有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開的實(shí)施方式的各方面涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括兩個(gè)電極和介于該兩個(gè)電極之間的有機(jī)發(fā)光層。從一個(gè)電極注入的電子和從另一電極注入的空穴在有機(jī)發(fā)光層中彼此組合以形成激子。在激子釋放能量時(shí)發(fā)出光。
[0003]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括多個(gè)像素，所述多個(gè)像素包括作為自發(fā)光元件的有機(jī)發(fā)光二極管。用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的多個(gè)晶體管和存儲(chǔ)電容器形成于每個(gè)像素中。多個(gè)晶體管一般包括開關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管。
[0004]驅(qū)動(dòng)晶體管控制流至有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流。與驅(qū)動(dòng)晶體管的柵節(jié)點(diǎn)耦合(例如，連接)的存儲(chǔ)電容器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)電壓并在一個(gè)幀內(nèi)維持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)電壓。由此，預(yù)定量的驅(qū)動(dòng)電流從驅(qū)動(dòng)晶體管提供至有機(jī)發(fā)光二極管持續(xù)一個(gè)幀，以發(fā)出光。
[0005]然而，因形成于驅(qū)動(dòng)晶體管的柵節(jié)點(diǎn)與有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極之間的寄生電容，有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極的電壓的變化影響驅(qū)動(dòng)晶體管的柵節(jié)點(diǎn)的電壓。
[0006]由此，驅(qū)動(dòng)晶體管的柵節(jié)點(diǎn)的電壓的變化改變流入有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流，從而亮度不能獨(dú)立于陰極電壓的變化而一致地維持，亮度根據(jù)陰極電壓的變化而變化。
[0007]由此，為了降低功耗，當(dāng)陰極的電壓變化時(shí)亮度和顏色可能變化。
[0008]上面在該【背景技術(shù)】部分中公開的信息僅用于增強(qiáng)對(duì)本公開的背景的理解，因此可包含不形成本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本公開的實(shí)施方式的各方面涉及能夠一致地維持亮度和顏色且通過(guò)調(diào)整公共電壓而降低功耗的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
[0010]本公開的示例性實(shí)施方式提供了有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其包括:襯底；掃描線和前一掃描線，位于所述襯底上并且被配置為分別發(fā)送掃描信號(hào)和前一掃描信號(hào)；數(shù)據(jù)線和驅(qū)動(dòng)電壓線，與所述掃描線和所述前一掃描線相交，并且被配置為分別發(fā)送數(shù)據(jù)信號(hào)和驅(qū)動(dòng)電壓；開關(guān)晶體管，耦合至所述掃描線和所述數(shù)據(jù)線；驅(qū)動(dòng)晶體管，耦合至所述開關(guān)晶體管；補(bǔ)償晶體管，耦合至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的一端并且被配置為根據(jù)所述掃描信號(hào)導(dǎo)通以補(bǔ)償所述驅(qū)動(dòng)晶體管的閾值電壓；連接構(gòu)件，被配置為將所述補(bǔ)償晶體管的補(bǔ)償半導(dǎo)體層耦合至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O；第一電極，耦合至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的另一端；有機(jī)發(fā)光層，位于所述第一電極上；以及第二電極，位于所述有機(jī)發(fā)光層上。所述連接構(gòu)件和所述第一電極在所述襯底的平坦表面上彼此間隔。
[0011]在所述平坦表面中，所述連接構(gòu)件的外線與所述第一電極的面向所述連接構(gòu)件的外線的外線之間可具有間距。
[0012]所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還可包括:開關(guān)半導(dǎo)體層和驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層，與所述補(bǔ)償半導(dǎo)體層位于同一層；以及第一柵絕緣層、第二柵絕緣層和層間絕緣層，順序地覆蓋所述開關(guān)半導(dǎo)體層、所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層和所述補(bǔ)償半導(dǎo)體層。所述連接構(gòu)件可位于所述層間絕緣層上。
[0013]所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還可包括存儲(chǔ)電容器，所述存儲(chǔ)電容器包括:第一存儲(chǔ)電容板，位于所述第一柵絕緣層上且與所述驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體層重疊；以及第二存儲(chǔ)電容板，位于所述第二柵絕緣層上且與所述第一存儲(chǔ)電容板重疊。所述第一存儲(chǔ)電容板可包括所述驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O。
[0014]所述數(shù)據(jù)線和所述驅(qū)動(dòng)電壓線可與所述連接構(gòu)件位于同一層。
[0015]所述連接構(gòu)件的一端可通過(guò)形成在所述第二柵絕緣層和所述層間絕緣層中的接觸孔耦合至所述驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O，所述連接構(gòu)件的另一端可通過(guò)所述第一柵絕緣層、所述第二柵絕緣層和所述層間絕緣層中的接觸孔耦合至所述補(bǔ)償半導(dǎo)體層。
[0016]所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還可包括:鈍化層，被配置為覆蓋所述數(shù)據(jù)線、所述驅(qū)動(dòng)電壓線和所述連接構(gòu)件；像素限定層，被配置為在所述鈍化層上覆蓋所述第一電極的邊緣；以及初始化電壓線，與所述第一電極位于同一層，并且被配置為初始化所述驅(qū)動(dòng)晶體管。所述第二存儲(chǔ)電容板可位于所述驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O與所述第一電極之間，所述第二存儲(chǔ)電容板覆蓋所述驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O。
[0017]所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還可包括:初始化晶體管，被配置為根據(jù)所述前一掃描信號(hào)導(dǎo)通，并且被配置為將所述初始化電壓線提供的初始化電壓發(fā)送至所述驅(qū)動(dòng)?xùn)烹姌O；發(fā)光控制線，與所述掃描線位于同一層，并且被配置為發(fā)送發(fā)光控制信號(hào)；操作控制晶體管，被配置為通過(guò)所述發(fā)光控制信號(hào)導(dǎo)通并且被配置為將所述驅(qū)動(dòng)電壓發(fā)送至所述驅(qū)動(dòng)晶體管；以及發(fā)光控制晶體管，被配置為通過(guò)所述發(fā)光控制信號(hào)導(dǎo)通并且被配置為將所述驅(qū)動(dòng)電壓從所述驅(qū)動(dòng)晶體管發(fā)送至所述第一電極。所述發(fā)光控制晶體管的發(fā)光控制漏電極可與所述第一電極的延伸部分重疊。
[0018]根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式，連接構(gòu)件和像素電極可具有平面間距，因此不會(huì)彼此重疊，從而連接構(gòu)件與像素電極之間的寄生電容基本不會(huì)生成。
[0019]由此，即使當(dāng)公共電壓ELVSS變化時(shí)，流入有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)電流的大小可幾乎不變，因此能夠一致地維持亮度和顏色，并且能夠通過(guò)改變公共電壓而降低功耗。
【附圖說(shuō)明】
[0020]圖1是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素的等效電路圖；
[0021]圖2是示意性示出了根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的多個(gè)像素的布局圖；
[0022]圖3是示意性示出了根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的多個(gè)晶體管和電容器的視圖；
[0023]圖4是圖3所示的示例性實(shí)施方式的布局圖；
[0024]圖5是圖4的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器沿線V-V’截取的截面視圖；
[0025]圖6是圖4的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器沿線V1-VI’和VI’ -VI”截取的截面視圖；以及
[0026]圖7是圖4的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器沿線VI1-VII截取的截面視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面將參考附圖描述本公開的實(shí)施方式的各方面，在附圖中示出了示例性實(shí)施方式。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，所描述的實(shí)施方式可以各種不同的方式被修改而不偏離本公開的精神或范圍。
[0028]不是完整理解本說(shuō)明書所必需的元件和功能中的一些已被省略以清楚地描述本公開，在整個(gè)說(shuō)明書中相同的元件由相同的參考標(biāo)號(hào)指定。
[0029]另外，為了理解和方便說(shuō)明，任意地顯示了附圖中所示的每個(gè)結(jié)構(gòu)的尺寸和厚度，但是本公開不限于此。
[0030]在附圖中，為了清楚起見，層、膜、面板、區(qū)域等的厚度被夸大。在附圖中，為了理解和方便說(shuō)明，一些層的厚度和區(qū)域被夸大。本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，當(dāng)例如層、膜、區(qū)域或襯底的元件被稱為“位于”另一元件“上”時(shí)，它可直接位于另一元件上，或者還可存在一個(gè)或多個(gè)中間元件。
[0031]另外，除非明確作相反描述，否則詞語(yǔ)“包括(comprise)”及其變型例如“包括(comprises) ”或“包括(comprising) ”將被理解為暗示包括所陳述的元件但不排除任意其它元件。而且，在本說(shuō)明書中，詞語(yǔ)“位于…上”表示位于對(duì)象部分之上或之下，但是不一定表示基于重力方向位于對(duì)象部分的上側(cè)之上。
[0032]而且，在本說(shuō)明書中，詞組“在平坦表面上”用于表示從上方觀察對(duì)象部分，詞組“在截面上”用于表示從側(cè)部觀察通過(guò)垂直切割對(duì)象部分而獲取的截面。
[0033]參考圖1至圖7詳細(xì)描述根據(jù)本公開的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。
[0034]圖1是根據(jù)本公開的示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素的等效電路圖。
[0035]如圖1所示，根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的一個(gè)像素I包括:多個(gè)信號(hào)線121、122、123、124、128、171和172 ;耦合至(例如，連接至)多個(gè)信號(hào)線的多個(gè)晶體管Tl、T2、T3、T4、T5、T6和T7 ;存儲(chǔ)電容器Cst ；以及有機(jī)發(fā)光二極管0LED。
[0036]多個(gè)晶體管包括驅(qū)動(dòng)晶體管(驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管)Tl、開關(guān)晶體管(開關(guān)薄膜晶體管)T2、補(bǔ)償晶體管T3、初始化晶體管T4、操作控制晶體管T5、發(fā)光控制晶體管T6和旁路晶體管T7。
[0037]多個(gè)信號(hào)線包括用于發(fā)送掃描信號(hào)Sn的掃描線121、用于將前一掃描信號(hào)Sn-1發(fā)送至初始化晶體管T4的前一掃描線122、用于將發(fā)光控制信號(hào)En發(fā)送至操作控制晶體管T5和發(fā)光控制晶體管T6的發(fā)光控制線123、用于發(fā)送初始化電壓Vint以初始化驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的初始化電壓線124、用于將旁路信號(hào)BP發(fā)送至旁路晶體管T7的旁路控制線128、與掃描線121相交以發(fā)送數(shù)據(jù)信號(hào)Dm的數(shù)據(jù)線171、以及形成為與數(shù)據(jù)線171基本平行以發(fā)送驅(qū)動(dòng)電壓ELVDD的驅(qū)動(dòng)電壓線172。
[0038]驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵電極Gl耦合至存儲(chǔ)電容器Cst的一端Cstl，驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源電極SI經(jīng)由操作控制晶體管T5耦合至驅(qū)動(dòng)電壓線172，以及驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的漏電極Dl經(jīng)由發(fā)光控制晶體管T6電耦合(例如，電連接)至有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極。驅(qū)動(dòng)晶體管Tl根據(jù)開關(guān)晶體管T2的開關(guān)操作接收數(shù)據(jù)信號(hào)Dm，以將驅(qū)動(dòng)電流Id提供給有機(jī)發(fā)光二極管OLED。
[0039]開關(guān)晶體管T2的柵電極G2耦合至掃描線121，開關(guān)晶體管T2的源電極S2耦合至數(shù)據(jù)線171，以及開關(guān)晶體管T2的漏電極D2經(jīng)由操作控制晶體管T5耦合至驅(qū)動(dòng)電壓線172并且耦合至驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源電極SI。開關(guān)晶體管T2根據(jù)通過(guò)掃描線121接收的掃描信號(hào)Sn被導(dǎo)通，以執(zhí)行將被發(fā)送至數(shù)據(jù)線171的數(shù)據(jù)信號(hào)Dm發(fā)送至驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的源電極SI的開關(guān)操作。
[0040]補(bǔ)償晶體管T3的柵電極G3耦合至(例如，直接連接至)掃描線121，補(bǔ)償晶體管T3的源電極S3經(jīng)由發(fā)光控制晶體管T6耦合至有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極并且耦合至驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的漏電極D1，以及補(bǔ)償晶體管T3的漏電極D3耦合至存儲(chǔ)電容器Cst的一端Cstl、初始化晶體管T4的漏電極D4和驅(qū)動(dòng)晶體管Tl的柵電