板G上的除膜劑液的動作，幾乎與此同時，從沖洗液噴出噴嘴48噴出沖洗液，而且，幾乎與這些動作同時，開始排氣口39的排氣動作?；錑的旋轉(zhuǎn)開始，從基板G向其外周飛散的除膜劑液和沖洗液碰到內(nèi)杯37的圓錐部或者外周壁(側(cè)面的垂直壁)而被引向下方，從排液管40a排出。
從基板的旋轉(zhuǎn)開始經(jīng)過規(guī)定時間后，一邊噴出沖洗液，此外在使基板G旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下使內(nèi)杯37與外杯38下降而保持于下級位置。在下級位置處，基板G的表面的水平位置成為幾乎符合外杯38的圓錐部的位置的高度。然后，使基板G的轉(zhuǎn)速比用來甩掉除膜劑液的旋轉(zhuǎn)動作開始時更大，以便使除膜劑液的殘渣減少。該提高基板的轉(zhuǎn)速的操作也可以與內(nèi)杯37與外杯38的下降動作同時或者在其前后錯開的階段進(jìn)行。這樣一來，從基板G飛散的主要由除膜劑液組成的處理液碰到外杯38的圓錐部或者外周壁而從排液管40排出。接著，停止沖洗液的噴出將沖洗液噴出噴嘴48收容于規(guī)定的位置，進(jìn)一步提高基板G的轉(zhuǎn)速并保持規(guī)定時間。也就是說通過高速旋轉(zhuǎn)進(jìn)行干燥基板G的自旋干燥。
接著，使噴嘴保持臂41移動到、配置于內(nèi)杯37內(nèi)的規(guī)定位置，使升降機構(gòu)50a伸展而僅使再顯影劑液噴出噴嘴42a定位并保持于下方，一邊掃過基板G上一邊利用再顯影劑液噴出噴嘴42a將規(guī)定的再顯影劑液涂敷于基板G上，形成再顯影劑液漿(puddle)。形成再顯影劑液漿后，在直到經(jīng)過規(guī)定的再顯影處理時間(在顯影反應(yīng)時間)之間，利用升降機構(gòu)50a，使再顯影劑液噴出噴嘴42a回到并保持于上方的位置，使噴嘴保持臂41從內(nèi)杯37和外杯38躲避，代之以驅(qū)動噴嘴保持臂47，將沖洗液噴出噴嘴48保持于基板G上的規(guī)定位置。接著，使內(nèi)杯37與外杯38上升，保持于上級位置(圖3的左側(cè)位置)。
然后，使基板G以低速旋轉(zhuǎn)，進(jìn)入到甩掉基板G上的再顯影劑液的動作，幾乎與此同時，從沖洗液噴出噴嘴48噴出沖洗液，而且，與這些動作幾乎同時，開始排氣口39的排氣動作。也就是說，優(yōu)選在再顯影反應(yīng)時間的經(jīng)過前使排氣口39成為未動作的狀態(tài)，由此，對于基板G上所形成的再顯影劑液漿，不產(chǎn)生因排氣口39的動作而引起的氣流發(fā)生等的不良影響。
基板G的旋轉(zhuǎn)開始，從基板G向其外周飛散的再顯影劑液和沖洗液碰到內(nèi)杯37的圓錐部或者外周壁(側(cè)面的垂直壁)而引向下方，從排液管40a排出。從基板G的旋轉(zhuǎn)開始經(jīng)過規(guī)定時間后，在一邊噴出沖洗液，此外一邊使基板G旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，使內(nèi)杯37與外杯38下降而保持于下級位置。在下級位置處，基板G的表面的水平位置成為幾乎符合外杯38的圓錐部的位置的高度。然后，使基板G的轉(zhuǎn)速比用來甩掉再顯影劑液的旋轉(zhuǎn)動作開始時更大，以便使再顯影劑液的殘渣減少。該提高基板的轉(zhuǎn)速的操作也可以與內(nèi)杯37和外杯38的下降動作同時或在其前后錯開的階段進(jìn)行。這樣一來，從基板G飛散的主要由沖洗液組成的處理液碰到外杯38的圓錐部或者外周壁而從排液管40b排出。接著，停止沖洗液的噴出，將沖洗液噴出噴嘴48收容于規(guī)定的位置，進(jìn)一步提高基板G的轉(zhuǎn)速并保持規(guī)定時間。也就是說通過高速旋轉(zhuǎn)進(jìn)行干燥基板G的自旋干燥。
像以上這樣，再顯影處理·除膜劑單元(REDEV/REMV)30中的一系列的處理結(jié)束。然后，通過與所述相反的步驟，處理后的基板G利用搬送臂21a而從再顯影處理·除膜劑單元(REDEV/REMV)30搬出。
另一方面，在處理站2的回流處理單元(REFLW)60中，進(jìn)行在有機溶劑例如稀釋劑氣氛中使基板G上所形成的抗蝕劑軟化并再覆蓋的回流處理。
這里，進(jìn)一步詳細(xì)地對回流處理單元(REFLW)60的構(gòu)成進(jìn)行說明。圖4是回流處理單元(REFLW)60的概略剖視圖?；亓魈幚韱卧?REFLW)60具有腔室61。腔室61包括下部腔室61a、以及與該下部腔室61a的上部接觸的上部腔室61b。上部腔室61b與下部腔室61a構(gòu)成為能夠利用未畫出的開閉機構(gòu)進(jìn)行開閉，在開狀態(tài)時，利用搬送裝置21進(jìn)行基板G的搬入搬出。
在該腔室61內(nèi)，設(shè)置有水平地支撐基板G的支撐臺62。支撐臺62由熱傳導(dǎo)率優(yōu)良的材質(zhì)例如鋁而構(gòu)成。
在支撐臺62上，貫通支撐臺62地設(shè)置有利用未畫出的升降機構(gòu)驅(qū)動，使基板G升降的三個升降銷63(在圖4中僅畫出兩個)。該升降銷63，在升降銷63與搬送裝置21之間進(jìn)行交接基板G時，從支撐臺62持起基板G而在規(guī)定的高度位置上支撐基板G，在基板G的回流處理中，例如，保持成其前端成為與支撐臺62的上面同一高度。
在下部腔室61a的底部上，形成有排氣口64a、64b，排氣系統(tǒng)64連接于該排氣口64a、64b。而且，通過該排氣系統(tǒng)64來排除腔室61內(nèi)的氣氛氣體。
在支撐臺62的內(nèi)部，設(shè)置有溫度調(diào)節(jié)介質(zhì)流路65，例如溫調(diào)冷卻水等溫度調(diào)節(jié)介質(zhì)經(jīng)由溫度調(diào)節(jié)介質(zhì)引入管65a而引入該溫度調(diào)節(jié)介質(zhì)流路65，從溫度調(diào)節(jié)介質(zhì)排出管65b排出而循環(huán)，其熱量(例如冷熱)經(jīng)由支撐臺62對基板G傳熱，由此，使基板G的處理面被控制成想要的溫度。
在腔室61的頂壁部，對著支撐臺62而設(shè)置有噴淋頭66。在該噴淋頭66的下面66a上，設(shè)置有多個氣體噴出孔66b。
此外，在噴淋頭66的上部中央，設(shè)置有氣體引入部67，該氣體引入部67連通于在噴淋頭66的內(nèi)部所形成的空間68。氣體供給管69連接于氣體引入部67，在該氣體供給管69的另一端，連接著氣化有機溶劑例如稀釋劑而供給的擴散器箱(bubbler tank)70。其中，在氣體供給管69上設(shè)置有開閉閥71。
在擴散器箱70的底部，作為用來使稀釋劑氣化的氣泡發(fā)生機構(gòu)，配備有連接于未畫出的N2氣體供給源的N2氣體供給管74。在該N2氣體供給管74上，設(shè)置有質(zhì)量流量控制器72和開閉閥73。此外，擴散器箱70備有用來將稀釋劑的溫度調(diào)節(jié)成規(guī)定溫度的未畫出的溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)。而且，從未畫出的N2氣體供給源利用質(zhì)量流量控制器72一邊對N2氣流量控制一邊引入擴散器箱70的底部，由此，使溫度調(diào)節(jié)成規(guī)定溫度的擴散器箱70內(nèi)的稀釋劑氣化，構(gòu)成為可以經(jīng)由氣體供給管69引入腔室61內(nèi)。
此外，在噴淋頭66的上部的周緣部，設(shè)置有多個清理氣體引入部75，在各清理氣體引入部75上，連接著將例如作為清理氣體的N2氣供給到腔室61內(nèi)的清理氣體供給配管76。清理氣體供給配管76連接于未畫出的清理氣體供給源，在其中途設(shè)置有開閉閥77。
在這種構(gòu)成的回流處理單元(REFLW)60中，首先，將上部腔室61b從下部腔室61a打開，在該狀態(tài)下，利用搬送裝置21的搬送臂21a搬入已經(jīng)進(jìn)行前處理和再顯影處理，具有圖形形成的抗蝕劑的基板G，并放置于支撐臺62。然后，使上部腔室61b與下部腔室61a接觸，關(guān)閉腔室61，之后，打開氣體供給管69的開閉閥71和N2氣體供給管74的開閉閥73，利用質(zhì)量流量控制器72調(diào)節(jié)N2氣體的流量，以控制稀釋劑的氣化量，同時，從擴散器箱70經(jīng)由氣體供給管69、氣體引入部67將稀釋劑引入噴淋頭66的空間68，從氣體噴出孔66b噴出。由此，腔室61內(nèi)成為規(guī)定濃度的稀釋劑氣氛。
由于在放置于腔室61內(nèi)的支撐臺62的基板G上，設(shè)有已經(jīng)形成圖形的抗蝕劑，所以，通過該抗蝕劑暴露于稀釋劑氣氛，稀釋劑浸透于抗蝕劑。由此，抗蝕劑軟化而其流動性提高，并變形而基板G表面的規(guī)定的區(qū)域(目標(biāo)區(qū)域)被變形抗蝕劑所覆蓋。此時，通過將溫度調(diào)節(jié)介質(zhì)引入到設(shè)在支撐臺62的內(nèi)部的溫度調(diào)節(jié)介質(zhì)流路65，其熱量經(jīng)由支撐臺62對基板G傳熱，由此，基板G的處理面被控制成想要的溫度，例如20℃。從噴淋頭66向基板G表面噴出的含有稀釋劑的氣體，接觸于基板G的表面后，向排氣口64a、64b流動，從腔室61內(nèi)向排氣系統(tǒng)64排氣。
如以上這樣，回流處理單元(REFLW)60中的回流處理結(jié)束后，一邊繼續(xù)排氣一邊打開清理氣體供給配管76上的開閉閥77，經(jīng)由清理氣體引入部75將作為清理氣體的N2氣體引入腔室61內(nèi)，置換腔室內(nèi)氣氛氣體。然后，將上部腔室61b從下部腔室61a打開，以與所述相反的步驟利用搬送臂21a從回流處理單元(REFLW)60搬出回流處理后的基板G。
在三個加熱·冷卻處理單元(HP/COL)80a、80b、80c中，分別對基板G進(jìn)行加熱處理的熱板單元(HP)、對基板G進(jìn)行冷卻處理的冷卻板單元(COL)各多級地重疊而構(gòu)成(未畫出)。在該加熱·冷卻處理單元(HP/COL)80a、80b、80c中，對前處理后、再顯影處理后和回流處理后的基板G，根據(jù)需要進(jìn)行加熱處理或者冷卻處理。
如圖1中所示，回流處理系統(tǒng)100的各構(gòu)成部，成為連接于備有控制部3的CPU的過程控制器90而被控制的構(gòu)成。在過程控制器90中，連接著過程管理者為了管理回流處理系統(tǒng)100而進(jìn)行指令的輸入操作的鍵盤，或者使回流處理系統(tǒng)100的運行情況可視化并顯示的顯示器等組成的用戶界面91。
此外，在過程控制器90中，連接有存儲部92，在存儲部92中收納有方案，在該方案中存儲有用于通過過程控制器90實現(xiàn)由回流處理系統(tǒng)100執(zhí)行的各種處理的控制程序或者處理條件數(shù)據(jù)等。
而且，根據(jù)需要，通過按來自用戶界面91的指示等從存儲部92調(diào)用任意的方案并在過程控制器90中執(zhí)行，在過程控制器90的控制下，進(jìn)行回流處理系統(tǒng)100中的想要的處理。此外，所述方案，例如，利用儲存于CD-ROM、硬盤、軟盤、閃存存儲器等計算機能夠讀取的存儲介質(zhì)的狀態(tài)，或者，從其他裝置，經(jīng)由例如專用線路隨時傳送而利用也是可能的。
在如以上這樣所構(gòu)成的回流處理系統(tǒng)100中，首先，在盒站1處，搬送裝置11的搬送臂11a訪問收容未處理的基板G的盒C并取出一張基板G?；錑，從搬送裝置11的搬送臂11a交接于處理站2的中央搬送路20中的搬送裝置21的搬送臂21a，利用該搬送裝置21，向再顯影處理·除膜劑單元(REDEV/REMV)30搬入。然后，在再顯影處理·除膜劑單元(REDEV/REMV)30中進(jìn)行前處理以及再顯影處理，之后，從再顯影處理·除膜劑單元(REDEV/REMV)30利用搬送裝置21取出，搬入加熱·冷卻處理單元(HP/COL)80a、80b、80c中的某個。然后，在各加熱·冷卻處理單元(HP/COL)80a、80b、80c中施行規(guī)定的加熱·冷卻處理。這種一系列的處理結(jié)束的基板G，通過搬送裝置21交接于盒站1的搬送裝置11，收容于任意的盒C。
接下來，對在回流處理單元(REFLW)60中所進(jìn)行的回流方法的原理進(jìn)行說明。
圖5A是為了說明現(xiàn)有技術(shù)的回流方法，簡化示出基板G的表面附近所形成的抗蝕劑103的斷面圖。這里，抗蝕劑103的表面形狀成為平面。在基板G上，下層膜101和下層膜102層積形成，在其上形成已圖形形成的抗蝕劑103。
在圖5A的例子中，在下層膜101的表面上存在目標(biāo)區(qū)域S1，使軟化的抗蝕劑103流入到該目標(biāo)區(qū)域S1上，以由抗蝕劑103覆蓋目標(biāo)區(qū)域S1為目的。另一方面，在下層膜102表面上，存在著例如蝕刻區(qū)域等禁止區(qū)域S2。有必要避免該禁止區(qū)域S2被抗蝕劑103覆蓋。此外，下層膜102的端部，朝抗蝕劑103的側(cè)面的目標(biāo)區(qū)域S1方向橫向突出，在與目標(biāo)區(qū)域S1之間形成臺階D。這種臺階D是通過再顯影處理例如抗蝕劑103，通過在橫向上削掉抗蝕劑103而形成。
從圖5A的狀態(tài)，例如使稀釋劑等有機溶劑接觸、浸透于抗蝕劑，如圖5B中所示使抗蝕劑103軟化、變形。雖然由于軟化的抗蝕劑103流動性高，所以在下層膜102的表面上擴展，但是，因為直到流動的抗蝕劑103的膜厚成為一定以上之前是無法超越臺階D的，因此，在臺階D處抗蝕劑103的行進(jìn)速度變慢，在該部分處抗蝕劑103停滯。
該臺階D附近的停滯的結(jié)果，抗蝕劑103更多地在更容易流動的與臺階D相反的方向，也就是希望避免抗蝕劑覆蓋的禁止區(qū)域S2的方向上行進(jìn)。然后，如圖5C中所示，抗蝕劑103無法充分地覆蓋目標(biāo)區(qū)域S1，并且到達(dá)禁止區(qū)域S2，覆蓋目標(biāo)區(qū)域S2的表面。這樣一來，不能可靠地進(jìn)行目標(biāo)區(qū)域S1的覆蓋，相反如果抗蝕劑103到達(dá)不希望抗蝕劑覆蓋的禁止區(qū)域S2，則例如將回流后的抗蝕劑103用作掩模的蝕刻形狀的精度降低，引起TFT元件等器件的不良或成品率的降低，通過以上圖5A～圖5C說明的抗蝕劑103的狀態(tài)，是無法控制利用有機溶劑所軟化的抗蝕劑103的流動方向的原因。
圖6A～圖6C和圖7A～圖7C是用來說明本發(fā)明的回流方法的概念的圖。
圖6A簡化示出基板G的表面附近所形成的抗蝕劑103的斷面。下層膜101和下層膜102層積形成，在其上，形成已圖形形成的抗蝕劑103，而且，對通過下層膜102的端部，形成臺階D的結(jié)構(gòu)和目標(biāo)區(qū)域S1、禁止區(qū)域S2而言，與圖5A是同樣的。
在本實施方式中，抗蝕劑103因部位而膜厚不同，成為在表面上具有臺階的形狀。也就是說，在抗蝕劑103的表面上設(shè)有高低差，成為具有膜厚厚的厚膜部103a、以及與該厚膜部103a相比膜厚薄的薄膜部103b的形狀。厚膜部103a在目標(biāo)區(qū)域S1一側(cè)形成，薄膜部103b在禁止區(qū)域S2一側(cè)形成。
從圖6A的狀態(tài)，通過使例如稀釋劑等有機溶劑接觸于抗蝕劑，使抗蝕劑103軟化、變形。由于軟化的抗蝕劑103，其流動性高，所以在下層膜102的表面上擴展。這里，如前所述，由于在抗蝕劑103上存在著膜厚厚的厚膜部103a與膜厚薄的薄膜部103b，所以由此軟化的抗蝕劑103的流動方向得到控制。例如，因為厚膜部103a對稀釋劑氣氛的露出面積大，故稀釋劑容易浸透，由此軟化加快，流動性也提高。進(jìn)而，因為厚膜部103a比較快地進(jìn)行軟化，并且抗蝕劑體積也大，故如圖6B中所示，直到超越臺階D的停滯時間縮短，抗蝕劑103變得容易到達(dá)目標(biāo)區(qū)域S1。
另一方面，由于薄膜部103b，對稀釋劑氣氛的露出面積比起厚膜部103a來小，所以軟化難以進(jìn)行，比起厚膜部103a來流動性不那么大。而且，因為薄膜部103b軟化的進(jìn)行變慢以及比起厚膜部103a來抗蝕劑體積也小，故抗蝕劑103向禁止區(qū)域S2的流動受到抑制，如圖6C中所示，未到達(dá)禁止區(qū)域S2而變形停止。因而，確保將回流后的抗蝕劑103用作掩模的蝕刻精度成為可能，可以使器件特性良好。
這樣一來，通過使用具有厚膜部103a、薄膜部103b，表面上有高低差的抗蝕劑103，使得控制抗蝕劑103擴展流動方向成為可能，可以確保足夠的蝕刻精度。
圖7A～圖7C是關(guān)于另一個例子，簡化示出在基板G的表面附近所形成的抗蝕劑103的斷面。
如圖7A中所示，下層膜101和下層膜102層積形成，在其上，形成已圖形形成的抗蝕劑103，而且，利用下層膜101與下層膜102的端部，形成臺階D的結(jié)構(gòu)和目標(biāo)區(qū)域S1、禁止區(qū)域S2與圖5A和圖6A是同樣的。此例中也是抗蝕劑103a在表面上設(shè)有高低差，成為具有膜厚厚的厚膜部103a以及與該厚膜部103相比膜厚相對薄的薄膜部103b的形狀。但是，在此例中，厚膜部103a與薄膜部103b對目標(biāo)區(qū)域S1、禁止區(qū)域S2的位置關(guān)系與圖6A相反，在目標(biāo)區(qū)域S1側(cè)形成薄膜部103b，在禁止區(qū)域S2側(cè)形成厚膜部103a。
從圖7A的狀態(tài)，通過使例如稀釋劑等有機溶劑接觸于抗蝕劑，使抗蝕劑103軟化、變形。由于軟化的抗蝕劑103，其流動性高，所以在下層膜102的表面上擴展。這里，如前所述，由于在抗蝕劑103上存在著膜厚厚的厚膜部103a與膜厚薄的薄膜部103b，所以，由此軟化的抗蝕劑103的流動方向得到控制。例如，因為厚膜部103a對稀釋劑氣氛的露出面積大，橫向的寬度(厚度)也形成得薄，故在氣氛中稀釋劑濃度稀薄的情況下，稀釋劑為要浸透到厚膜部103a的中心需要時間，如圖7B中所示，厚膜部103a的全體并不立即軟化而成為流動狀態(tài)。因而，在厚膜部103a的內(nèi)部未軟化的狀態(tài)下，厚膜部103a發(fā)揮堰的作用，使得向禁止區(qū)域S2的軟化的抗蝕劑103的流動受到抑制。
雖然薄膜部103b對稀釋劑氣氛的露出面積比起厚膜部103a來要小，但是因為全體的面積也小，因此，即使氣氛中的稀釋劑濃度稀薄的情況下，向中心的稀釋劑的浸透也快，軟化比較快地進(jìn)行。此外，作為厚膜部103a作為堰發(fā)揮功能而使向禁止區(qū)域S2方向的抗蝕劑103的流動受到抑制的反作用，向目標(biāo)區(qū)域S1方向的抗蝕劑103的流動增多，直到超越臺階D的停滯時間縮短，抗蝕劑103變得容易到達(dá)目標(biāo)區(qū)域S1。
這樣一來，厚膜部103a直到中心部軟化需要時間，比起薄膜部103b來軟化的進(jìn)行慢，結(jié)果，如圖7C中所示，軟化的抗蝕劑103不到達(dá)禁止區(qū)域S2而流動停止。因而，確保將回流后的抗蝕劑103用作掩模的蝕刻精度成為可能，可以使器件特性良好。
這樣一來，通過用具有厚膜部103a、薄膜部103b，在表面上有高低差的抗蝕劑103，使得控制抗蝕劑103擴展流動方向成為可能，可以確保足夠的蝕刻精度。
對于圖6A～圖6C與圖7A～圖7C中所示的抗蝕劑流動方向的控制，雖然初看起來相矛盾地解釋。但是，抗蝕劑103的流動狀態(tài)，例如，因回流處理單元(REFLW)60中回流處理時的稀釋劑的濃度、流量、基板G(支撐臺62)的溫度、腔室61的內(nèi)壓等條件而變化。
例如，如圖8A～圖8D中所示，對于稀釋劑濃度、流量和腔室的內(nèi)壓而言，雖然這些增加并且抗蝕劑的流動速度也上升，但是，對于溫度而言，有隨著上升而抗蝕劑103的流動速度降低的傾向。也就是說，即使厚膜部103a、薄膜部103b的形狀或配置相同，抗蝕劑的軟化的程度也因例如腔室61內(nèi)的稀釋劑濃度而變化，成為流動方向或流動速度等行為不同。因而，通過將回流處理中的有機溶劑濃度、流量、基板溫度、壓力等條件組合起來，用實驗方法確定、選擇最佳條件，使得利用在表面上具有高低差(厚膜部、薄膜部)的抗蝕劑103，任意地控制其流動方向或覆蓋面積成為可能。
圖9和圖10是說明又一個例子的基板G表面的局部俯視圖。在此例子中，沒有像已經(jīng)說明的圖6A和圖7A那樣抗蝕劑103的表面的高低差(厚膜部、薄膜部)，通過設(shè)計抗蝕劑103的平面形狀，可以任意地控制其流動方向。其中，朝圖9和圖10的紙面左側(cè)示出回流前的抗蝕劑103的狀態(tài)，中央示出回流中途的抗蝕劑103的狀態(tài)，右側(cè)示出回流后的已變形的抗蝕劑103的狀態(tài)。
圖9對俯視正方形的抗蝕劑103，進(jìn)行回流處理，示出使抗蝕劑103變形后的抗蝕劑103的擴展情況。根據(jù)圖9，查明抗蝕劑103以虛線所示原來的抗蝕劑103(正方形)為中心大致正圓形地擴展。另一方面，雖然圖10對俯視長方形的抗蝕劑103，進(jìn)行回流處理，示出溶解抗蝕劑103的情況下抗蝕劑103的擴展情況，但是查明該情況下也是抗蝕劑以虛線所示原來的抗蝕劑103(長方形)為中心大致正圓形地擴展。
如這些圖9和圖10中所示，作為回流處理的特性，無論原來的抗蝕劑103的平面形狀如何，軟化的抗蝕劑103因表面張力的影響具有大致正圓形地擴展的特性。而且，利用該抗蝕劑103的擴展情況的特性，控制抗蝕劑103的流動方向是可能的。具體地說，如果對圖9的回流后的狀態(tài)下的從原來的抗蝕劑103的流動距離L1和L2，比較圖10中的回流后的狀態(tài)下的從原來的抗蝕劑103的流動距離L3和L4，則看出雖然L1大致等于L2，但是L3比起L4來流動距離很大。也就是說，通過使抗蝕劑103的平面形狀成為例如矩形地調(diào)整其縱橫的尺寸，而可以使流動距離L3和L4中具有差異。這樣一來，通過對抗蝕劑103的平面形狀進(jìn)行研究制作，也可以控制軟化的抗蝕劑103的流動方向和流動距離(覆蓋面積)，這是可以理解的。
例如，如圖11A中所示，準(zhǔn)備俯視長方形的，而且，在其縱長方向上，形成厚膜部103a、103a，并且在其間形成薄膜部103b的抗蝕劑103(參照圖11B的斷面形狀)。在對該圖11A中所示的抗蝕劑103進(jìn)行回流處理的情況下，因為具有長方形的平面形狀，因此，雖然向該圖的紙面的上下方向的抗蝕劑103的流動距離L5比起向該圖的紙面的橫向的抗蝕劑103的流動距離L6來加大，但是，這里，因為使用在縱長方向上設(shè)有厚膜部103a、103a的抗蝕劑103，因此流動距離L5進(jìn)一步加大，可以使抗蝕劑103的再覆蓋范圍成為俯視橢圓形。這樣一來，除了抗蝕劑103的斷面形狀外，通過將平面形狀組合起來，使得更加有效地控制抗蝕劑103的流動方向和流動距離(覆蓋面積)成為可能。
接下來，參照圖12～圖24，對將本發(fā)明的回流方法運用于液晶顯示裝置用TFT元件的制造過程的實施方式進(jìn)行說明。其中，針對主要工序還示于圖25的流程圖。
首先，如圖12中所示，在由玻璃等透明基板組成的絕緣基板201上形成柵極電極202和未畫出的柵極線，進(jìn)而依次層積地堆積氮化硅膜等柵極絕緣膜203、a-Si(無定形硅)膜204、作為電阻性接點層的n+Si膜205、Al合金或Mo合金等電極用金屬膜206(步驟S1)。
接著，如圖13中所示，在電極用金屬膜206上形成抗蝕劑207(步驟S2)。然后，如圖14中所示，將能夠因部位光線的透射率不同，使抗蝕劑207的曝光量分區(qū)域地變化的網(wǎng)板掩模300用于曝光掩模，來進(jìn)行曝光處理(步驟S3)。該網(wǎng)板掩模300構(gòu)成為對抗蝕劑207能夠以三階段的曝光量進(jìn)行曝光。通過像這樣曝光抗蝕劑207，如圖15中所示，形成曝光抗蝕劑部208與未曝光抗蝕劑部209。未曝光抗蝕劑部209根據(jù)網(wǎng)板掩模300的透射率，而與曝光抗蝕劑部208的邊界呈階梯狀地形成。
曝光后，通過進(jìn)行顯影處理，如圖16中所示，曝光抗蝕劑部208被去除，將未曝光抗蝕劑部209殘存于電極用金屬膜206上(步驟S4)。未曝光抗蝕劑部209分離成源極電極用抗蝕劑掩模210和漏極電極用抗蝕劑掩模211而被圖形形成。源極電極用抗蝕劑掩模210通過半曝光，按膜厚厚度的順序，階梯狀地形成第一膜厚部210a、第二膜厚部210b和第三膜厚部210c。漏極電極用抗蝕劑掩模211也是，同樣通過半曝光，按膜厚厚度的順序階梯狀地形成第一膜厚部211a、第二膜厚部211b和第三膜厚部211c。
然后，將殘存的未曝光抗蝕劑部209用作蝕刻掩模，蝕刻電極用金屬膜206，如圖17中所示，形成以后成為溝道區(qū)域的凹部220(步驟S5)。通過該蝕刻，形成源極電極206a與漏極電極206b，在它們之間的凹部220內(nèi)可以露出n+Si膜205的表面。此外，通過蝕刻，在源極電極用抗蝕劑掩模210和漏極電極用抗蝕劑掩模211的表面附近，形成薄的表面變質(zhì)層301。
接著，使用除膜劑液施行濕處理，去除蝕刻電極用金屬膜206時的表面變質(zhì)層301(前處理)，接著進(jìn)行部分地去除源極電極206a與漏極電極206b之上的未曝光抗蝕劑部209的再顯影處理(步驟S6)。該前處理和再顯影處理，可以在回流處理系統(tǒng)100的再顯影處理·除膜劑單元(REDEV/REMV)30中，連續(xù)地進(jìn)行。
通過該再顯影處理，如圖18中所示，源極電極用抗蝕劑掩模210和漏極電極用抗蝕劑掩模211的覆蓋面積大幅度縮小。具體地說，在源極電極用抗蝕劑掩模210處，第三膜厚部210c被完全去除，第一膜厚部210a和第二膜厚部210b殘存于源極電極206a上。此外，漏極電極用抗蝕劑掩模211也相同，第三膜厚部211c被完全去除，第一膜厚部211a和第二膜厚部211b殘存于漏極電極206b上。
這樣一來，由于可以防止通過施行再顯影處理減少源極電極用抗蝕劑掩模210和漏極電極用抗蝕劑掩模211的覆蓋面積，所以，在回流工序后，變形抗蝕劑從與目標(biāo)區(qū)域(凹部220)對峙側(cè)的源極電極206a的端部或漏極電極206b的端部伸出而覆蓋下層膜，所以適應(yīng)TFT元件的微細(xì)化成為可能。
其中，在圖18中，為了比較，用虛線示出再顯影處理前的源極電極用抗蝕劑掩模210和漏極電極用抗蝕劑掩模211的輪廓。此外，對應(yīng)于該圖18中所示的斷面結(jié)構(gòu)的俯視圖示于圖23。
此外，通過再顯影處理，第一膜厚部210a與第二膜厚部210b(或者第一膜厚部211a與第二膜厚部211b)的膜厚連同橫向的合計厚度(寬度)L8，比起在顯影前的合計厚度(寬度)L7(參照圖17)來減小。而且，面臨凹部220側(cè)的源極電極用抗蝕劑掩模210的第一膜厚部210a的端面，與其正下方的源極電極206a的端面其位置錯開面向凹部220形成臺階D。同樣，面臨凹部220側(cè)的漏極電極用抗蝕劑掩模211的第一膜厚部211a的端面，與其正下方的漏極電極206b的端面其位置錯開面向凹部220形成臺階D。
也就是說，源極電極用抗蝕劑掩模210和漏極電極用抗蝕劑掩模211通過再顯影處理在橫向上也削去，結(jié)果，面臨凹部220側(cè)的源極電極用抗蝕劑掩模210的端部與漏極電極用抗蝕劑掩模211的端部的距離，比其下層的源極電極206a的端部與所述漏極電極206b的端部的距離加寬。
如果形成這種臺階D，則不僅在下一次回流工序中由軟化抗蝕劑覆蓋目標(biāo)區(qū)域(該情況下凹部220)時的軟化抗蝕劑的流動方向的控制變得困難，而且因為直到超越臺階D為止產(chǎn)生流動的停滯，因此招致回流處理的時間的增加，成為降低生產(chǎn)率的原因。
因此，在本實施方式中，在源極電極用抗蝕劑掩模210和漏極電極用抗蝕劑掩模211上，分別設(shè)有作為厚膜部的第一膜厚部210a、211a，和作為薄膜部的第二膜厚部210b、211b，以便軟化抗蝕劑容易超越臺階D流入目標(biāo)區(qū)域的凹部220內(nèi)，實現(xiàn)軟化抗蝕劑的流動方向的控制與處理時間的縮短化。而且，在回流處理(步驟S7)里，使由稀釋劑等有機溶劑所軟化的抗蝕劑短時間內(nèi)流入以后成為溝道區(qū)域的目的的凹部220，能夠可靠地覆蓋凹部220。該回流處理由圖4的回流處理單元(REFLW)60來進(jìn)行。
圖19示出由變形抗蝕劑212覆蓋凹部220的周圍的狀態(tài)。對應(yīng)于該圖19中所示的俯視圖示于圖24。
在現(xiàn)有技術(shù)中，因為變形抗蝕劑212擴展到例如源極電極206a或漏極電極206b的凹部220的對峙側(cè)，覆蓋于例如作為電阻性接點層的n+Si膜205之上，故覆蓋部分在下一次硅蝕刻工序中不被蝕刻，存在著招致蝕刻精度受損而TFT元件的不良或成品率降低這樣的問題。此外，如果預(yù)先估計變形抗蝕劑212的覆蓋面積而設(shè)計，則為了制造一個TFT元件所需的面積(點面積)加大，存在著對TFT元件的高集成化或微細(xì)化的適應(yīng)變得困難這樣的問題。
與此相對照，在本實施方式中，通過再顯影處理大幅度地減少源極電極用抗蝕劑掩模210和漏極電極用抗蝕劑掩模211的體積后進(jìn)行回流處理，結(jié)果，如圖19中所示，變形抗蝕劑引起的覆蓋區(qū)域限定于作為回流處理的目標(biāo)區(qū)域的凹部220的周圍，而且變形抗蝕劑212的膜厚也可以較薄地形成。因而，還可以適應(yīng)TFT元件的高集成化、微細(xì)化。
接著，如圖20中所示，將源極電極206a、漏極電極206b和變形抗蝕劑212用作蝕刻掩模，蝕刻處理n+Si膜205和a-Si膜204(步驟S8)。然后，如圖21中所示，通過例如濕處理等方法，去除變形抗蝕劑212(步驟S9)。然后，將源極電極206a和漏極電極206b用作蝕刻掩模，蝕刻處理在凹部220內(nèi)露出的n+Si膜205(步驟S10)。由此，如圖22中所示，形成溝道區(qū)域221。
以后的工序雖然省略圖示，但是例如，成膜有機膜以便覆蓋溝道區(qū)域221與源極電極206a和漏極電極206b后(步驟S11)，通過光刻技術(shù)形成連接于源極電極206a(漏極電極206b)的接觸孔(步驟S12)，接著，利用銦·錫氧化物(ITO)等形成透明電極(步驟S13)，由此，制造液晶顯示裝置用的TFT元件。
雖然以上對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行了說明，但是本發(fā)明不限定于這種形態(tài)。
例如，雖然在上述說明中，舉出用LCD用玻璃基板的TFT元件的制造為例，但是也可以把本發(fā)明運用于進(jìn)行在其他平板顯示器(FPD)基板，或半導(dǎo)體基板等基板上形成的晶體管的回流處理的情況下。
此外，在上述實施方式中，雖然取為在抗蝕劑膜上設(shè)置厚膜部與薄膜部的構(gòu)成，但是抗蝕劑膜厚的變化不限于兩階段，也可以三階段以上地變化。此外，抗蝕劑膜厚不僅階梯狀地變化，也可以弄成膜厚慢慢地變化的具有傾斜表面的形狀。在該情況下，通過例如預(yù)先在抗蝕劑的涂敷膜厚上具有傾斜，而可以在半曝光厚的抗蝕劑表面上形成傾斜面。
工業(yè)實用性本發(fā)明能夠在例如TFT元件等半導(dǎo)體裝置制造中很好地利用。
權(quán)利要求
1.一種回流方法，其特征在于其是對具有下層膜、以及在該下層膜的上層以形成有露出所述下層膜的露出區(qū)域和覆蓋所述下層膜的覆蓋區(qū)域的方式而圖形形成的抗蝕劑膜的被處理體，通過使所述抗蝕劑膜的抗蝕劑軟化流動，覆蓋所述露出區(qū)域的一部或者全部的回流方法，其中，作為所述抗蝕劑膜，使用因部位而膜厚變化、至少具有膜厚厚的厚膜部與相對于該厚膜部膜厚相對薄的薄膜部的形狀的抗蝕劑膜。
2.如權(quán)利要求1所述的回流方法，其特征在于通過所述厚膜部與所述薄膜部的配置控制軟化的所述抗蝕劑的流動方向。
3.如權(quán)利要求1所述的回流方法，其特征在于通過所述厚膜部與所述薄膜部的配置控制軟化的所述抗蝕劑的覆蓋面積。
4.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項所述的回流方法，其特征在于在應(yīng)該促進(jìn)軟化的所述抗蝕劑的擴展一側(cè)設(shè)置所述厚膜部，在應(yīng)該抑制所述抗蝕劑的擴展一側(cè)設(shè)置所述薄膜部。
5.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項所述的回流方法，其特征在于在應(yīng)該促進(jìn)軟化的所述抗蝕劑的擴展一側(cè)設(shè)置所述薄膜部，在應(yīng)該抑制所述抗蝕劑的擴展一側(cè)設(shè)置所述厚膜部。
6.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項所述的回流方法，其特征在于在有機溶劑氣氛中使所述抗蝕劑變形。
7.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項中所述的回流方法，其特征在于還通過所述抗蝕劑膜的平面形狀，控制軟化的所述抗蝕劑的流動方向。
8.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項所述的回流方法，其特征在于還通過所述抗蝕劑的平面形狀，控制軟化的所述抗蝕劑的覆蓋面積。
9.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項所述的回流方法，其特征在于在所述抗蝕劑膜與所述露出區(qū)域之間形成臺階。
10.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項所述的回流方法，其特征在于通過利用網(wǎng)板掩模的半曝光處理以及其后的顯影處理形成所述抗蝕劑膜的所述厚膜部與所述薄膜部。
11.一種圖形形成方法，其特征在于，包括在被處理體的被蝕刻膜的上層上形成抗蝕劑膜的抗蝕劑膜形成工序；圖形形成所述抗蝕劑膜，并且因部位而使所述抗蝕劑膜的膜厚變化，至少設(shè)置膜厚厚的厚膜部與相對于該厚膜部膜厚相對薄的薄膜部的掩模圖形形成工序；對所述形成圖形后的抗蝕劑膜進(jìn)行再顯影處理而縮小其覆蓋面積的再顯影處理工序；使所述抗蝕劑膜的抗蝕劑軟化變形，并且一邊通過所述厚膜部與所述薄膜部的配置控制軟化抗蝕劑的流動方向與流動量一邊覆蓋所述被蝕刻膜的目標(biāo)區(qū)域的回流工序；以變形后的所述抗蝕劑作為掩模蝕刻所述被蝕刻膜的露出區(qū)域的第一蝕刻工序；去除變形后的所述抗蝕劑的工序；以及對通過去除變形后的所述抗蝕劑而再露出的所述被蝕刻膜的目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行蝕刻的第二蝕刻工序。
12.如權(quán)利要求11所述的圖形形成方法，其特征在于在所述回流工序中，通過所述厚膜部與所述薄膜部的配置控制所述軟化抗蝕劑的流動方向。
13.如權(quán)利要求11所述的圖形形成方法，其特征在于在所述回流工序中，通過所述厚膜部與所述薄膜部的配置控制所述軟化抗蝕劑的覆蓋面積。
14.如權(quán)利要求11至權(quán)利要求13中任一項所述的圖形形成方法，其特征在于在所述回流工序中在應(yīng)該促進(jìn)所述軟化抗蝕劑的擴展一側(cè)設(shè)置所述厚膜部，在應(yīng)該抑制所述軟化抗蝕劑的擴展一側(cè)設(shè)置所述薄膜部。
15.如權(quán)利要求11至權(quán)利要求13中任一項所述的圖形形成方法，其特征在于在所述回流工序中在應(yīng)該促進(jìn)所述軟化抗蝕劑的擴展一側(cè)設(shè)置所述薄膜部，在應(yīng)該抑制所述軟化抗蝕劑的擴展一側(cè)設(shè)置所述厚膜部。
16.如權(quán)利要求11至權(quán)利要求13中任一項所述的圖形形成方法，其特征在于在所述回流工序中，在有機溶劑氣氛中使所述抗蝕劑變形。
17.如權(quán)利要求11至權(quán)利要求13中任一項所述的圖形形成方法，其特征在于在所述回流工序中，還通過所述抗蝕劑膜的平面形狀，控制所述軟化抗蝕劑的流動方向。
18.如權(quán)利要求11至權(quán)利要求13中任一項所述的圖形形成方法，其特征在于在所述回流工序中，還通過所述抗蝕劑的平面形狀，控制所述軟化抗蝕劑的覆蓋面積。
19.如權(quán)利要求11至權(quán)利要求13中任一項所述的圖形形成方法，其特征在于在所述再顯影處理工序前，進(jìn)行去除抗蝕劑表面的變質(zhì)層的前處理工序。
20.如權(quán)利要求11至權(quán)利要求13中任一項所述的圖形形成方法，其特征在于在所述掩模圖形形成工序中，通過利用網(wǎng)板掩模的半曝光處理與其后的顯影處理形成所述抗蝕劑膜的所述厚膜部與所述薄膜部。
21.如權(quán)利要求11至權(quán)利要求13中任一項所述的圖形形成方法，其特征在于被處理體是在基板上形成柵極線和柵極電極，并且形成覆蓋它們的柵極絕緣膜，而且在所述柵極絕緣膜上，自下而上依次形成a-Si膜、歐姆接觸用Si膜和源極·漏極電極用金屬膜的層積結(jié)構(gòu)體，其中，所述被蝕刻膜是所述歐姆接觸用Si膜。
22.如權(quán)利要求21所述的圖形形成方法，其特征在于通過所述再顯影處理，在面臨所述目標(biāo)區(qū)域側(cè)的所述抗蝕劑膜的端部與其下層的源極·漏極電極用金屬膜的端部之間形成臺階。
23.一種液晶顯示裝置用TFT元件的制造方法，其特征在于，包括在基板上形成柵極線和柵極電極的工序；形成覆蓋所述柵極線和柵極電極的柵極絕緣膜的工序；在所述柵極絕緣膜上，自下而上依次堆積a-Si膜、歐姆接觸用Si膜和源極·漏極電極用金屬膜的工序；在所述源極·漏極電極用金屬膜上形成抗蝕劑膜的工序；對所述抗蝕劑膜進(jìn)行半曝光處理和顯影處理，形成源極電極用抗蝕劑掩模和漏極電極用抗蝕劑掩模，并且針對所述源極電極用抗蝕劑掩模和所述漏極電極用抗蝕劑掩模的各個，因部位使膜厚變化，至少形成膜厚厚的厚膜部以及相對于對該厚膜部膜厚相對薄的薄膜部的掩模圖形形成工序；以所述源極電極用抗蝕劑掩模和所述漏極電極用抗蝕劑掩模作為掩模蝕刻所述源極·漏極電極用金屬膜，形成源極電極用金屬膜與漏極電極用金屬膜，并且在所述源極電極用金屬膜與所述漏極電極用金屬膜之間的溝道區(qū)域用凹部上露出下層的歐姆接觸用Si膜的工序；對圖形形成的所述源極電極用抗蝕劑掩模和所述漏極電極用抗蝕劑掩模進(jìn)行再顯影處理，在殘留所述厚膜部和所述薄膜部的狀態(tài)下，縮小各自的覆蓋面積的工序；通過使在縮小后的所述源極電極用抗蝕劑掩模和所述漏極電極用抗蝕劑掩模上作用有機溶劑而軟化的軟化抗蝕劑變形，覆蓋所述源極電極用金屬膜與所述漏極電極用金屬膜之間的溝道區(qū)域用凹部內(nèi)的所述歐姆接觸用Si膜的回流工序；以變形后的所述抗蝕劑以及所述源極電極用金屬膜和所述漏極電極用金屬膜作為掩模，蝕刻下層的所述歐姆接觸用Si膜和所述a-Si膜的工序；去除變形后的所述抗蝕劑，在所述源極電極用金屬膜與所述漏極電極用金屬膜之間的溝道區(qū)域用凹部內(nèi)再次露出所述歐姆接觸用Si膜的工序，以及以所述源極電極用金屬膜與所述漏極電極用金屬膜作為掩模，蝕刻在它們之間的所述溝道區(qū)域用凹部上露出的所述歐姆接觸用Si膜的工序。
24.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示裝置用TFT元件的制造方法，其特征在于在所述回流工序中，通過所述厚膜部與所述薄膜部的配置控制所述軟化抗蝕劑的流動方向。
25.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示裝置用TFT元件的制造方法，其特征在于在所述回流工序中，通過所述厚膜部與所述薄膜部的配置控制所述軟化抗蝕劑的覆蓋面積。
26.如權(quán)利要求23至權(quán)利要求25中任一項所述的液晶顯示裝置用TFT元件的制造方法，其特征在于在面臨所述源極電極用金屬膜與所述漏極電極用金屬膜之間的所述溝道區(qū)域用凹部側(cè)設(shè)置所述厚膜部。
27.如權(quán)利要求23至權(quán)利要求25中任一項所述的液晶顯示裝置用TFT元件的制造方法，其特征在于在面臨所述源極電極用金屬膜與所述漏極電極用金屬膜之間的所述溝道區(qū)域用凹部側(cè)設(shè)置所述薄膜部。
28.如權(quán)利要求23至權(quán)利要求25中任一項所述的液晶顯示裝置用TFT元件的制造方法，其特征在于在所述回流工序中，還通過所述抗蝕劑膜的平面形狀，控制所述軟化抗蝕劑的流動方向。
29.如權(quán)利要求23至權(quán)利要求25中任一項所述的液晶顯示裝置用TFT元件的制造方法，其特征在于在所述回流工序中，還通過所述抗蝕劑的平面形狀，控制所述軟化抗蝕劑的覆蓋面積。
30.如權(quán)利要求23至權(quán)利要求25中任一項所述的液晶顯示裝置用TFT元件的制造方法，其特征在于通過所述再顯影處理，面臨所述溝道區(qū)域用凹部側(cè)的所述源極電極用抗蝕劑掩模的端部與所述漏極電極用抗蝕劑掩模的端部的距離形成為比其下層的所述源極電極用金屬膜的端部與所述漏極電極用金屬膜的端部的距離要寬。
31.一種控制程序，其特征在于在計算機上動作，執(zhí)行時，控制回流處理裝置，使得在處理腔室內(nèi)進(jìn)行權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項所述的回流方法。
32.一種計算機能夠讀取的存儲介質(zhì)，其特征在于其是儲存有在計算機上動作的控制程序的計算機能夠讀取的存儲介質(zhì)，其中所述控制程序，是在執(zhí)行時，控制回流處理裝置，使得在處理腔室內(nèi)進(jìn)行權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項所述的回流方法。
33.一種回流處理裝置，其特征在于，包括具有放置被處理體的支撐臺的處理腔室；用于將有機溶劑供給到處理腔室內(nèi)的氣體供給機構(gòu)；以及控制部，其進(jìn)行控制，使得在所述處理腔室內(nèi)進(jìn)行權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項所述的回流方法。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在抗蝕劑的回流處理中，能夠高精度地控制軟化的抗蝕劑的流動方向和流動面積，因而可以應(yīng)用于圖形形成以及液晶顯示裝置用TFT元件的制造中的技術(shù)。在回流處理的抗蝕劑(103)的表面上設(shè)置有高低差，具有厚膜部(103a)以及膜厚相對薄的薄膜部(103b)。厚膜部(103a)在目標(biāo)區(qū)域(S
文檔編號G02F1/1362GK101047121SQ20071009223
公開日2007年10月3日 申請日期2007年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月31日
發(fā)明者麻生豐 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社