本發(fā)明涉及防偽材料領(lǐng)域，尤其涉及一種防偽材料及其制備方法。

背景技術(shù)：

目前市場(chǎng)上的防偽材料多以微觀顆粒的物理隨機(jī)排列作為識(shí)別被標(biāo)識(shí)物的真?zhèn)?，通過光刻或者蝕刻的方式得到這些微觀顆?；钪?hào)。生產(chǎn)工藝復(fù)雜，對(duì)原材料的要求極高，生產(chǎn)效率低下，并且現(xiàn)有的微觀顆粒防偽技術(shù)無法直觀存儲(chǔ)被標(biāo)識(shí)物信息，如生產(chǎn)品類、生產(chǎn)廠家、生產(chǎn)批次等，現(xiàn)有技術(shù)只能通過防偽顆粒同其他電子技術(shù)進(jìn)行綁定后完成信息的存儲(chǔ)和溯源，同時(shí)，物理識(shí)別的方式仍然有一定的被仿冒的風(fēng)險(xiǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的主要目的在于解決防偽材料制備工藝復(fù)雜、容易被仿冒的技術(shù)問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的一種防偽材料的制備方法，包括以下步驟：

(1)制備混合物一：混合B、N、Mo、C和S粉末，對(duì)混合后的B、N、Mo、C和S粉末進(jìn)行高溫加壓處理，得到液相的混合物一；

(2)制備混合物二：混合Si粉末和H₂，對(duì)Si粉末和H₂進(jìn)行高溫加壓處理，得到氣液混合狀的混合物二；

(3)導(dǎo)入培養(yǎng)基：混合所述混合物一和所述混合物二，并進(jìn)行超聲波處理，將經(jīng)過超聲波處理的混合物一和混合物二導(dǎo)入固定形態(tài)的培養(yǎng)基；

(4)生成二維納米片：對(duì)導(dǎo)入到固定形態(tài)的培養(yǎng)基的混合物一和混合物二進(jìn)行高頻磁力電極反應(yīng)處理，于所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基生成至少一層二維納米片；

(5)剝離：對(duì)所述二維納米片進(jìn)行剝離處理，將所述至少一層二維納米片與所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基剝離，獲得所述防偽材料。

優(yōu)選的，所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基設(shè)有犧牲層，在步驟(3)中，將經(jīng)過超聲波處理的混合物一和混合物二導(dǎo)入固定形態(tài)的培養(yǎng)基，混合物一和混合物二覆蓋所述犧牲層和所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基未設(shè)有犧牲層的區(qū)域；在步驟(4)中，于所述犧牲層和所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基未設(shè)有犧牲層的區(qū)域生成至少一層二維納米片；在步驟(5)中，對(duì)所述二維納米片進(jìn)行剝離處理，將犧牲層和位于所述犧牲層上的至少一層二維納米片與所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基進(jìn)行剝離，獲得所述防偽材料，所述防偽材料包括犧牲層和位于所述犧牲層的至少一層二維納米片。

優(yōu)選的，所述混合物二與所述混合物一的質(zhì)量比大于3倍。

優(yōu)選的，所述步驟(1)中，B、N、Mo、C和S粉末的摩爾比為4～13:4～13:0～5:7～17:5～15。

優(yōu)選的，所述步驟(1)中，對(duì)B、N、Mo、C和S粉末在離心混合篩中進(jìn)行混合，混合的時(shí)間為10～18個(gè)小時(shí)，對(duì)混合后的B、N、Mo、C和S粉末進(jìn)行高溫加壓處理，所述高溫加壓處理是在熱壓爐進(jìn)行，所述高溫加壓處理的條件為：在保護(hù)氣體作用下，真空度為2.5～7個(gè)大氣壓，溫度為1000～1800度，壓力為30～40Mpa。

優(yōu)選的，所述步驟(2)中，H₂和Si粉末的摩爾比為1～5:0.5～3。

優(yōu)選的，所述步驟(2)中，高溫加壓處理的條件為：壓力為26～29Mpa，溫度為1500～1700度，反應(yīng)時(shí)間為30～45小時(shí)。

優(yōu)選的，所述步驟(5)中，所述剝離處理為：對(duì)所述二維納米片依次進(jìn)行強(qiáng)溶劑處理和弱溶劑處理，所述強(qiáng)溶劑處理為：將二維納米片浸泡于強(qiáng)堿性溶液中3～5分鐘；所述弱溶劑處理為：將二維納米片浸泡于酒精和去離子水的混合溶液中3～5分鐘。

本發(fā)明還提供一種防偽材料，所述防偽材料包括至少一層二維納米片，所述二維納米片包括B、N、Mo、C、S、Si及H元素，所述防偽材料的厚度為0.1mm～3mm。

優(yōu)選的，所述防偽材料包括犧牲層和位于所述犧牲層的至少一層二維納米片。

本發(fā)明通過在固定形態(tài)的培養(yǎng)基上導(dǎo)入混合物一和混合物二，對(duì)導(dǎo)入到所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基的混合物一和所述混合物二進(jìn)行高頻磁力電極反應(yīng)處理，于所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基生成至少一層二維納米片，將至少一層二維納米片進(jìn)行剝離處理后，形成于固定形態(tài)的培養(yǎng)基上的至少一層二維納米片被剝離，剝離的至少一層二維納米片具有與所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基相匹配的形狀，如文字、圖形或顏色等。由于二維納米片本身具有的光電特性，攜帶有被標(biāo)記物的光譜信息，該防偽材料的制備工藝簡(jiǎn)單，工序形成后無法仿造，可識(shí)別性更強(qiáng)，不易被仿冒。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實(shí)施例防偽材料的制備流程示意圖；

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例防偽材料的剝離原理示意圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例防偽材料的制備原理示意圖；

圖4為本發(fā)明一實(shí)施例防偽材料成型的示意圖。

本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說明。

具體實(shí)施方式

應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

本發(fā)明提供一種防偽材料的制備方法。

參照?qǐng)D1至圖4，圖1為本發(fā)明一實(shí)施例防偽材料的制備流程示意圖；

圖2為本發(fā)明一實(shí)施例防偽材料的剝離原理示意圖；圖中A為混合物一的制備過程中狀態(tài)變化示意圖，B為混合物二的制備過程中狀態(tài)變化示意圖，C為剝離過程中混合物一和混合物二的狀態(tài)變化示意圖。圖3為本發(fā)明一實(shí)施例防偽材料的制備原理示意圖；圖中防偽材料通過磁力電子泵后形成的防偽材料示意圖。圖4為本發(fā)明一實(shí)施例防偽材料成型的示意圖，其中正字的防偽圖文信息為正字和圓圈，還可以導(dǎo)入顏色信息，光譜信息對(duì)應(yīng)被標(biāo)志物的生產(chǎn)信息和/或產(chǎn)品信息。

所謂“表面犧牲層”技術(shù)，即在形成微機(jī)械結(jié)構(gòu)的空腔或可活動(dòng)的微結(jié)構(gòu)過程中，先在下層薄膜上用結(jié)構(gòu)材料淀積所需的各種特殊結(jié)構(gòu)件，再用化學(xué)刻蝕劑將此層薄膜腐蝕掉，但不損傷微結(jié)構(gòu)件，然后得到上層薄膜結(jié)構(gòu)(空腔或微結(jié)構(gòu)件)。由于被去掉的下層薄膜只起分離層作用，故稱其為犧牲層(厚度約1～2μm)。常用的結(jié)構(gòu)材料有多晶硅、單晶硅、氮化硅、氧化硅和金屬等，常用犧牲層材料主要有氧化硅、多晶硅、光刻膠。

所述防偽材料的制備方法，包括以下步驟：

S101：(1)制備混合物一：混合B、N、Mo、C和S粉末，對(duì)混合后的B、N、Mo、C和S粉末進(jìn)行高溫加壓處理，得到液相的混合物一；

S102：(2)制備混合物二：混合Si粉末和H₂，對(duì)Si粉末和H₂進(jìn)行高溫加壓處理，得到氣液混合狀的混合物二；

S103：(3)導(dǎo)入培養(yǎng)基：混合所述混合物一和所述混合物二，并進(jìn)行超聲波處理，將經(jīng)過超聲波處理的混合物一和混合物二導(dǎo)入固定形態(tài)的培養(yǎng)基；

S104：(4)生成二維納米片：對(duì)導(dǎo)入到固定形態(tài)的培養(yǎng)基的混合物一和混合物二進(jìn)行高頻磁力電極反應(yīng)處理，于所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基生成至少一層二維納米片；

S105：(5)剝離：對(duì)所述二維納米片進(jìn)行剝離處理，將所述至少一層二維納米片與所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基剝離，獲得所述防偽材料。

通過步驟一得到的混合物一包括液相的B、N、Mo、C和S，混合物一作為二維納米片的基體材料，通過步驟二得到的混合物二包括液相的Si和氣相的H₂，作為混合物一的外延生長(zhǎng)載體，該載體主要通過Si和H之間的電荷以及電位作用，作為液相B、N、Mo、C和S混合物的載流子疏導(dǎo)底料，混合所述混合物一和所述混合物二，并進(jìn)行超聲波處理，混合物一和混合物二之間經(jīng)過反復(fù)3～10次的堆積，即B、N、Mo、C和S原子與H原子通過范德華力結(jié)合，或B、N、Mo、C和S原子與Si原子通過范德華力結(jié)合，或是B、N、Mo、C和S原子與H-Si原子通過范德華力結(jié)合，將經(jīng)過超聲波處理后的混合物一和混合物二導(dǎo)入固定形態(tài)的培養(yǎng)基，以此改變混合物一和混合物二的排布形狀，并經(jīng)過高頻磁力電極反應(yīng)處理，生成二維納米片，對(duì)導(dǎo)入到固定形態(tài)的培養(yǎng)基的混合物一和混合物二的進(jìn)行高頻磁力電極反應(yīng)處理，生成至少一層二維納米片，對(duì)所述二維納米片進(jìn)行剝離處理，將所述至少一層二維納米片與所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基剝離，獲得所述防偽材料。該防偽材料可根據(jù)不同形狀的培養(yǎng)基而形成形成特定的信息排列如文字、圖案和顏色等。同時(shí)，生成的防偽材料包括至少一層二維納米片，用戶通過光學(xué)放大鏡或光譜檢測(cè)儀可檢測(cè)二維納米片的光譜信息，由于二維納米片的光譜信息存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)的生產(chǎn)信息及產(chǎn)品信息。生成的二維納米片的重現(xiàn)性低，具有唯一性，該防偽材料可識(shí)別性更強(qiáng)，不易被仿冒。

優(yōu)選的，所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基設(shè)有犧牲層，在步驟(3)中，將經(jīng)過超聲波處理的混合物一和混合物二導(dǎo)入固定形態(tài)的培養(yǎng)基，混合物一和混合物二覆蓋所述犧牲層和所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基未設(shè)有犧牲層的區(qū)域；在步驟(4)中，于所述犧牲層和所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基未設(shè)有犧牲層的區(qū)域生成至少一層二維納米片；在步驟(5)中，對(duì)所述二維納米片進(jìn)行剝離處理，將犧牲層和位于所述犧牲層上的至少一層二維納米片與所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基進(jìn)行剝離，獲得所述防偽材料，所述防偽材料包括犧牲層和位于所述犧牲層的至少一層二維納米片。所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基設(shè)有犧牲層，對(duì)導(dǎo)入到固定形態(tài)的培養(yǎng)基的混合物一和混合物二的進(jìn)行高頻磁力電極反應(yīng)處理，生成二維納米片，所述二維納米片位于所述犧牲層及所述培養(yǎng)基未設(shè)有所述犧牲層的區(qū)域；對(duì)所述二維納米片進(jìn)行剝離處理，位于所述培養(yǎng)基未設(shè)有犧牲層的區(qū)域的二維納米片和所述培養(yǎng)基未設(shè)有二維納米片的區(qū)域的犧牲層被去除，位于所述犧牲層的二維納米片和與所述二維納米片結(jié)合的犧牲層共同形成所述防偽材料。該防偽材料可根據(jù)不同形狀的培養(yǎng)基而形成形成特定的信息排列如文字、圖案和顏色等。同時(shí)，生成的防偽材料包含位于所述犧牲層的二維納米片和與所述二維納米片結(jié)合的犧牲層，該犧牲層將二維納米片與被標(biāo)志物通過聚酯連接，用戶通過光學(xué)放大鏡或光譜檢測(cè)儀可檢測(cè)二維納米片的光譜信息，由于二維納米片的光譜信息存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)的生產(chǎn)信息及產(chǎn)品信息。生成的二維納米片的重現(xiàn)性低，具有唯一性，該防偽材料可識(shí)別性更強(qiáng)，不易被仿冒。

優(yōu)選的，所述混合物二與所述混合物一的質(zhì)量比大于3倍。

優(yōu)選的，所述步驟(1)中，B、N、Mo、C和S粉末的摩爾比為4～13:4～13:0～5:7～17:5～15。作為較佳實(shí)施效果，B、N、Mo、C和S粉末的摩爾比為9:9:5:12:10。

優(yōu)選的，所述步驟(1)中，對(duì)B、N、Mo、C和S粉末的混合是在離心混合篩中進(jìn)行，混合的時(shí)間為10～18個(gè)小時(shí)，通過混合處理，使得B、N、Mo、C和S粉末混合更均勻。所述步驟(1)中高溫加壓處理是在熱壓爐進(jìn)行，所述熱壓爐內(nèi)反應(yīng)的條件為：在保護(hù)氣體作用下，真空度為2.5～7個(gè)大氣壓，溫度為1000～1800度，在壓力為30～40Mpa的壓力下保持恒溫，通過該反應(yīng)得到液相的混合物一。其中保護(hù)氣體為惰性氣體，例如氬氣。

優(yōu)選的，所述步驟(2)中，H₂和Si粉末的摩爾比為1～5:0.5～3。作為較佳實(shí)施效果，H₂和Si粉末的摩爾比為3:1。

優(yōu)選的，所述步驟(2)中，高溫加壓處理的條件為：壓力為26～29Mpa，溫度為1500～1700度，反應(yīng)時(shí)間為30～45小時(shí)。通過該處理得到氣液混合狀的混合物二。

優(yōu)選的，所述步驟(5)中，所述剝離處理為：對(duì)所述二維納米片依次進(jìn)行強(qiáng)溶劑處理和弱溶劑處理，所述強(qiáng)溶劑處理為：將二維納米片浸泡于強(qiáng)堿性溶液中3～5分鐘；所述弱溶劑處理為：將二維納米片浸泡于酒精和去離子水的混合溶液中3～5分鐘。其中弱溶劑主要為5％以下的酒精與去離子水的混合物，強(qiáng)溶劑為堿性溶液。

本發(fā)明還提供一種防偽材料，所述防偽材料包括至少一層二維納米片，所述二維納米片包括B、N、Mo、C、S、Si及H元素，所述防偽材料的厚度為0.1mm～3mm。

本發(fā)明還提供一種防偽材料，所述防偽材料包括B、N、Mo、C、S、Si及H元素，所述防偽材料的厚度為0.1mm～3mm。通過該防偽材料的制備方法制備的防偽材料一小時(shí)可以做幾千萬甚至幾億的產(chǎn)量。

在一實(shí)施例中，該一種防偽材料的制備方法，包括以下步驟：

S101：(1)制備混合物一：取B、N、Mo、C和S粉末的摩爾比為4:4:0.5:7:5，對(duì)B、N、Mo、C和S粉末在離心混合篩中進(jìn)行混合，混合的時(shí)間為10個(gè)小時(shí)，對(duì)混合后的B、N、Mo、C和S粉末進(jìn)行高溫加壓處理，所述高溫加壓處理是在熱壓爐進(jìn)行，所述高溫加壓處理的條件為：在保護(hù)氣體作用下，真空度為2.5個(gè)大氣壓，溫度為1000度，壓力為30Mpa，得到液相的混合物一；

S102：(2)制備混合物二：取H₂和Si粉末的摩爾比為1:0.5，混合Si粉末和H₂，對(duì)混合后的Si粉末和H₂進(jìn)行高溫加壓處理，高溫加壓處理的條件為：壓力為26Mpa，溫度為1500度，反應(yīng)時(shí)間為30小時(shí)。得到氣液混合狀的混合物二；

S103：(3)導(dǎo)入培養(yǎng)基：混合所述混合物一和所述混合物二，并進(jìn)行超聲波處理，將經(jīng)過超聲波處理的混合物一和混合物二導(dǎo)入固定形態(tài)的培養(yǎng)基；

S104：(4)生成二維納米片：對(duì)導(dǎo)入到固定形態(tài)的培養(yǎng)基的混合物一和混合物二進(jìn)行高頻磁力電極反應(yīng)處理，于所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基生成至少一層二維納米片；

S105：(5)剝離：對(duì)所述二維納米片進(jìn)行剝離處理，所述剝離處理為：對(duì)所述二維納米片依次進(jìn)行強(qiáng)溶劑處理和弱溶劑處理，所述強(qiáng)溶劑處理為：將二維納米片浸泡于強(qiáng)堿性溶液中3分鐘；所述弱溶劑處理為：將二維納米片浸泡于酒精和去離子水的混合溶液中3分鐘，通過剝離處理，將所述至少一層二維納米片與所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基剝離，獲得所述防偽材料。具體的，弱溶劑主要為5％以下的酒精與去離子水的混合物，強(qiáng)溶劑為堿性溶液。

優(yōu)選的，所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基設(shè)有犧牲層，在步驟(3)中，將經(jīng)過超聲波處理的混合物一和混合物二導(dǎo)入固定形態(tài)的培養(yǎng)基，混合物一和混合物二覆蓋所述犧牲層和所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基未設(shè)有犧牲層的區(qū)域；在步驟(4)中，于所述犧牲層和所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基未設(shè)有犧牲層的區(qū)域生成至少一層二維納米片；在步驟(5)中，對(duì)所述二維納米片進(jìn)行剝離處理，將犧牲層和位于所述犧牲層上的至少一層二維納米片與所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基進(jìn)行剝離，獲得所述防偽材料，所述防偽材料包括犧牲層和位于所述犧牲層的至少一層二維納米片。

其中，混合物二與所述混合物一的質(zhì)量比大于3倍。

本發(fā)明還得到的防偽材料包括至少一層二維納米片，所述二維納米片包括B、N、Mo、C、S、Si及H元素，所述防偽材料的厚度為0.1mm。

在另一實(shí)施例中，該一種防偽材料的制備方法，包括以下步驟：

S101：(1)制備混合物一：取B、N、Mo、C和S粉末的摩爾比為13:13:5:17:15，對(duì)B、N、Mo、C和S粉末在離心混合篩中進(jìn)行混合，混合的時(shí)間為18個(gè)小時(shí)，對(duì)混合后的B、N、Mo、C和S粉末進(jìn)行高溫加壓處理，所述高溫加壓處理是在熱壓爐進(jìn)行，所述高溫加壓處理的條件為：在保護(hù)氣體作用下，真空度為7個(gè)大氣壓，溫度為1800度，壓力為40Mpa，得到液相的混合物一；

S102：(2)制備混合物二：取H₂和Si粉末的摩爾比為5:3，混合Si粉末和H₂，對(duì)混合后的Si粉末和H₂進(jìn)行高溫加壓處理，高溫加壓處理的條件為：壓力為29Mpa，溫度為1700度，反應(yīng)時(shí)間為45小時(shí)。得到氣液混合狀的混合物二；

S103：(3)導(dǎo)入培養(yǎng)基：混合所述混合物一和所述混合物二，并進(jìn)行超聲波處理，將經(jīng)過超聲波處理的混合物一和混合物二導(dǎo)入固定形態(tài)的培養(yǎng)基；

S104：(4)生成二維納米片：對(duì)導(dǎo)入到固定形態(tài)的培養(yǎng)基的混合物一和混合物二進(jìn)行高頻磁力電極反應(yīng)處理，于所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基生成至少一層二維納米片；

S105：(5)剝離：對(duì)所述二維納米片進(jìn)行剝離處理，所述剝離處理為：對(duì)所述二維納米片依次進(jìn)行強(qiáng)溶劑處理和弱溶劑處理，所述強(qiáng)溶劑處理為：將二維納米片浸泡于強(qiáng)堿性溶液中5分鐘；所述弱溶劑處理為：將二維納米片浸泡于酒精和去離子水的混合溶液中5分鐘，通過剝離處理，將所述至少一層二維納米片與所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基剝離，獲得所述防偽材料。具體的，弱溶劑主要為5％以下的酒精與去離子水的混合物，強(qiáng)溶劑為堿性溶液。

優(yōu)選的，所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基設(shè)有犧牲層，在步驟(3)中，將經(jīng)過超聲波處理的混合物一和混合物二導(dǎo)入固定形態(tài)的培養(yǎng)基，混合物一和混合物二覆蓋所述犧牲層和所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基未設(shè)有犧牲層的區(qū)域；在步驟(4)中，于所述犧牲層和所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基未設(shè)有犧牲層的區(qū)域生成至少一層二維納米片；在步驟(5)中，對(duì)所述二維納米片進(jìn)行剝離處理，將犧牲層和位于所述犧牲層上的至少一層二維納米片與所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基進(jìn)行剝離，獲得所述防偽材料，所述防偽材料包括犧牲層和位于所述犧牲層的至少一層二維納米片。

其中，混合物二與所述混合物一的質(zhì)量比大于3倍。

本發(fā)明還得到的防偽材料包括至少一層二維納米片，所述二維納米片包括B、N、Mo、C、S、Si及H元素，所述防偽材料的厚度為3mm。

在另一實(shí)施例中，該一種防偽材料的制備方法，包括以下步驟：

S101：(1)制備混合物一：取B、N、Mo、C和S粉末的摩爾比為9:9:5:12:10，對(duì)B、N、Mo、C和S粉末在離心混合篩中進(jìn)行混合，混合的時(shí)間為15個(gè)小時(shí)，對(duì)混合后的B、N、Mo、C和S粉末進(jìn)行高溫加壓處理，所述高溫加壓處理是在熱壓爐進(jìn)行，所述高溫加壓處理的條件為：在保護(hù)氣體作用下，真空度為4.5個(gè)大氣壓，溫度為1300度，壓力為34Mpa，得到液相的混合物一；

S102：(2)制備混合物二：取H₂和Si粉末的摩爾比為3:1，混合Si粉末和H₂，對(duì)混合后的Si粉末和H₂進(jìn)行高溫加壓處理，高溫加壓處理的條件為：壓力為27Mpa，溫度為1650度，反應(yīng)時(shí)間為36小時(shí)。得到氣液混合狀的混合物二；

S103：(3)導(dǎo)入培養(yǎng)基：混合所述混合物一和所述混合物二，并進(jìn)行超聲波處理，將經(jīng)過超聲波處理的混合物一和混合物二導(dǎo)入固定形態(tài)的培養(yǎng)基；

S104：(4)生成二維納米片：對(duì)導(dǎo)入到固定形態(tài)的培養(yǎng)基的混合物一和混合物二進(jìn)行高頻磁力電極反應(yīng)處理，于所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基生成至少一層二維納米片；

S105：(5)剝離：對(duì)所述二維納米片進(jìn)行剝離處理，所述剝離處理為：對(duì)所述二維納米片依次進(jìn)行強(qiáng)溶劑處理和弱溶劑處理，所述強(qiáng)溶劑處理為：將二維納米片浸泡于強(qiáng)堿性溶液中4分鐘；所述弱溶劑處理為：將二維納米片浸泡于酒精和去離子水的混合溶液中4分鐘，通過剝離處理，將所述至少一層二維納米片與所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基剝離，獲得所述防偽材料。具體的，弱溶劑主要為5％以下的酒精與去離子水的混合物，強(qiáng)溶劑為堿性溶液。

優(yōu)選的，所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基設(shè)有犧牲層，在步驟(3)中，將經(jīng)過超聲波處理的混合物一和混合物二導(dǎo)入固定形態(tài)的培養(yǎng)基，混合物一和混合物二覆蓋所述犧牲層和所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基未設(shè)有犧牲層的區(qū)域；在步驟(4)中，于所述犧牲層和所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基未設(shè)有犧牲層的區(qū)域生成至少一層二維納米片；在步驟(5)中，對(duì)所述二維納米片進(jìn)行剝離處理，將犧牲層和位于所述犧牲層上的至少一層二維納米片與所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基進(jìn)行剝離，獲得所述防偽材料，所述防偽材料包括犧牲層和位于所述犧牲層的至少一層二維納米片。

其中，混合物二與所述混合物一的質(zhì)量比大于3倍。

本發(fā)明還得到的防偽材料包括至少一層二維納米片，所述二維納米片包括B、N、Mo、C、S、Si及H元素，所述防偽材料的厚度為2.2mm。

采用此工藝得到的防偽材料可寫入特定的信息，混合物一和混合物二之間以化學(xué)鍵結(jié)合，經(jīng)過反復(fù)3～10次的堆積，即B、N、Mo、C和S原子與H原子通過范德華力結(jié)合，或B、N、Mo、C和S原子與Si原子通過范德華力結(jié)合，或是B、N、Mo、C和S原子與H-Si原子通過范德華力結(jié)合，并通過固定形態(tài)的培養(yǎng)基來改變混合物一和混合物二的行程形成特定的圖文信息排列如文字、圖案和顏色等，再將二維納米片通過弱溶劑以及強(qiáng)溶劑處理，得到防偽材料，防偽材料附著在標(biāo)識(shí)物上可以是有0.1mm～3mm厚度，其中防偽材料通過聚酯等附著物(如膠水)應(yīng)用于被標(biāo)識(shí)物，當(dāng)用戶需要查詢時(shí)該被標(biāo)識(shí)物的圖文信息真?zhèn)螘r(shí)，可通過50～200倍光學(xué)放大鏡進(jìn)行觀測(cè)其排列，有無混合物一和混合物二的行程形成特定的圖文信息排列，用以辨別被標(biāo)識(shí)物真?zhèn)巍?/p>

同時(shí)，防偽材料的光譜信息為二維納米片本身具有的光譜信息，該光譜信息可通過特制的終端裝置及app應(yīng)用，對(duì)已經(jīng)預(yù)先通過二維納米片的光感特性存在二維納米片中的被標(biāo)識(shí)物信息進(jìn)行檢索識(shí)別其產(chǎn)品的真?zhèn)巍．?dāng)用戶需要查詢檢索時(shí)可以直接由移動(dòng)端檢索并調(diào)用相關(guān)產(chǎn)品信息，存儲(chǔ)在防偽材料內(nèi)的分子結(jié)構(gòu)排列為不可逆的唯一信息，通過數(shù)據(jù)庫(kù)的對(duì)應(yīng)關(guān)系可以記錄產(chǎn)品的自然信息比如生產(chǎn)時(shí)間，特征等。用戶查詢的時(shí)候可以采用手機(jī)app，移動(dòng)終端，PC訪問數(shù)據(jù)庫(kù)對(duì)應(yīng)信息，還可以通過光譜儀最終判斷是否為最初設(shè)置的信息。如265nm記錄生產(chǎn)在湖北省茶葉等，在需要的時(shí)候通過儀器提取。

所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基具有特點(diǎn)形狀，如文字，圖案，色彩等。對(duì)導(dǎo)入了所述混合物一和所述混合物二的固定形態(tài)的培養(yǎng)基進(jìn)行高頻磁力電極反應(yīng)處理，生成二維納米片后，二維納米片具有與所述固定形態(tài)的培養(yǎng)基相匹配的形狀，也就是說，二維納米片具有與固定形態(tài)的培養(yǎng)基的形狀相匹配的文字、圖案及色彩等。導(dǎo)入到固定形態(tài)的培養(yǎng)基，此二維納米片可外延生長(zhǎng)成為有序或無序的10nm～1000um的具有可識(shí)別信息片段，由于材料本身的光感性及儲(chǔ)能特性，產(chǎn)生的有序信息標(biāo)識(shí)及無序信息標(biāo)識(shí)不但可以直接通過光學(xué)鏡頭識(shí)別無需隨機(jī)排列信息，同時(shí)，亦可以在特定檢驗(yàn)裝置下得到二維納米片外延生長(zhǎng)后留下的層級(jí)暈斑及異構(gòu)纖維組織。

同時(shí)，在高頻磁力電極反應(yīng)處理過程中，所述混合物一和所述混合物二可進(jìn)行特定的排布，通過計(jì)算機(jī)等外部?jī)x器對(duì)特定的排布進(jìn)行加密形成生產(chǎn)信息及產(chǎn)品信息，使得所述防偽材料不僅具有特定的形狀，還具有特定的排布方式，即，防偽材料具有特定形狀和加密方式，從而用于存儲(chǔ)信息，生成的防偽材料的重現(xiàn)性低，具有唯一性。

本發(fā)明不在拘泥于顆粒及微小記號(hào)或圖案的防偽技術(shù)，而是利用新材料的光電特性攜帶被標(biāo)記物的信息，通過不可逆的納米級(jí)外延增長(zhǎng)展現(xiàn)出有序或者無序的標(biāo)的信息，可以應(yīng)用于防偽?？勺R(shí)別性更強(qiáng)，工序形成后無法仿造，培養(yǎng)基才數(shù)據(jù)庫(kù)存檔對(duì)照。

以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。