專利名稱：半穿透半反射式液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是關(guān)于一種液晶顯示裝置，尤其是關(guān)于一種半穿透半反射式液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置因具有低輻射性、體積輕薄短小及耗電低等特點(diǎn)，故于使用上日漸廣泛，且隨著相關(guān)技術(shù)的成熟及創(chuàng)新，其種類也日益繁多。
根據(jù)液晶顯示裝置所利用光源的不同，可分為穿透式液晶顯示裝置與反射式液晶顯示裝置。穿透式液晶顯示裝置須于液晶顯示面板背面設(shè)置一背光源以實(shí)現(xiàn)圖像顯示，但是，背光源的耗能約占整個(gè)穿透式液晶顯示裝置耗能的一半，故穿透式液晶顯示裝置的耗能較大。反射式液晶顯示裝置能解決穿透式液晶顯示裝置耗能大的問題，但是在光線微弱的環(huán)境下很難實(shí)現(xiàn)圖像顯示。半穿透半反射式液晶顯示裝置能解決以上的問題。
請(qǐng)參閱圖1，現(xiàn)有技術(shù)半穿透半反射式液晶顯示裝置1包括兩個(gè)相對(duì)的透明下基板11與上基板12、一液晶層13夾于該下基板11與上基板12之間。一透明公共電極14及一配向膜18依次設(shè)置于該上基板12的內(nèi)側(cè)，一上延遲片122及一上偏光板121依次設(shè)置于該上基板12的外側(cè)。一透明電極17、一鈍化層16、一反射電極15及一配向膜19依次設(shè)置于該下基板11的內(nèi)側(cè)，其中該鈍化層16及反射電極15具一開口151。一下延遲片112及一下偏光板111依次設(shè)置于該下基板11的外側(cè)。
該上延遲片122與下延遲片112為四分之一波長片(λ/4)，配向膜18、19為水平配向(Homogeneous Alignment)，上偏光板121與下偏光板111的偏振方向互相垂直。反射電極15為高反射率的金屬鋁(Al)，透明公共電極14與透明電極17為透明導(dǎo)電材料如氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)或氧化銦鋅(IndiumZinc Oxide，IZO)。液晶層13具有不同的厚度，其中透明公共電極14與反射電極15間液晶層13的厚度為d11，透明公共電極14與透明電極17間液晶層13的厚度為d12，其中d12大約為d11的兩倍。液晶層厚度為d11的區(qū)域?yàn)榉瓷鋮^(qū)域，液晶層厚度為d12的區(qū)域?yàn)榇┩竻^(qū)域。
反射區(qū)域的液晶層13的光學(xué)延遲為Δn·d11＝λ/4由于d12大約為d11的兩倍，故穿透區(qū)域的液晶層13的光學(xué)延遲為Δn·d12＝λ/2其中Δn為液晶層13的雙折射率，λ光線的波長。
請(qǐng)參閱圖2，為半穿透半反射式液晶顯示裝置的亮態(tài)與暗態(tài)下的液晶分子排列示意圖。未施加電壓時(shí)液晶分子沿水平方向排列，由于反射區(qū)域的液晶層13的光學(xué)延遲為λ/4，穿透區(qū)域的液晶層13的光學(xué)延遲為λ/2，故該半穿透半反射式液晶顯示裝置1為亮態(tài)。施加電壓時(shí)液晶分子沿垂直于基板11、12的方向排列，液晶層13的光學(xué)延遲為0，故該半穿透半反射式液晶顯示裝置1為暗態(tài)。通過施加不同值的電壓可實(shí)現(xiàn)不同的灰階顯示。
但是，施加電壓時(shí)，由于配向膜18、19與位于其附近的液晶分子間具有錨鉤能(Anchoring Energy)，配向膜18、19附近的液晶分子并不能完全沿垂直于基板11、12的方向排列，且光線經(jīng)過該液晶層13會(huì)時(shí)，由于在反射區(qū)及穿透區(qū)的光程不同，存在光程差，所以產(chǎn)生光學(xué)延遲，使得該半穿透半反射式液晶顯示裝置1在暗態(tài)時(shí)存在漏光現(xiàn)象。請(qǐng)參閱圖3，是現(xiàn)有技術(shù)半穿透半反射式液晶顯示裝置1的電壓與穿透率的曲線圖，當(dāng)電壓逐漸升高(達(dá)到5V時(shí))，該半穿透半反射式液晶顯示裝置1的穿透率不為0，也就是說此時(shí)不能實(shí)現(xiàn)全黑，仍然有部份光線通過，無法實(shí)現(xiàn)暗態(tài)的顯示，從而影響其對(duì)比度及視角特性。

實(shí)用新型內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)中液晶顯示裝置對(duì)比度低及視角特性差的問題，本實(shí)用新型提供一種具高對(duì)比度及良好視角特性的半穿透半反射式液晶顯示裝置。
本實(shí)用新型提供了另一種具高對(duì)比度及良好視角特性的半穿透半反射式液晶顯示裝置。
本實(shí)用新型解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括一上基板，一下基板，一位于該上基板與該下基板之間的液晶層，一公共電極設(shè)置于上基板，像素電極形成于下基板，其中該像素電極、公共電極及位于其中間的液晶層構(gòu)成多個(gè)像素區(qū)域，該每一像素區(qū)域具一反射區(qū)電極及一穿透區(qū)電極，該液晶層的上下基板的配向摩擦方向夾角為0度至90度，該上基板外側(cè)設(shè)置有一第一上延遲片，該下基板外側(cè)設(shè)置有一第一下延遲片。
本實(shí)用新型解決技術(shù)問題所采用的另一技術(shù)方案是提供一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括一上基板，一下基板，一位于該上基板與該下基板之間的液晶層，一公共電極設(shè)置于上基板，像素電極形成于下基板，該像素電極、公共電極及位于其中間的液晶層構(gòu)成多個(gè)像素區(qū)域，該每一像素區(qū)域具一反射區(qū)電極及一穿透區(qū)電極，其中該液晶層的上下基板的配向摩擦方向夾角為0度至90度，該上基板外側(cè)設(shè)置有第一上延遲片及第二上延遲片，該下基板外側(cè)設(shè)置有第一下延遲片及第二下延遲片。
相比現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型的半穿透半反射式液晶顯示裝置具有第一上延遲片及第一下延遲片能夠?qū)κ┘与妷簳r(shí)由于液晶分子并不完全垂直于基板排列而造成的剩余光學(xué)相位延遲進(jìn)行補(bǔ)償，從而減少暗態(tài)時(shí)的漏光現(xiàn)象，提高該半穿透半反射式液晶顯示裝置的對(duì)比度，并配合不同的第二上延遲片、第二下延遲、盤狀分子膜及補(bǔ)償膜進(jìn)一步提高視角，而且該半穿透半反射式液晶顯示裝置的穿透區(qū)域與反射區(qū)域具有相同的液晶間隙厚度，簡化制程，使得穿透區(qū)域與反射區(qū)域的液晶具有一致的反應(yīng)時(shí)間，具有響應(yīng)快、驅(qū)動(dòng)電壓低等特性。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)半穿透半反射式液晶顯示裝置的剖面示意圖。
圖2是現(xiàn)有技術(shù)半穿透半反射式液晶顯示裝置的亮態(tài)與暗態(tài)下的液晶分子排列示意圖。
圖3是現(xiàn)有技術(shù)半穿透半反射式液晶顯示裝置的穿透率與驅(qū)動(dòng)電壓關(guān)系曲線圖。
圖4是本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置第一實(shí)施方式的剖面示意圖。
圖5是本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置第一實(shí)施方式的反射區(qū)域的運(yùn)作示意圖。
圖6本實(shí)用新型該半穿透半反射式液晶顯示裝置第一實(shí)施方式的穿透區(qū)域的運(yùn)作示意圖。
圖7是本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置第二實(shí)施方式的剖面示意圖。
圖8是本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置第三實(shí)施方式的剖面示意圖。
圖9是本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置第四實(shí)施方式的剖面示意圖。
圖10是本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置第五實(shí)施方式的剖面示意圖。
圖11是本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置第六實(shí)施方式的剖面示意圖。
圖12是本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置第七實(shí)施方式的剖面示意圖。
圖13是本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置第八實(shí)施方式的剖面示意圖。
圖14是本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置第九實(shí)施方式的剖面示意圖。
具體實(shí)施方式圖4是本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置第一實(shí)施方式的剖面示意圖，本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置10包括一上基板22、一與上基板22相對(duì)設(shè)置的下基板21、一位于該二基板22、21間的液晶層23，該液晶層23包括多個(gè)正型液晶分子(未標(biāo)示)。
該液晶層23的液晶分子為水平配向(HomogeneousAlignment)，其預(yù)傾角度為0°～15°，液晶分子在該上下配向膜41、42的作用下大致沿水平方向排列。
該上基板22的外側(cè)表面依次設(shè)置一第一上延遲片521、一第二上延遲片522及一上偏光板32。該上基板22的內(nèi)側(cè)表面依次設(shè)置一公共電極221及一上配向膜42。該公共電極221為透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)或氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)。
該下基板21的外側(cè)表面依次設(shè)置一第一下延遲片511、一第二下延遲片512及一下偏光板31。穿透電極212與反射電極211設(shè)置于該下基板21的內(nèi)側(cè)，一起構(gòu)成像素電極，當(dāng)施加電壓時(shí)，像素電極與該公共電極221間產(chǎn)生一垂直于基板22、21的電場(chǎng)以控制液晶分子的偏轉(zhuǎn)，而顯示圖像顯示。該穿透電極212為透明導(dǎo)電材料，如氧化銦錫(ITO)，該反射電極211為具高反射率的金屬材料，如鋁(Al)。
該像素電極、公共電極221及位于其中的液晶層23構(gòu)成一像素區(qū)域。其中，與反射電極211所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域?yàn)榉瓷鋮^(qū)域，與穿透電極212所對(duì)應(yīng)的像素區(qū)域?yàn)榇┩竻^(qū)域。外界環(huán)境光通過反射區(qū)域的液晶層23后通過反射電極211的反射作用再次通過反射區(qū)域的液晶層23而實(shí)現(xiàn)圖像顯示。其中，該反射區(qū)域的液晶層厚度與該穿透區(qū)域的液晶層厚度相同，使得反射區(qū)域的液晶與該穿透區(qū)域的液晶具有相同的反應(yīng)時(shí)間，且制程簡單。
其中，該第一上延遲片521及第一下延遲片511為四分之一波長片(λ/4)，該第二上延遲片522及第二下延遲片512為二分之一波長片(λ/2)。
其中該第二上延遲片522的光軸與上偏光板32的偏振軸具一夾角θ1，則該第一上延遲片521的光軸與上偏光板32的偏振軸的夾角為2θ1±45°。該第二下延遲片的光軸與該下偏光板的偏振軸具一夾角θ2，該第一下延遲片的光軸與下偏光板的偏振軸的夾角為2θ2±45°。θ1在8°～22°或68°～82°之間，θ2在8°～22°或68°～82°之間。當(dāng)θ1＝θ2時(shí)，上偏光板32的偏振軸與下偏光板31的偏振軸垂直，第一上延遲片521的光軸與第一下延遲片511的光軸垂直，第二上延遲片522的光軸與第二下延遲片512的光軸垂直。且該第一盤狀分子膜624及第二盤狀分子膜614的分子排列方向平行于該水平配向基板的摩擦方向，第一補(bǔ)償膜721及第二補(bǔ)償膜711分子排列方向垂直于該水平配向基板的摩擦方向。
反射區(qū)域的液晶層23及第一盤狀分子膜624的相位延遲關(guān)系滿足公式RetLCR(VOff)-RetLCR(VOn)＝λ/4±m(xù)(λ/2)，m＝0，1，2，…RetLCR(VOn)+RetF624＝m(λ/2)，m＝0，1，2，…其中，RetLCR(VOff)為亮態(tài)時(shí)反射區(qū)域的液晶層23的相位延遲，RetLCR(VOn)為暗態(tài)時(shí)反射區(qū)域液晶層23的相位延遲，RetF624為第一盤狀分子膜624的相位延遲。
穿透區(qū)域的液晶層23、第一盤狀分子膜624及第二盤狀分子膜614的相位延遲關(guān)系滿足公式RetLCT(VOff)-RetLCT(VOn)＝λ/2±m(xù)λ，m＝0，1，2，…RetLCT(VOn)+RetF624+RetF614＝mλ，m＝0，1，2，…其中，RetLCT(VOff)為亮態(tài)時(shí)穿透區(qū)域液晶層23的相位延遲，RetLCT(VOn)為暗態(tài)時(shí)液晶層23的相位延遲，RetF624、RetF614分別為第一盤狀分子膜624及第二盤狀分子膜614的相位延遲。
本實(shí)施方式中，RetLCR(0V)-RetLCR(3.7V)＝λ/4
RetLCR(3.7V)+RetF624＝0RetLCT(0V)-RetLCT(3.7V)＝λ/2RetLCT(3.7V)+RetF624+RetF614＝0請(qǐng)參閱圖5，是該半穿透半反射式液晶顯示裝置10反射區(qū)域的運(yùn)作示意圖。未施加電壓時(shí)，外部環(huán)境光經(jīng)過上偏光板32后轉(zhuǎn)變成偏振方向與上偏光板32的偏振軸平行的線偏振光，波長為550nm的線偏振光通過第二上延遲片(二分之一波長片)522后偏振方向轉(zhuǎn)過2θ角，仍為線偏振光。因第一上延遲片521(四分之一波長片)的光軸與上偏光板32的偏振軸成2θ+45°夾角，所以自第二上延遲片522出射的線偏振光通過第一上延遲片521后轉(zhuǎn)變?yōu)閳A偏振光，其它波長的橢圓偏振光也轉(zhuǎn)變?yōu)閳A偏振光，所以，幾乎所有波長的線偏振光通過第一上延遲片521及第二上延遲片522后均轉(zhuǎn)變?yōu)閳A偏振光。未施加電壓時(shí)液晶層23的液晶分子沿水平方向排列，第一盤狀分子膜624與反射區(qū)域液晶層23的光學(xué)延遲總和為λ/4，圓偏振光通過第一盤狀分子膜624及液晶層23后由反射電極211反射并再次經(jīng)過液晶層23及第一盤狀分子膜624，圓偏振光兩次通過液晶層23及第一盤狀分子膜624的光學(xué)作用相當(dāng)于二分之一波長板，所以，圓偏振光通過液晶層23及第一盤狀分子膜624后轉(zhuǎn)變?yōu)樾D(zhuǎn)方向相反的圓偏振光。
該圓偏振光通過第一上延遲片521后轉(zhuǎn)變成偏振方向與第二上延遲片522的光軸成θ角的線偏振光，該線偏振光經(jīng)過第二上延遲片522后偏振方向順時(shí)針轉(zhuǎn)過2θ角，與上偏光板32的偏振軸方向平行并能通過該上偏光板32，此時(shí)該半穿透半反射式液晶顯示裝置10顯示亮態(tài)。
施加電壓時(shí)，外部環(huán)境光通過上偏光板32后進(jìn)入液晶層23前的運(yùn)作過程與未施加電壓時(shí)一致。施加電壓時(shí)，液晶分子沿垂直于基板22、21的方向排列，靠近基板的殘留相位延遲由第一盤狀分子膜624補(bǔ)償，使液晶層23與第一盤狀分子膜624總和的相位延遲為零，圓偏振光通過液晶層23后由反射電極211反射并再次經(jīng)過液晶層23及第一盤狀分子膜624后偏振狀態(tài)不發(fā)生改變，該圓偏振光通過第一上延遲片521后轉(zhuǎn)變?yōu)榫€偏振光，該線偏振光的偏振方向與第一上延遲片521的光軸成45°角，與第二上延遲片522的光軸成90°+θ度角。該線偏振光通過第二上延遲片522后，偏振方向旋轉(zhuǎn)180°+2θ度角，與上偏光板32的偏振軸垂直，所以，光線不能通過上偏光板32，該半穿透半反射式液晶顯示裝置10顯示暗態(tài)。
請(qǐng)參閱圖6，是該半穿透半反射式液晶顯示裝置2穿透區(qū)域的運(yùn)作示意圖。穿透區(qū)域的運(yùn)作過程與反射區(qū)域的運(yùn)作過程大致相同，穿透區(qū)域的液晶層23與上、第二盤狀分子膜624、614的光學(xué)延遲總和為λ/2，所以，效果與光線兩次通過反射區(qū)域液晶層23與第一盤狀分子膜624相同。
由于第二下延遲片對(duì)入射的線偏振光具補(bǔ)償作用，所以，大部份可見光通過第一下延遲片511時(shí)轉(zhuǎn)變?yōu)閳A偏振光，有效提高光的利用率。上、第二盤狀分子膜624、614能夠?qū)κ┘与妷簳r(shí)液晶分子并不完全垂直于基板22、21排列而造成的剩余光學(xué)相位延遲進(jìn)行補(bǔ)償，從而減少暗態(tài)時(shí)的漏光現(xiàn)象，提高該半穿透半反射式液晶顯示裝置10的對(duì)比度。該第二盤狀分子膜614與第一盤狀分子膜624也可補(bǔ)償不同視角下的對(duì)比度及色差，提高該半穿透半反射式液晶顯示裝置10的視角特性。
本實(shí)用新型的實(shí)施方式中，該第一盤狀分子膜624、第一補(bǔ)償膜721、第一上延遲片521及第二上延遲片522位置可交換，同樣的該第二盤狀分子膜614、第二補(bǔ)償膜711、第一下延遲片511及第二下延遲片521位置也可交換。
由于第二下延遲片512對(duì)入射的線偏振光具補(bǔ)償作用，所以，大部份可見光通過第一下延遲片511時(shí)轉(zhuǎn)變?yōu)閳A偏振光，有效提高光的利用率。
本實(shí)施方式的第一、二上延遲片、第一、二下延遲片能夠?qū)κ┘与妷簳r(shí)由于液晶分子并不完全垂直于基板排列而造成的剩余光學(xué)相位延遲進(jìn)行補(bǔ)償，從而減少暗態(tài)時(shí)的漏光現(xiàn)象，提高該半穿透半反射式液晶顯示裝置的對(duì)比度，并配合不同的盤狀分子膜及補(bǔ)償膜進(jìn)一步提高視角，而且，該半穿透半反射式液晶顯示裝置的穿透區(qū)域與反射區(qū)域具有相同的液晶間隙厚度，簡化制程，使得穿透區(qū)域與反射區(qū)域的液晶具有一致的反應(yīng)時(shí)間，具有響應(yīng)快、驅(qū)動(dòng)電壓低等特性。
請(qǐng)參閱圖7，本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式的區(qū)別在于本實(shí)施方式進(jìn)一步設(shè)置有一第一盤狀分子膜621，該第一盤狀分子膜621設(shè)置于該第一上延遲片521與該上基板22之間。
請(qǐng)參閱圖8，本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置第三實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式的區(qū)別在于本實(shí)施方式進(jìn)一步設(shè)置有一第二盤狀分子膜611，該第二盤狀分子膜611設(shè)置于該第一下延遲片511與該下基板21之間。
請(qǐng)參閱圖9，本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置第四實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式的區(qū)別在于本實(shí)施方式進(jìn)一步分別設(shè)置有一第一盤狀分子膜622及一第二盤狀分子膜612，該第一盤狀分子膜621設(shè)置于該第一上延遲片521與該上基板22之間，該第二盤狀分子膜611設(shè)置于該第一下延遲片511與該下基板21之間。
請(qǐng)參閱圖10，本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置第五實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施方式與第一實(shí)施方式的區(qū)別在于本實(shí)施方式進(jìn)一步分別設(shè)置有一第一補(bǔ)償膜721、一第二補(bǔ)償膜711，其中該第一補(bǔ)償膜721設(shè)置于該第一上延遲片521與該上基板22之間，該第二補(bǔ)償膜711設(shè)置于該第一下延遲片511與該下基板21之間，該第一補(bǔ)償膜721及第二補(bǔ)償膜711可為A-板補(bǔ)償膜。
請(qǐng)參閱圖11，本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置第六實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施方式與第五實(shí)施方式的區(qū)別在于本實(shí)施方式進(jìn)一步設(shè)置有一第一盤狀分子膜623，該第一盤狀分子膜623設(shè)置于該上基板22與第一補(bǔ)償膜721之間。
請(qǐng)參閱圖12，本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置第七實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施方式與第五實(shí)施方式的區(qū)別在于本實(shí)施方式進(jìn)一步設(shè)置有一第二盤狀分子膜613，該第二盤狀分子膜613設(shè)置于該下基板21與第二補(bǔ)償膜711之間。
請(qǐng)參閱圖13，本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置第八實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施方式與第五實(shí)施方式的區(qū)別在于本實(shí)施方式進(jìn)一步包括一第一盤狀分子膜624及一第二盤狀分子膜614，該第一盤狀分子膜624設(shè)置于該上基板22與第一補(bǔ)償膜721之間，該第二盤狀分子膜614設(shè)置于該下基板21與第二補(bǔ)償膜711之間。
請(qǐng)參閱第圖14，本實(shí)用新型半穿透半反射式液晶顯示裝置第九實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施方式與第一實(shí)施方至第八實(shí)施方式的區(qū)別在于該半穿透半反射式液晶顯示裝置的上基板外側(cè)只設(shè)置有一第一上延遲片512，該下基板外側(cè)只設(shè)置有一第一下延遲片511，該第一上延遲片512為四分之一波長片(λ/4)，該第一下延遲片511為四分之一波長片(λ/4)。
本實(shí)用新型的第一、二上延遲片、第一、二下延遲片能夠?qū)κ┘与妷簳r(shí)由于液晶分子并不完全垂直于基板排列而造成的剩余光學(xué)相位延遲進(jìn)行補(bǔ)償，從而減少暗態(tài)時(shí)的漏光現(xiàn)象，提高該半穿透半反射式液晶顯示裝置的對(duì)比度，并配合不同的盤狀分子膜及補(bǔ)償膜進(jìn)一步提高視角，而且，該半穿透半反射式液晶顯示裝置的穿透區(qū)域與反射區(qū)域具有相同的液晶間隙厚度，簡化制程，使得穿透區(qū)域與反射區(qū)域的液晶具有一致的反應(yīng)時(shí)間，液晶層采用混合配向并加入旋光物，具有響應(yīng)快、驅(qū)動(dòng)電壓低等特性。
權(quán)利要求1.一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括一上基板，一下基板，一位于該上基板與該下基板之間的液晶層，一公共電極設(shè)置于上基板，一像素電極形成于下基板，其中該像素電極、公共電極及位于其中間的液晶層構(gòu)成多個(gè)像素區(qū)域，該每一像素區(qū)域具一反射區(qū)電極及一穿透區(qū)電極，其特征在于該液晶層的上下基板的配向摩擦方向夾角為0度至90度，該上基板外側(cè)設(shè)置有一第一上延遲片，該下基板外側(cè)設(shè)置有一第一下延遲片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1項(xiàng)所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該第一上延遲片為四分之一波長片，該第一下延遲片為四分之一波長片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1項(xiàng)所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于其進(jìn)一步包括一設(shè)置于該第一上延遲片與該上基板之間的第一盤狀分子膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1項(xiàng)所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于其進(jìn)一步包括一設(shè)置于該第一下延遲片與該下基板之間的第二盤狀分子膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求1項(xiàng)所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于其進(jìn)一步包括一設(shè)置于該第一上延遲片與該上基板之間的第一補(bǔ)償膜，一設(shè)置于該第一下延遲片與該下基板之間的第二補(bǔ)償膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5項(xiàng)所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于其進(jìn)一步包括一設(shè)置于該第一補(bǔ)償膜與該上基板之間的第一盤狀分子膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求5項(xiàng)所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于其進(jìn)一步包括一設(shè)置于該第二補(bǔ)償膜與該下基板之間的第二盤狀分子膜。
8.一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括一上基板，一下基板，一位于該上基板與該下基板之間的液晶層，一公共電極設(shè)置于上基板，像素電極設(shè)置于下基板，其中該像素電極、公共電極及位于其中間的液晶層構(gòu)成多個(gè)像素區(qū)域，該每一像素區(qū)域具一反射區(qū)電極及一穿透區(qū)電極，其特征在于該液晶層的上下基板的配向摩擦方向夾角為0度至90度，該上基板外側(cè)設(shè)置有第一上延遲片及第二上延遲片，該下基板外側(cè)設(shè)置有第一下延遲片及第二下延遲片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8項(xiàng)所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該第一上延遲片為四分之一波長片，第二上延遲片為二分之一波長片。
10.根據(jù)權(quán)利要求8項(xiàng)所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該第一下延遲片為四分之一波長片，第二下延遲片為二分之一波長片。
11.根據(jù)權(quán)利要求8項(xiàng)所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于其進(jìn)一步包括一設(shè)置于上基板外側(cè)的上偏光板，一設(shè)置于該下基板外側(cè)的下偏光板。
12.根據(jù)權(quán)利要求11項(xiàng)所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該第二上延遲片的光軸與上偏光板的偏振軸具一夾角θ1，該第一上延遲片的光軸與上偏光板的偏振軸的夾角為2θ1±45°。
13.根據(jù)權(quán)利要求12項(xiàng)所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于θ1在8°～22°或68°～82°之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求11項(xiàng)所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該第二下延遲片的光軸與該下偏光板的偏振軸具一夾角θ2，該第一下延遲片的光軸與下偏光板的偏振軸的夾角為2θ2±45°。
15.根據(jù)權(quán)利要求14項(xiàng)所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于θ2在8°～22°或68°～82°之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求11項(xiàng)所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于該上偏光板的穿透軸與該下偏光板的穿透軸垂直，該第一上延遲片的光軸與該第一下延遲片的光軸垂直，該第二上延遲片的光軸與該第二下延遲片的光軸垂直。
17.根據(jù)權(quán)利要求8項(xiàng)所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于其進(jìn)一步包括一設(shè)置于該第一上延遲片與該上基板之間的第一盤狀分子膜。
18.根據(jù)權(quán)利要求8項(xiàng)所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于其進(jìn)一步包括一設(shè)置于該第一下延遲片與該下基板之間的第二盤狀分子膜。
19.根據(jù)權(quán)利要求8項(xiàng)所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于其進(jìn)一步包括一設(shè)置于該第一上延遲片與該上基板之間的第一補(bǔ)償膜，一設(shè)置于該第一下延遲片與該下基板之間的第二補(bǔ)償膜。
20.根據(jù)權(quán)利要求19項(xiàng)所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于其進(jìn)一步包括一設(shè)置于該第一補(bǔ)償膜與該上基板之間的第一盤狀分子膜。
21.根據(jù)權(quán)利要求19項(xiàng)所述的半穿透半反射式液晶顯示裝置，其特征在于其進(jìn)一步包括一設(shè)置于該第二補(bǔ)償膜與該下基板之間的第二盤狀分子膜。
專利摘要一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括一上基板，一下基板，一位于該上基板與該下基板之間的液晶層，一公共電極設(shè)置于上基板，像素電極形成于下基板，該像素電極、公共電極及位于其中間的液晶層構(gòu)成多個(gè)像素區(qū)域，該每一像素區(qū)域具一反射區(qū)電極及一穿透區(qū)電極，其中該液晶層的上下基板的配向摩擦方向夾角為0度至90度，該上基板外側(cè)設(shè)置有一第一上延遲片，該下基板外側(cè)設(shè)置有一第一下延遲片。
文檔編號(hào)G02F1/13GK2727782SQ200420083418
公開日2005年9月21日 申請(qǐng)日期2004年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月25日
發(fā)明者楊秋蓮, 凌維儀 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 群創(chuàng)光電股份有限公司