專利名稱：全息數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種全息數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，并尤其涉及一種全息數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，其可以通過加入激光吸收層來吸收激光光束，從而提高用戶的安全性。
背景技術：
現(xiàn)今已然開發(fā)出了各種全息數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。其中，一些種類的全息數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，例如全息WORM(一次寫入，多次讀出)光盤和全息可擦寫光盤，因其一旦曝光就會丟失儲存于其中的數(shù)據(jù)，而被封裝在光盤盒內(nèi)使用，而不會暴露于光線中。
另一方面，其他種類的全息數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，例如全息ROM(只讀存儲)光盤，則無需封裝在盒內(nèi)，因為在對全息ROM的復制過程之后跟隨有后續(xù)處理過程，以利用紫外或可見光線來消耗掉全息ROM光盤的記錄材料的光敏特性，從而即使當光盤暴露于光下，也不會丟失存儲于其中的數(shù)據(jù)。
參見

圖1，圖1示出了傳統(tǒng)全息ROM光盤的剖面圖。該全息ROM光盤包括下基底層100；在下基底層100的上表面上形成的全息記錄材料層102；在全息記錄材料層102的上表面上形成的上基底層104；以及標志層106，該標志層起到標記的作用，并在上基底層104的上表面上形成。例如，用來保護全息記錄材料102的上基底層100和下基底層104可由透明的聚碳酸酯構成。由全息材料，例如光敏聚合物，形成的全息記錄材料層102以全息圖的形式存儲數(shù)據(jù)。
利用激光光束(此后稱為參考光束)可以再現(xiàn)出以全息圖形式存儲在此種傳統(tǒng)的全息ROM光盤上的數(shù)據(jù)。也就是說，如果參考光束入射到全息ROM光盤上，那么全息ROM光盤的全息圖(全息干涉圖樣)則會衍射部分參考光束，從而形成再現(xiàn)信號光束(見圖1)。全息ROM系統(tǒng)的讀取模塊(未示出)將該再現(xiàn)信號光束轉換為電信號，隨后該電信號經(jīng)過一個數(shù)據(jù)處理步驟。此時，參考光束的剩余部分，即未被全息圖衍射的那部分參考光束，形成透射光束透過記錄材料層102(見圖1)。由于標志層106并不吸收該透射光束，該透射光束將依次穿過上基底層104和標志層106，然后幅射到全息ROM光盤之外。此外，由于在此種全息ROM光盤中的衍射效率(信號光束強度與參考光束強度的比率)大體上等于或小于20％，因而透射光束的強度等于或大于80％。
如上所述，由于從全息ROM光盤向上幅射出高強度的透射光束，該透射光束將輻射到全息ROM系統(tǒng)之外。而且，在全息ROM系統(tǒng)處于工作中，且出于維修目的揭去了該系統(tǒng)的外盒的情況下，透射光束則能夠直接入射到人體上。特別是如果透射光束入射到眼睛上，眼睛將受到嚴重的損傷。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種全息數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，該介質(zhì)能夠通過防止透射光束幅射到該介質(zhì)的外部來提高用戶的安全性。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提出了一種全息數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，包括一用于存儲全息圖的記錄材料層，一用于吸收透過該記錄材料層的激光光束的激光吸收層。該激光吸收層形成在記錄材料層之上。
附圖簡述通過以下結合附圖對優(yōu)選實施例的描述，本發(fā)明的上述及其它目的和特征將會更為清晰，其中圖1描述了傳統(tǒng)的全息ROM光盤的剖面圖；圖2示出了按照本發(fā)明第一優(yōu)選實施例的全息ROM光盤的剖面圖；以及圖3描述了按照本發(fā)明第二優(yōu)選實施例的全息ROM光盤的剖面圖。
優(yōu)選實施例的詳細描述下面將結合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細描述，其中圖2至圖3中出現(xiàn)的相同部件用相同的標號表示。
參考圖2，圖2描述了按照本發(fā)明的第一優(yōu)選實施例的全息ROM光盤的剖面圖。如圖2所示，該全息ROM光盤包括例如由透明的聚碳酸酯制成的下基底層200和上基底層204；全息記錄材料層202，用于以全息圖(全息干涉圖樣)的形式存儲數(shù)據(jù)，該全息記錄材料層位于下基底層200和上基底層204之間；激光吸收層208，用于吸收穿過記錄材料層202的透射光束，該激光吸收層形成在上基底層204的上表面上；以及用于輸入光盤標題等的標志層206，其形成于激光吸收層208的上表面上。
以此種結構，透射光束穿過上基底層204后被激光吸收層208吸收，其中該激光吸收層208由激光吸收材料制成，例如包含有Ni、Cr、Co和Fe的高溫鎳基合金(inconel)材料。該激光吸收層208具有適當?shù)暮穸?。因此，本發(fā)明優(yōu)選實施例的全息ROM光盤可防止透射光束幅射到光盤的外部。
為了再現(xiàn)以全息圖形式存儲在第一優(yōu)選實施例的全息ROM光盤中的數(shù)據(jù)，激光光束(此后，稱為參考光束)入射到全息ROM光盤上。然后部分參考光束被記錄材料層202中的全息圖衍射，形成再現(xiàn)信號光束，并且，參考光束的剩余部分穿過記錄材料層202，形成透射光束。全息ROM系統(tǒng)的全息讀取模塊(未示出)將該再現(xiàn)信號光束轉換為電信號。透射穿過記錄材料層202的該透射光束透射穿過上基底層204，然后到達激光吸收層208。該激光吸收層208由諸如包含有Ni、Cr、Co和Fe的高溫鎳基合金的激光吸收材料制成，并具有適當?shù)暮穸?，該激光吸收?08吸收入射到該層上的透射光束。因此，在數(shù)據(jù)恢復操作過程中，可防止透射光束，如未被記錄材料層中的全息圖衍射并穿過記錄材料層的參考光束，幅射到本發(fā)明的全息ROM光盤之外，從而可以有效地提高用戶的安全性。
在本優(yōu)選實施例中，激光吸收層是在上基底層204和標志層206之間形成的，但其也可以在記錄材料層202和上基底層208之間形成。
參見圖3，圖3描述了按照本發(fā)明第二實施例的全息ROM光盤的剖面圖，其中與第一優(yōu)選實施例相同的部件用相同的標號表示，同時簡便起見也省去了相應的具體描述。
如圖3所示，第二優(yōu)選實施例的全息ROM光盤，除了激光吸收層也用作標志層外，與第一實施例中的全息ROM光盤是同樣的。也就是說，激光吸收標志層306設置在上基底層204的上表面上，該激光吸收標志層由包含有激光吸收材料的材料制成，例如由包含有Ni、Cr、Co和Fe的高溫鎳基合金的激光吸收材料制成，并具有適當?shù)暮穸取?br> 激光吸收標志層306吸收入射到該層上的透射光束。此外，該激光吸收標志層306也用作標志層以加入光盤標題等。因此，可防止透射光束幅射到全息ROM光盤之外。同時，由于同時形成了標志層和激光吸收層，簡化了全息ROM光盤的制作過程。
為了再現(xiàn)以全息圖形式存儲在本優(yōu)選實施例的全息ROM光盤中的數(shù)據(jù)。激光光束(此后，稱為參考光束)入射到光盤上。部分參考光束被記錄材料層202中的全息圖衍射，從而形成再現(xiàn)信號光束，并且參考光束的剩余部分透過記錄材料層202，形成透射光束。全息ROM系統(tǒng)的全息讀取模塊(未示出)將再現(xiàn)信號光束轉換為電信號。該穿過記錄材料層202的透射光束，穿過上基底層204，而后到達激光吸收標志層306。該激光吸收標志層306吸收入射到其上的透射光束。因此，由于可以在數(shù)據(jù)恢復操作過程中，防止該透射光束，如未被記錄材料202中的全息圖衍射并穿過記錄材料層202的部分參考光束，幅射到本發(fā)明的全息ROM光盤以外，因而能夠提高用戶的安全性。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的全息ROM光盤能夠通過防止透射光束幅射到光盤以外來提高用戶的安全性。
此外，雖然結合全息ROM光盤對本發(fā)明進行了描述，但可以想見，本發(fā)明還可以應用到任何具有記錄材料的光盤中，其中這些記錄材料有可能使得用于再現(xiàn)數(shù)據(jù)的至少一部分參考光束穿過該材料。
盡管結合優(yōu)選實施例對本發(fā)明進行了描述，本領域技術人員應當理解，還可以在不脫離所附權利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，對本發(fā)明進行各種改變和改進。
權利要求
1.一種全息數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，包括一個用于存儲全息圖的記錄材料層，和一個激光吸收層，用于吸收穿過全息記錄材料層的激光光束。
2.如權利要求1所述的全息數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，其中所述激光吸收層形成在記錄材料層之上。
3.如權利要求2所述的全息數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，進一步包括一個用于保護記錄材料層的下基底層，在記錄材料層的下表面上形成；和一個用于保護記錄材料層的上基底層，在記錄材料層的上表面上形成，其中，所述激光吸收層在上基底層的上表面上形成。
4.如權利要求3所述的全息數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，還包括一個標志層，可作為標志，在激光吸收層的上表面上形成。
5.如權利要求3所述的全息數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，其中激光吸收層也可作為標志。
全文摘要
本發(fā)明的全息數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)包括一個用于存儲全息圖的記錄材料層，和一個激光吸收層，用于吸收穿過該記錄材料層的激光光束。該激光吸收層形成在記錄材料層之上。
文檔編號G03H1/02GK1573991SQ20041004723
公開日2005年2月2日 申請日期2004年5月28日 優(yōu)先權日2003年5月31日
發(fā)明者樸柱研 申請人:株式會社大宇電子