專利名稱：芯片卡體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及的是按照權(quán)利要求1的前序部分的芯片卡體，也就是說芯片卡體具有一個(gè)預(yù)先確定用于接納芯片模塊的凹槽。
在圖5a中指出了這樣的芯片卡體的橫斷面視圖，在圖5b中指出了這樣的芯片卡的平面圖。
在具有標(biāo)記號(hào)1的圖中說明了該芯片卡體。在其上表面上具有一凹槽10，在該凹槽上還具有一深槽20。
在如此形成的凹槽10中可以置入一個(gè)圖6中所示的芯片模塊。
芯片模塊30具有一支架部分31，在其上面安裝一個(gè)芯片32和一個(gè)圍繞芯片的加固框架33。
芯片卡體1的凹槽10和芯片模塊30互相在尺寸上被調(diào)整的如此適合，整體的芯片模塊30在凹槽中是如此確定位置的，即其主要把在芯片模塊30的支架部分31的上表面的芯片32和加固框架33同芯片卡體1的外部上表面做成齊平，這樣使芯片32和加固框架33臥在凹槽10的深槽內(nèi)。
通過芯片卡體和芯片模塊的粘合，在芯片卡體1內(nèi)部的適合的指定位置進(jìn)行芯片模塊30的固定。
研究表明，在根據(jù)ISO/IEC 7816-1的彎曲負(fù)荷情況下，如此產(chǎn)生的芯片卡大部分比較硬，此外具有較小的抗彎強(qiáng)度，因此也許可能產(chǎn)生芯片卡的使用性能和/或耐久性能的問題。
特別是在應(yīng)當(dāng)繼續(xù)使用的芯片卡時(shí)，這可能并不是一個(gè)不重要的缺點(diǎn)。
因此本發(fā)明的任務(wù)在于，如此改進(jìn)按照權(quán)利要求1的前序部分的芯片卡體，通過簡(jiǎn)單的方法并且可以準(zhǔn)確產(chǎn)生一個(gè)具有較低硬度和較高抗彎強(qiáng)度的芯片卡。
根據(jù)本發(fā)明通過在權(quán)利要求1的特征部分的特征解決了該任務(wù)。
因此，在凹槽的內(nèi)部預(yù)先確定一個(gè)完全或部分圍繞凹槽內(nèi)部區(qū)域、在該內(nèi)部區(qū)域內(nèi)阻礙粘貼劑擴(kuò)散的海姆裝置(Hemmanordnung)。
通過預(yù)先確定該標(biāo)記可以在凹槽外部區(qū)域限制芯片卡體和芯片模塊的可粘貼表面，此外保持已標(biāo)明的小的可粘貼表面。特別排除了芯片和/或芯片模塊的加固框架與芯片卡體的粘貼。
在芯片模塊與芯片卡體粘貼的情況下，這為支架部分的中心區(qū)域、芯片和芯片模塊的加固框架在芯片卡體(特別與此相應(yīng)的是大規(guī)模形成的)的內(nèi)部提供了一定的活動(dòng)范圍，這再次直接引起該結(jié)果，即因此以簡(jiǎn)單方法并且可以準(zhǔn)確產(chǎn)生一個(gè)具有較低硬度和較高抗彎強(qiáng)度的芯片卡。
本發(fā)明的有益的改進(jìn)是從屬權(quán)利要求的內(nèi)容。
下面參考附圖根據(jù)實(shí)施例詳細(xì)介紹本發(fā)明。
圖示

圖1按照本發(fā)明的第一實(shí)施例的芯片卡體的部分橫截面視圖，圖2按照本發(fā)明的第二實(shí)施例的芯片卡體的部分橫截面視圖，圖3按照本發(fā)明的第三實(shí)施例的芯片卡體的部分橫截面視圖，圖4a和4b按照第一至第三實(shí)施例的不同排列的海姆裝置所表明的芯片卡體的平面圖，圖5a傳統(tǒng)芯片模塊的橫截面視圖，圖5b傳統(tǒng)芯片模塊的平面圖，和圖6可以置入芯片卡體的芯片模塊的橫截面視圖。
同圖5中介紹的芯片卡體一樣，下面參考圖1至4將說明的芯片卡體1的適合本發(fā)明的實(shí)施例在其上表面具有一個(gè)凹槽10，該凹槽本身還具有一個(gè)深槽20。
同傳統(tǒng)的芯片卡體上一樣，在適合本發(fā)明的芯片卡體上，芯片卡體1的凹槽10和芯片模塊30在尺寸上被調(diào)整的如此合適，整體的芯片模塊在凹槽10中是如此確定位置的，即其主要把在芯片模塊的支架部分31的上表面的芯片32和加固框架33同芯片卡體的上表面做成齊平，這樣使芯片32和加固框架33臥在凹槽10的深槽內(nèi)。
與傳統(tǒng)的芯片卡體不同，可是適合本發(fā)明的芯片卡體在凹槽10的內(nèi)部具有一個(gè)把凹槽10內(nèi)部區(qū)域同凹槽10外部區(qū)域分離的海姆裝置，其阻礙粘貼劑從凹槽外部區(qū)域擴(kuò)散到其內(nèi)部范圍。
在所有的結(jié)構(gòu)形式中，深槽20完全包含在已提到的凹槽內(nèi)部區(qū)域中，也就是說海姆裝置圍繞深槽20，可是對(duì)此，隨意選擇在深槽和圍繞的海姆裝置之間的間距，并且也許可能改變位置。
首先海姆裝置完全并且連貫地、也就是說不中斷地環(huán)繞在被粘貼劑阻斷的凹槽的內(nèi)部區(qū)域。
然而，根據(jù)各自的情況，如果海姆裝置僅僅沿周圍的一部分和/或中斷地圍繞在被粘貼劑阻斷的凹槽的內(nèi)部區(qū)域也許是足夠的。
通過粘貼劑對(duì)凹槽內(nèi)部區(qū)域的阻斷可以防止芯片和/或加固支架與凹槽的深槽粘合。因此在凹槽的深槽相應(yīng)較大尺寸的結(jié)構(gòu)的情況下，在彎曲時(shí)該單元可以使芯片同與其相關(guān)的單元互相無阻礙地移動(dòng)。
下面參考圖1至4說明目前優(yōu)選的海姆裝置的結(jié)構(gòu)形狀的不同可能性。
按照?qǐng)D1的海姆裝置包括一個(gè)環(huán)繞在凹槽內(nèi)部區(qū)域從凹槽10底部凸起的隆起11。
在芯片模塊30置入芯片卡體1的情況下，該隆起11同芯片模塊的支架部分31共同作用形成一個(gè)凹槽內(nèi)部區(qū)域同外部區(qū)域或多或少密封的隔斷。因此在凹槽外部區(qū)域涂的粘貼劑可以既不通過正常的流動(dòng)移動(dòng)也不由于在凹槽的外部區(qū)域存在的擠壓壓力進(jìn)入到凹槽的內(nèi)部區(qū)域；因此芯片卡體和芯片模塊通過粘貼劑可以連接的部分不僅在尺寸上而且在位上被限制置在凹槽的外部區(qū)域。
該隆起的形狀不被限制成圖1所示的基本是半圓形狀的截面；相反該截面可以構(gòu)成任意的其它形狀，例如三角形的、矩形的、曲徑形的或這一類的。
圖1所示的各部分的比例也是可以任意改變的。
正如圖4a所示，該隆起11沿著凹槽10外部區(qū)域的外圍完全并且不中斷地環(huán)繞凹槽10的內(nèi)部區(qū)域?？墒前疾蹆?nèi)部區(qū)域的環(huán)繞也可以在預(yù)先確定中斷的情況下實(shí)現(xiàn)，其絕對(duì)尺寸和標(biāo)度比可以根據(jù)需要確定；例如，正如圖4b所示，該隆起11雖然完全環(huán)繞凹槽10的內(nèi)部區(qū)域，可是大體上僅僅是逐點(diǎn)形成的。
圖2所示為圖1所示的海姆裝置的結(jié)構(gòu)形式的變體。
雖然在圖2中所示的海姆裝置中涉及一個(gè)隆起，可是與圖1所示的隆起不同，其是一個(gè)粗糙隆起12，例如通過磨損或這一類形式產(chǎn)生。
一個(gè)如此粗糙的表面-盡管在傳統(tǒng)感覺上這不是隆起-妨礙粘貼劑通過他進(jìn)行擴(kuò)散，并且因此可以同樣保證凹槽的內(nèi)部區(qū)域與粘貼劑保持隔離。
正如圖4a所示，該粗糙隆起12可以沿著凹槽10外部區(qū)域的外圍完全并且不中斷地環(huán)繞凹槽10的內(nèi)部區(qū)域?？墒前疾蹆?nèi)部區(qū)域的環(huán)繞也可以在預(yù)先確定中斷的情況下實(shí)現(xiàn)，其絕對(duì)尺寸和標(biāo)度比可以根據(jù)需要確定；例如，正如圖4b所示，該粗糙隆起12雖然完全環(huán)繞凹槽10的內(nèi)部區(qū)域，可是大體上僅僅是逐點(diǎn)形成的。
也可以預(yù)先確定的其它可能性，不僅在凹槽的內(nèi)部區(qū)域和凹槽外部區(qū)域之間的限制區(qū)間預(yù)先確定表面粗糙，而且可以完全或部分地在凹槽外部區(qū)域擴(kuò)展。
表面粗糙也可以在按照?qǐng)D1的隆起11上預(yù)先確定作為補(bǔ)充的方法。
在圖3中說明了海姆裝置的另一結(jié)構(gòu)形式，并且該形式包括一個(gè)在凹槽10底部環(huán)繞凹槽外部區(qū)域的溝狀的深槽13。
深槽13形成一個(gè)沉淀區(qū)，在該沉淀區(qū)內(nèi)積聚從凹外部區(qū)域擴(kuò)散到凹內(nèi)部區(qū)域的粘貼劑。因此在凹槽外部區(qū)域涂的粘貼劑可以既不通過正常的流動(dòng)移動(dòng)也不由于在凹槽的外部區(qū)域存在的擠壓壓力進(jìn)入到凹槽的內(nèi)部區(qū)域；因此芯片卡體和芯片模塊通過粘貼劑可以連接的部分不僅在尺寸上而且在位上被限制置在凹槽的外部區(qū)域。
該深槽13的形狀不被限制成圖3所示的基本是半圓形狀的截面；相反該截面可以形成任意的其它形狀，例如三角形的、矩形的、曲徑形的或這一類的。
圖3所示的各部分的比例也是可以任意改變的。
正如圖4a所示，該深槽13沿著凹槽10外部區(qū)域的外圍完全并且不中斷地環(huán)繞凹槽10的內(nèi)部區(qū)域?？墒前疾蹆?nèi)部區(qū)域的環(huán)繞也可以在預(yù)先確定中斷的情況下實(shí)現(xiàn)，其絕對(duì)尺寸和標(biāo)度比可以根據(jù)需要確定；例如，正如圖4b所示，該深槽13雖然完全環(huán)繞凹槽10的內(nèi)部區(qū)域，可是大體上僅僅是逐點(diǎn)形成的。
為了達(dá)到特別的效果，關(guān)于圖1至3已說明的適合本發(fā)明的海姆裝置的結(jié)構(gòu)形式也可以逐段交替組合。
權(quán)利要求
1．具有一個(gè)為了接納芯片卡體(30)而預(yù)先確定的凹槽(10)的芯片卡體(1)，其特征在于，在凹槽內(nèi)部預(yù)先確定一個(gè)完全或部分圍繞凹槽內(nèi)部區(qū)域、在內(nèi)部區(qū)域內(nèi)阻止粘貼劑擴(kuò)散的海姆裝置。
2．按照要求1的芯片卡體，其特征在于，凹槽(10)適合于接納芯片模塊(30)，該芯片模塊具有一個(gè)支架部分(31)，在其上面安裝一個(gè)芯片(32)和圍繞該芯片的加固支架(33)。
3．按照要求2的芯片卡體，其特征在于，凹槽(10)在內(nèi)部區(qū)域的內(nèi)部具有一個(gè)深槽(20)，其是如此構(gòu)成的，它可以接納芯片(32)和圍繞該芯片的加固支架(33)。
4．按照上述要求之一的芯片卡體，其特征在于，凹槽(10)是如此構(gòu)成的，通過在凹槽中粘貼芯片模塊實(shí)現(xiàn)在芯片卡體(1)中安裝芯片模塊(30)。
5．按照要求4的芯片卡體，其特征在于，凹槽(10)和海姆裝置是如此構(gòu)成的，在粘貼時(shí)芯片模塊(30)的支架部分(31)的唯一的一部分可以與凹槽粘貼。
6．按照要求3至5之一的芯片卡體，其特征在于，在凹槽(10)的深槽(20)的外部含有海姆裝置。
7．按照要求6的芯片卡體，其特征在于，在凹槽(10)的深槽(20)附近含有海姆裝置。
8．按照上述要求之一的芯片卡體，其特征在于，海姆裝置不中斷地環(huán)繞凹槽(10)的內(nèi)部區(qū)域。
9．按照要求1至7之一的芯片卡體，其特征在于，海姆裝置中斷地環(huán)繞凹槽(10)的內(nèi)部區(qū)域。
10．按照上述要求之一的芯片卡體，其特征在于，在凹槽的底部海姆裝置具有一個(gè)環(huán)繞凹槽(10)的內(nèi)部區(qū)域深槽(12)。
11．按照上述要求之一的芯片卡體，其特征在于，海姆裝置具有一個(gè)凹槽底部的環(huán)繞凹槽(10)內(nèi)部區(qū)域的隆起(11)。
12．按照上述要求之一的芯片卡體，其特征在于，海姆裝置包括一個(gè)環(huán)繞凹槽(10)內(nèi)部區(qū)域的限制區(qū)間和/或一個(gè)圍繞凹槽內(nèi)部區(qū)域的凹槽外部區(qū)域，其具有的表面特性是用于阻止粘貼劑的表面擴(kuò)散。
13．按照要求12的芯片卡體，其特征在于，通過凹槽(10)底部的粗糙(13)構(gòu)成海姆裝置。
全文摘要
描述一個(gè)芯片卡體(1),其具有為了接納一個(gè)芯片模塊(30)而預(yù)先確定的凹槽(10)。通過以下內(nèi)容標(biāo)明這個(gè)已描述的芯片卡體,在凹槽內(nèi)部預(yù)先確定一個(gè)完全或部分圍繞凹槽內(nèi)部區(qū)域、在內(nèi)部區(qū)域內(nèi)阻止粘貼劑擴(kuò)散的海姆裝置。
文檔編號(hào)B42D15/10GK1213448SQ97192903
公開日1999年4月7日 申請(qǐng)日期1997年1月13日 優(yōu)先權(quán)日1996年1月16日
發(fā)明者E·霍普夫, D·豪德奧, P·斯塔姆普卡 申請(qǐng)人:西門子公司