一種陣列基板及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠解決IR Drop引起mura不良。其中，陣列基板包括位于外圍區(qū)域的掃描驅(qū)動(dòng)單元，用于向顯示區(qū)域內(nèi)的至少一條驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的一端輸入使能信號(hào)，以驅(qū)動(dòng)OLED器件進(jìn)行發(fā)光。所述陣列基板還包括至少一個(gè)補(bǔ)償控制單元以及用于提供補(bǔ)償電壓的補(bǔ)償電壓源。所述補(bǔ)償控制單元的一端連接補(bǔ)償電壓源，另一端與至少一條驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端相連接；用于控制補(bǔ)償電壓源將補(bǔ)償電壓輸入至驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端。其中，補(bǔ)償電壓的小于等于使能信號(hào)的電壓。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
—種陣列基板及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的急速進(jìn)步，作為顯示裝置核心的半導(dǎo)體元件技術(shù)也隨之得到了飛躍性的進(jìn)步。對(duì)于現(xiàn)有的顯示裝置而言，有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light EmittingD1de, OLED)作為一種電流型發(fā)光器件，因其所具有的自發(fā)光、快速響應(yīng)、寬視角和可制作在柔性襯底上等特點(diǎn)而越來(lái)越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。OLED按驅(qū)動(dòng)方式可分為PMOLED (Passive Matrix Driving 0LED，無(wú)源矩陣驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管)和AMOLED (ActiveMatrix Driving 0LED，有源矩陣驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管)兩種，由于AMOLED顯示器具有低制造成本、高應(yīng)答速度、省電、可用于便攜式設(shè)備的直流驅(qū)動(dòng)、工作溫度范圍大等等優(yōu)點(diǎn)而可望成為取代IXD(liquid crystal display,液晶顯示器)的下一代新型平面顯示器。
[0003]然而，現(xiàn)有技術(shù)對(duì)于大尺寸的AMOLED顯示器而言，由于背板電源線(xiàn)存在一定的電阻，在OLED器件發(fā)光時(shí)，所有像素的驅(qū)動(dòng)電流均是由如圖1所示的掃描驅(qū)動(dòng)單元10通過(guò)驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd提供至各個(gè)像素單元20的。因此，在上述發(fā)光階段，輸入靠近所述掃描驅(qū)動(dòng)單元10位置處的像素單元20的電壓相對(duì)于輸入距離掃描驅(qū)動(dòng)單元10較遠(yuǎn)位置處的像素單元(例如最后一列像素單元20’ )的電壓高。這種現(xiàn)象被稱(chēng)作電阻壓降(IR Drop)。
[0004]由于掃描驅(qū)動(dòng)單元10輸入像素單元20 (或像素單元20’ )的電壓與流過(guò)每個(gè)像素單元的電流相關(guān)，因此，IR Drop會(huì)導(dǎo)致不同位置的像素單元20流經(jīng)的電流大小有所差異，使得AMOLED顯示器在顯示時(shí)產(chǎn)生亮度差異，例如，第一行像素全亮?xí)r，其顯示的亮度會(huì)從左到右依次變暗。上述亮度差異的現(xiàn)象即為云紋現(xiàn)象(mura)。這樣會(huì)導(dǎo)致顯示畫(huà)面的品質(zhì)降低，從而對(duì)顯示器的質(zhì)量和顯示效果造成不利的影響。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置，能夠解決IR Drop引起mura不良。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]本發(fā)明實(shí)施例的一方面,提供一種陣列基板，包括位于外圍區(qū)域的掃描驅(qū)動(dòng)單兀，用于向顯示區(qū)域內(nèi)的至少一條驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的一端輸入使能信號(hào)，所述陣列基板還包括至少一個(gè)補(bǔ)償控制單元以及用于提供補(bǔ)償電壓的補(bǔ)償電壓源；
[0008]所述補(bǔ)償控制單元的一端連接所述補(bǔ)償電壓源，另一端與至少一條所述驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端相連接；用于控制所述補(bǔ)償電壓源將所述補(bǔ)償電壓輸入至所述驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端;
[0009]其中，所述補(bǔ)償電壓的小于等于所述使能信號(hào)的電壓。
[0010]本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種陣列基板。
[0011]本發(fā)明實(shí)施例的又一方面，提供一種陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法，包括:
[0012]掃描驅(qū)動(dòng)單元向所述顯示區(qū)域內(nèi)的至少一條驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的一端輸入使能信號(hào)；
[0013]補(bǔ)償控制單元控制補(bǔ)償電壓源將補(bǔ)償電壓輸入至所述驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端；
[0014]其中，所述補(bǔ)償電壓的小于等于所述使能信號(hào)的電壓。
[0015]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其驅(qū)動(dòng)方法、顯示裝置。其中，所述陣列基板包括位于外圍區(qū)域的掃描驅(qū)動(dòng)單元，用于向顯示區(qū)域內(nèi)的至少一條驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的一端輸入使能信號(hào)，以驅(qū)動(dòng)OLED器件進(jìn)行發(fā)光。此外，所述陣列基板還包括至少一個(gè)補(bǔ)償控制單元以及用于提供補(bǔ)償電壓的補(bǔ)償電壓源。所述補(bǔ)償控制單元的一端連接補(bǔ)償電壓源，另一端與至少一條驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端相連接；用于控制補(bǔ)償電壓源將補(bǔ)償電壓輸入至驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端。這樣一來(lái)，當(dāng)掃描驅(qū)動(dòng)單兀向驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的一端輸入使能信號(hào)時(shí)，AMOLED顯不器的OLED器件發(fā)光。在此情況下，補(bǔ)償控制單元能夠控制補(bǔ)償電壓源向驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端輸入補(bǔ)償電壓，從而可以對(duì)遠(yuǎn)離掃描驅(qū)動(dòng)單元的像素單元接收到的使能信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償。由于補(bǔ)償電壓小于等于所述使能信號(hào)。因此，能夠避免由于使能信號(hào)的電壓在傳輸過(guò)程中的不斷減小(即IR Drop),而引起的mura不良。從而提高了顯示畫(huà)面的品質(zhì)和顯示器的質(zhì)量。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0017]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0018]圖2a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2b為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖3為現(xiàn)有技術(shù)中提供的一種像素電路的局部結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖5a為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖5b為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法流程圖。
[0025]【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】:
[0026]10-掃描驅(qū)動(dòng)單元；11_數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元；20_像素單元；20’ -最后一列像素單元；30-柵線(xiàn)；31_數(shù)據(jù)線(xiàn)；100-補(bǔ)償控制單元；101-補(bǔ)償電壓源；110-控制開(kāi)關(guān)；120-薄膜晶體管。

【具體實(shí)施方式】
[0027]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0028]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖1所示，可以包括位于外圍區(qū)域的掃描驅(qū)動(dòng)單元10。該掃描驅(qū)動(dòng)單元10用于向顯示區(qū)域內(nèi)的至少一條驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的一端輸入使能信號(hào)，以使OLED器件發(fā)光。此外，所述陣列基板如圖2a所示，還可以包括至少一個(gè)補(bǔ)償控制單元100以及用于提供補(bǔ)償電壓Vc的補(bǔ)償電壓源101。
[0029]所述補(bǔ)償控制單元100的一端連接補(bǔ)償電壓源101，另一端與至少一條驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的另一端相連接；用于控制補(bǔ)償電壓源101將所述補(bǔ)償電壓Vc輸入至驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的另一端。
[0030]其中，上述補(bǔ)償電壓Vc的小于等于所述使能信號(hào)的電壓(Vdd)。
[0031]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括位于外圍區(qū)域的掃描驅(qū)動(dòng)單元，用于向顯示區(qū)域內(nèi)的至少一條驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的一端輸入使能信號(hào)，以驅(qū)動(dòng)OLED器件進(jìn)行發(fā)光。此外所述陣列基板還包括至少一個(gè)補(bǔ)償控制單元以及用于提供補(bǔ)償電壓的補(bǔ)償電壓源。所述補(bǔ)償控制單元的一端連接補(bǔ)償電壓源，另一端與至少一條驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端相連接；用于控制補(bǔ)償電壓源將補(bǔ)償電壓輸入至驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端。這樣一來(lái)，當(dāng)掃描驅(qū)動(dòng)單元向驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的一端輸入使能信號(hào)時(shí)，AMOLED顯不器的OLED器件發(fā)光。在此情況下，補(bǔ)償控制單元能夠控制補(bǔ)償電壓源向驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端輸入補(bǔ)償電壓，從而可以對(duì)遠(yuǎn)離掃描驅(qū)動(dòng)單元的像素單元接收到的使能信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償。由于補(bǔ)償電壓小于等于所述使能信號(hào)的電壓。因此，能夠避免由于使能信號(hào)的電壓在傳輸過(guò)程中的不斷減小(即IR Drop)，而引起的mura不良。從而提聞了顯不畫(huà)面的品質(zhì)和顯不器的質(zhì)量。
[0032]需要說(shuō)明的是，第一、上述顯示區(qū)域一般指有效顯示區(qū)域(Active Area，簡(jiǎn)稱(chēng)AA區(qū))，該顯示區(qū)域內(nèi)如圖1所示，設(shè)置有多條橫縱交叉的柵線(xiàn)30和數(shù)據(jù)線(xiàn)31。該柵線(xiàn)30和數(shù)據(jù)線(xiàn)31交叉界定出多個(gè)呈矩陣形式排列的像素單元20。
[0033]上述外圍區(qū)域是指陣列基板上除了 AA區(qū)以外的區(qū)域。該外圍區(qū)域包括綁定區(qū)域和布線(xiàn)區(qū)域。其中綁定區(qū)域內(nèi)設(shè)置有掃描驅(qū)動(dòng)單元10和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)單元11，可以通過(guò)布線(xiàn)區(qū)域中的信號(hào)引線(xiàn)，分別向柵線(xiàn)30輸入用于開(kāi)啟薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)TFT)的掃描信號(hào)(G1、G2……Gn)，向數(shù)據(jù)線(xiàn)31輸入用于顯示畫(huà)面的數(shù)據(jù)信號(hào)(D1、D2……Gm) ο
[0034]第二、驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的一端是指在陣列基板中驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd與掃描驅(qū)動(dòng)單元10相接觸的一端；而該驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的另一端是指除了上述驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd與掃描驅(qū)動(dòng)單元10的接觸端以外，驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd上與補(bǔ)償控制單元100相接處的一端。因此，與驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的另一端相連接的補(bǔ)償控制單元100可以如圖2a所示，位于外圍區(qū)域中遠(yuǎn)離掃描驅(qū)動(dòng)單元10的部分；或者如圖5b所示,所示位于顯示區(qū)域內(nèi)。還可以位于外圍區(qū)域中靠近掃描驅(qū)動(dòng)單元10的部分(圖中未示出)；或者，為了提升補(bǔ)償效果，可以如圖2b所示，在外圍區(qū)域的靠近和遠(yuǎn)離掃描驅(qū)動(dòng)單元10的部分均設(shè)置有上述補(bǔ)償控制單元100。還可以在顯示區(qū)域和外圍區(qū)域中均設(shè)置上述補(bǔ)償控制單元100。本發(fā)明對(duì)此不做限制。
[0035]第三、為了使得外圍區(qū)域的布線(xiàn)及綁定區(qū)域結(jié)構(gòu)緊湊，可以如圖4所示，將補(bǔ)償電壓源101設(shè)置于掃描驅(qū)動(dòng)單元10中。從而能夠節(jié)約外圍區(qū)域的空間。
[0036]第四、在AMOLED顯示器中為了提高TFT的載流子遷移率，并降低電阻率，使得通過(guò)相同電流時(shí)，功耗較小。一般米用多晶娃構(gòu)成上述TFT。然而由于生產(chǎn)工藝和多晶娃的特性，導(dǎo)致在大面積玻璃基板上制作的TFT開(kāi)關(guān)電路時(shí)，常常在諸如閾值電壓Vth、遷移率等電學(xué)參數(shù)上出現(xiàn)波動(dòng)，從而使得流經(jīng)OLED器件的電流不僅會(huì)隨著TFT長(zhǎng)時(shí)間導(dǎo)通所產(chǎn)生的導(dǎo)通電壓應(yīng)力的變化而改變，而且其還會(huì)隨著TFT的閾值電壓Vth漂移而有所不同。如此一來(lái)，將會(huì)影響到顯示器的亮度均勻性與亮度恒定性。
[0037]為了解決上述問(wèn)題，一般會(huì)采用在像素電路中設(shè)計(jì)閾值電壓補(bǔ)償回路，以對(duì)TFT的閾值電壓Vth進(jìn)行補(bǔ)償，從而減小閾值電壓對(duì)顯示亮度均勻性的影響。具體的，在對(duì)閾值電壓Vth進(jìn)行補(bǔ)償?shù)倪^(guò)程中，會(huì)向驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵極寫(xiě)入數(shù)據(jù)電壓Vdata與閾值電壓Vth的和(即Vdata+Vth)。在發(fā)光階段，像素電路的部分結(jié)構(gòu)如圖3所示，發(fā)光控制線(xiàn)Em將晶體管Ml和M2導(dǎo)通，掃描驅(qū)動(dòng)單元10會(huì)向驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的一端輸入使能信號(hào)以驅(qū)動(dòng)OLED器件發(fā)光，由于此時(shí)驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的柵源電壓Vgs近似為Vdata+Vth-Vdd。這樣一來(lái)，流過(guò) OLED 器件的驅(qū)動(dòng)電流 I = K/2 (Vdata+Vth-Vdd-Vth)2 = K/2 (Vdata-Vdd)2 ;其中 K為晶體管的增益因子。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管DTFT的驅(qū)動(dòng)電流與閾值電壓Vth無(wú)關(guān)，從而不會(huì)受到閾值電壓Vth的影響。
[0038]其中，在上述像素電路的工作過(guò)程中，可以只在發(fā)光階段向驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd輸入使能信號(hào)(使能信號(hào)的電壓為高電平)，而其余階段例如上述補(bǔ)償階段向驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd輸入低電平。這樣一來(lái)，補(bǔ)償控制單元100只需要在驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd接受使能信號(hào)時(shí)，控制補(bǔ)償電壓源101向驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的另一端輸入補(bǔ)償電壓Vc。
[0039]為了對(duì)補(bǔ)償電壓源101的輸出進(jìn)行控制，可以如圖4所示，上述補(bǔ)償控制單元100可以包括:至少一個(gè)控制開(kāi)關(guān)110。
[0040]其中，所述控制開(kāi)關(guān)110的一端連接補(bǔ)償電壓源101，另一端與一條驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的另一端相連接。這樣一來(lái)，可以在驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd接受使能信號(hào)時(shí)，將控制開(kāi)關(guān)110打開(kāi)，使得補(bǔ)償電壓源110與驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的另一端導(dǎo)通，將補(bǔ)償電壓輸入至驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端，從而可以對(duì)遠(yuǎn)離掃描驅(qū)動(dòng)單元的像素單元接收到的使能信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償，以避免由于使能信號(hào)的電壓在傳輸過(guò)程中的不斷減小(即IR Drop)，而引起的mura不良。
[0041]第五、當(dāng)掃描驅(qū)動(dòng)單元10向驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的一端輸入使能信號(hào)的電壓一直為高電平(即一直流信號(hào))時(shí)(例如像素電路中未設(shè)置補(bǔ)償回路的陣列基板)，該陣列基板上的補(bǔ)償控制單元100可以為一條將補(bǔ)償電壓源101與驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的另一端相連接的金屬導(dǎo)線(xiàn)。
[0042]進(jìn)一步的，為了在驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd接受使能信號(hào)時(shí)，控制補(bǔ)償電壓源101能夠自動(dòng)向驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的另一端輸入補(bǔ)償電壓Vc。如圖5a或圖5b所示，上述控制開(kāi)關(guān)110可以包括薄膜晶體管120。
[0043]其中，每一個(gè)薄膜晶體管120的柵極和第一極連接一條驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的另一端，其第二極與補(bǔ)償電壓源101相連接。這樣一來(lái)，可以在驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd接受使能信號(hào)時(shí)，該使能信號(hào)輸入至薄膜晶體管120的柵極，以導(dǎo)通該薄膜晶體管120。補(bǔ)償電壓源101輸入的補(bǔ)償電壓Vc通過(guò)薄膜晶體管120輸入至驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的另一端，從而可以對(duì)遠(yuǎn)離掃描驅(qū)動(dòng)單元的像素單元接收到的使能信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償，以避免由于使能信號(hào)的電壓在傳輸過(guò)程中的不斷減小(即IR Drop),而引起的mura不良。
[0044]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明的實(shí)施例中，是以薄膜晶體管120的第一極可以是源極，第二極可以是漏極為例進(jìn)行的說(shuō)明。
[0045]以下，在控制開(kāi)關(guān)110為薄膜晶體管120的情況下，對(duì)陣列基板的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
[0046]實(shí)施例一、
[0047]如圖5a所示，在補(bǔ)償控制單元100位于外圍區(qū)域的情況下，所述薄膜晶體管120的柵極和第一極連接驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd遠(yuǎn)離掃描驅(qū)動(dòng)單元10的一端。在此情況下，薄膜晶體管120的第二極仍然與補(bǔ)償電壓源101相連接。這樣一來(lái)，在發(fā)光階段，通過(guò)補(bǔ)償控制單元100能夠?qū)⒀a(bǔ)償電壓源101輸入的補(bǔ)償電壓Vc從最后一列像素單元20’進(jìn)行輸入，從而對(duì)像素單元20’接收到的使能信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償。可以避免由于顯示屏幕過(guò)大，負(fù)載電阻過(guò)多，使得IR Drop導(dǎo)致遠(yuǎn)離掃描驅(qū)動(dòng)單元10 —端的像素單元20’接受到的使能信號(hào)有所減小的現(xiàn)象產(chǎn)生。因此上述方案能夠減小像素之間的亮度差異，避免mura的產(chǎn)生。
[0048]實(shí)施例二、
[0049]如圖5b所示(省略了像素單元中的TFT和像素電極等結(jié)構(gòu))，在補(bǔ)償控制單元100位于顯示區(qū)域(AA區(qū)域)的情況下，顯示區(qū)域的一個(gè)像素單元20中設(shè)置有一個(gè)薄膜晶體管120。其中，薄膜晶體管的柵極和第一極連接驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd，第二極與補(bǔ)償電壓源101相連接。
[0050]對(duì)比實(shí)施例一可知，實(shí)施例二不僅能夠在發(fā)光階段，通過(guò)補(bǔ)償控制單元100能夠?qū)⒀a(bǔ)償電壓源101輸入的補(bǔ)償電壓Vc從最后一列像素單元20’進(jìn)行輸入，從而對(duì)像素單元20’接收到的使能信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償。而且，還可以對(duì)任意位置處設(shè)置有薄膜晶體管120的像素單元20進(jìn)行補(bǔ)償，以避免mura不良。雖然實(shí)施例二解決mura不良的效果比實(shí)施例一較佳，但是由于薄膜晶體管120位于顯示區(qū)域，因此會(huì)對(duì)顯示面板的開(kāi)口率造成影響。所以，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要對(duì)補(bǔ)償控制單元100的設(shè)置位置進(jìn)行選擇。
[0051]此外，圖5b是以每一列像素單元20都設(shè)置有補(bǔ)償控制單元100，并且每個(gè)像素單元20對(duì)應(yīng)一個(gè)薄膜晶體管120為例進(jìn)行的說(shuō)明。為了提高開(kāi)口率，還可以?xún)H在部分列設(shè)置補(bǔ)償控制單元100，例如每隔2列，或4列，或8列設(shè)置一補(bǔ)償控制單元100。并且可以只在同一列中的部分像素單元120中設(shè)置上述薄膜晶體管120。本發(fā)明對(duì)此不作限制。
[0052]上述實(shí)施例一和實(shí)施例二分別是對(duì)將補(bǔ)償控制單元100設(shè)置于外圍區(qū)域和將補(bǔ)償控制單元100設(shè)置于顯示區(qū)域?yàn)槔M(jìn)行的說(shuō)明，其它設(shè)置方式在此不再一一贅述，但都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0053]本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括如上所述的任意一種陣列基板，具有與前述實(shí)施例中的陣列基板相同的結(jié)構(gòu)和有益效果。由于陣列基板的結(jié)構(gòu)和有益效果已經(jīng)在前述實(shí)施例中進(jìn)行了詳細(xì)描述，在此不再贅述。
[0054]在本發(fā)明實(shí)施例中，顯示裝置可以包括有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，例如該顯示裝置可以為數(shù)碼相框、手機(jī)或平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。
[0055]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法，如圖6所示，可以包括:
[0056]S101、掃描驅(qū)動(dòng)單元10可以向顯示區(qū)域(AA區(qū)域)內(nèi)的至少一條驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的一端輸入使能信號(hào)。其中，該使能信號(hào)用于驅(qū)動(dòng)OLED器件進(jìn)行發(fā)光。
[0057]S102、補(bǔ)償控制單元100控制補(bǔ)償電壓源101將補(bǔ)償電壓Vc輸入至驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的另一端。
[0058]其中，所述補(bǔ)償電壓Vc的小于等于使能信號(hào)的電壓(Vdd)。
[0059]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法，包括掃描驅(qū)動(dòng)單元10可以向顯示區(qū)域內(nèi)的至少一條驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的一端輸入使能信號(hào)。其中，該使能信號(hào)用于驅(qū)動(dòng)器件進(jìn)行發(fā)光。然后，補(bǔ)償控制單元控制補(bǔ)償電壓源將補(bǔ)償電壓輸入至驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端。這樣一來(lái)，在發(fā)光階段，補(bǔ)償控制單元能夠控制補(bǔ)償電壓源向驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端輸入補(bǔ)償電壓，從而可以對(duì)遠(yuǎn)離掃描驅(qū)動(dòng)單元的像素單元接收到的使能信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償。由于補(bǔ)償電壓小于等于所述使能信號(hào)的電壓。因此，能夠避免由于使能信號(hào)的電壓在傳輸過(guò)程中的不斷減小(即IR Drop),而引起的mura不良。從而提聞了顯不畫(huà)面的品質(zhì)和顯不器的質(zhì)量。
[0060]為了減小或避免閾值電壓Vth對(duì)流經(jīng)OLED器件的電流產(chǎn)生影響，從而導(dǎo)致顯示品質(zhì)下降。一般會(huì)在像素電路中設(shè)置補(bǔ)償回路，以對(duì)上述閾值電壓Vth進(jìn)行補(bǔ)償。對(duì)于設(shè)置有補(bǔ)償回路的像素電路，其在工作過(guò)程中，可以只在發(fā)光階段將驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd輸出才輸出使能信號(hào)(使能信號(hào)的電壓為高電平)，而其余階段例如上述補(bǔ)償階段向驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd輸入低電平。因此輸入至驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)輸出的電壓為交流電壓。這樣一來(lái)，補(bǔ)償控制單元100只需要在驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd接受使能信號(hào)時(shí)(即向驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd輸入高電平時(shí))，控制補(bǔ)償電壓源101向驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的另一端輸入補(bǔ)償電壓Vc。
[0061]以下，在向驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd輸入交流電壓的情況下，對(duì)上述驅(qū)動(dòng)方法進(jìn)行舉例說(shuō)明。
[0062]實(shí)施例三、
[0063]如圖4所示，當(dāng)補(bǔ)償控制單元100可以包括至少一個(gè)控制開(kāi)關(guān)110時(shí)，在上述步驟SlOl之后，所述驅(qū)動(dòng)方法可以包括:
[0064]打開(kāi)控制開(kāi)關(guān)110，將補(bǔ)償電壓源101與驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的另一端導(dǎo)通。從而將補(bǔ)償電壓輸入至驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端，從而可以對(duì)遠(yuǎn)離掃描驅(qū)動(dòng)單元的像素單元接收到的使能信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償，以避免由于使能信號(hào)的電壓在傳輸過(guò)程中的不斷減小(即IR Drop)，而引起的mura不良。
[0065]實(shí)施例四
[0066]如圖5a或圖5b所示，當(dāng)控制開(kāi)關(guān)110可以包括薄膜晶體管120時(shí)，在上述步驟SlOl之后，所述驅(qū)動(dòng)方法，可以包括:
[0067]將使能信號(hào)輸入至薄膜晶體管120的柵極，以導(dǎo)通該薄膜晶體管120。補(bǔ)償電壓源101輸入的補(bǔ)償電壓Vc通過(guò)薄膜晶體管120輸入至驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的另一端。從而可以對(duì)遠(yuǎn)離掃描驅(qū)動(dòng)單元的像素單元接收到的使能信號(hào)進(jìn)行補(bǔ)償。以避免由于使能信號(hào)的電壓在傳輸過(guò)程中的不斷減小(即IR Drop),而引起的mura不良。
[0068]相對(duì)于實(shí)施例三而言，實(shí)施例四能夠在驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd接受使能信號(hào)時(shí)，控制補(bǔ)償電壓源101自動(dòng)向驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)Vdd的另一端輸入補(bǔ)償電壓Vc。
[0069]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過(guò)程序指令相關(guān)的硬件來(lái)完成，前述的程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括:R0M、RAM、磁碟或者光盤(pán)等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。
[0070]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括位于外圍區(qū)域的掃描驅(qū)動(dòng)單元，用于向顯示區(qū)域內(nèi)的至少一條驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的一端輸入使能信號(hào)，其特征在于，所述陣列基板還包括至少一個(gè)補(bǔ)償控制單元以及用于提供補(bǔ)償電壓的補(bǔ)償電壓源； 所述補(bǔ)償控制單元的一端連接所述補(bǔ)償電壓源，另一端與至少一條所述驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端相連接；用于控制所述補(bǔ)償電壓源將所述補(bǔ)償電壓輸入至所述驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端; 其中，所述補(bǔ)償電壓的小于等于所述使能信號(hào)的電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述補(bǔ)償控制單元包括:至少一個(gè)控制開(kāi)關(guān)； 所述控制開(kāi)關(guān)的一端連接所述補(bǔ)償電壓源，另一端與一條所述驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述控制開(kāi)關(guān)包括薄膜晶體管； 每一個(gè)所述薄膜晶體管的柵極和第一極連接一條所述驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端，其第二極與所述補(bǔ)償電壓源相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，在所述補(bǔ)償控制單元位于所述外圍區(qū)域的情況下，所述薄膜晶體管的柵極和所述第一極連接所述驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)遠(yuǎn)離所述掃描驅(qū)動(dòng)單元的一端。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，在所述補(bǔ)償控制單元位于所述顯示區(qū)域的情況下，所述顯示區(qū)域的一個(gè)像素單元中設(shè)置有一個(gè)所述薄膜晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述補(bǔ)償電壓源設(shè)置于所述掃描驅(qū)動(dòng)單元中。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的陣列基板。
8.—種陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，包括: 掃描驅(qū)動(dòng)單元向所述顯示區(qū)域內(nèi)的至少一條驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的一端輸入使能信號(hào)； 補(bǔ)償控制單元控制補(bǔ)償電壓源將補(bǔ)償電壓輸入至所述驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端； 其中，所述補(bǔ)償電壓的小于等于所述使能信號(hào)的電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，在所述補(bǔ)償控制單元包括至少一個(gè)控制開(kāi)關(guān)的情況下，在所述掃描驅(qū)動(dòng)單元向所述顯示區(qū)域內(nèi)的至少一條驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的一端輸入使能信號(hào)的步驟之后，所述方法包括: 打開(kāi)所述控制開(kāi)關(guān)，將所述補(bǔ)償電壓源與所述驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端導(dǎo)通。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，在所述控制開(kāi)關(guān)包括所述薄膜晶體管的情況下，在所述掃描驅(qū)動(dòng)單元向所述顯示區(qū)域內(nèi)的至少一條驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的一端輸入使能信號(hào)的步驟之后，所述方法包括: 將所述使能信號(hào)輸入至所述薄膜晶體管的柵極，以導(dǎo)通所述薄膜晶體管； 所述補(bǔ)償電壓源輸入的補(bǔ)償電壓通過(guò)所述薄膜晶體管輸入至所述驅(qū)動(dòng)控制線(xiàn)的另一端。
【文檔編號(hào)】G09G3/32GK104299569SQ201410597271
【公開(kāi)日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月30日
【發(fā)明者】蓋翠麗, 吳仲遠(yuǎn), 徐銳 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司