專利名稱：高顯示質(zhì)量的雙閘極顯示面板的制作方法
高顯示質(zhì)量的雙閘極顯示面板
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為有關(guān)一種顯示面板，特別是關(guān)于一種高顯示質(zhì)量的雙間極顯示面板。背景技術(shù)：
請參閱圖1，在傳統(tǒng)主動矩陣式的液晶顯示器(LCD)中，其單閘極電路架構(gòu)的每個畫素具有一薄膜晶體管(TFT) 10，其閘極連接至水平方向的掃描線12，源極連接至垂直方向的數(shù)據(jù)線14，汲極則連接至畫素電極，鄰行的薄膜晶體管10有各自連接的數(shù)據(jù)線14。以下介紹此傳統(tǒng)電路架構(gòu)的基本操作方式，在水平方向上的同一條掃描線12上， 所有薄膜晶體管10的間極都連接在一起，所以施加電壓是連動的，若在某一條掃描線12上施加足夠大的正電壓，則此條掃描在線所有的薄膜晶體管12都會被打開，此時該條掃描線 12上的畫素電極，會與垂直方向的數(shù)據(jù)線14連接，而經(jīng)由垂直數(shù)據(jù)線14送入對應(yīng)的視訊信號，以將畫素電極充電至適當(dāng)?shù)碾妷骸＝又┘幼銐虼蟮呢?fù)電壓，關(guān)閉薄膜晶體管10，直到下次再重新寫入信號，其間使得電荷保存在液晶電容上；此時再啟動一條水平掃描線12， 送入其對應(yīng)的視訊信號。如此依序?qū)⒄麄€畫面的視訊數(shù)據(jù)寫入，再重新自第一條重新寫入信號。上述單閘極電路架構(gòu)由于數(shù)據(jù)線14的數(shù)量過多，因此其消耗在源極芯片上的成本相當(dāng)高，而為了減少此成本的消耗，后來的技術(shù)提出了一種雙閘極電路架構(gòu)，也就是如圖 2所示，相鄰兩行的薄膜晶體管16共享同一條數(shù)據(jù)線18，這樣一來，就可以減少資料線18 的使用數(shù)量，進而降低源極芯片的制造成本。但是對于上述所提供的技術(shù)而言，其從電路布局來觀察，如圖3所示，掃描線20與共通電極線22屬同一層金屬層，且相距極近，所以在制作過程中，若有粒子不小心掉入面板當(dāng)中，容易在制程完成后導(dǎo)致掃描線20與共通電極線22發(fā)生短路，進而導(dǎo)致面板顯示上有橫條暗線或是亮線等線不良問題，除此之外，因為在相鄰掃描線20與相鄰資料線18的二個電極層M為分別二個畫素的畫素顯示區(qū)，而共通電極線22占到電極層M的透光區(qū)域的面積，使電極層M扣掉形成共通電極線22的金屬層的透光區(qū)域部分變少，進而讓整個面板的開口率有所損失。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明主要目的，在于提供一種高顯示質(zhì)量的雙閘極顯示面板，其在同一道制程中，利用一金屬層形成晶體管的源、汲極、數(shù)據(jù)線以及共通電極線，并將共通電極線置于相鄰兩行的晶體管之間，如此可提升顯示面板的開口率，并避免掃描線與共通電極線在運作時發(fā)生短路。為達上述目的，本發(fā)明提供一種高顯示質(zhì)量的雙閘極顯示面板，包含多條平行的掃描線與多條平行的數(shù)據(jù)線，掃描線包含有一第一掃描線與一第二掃描線，而數(shù)據(jù)線與掃描線互相垂直，并與多條共通電極線互相平行，且此些數(shù)據(jù)線中包含一第一資料線，共通電極線中包含一第一共通電極線與一第二共通電極線，顯示面板還包含由資料線、掃描線、與
4共通電極線互相連接的多個雙間極畫素單元，每一個雙間極畫素單元連接一數(shù)據(jù)線、二掃描線與二共通電極線，每一條共通電極線分別位于相鄰兩行的雙閘極畫素單元之間，且連接其相鄰兩行的雙間極畫素單元，每一個雙間極畫素單元包含第一畫素與第二畫素，第一畫素連接第一掃描線、第一共通電極線與第一數(shù)據(jù)線，而第二畫素連接第二掃描線、第二共通電極線與第一資料線，該第一、第二畫素位于第一掃描線與該第二掃描線的相異兩側(cè)，第一、第二共通電極線分別傳輸一第一共通電極訊號至第一畫素與第二畫素中，且第一數(shù)據(jù)線傳輸一數(shù)據(jù)訊號至第一畫素與第二畫素中，第一、第二掃描線則分別控制第一、第二畫素接收數(shù)據(jù)訊號。

下面結(jié)合附圖和實施例對發(fā)明進一步說明圖1與圖2為現(xiàn)有技術(shù)的顯示面板的電路示意圖；圖3為現(xiàn)有技術(shù)的顯示面板的電路布局(layout)結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明的液晶顯示面板的電路示意圖；圖5為本發(fā)明的雙閘極畫素單元的電路示意圖；圖6為本發(fā)明的液晶顯示面板的第一實施例的電路布局結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明的液晶顯示面板的電路布局結(jié)構(gòu)的局部放大示意圖；圖8為圖6的電路布局結(jié)構(gòu)中沿A-A’切線的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖9為本發(fā)明的液晶顯示面板的第二實施例的電路布局結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本發(fā)明的液晶顯示面板的第三實施例的電路布局結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
本發(fā)明主要設(shè)計是在同一道制程中，利用一金屬層形成晶體管的源、汲極、數(shù)據(jù)線以及共通電極線，并將共通電極線置于相鄰兩行的晶體管之間，首先請參閱圖4。本發(fā)明的液晶顯示面板的等效電路包含多條平行的掃描線觀與多條平行的數(shù)據(jù)線沈，掃描線觀包含有一第一掃描線282與一第二掃描線觀4，數(shù)據(jù)線沈與掃描線觀互相垂直，且數(shù)據(jù)線沈中包含一第一資料線262。本發(fā)明的液晶顯示面板還包含以矩陣方式排列的多個雙閘極畫素單元32，并以數(shù)據(jù)線26、掃描線觀與共通電極線30彼此連接而成，多條掃描線觀與多條共通電極線30垂直交會，每一條共通電極線30分別位于相鄰兩行的雙間極畫素單元32之間，并連接相鄰兩行的雙間極畫素單元32，且共通電極線30包含一第一、第二共通電極線302、304。每一個雙閘極畫素單元32連接一條數(shù)據(jù)線沈、二條掃描線觀與二條共通電極線30，同一行的雙閘極畫素單元32會共享同一條數(shù)據(jù)線沈與共通電極線30，同一列的雙閘極畫素單元32會共享同一條掃描線28。每一個雙閘極畫素單元32中的組件的連接關(guān)系與位置關(guān)系都相同， 以一個雙閘極畫素單元32為例，并將第一、第二掃描線觀2、觀4、第一資料線沈2、第一、第二共通電極線302、304與一雙閘極畫素單元32彼此之間的連接與位置關(guān)系介紹如下。請同時參閱圖5，每一個雙閘極畫素單元32包含一第一、第二畫素34、36，而第一畫素34包含一第一薄膜晶體管342及其對應(yīng)連接的一第一液晶電容346、一第一儲存電容 344，第二畫素36包含一第二薄膜晶體管362及其對應(yīng)連接的一第二液晶電容366、一第二儲存電容364，且第一、第二畫素34、36分別設(shè)于第一掃描線282與第二掃描線觀4的相異兩側(cè)，第一共通電極線302及第二共通電極線304設(shè)于第一資料線沈2的相異兩側(cè)，第一、 第二畫素34、36設(shè)于第一資料線沈2的相異兩側(cè)。第一薄膜晶體管342的閘極連接第一掃描線觀2，其源極連接第一數(shù)據(jù)線沈2，其汲極連接第一液晶電容346與第一儲存電容344的一端，第一液晶電容346的另一端連接一彩色濾光片(CF)端的共通電極，以接收一第一共通電極訊號，第一儲存電容344的另一端連接第一共通電極線302，第一資料線沈2與第一共通電極線302分別傳輸一數(shù)據(jù)訊號與一第二共通電極訊號至第一薄膜晶體管342中，且第一掃描線282控制第一薄膜晶體管 342接收該數(shù)據(jù)訊號，進而控制第一液晶電容346的充放電，而第一儲存電容344用來維持第一液晶電容346兩端的電位差，以防第一液晶電容346漏電的情況發(fā)生。同樣地，第二薄膜晶體管362的閘極連接第二掃描線觀4，其源極連接第一數(shù)據(jù)線 262，其汲極連接第二液晶電容366與第二儲存電容364的一端，第二液晶電容366的另一端連接彩色濾光片端的共通電極，以接收第一共通電極訊號，第二儲存電容364的另一端連接第二共通電極線304，第一資料線262與第二共通電極線304分別傳輸數(shù)據(jù)訊號與第二共通電極訊號至第二薄膜晶體管362中，且第二掃描線284控制第二薄膜晶體管362接收該數(shù)據(jù)訊號，進而控制第二液晶電容366的充放電，而第二儲存電容364用來維持第二液晶電容366兩端的電位差，以防第二液晶電容366漏電的情況發(fā)生。上述本發(fā)明的電路設(shè)計可應(yīng)用于垂直配向式(VA type)、扭轉(zhuǎn)向列式(TN type)、 平面轉(zhuǎn)換式(IPS type)的液晶或是有有機緣膜的畫素設(shè)計。請繼續(xù)參閱圖4，本發(fā)明的液晶顯示面板的作動描述如下，首先每一條共通電極線 30與數(shù)據(jù)線沈分別傳輸一第一共通電極訊號與一數(shù)據(jù)訊號至連接的儲存電容40與薄膜晶體管38中，且每一個液晶電容42接收一第一共通電極訊號。接著利用掃描線觀由上而下依序控制每一行的薄膜晶體管38接收該數(shù)據(jù)訊號，進而控制液晶電容42的充放電，同時連接液晶電容42的儲存電容40則用來維持液晶電容42兩端的電位差。請繼續(xù)參閱其電路布局結(jié)構(gòu)示意圖，以下請同時參閱圖6與圖7。圖7為圖6中虛線方框中的畫素電極結(jié)構(gòu)的放大示意圖，此虛線方框中所有的組件包含二由電極層70形成的畫素電極、二顆薄膜晶體管44、46及其周圍的布線，薄膜晶體管44、46為N型，而圖6則是以此虛線方框中的畫素電極結(jié)構(gòu)為單元，彼此利用掃描線(Gate line)48、數(shù)據(jù)線(Data line) 50、及共通電極線52相互連接而構(gòu)成的數(shù)組液晶顯示面板的第一實施例。且，由于畫素電極結(jié)構(gòu)在顯示面板上是以矩陣方式排列，因此同一行的畫素電極結(jié)構(gòu)會共享同一條數(shù)據(jù)線50，同一列的畫素電極結(jié)構(gòu)會共享同一條掃描線48與共通電極線52。每一個畫素電極結(jié)構(gòu)中的組件的連接關(guān)系與位置關(guān)系都相同，茲以一個畫素電極結(jié)構(gòu)為例，陳述如下。為了清楚說明實施方式，以下請同時參閱圖7與圖8，圖8為圖7的電路布局結(jié)構(gòu)中沿A-A’切線的剖視圖，可表達出圖7中所包含的組件的上下堆棧關(guān)系。圖7為一畫素電極結(jié)構(gòu)，其主要包含一透明基板58、一第一數(shù)組畫素與一第二數(shù)組畫素，第一、第二數(shù)組畫素系分別形成第一、第二薄膜晶體管44、46、第一、第二畫素電極71、73，以及第一、第二掃描線92、94。第一、第二數(shù)組畫素系由一第一金屬層60、一絕緣層62、一半導(dǎo)體層64、一第二金屬層66、一保護層68、一電極層70所形成，而液晶層設(shè)在電極層上70。保護層68為一絕緣材質(zhì)，其與絕緣層62的材質(zhì)皆為氮化硅，電極層70的材質(zhì)為氧化銦錫(ITO)，且此電極層70形成與第一、第二薄膜晶體管44、46分別連接的第一、第二畫素電極71、73，此第一、第二畫素電極71、73分別位于第一、第二薄膜晶體管44、46的上方與下方。第一金屬層60設(shè)于透明基板58上，以形成一第一薄膜晶體管44的閘極78、一第二薄膜晶體管46的閘極80、一第一掃描線92、一第二掃描線94，然在第一金屬層60形成時，同時分別將第一、第二掃描線92、94與第一、第二薄膜晶體管44、46的閘極78、80形成為相連的線路，第一金屬層60上形成后其上形成有絕緣層62，絕緣層62于二薄膜晶體管44、46上作為間極絕緣層。絕緣層62上設(shè)有半導(dǎo)體層64，此半導(dǎo)體層64分為上下二層結(jié)構(gòu)，其下層為一非晶硅層(a-Si) 72，直接設(shè)于絕緣層62上，其上層為一 η+摻雜非晶硅 (n+a-Si)的奧姆接觸層74，奧姆接觸層74與絕緣層62上設(shè)有一第二金屬層66，以形成第一、第二薄膜晶體管44、46的源極82、84與汲極86、88、一第一、第二共通電極線96、98與一數(shù)據(jù)線90，數(shù)據(jù)線90連接第一、第二薄膜晶體管44、46的源極82、84，又第一、第二薄膜晶體管44、46位于資料線90的相異兩側(cè)，第一、第二薄膜晶體管44、46位于第一、第二掃描線 92,94之間，數(shù)據(jù)線90位于第一、第二共通電極線96、98之間，第一、第二薄膜晶體管44、46 的源82、84、汲極86、88分別位于第一、第二薄膜晶體管44、46的間極78、80上方，且非晶硅層72與奧姆接觸層74都位于第一、第二薄膜晶體管44、46的源極82、84與汲極86、88下方，數(shù)據(jù)線90與第一、第二共通電極線96、98互相平行設(shè)置，并與第一、第二掃描線74、76 垂直交會。奧姆接觸層74與第二金屬層66上覆蓋一保護層68，此保護層68具有分別位于第一、第二薄膜晶體管44、46的汲極86、88和半導(dǎo)體層64上方的一通孔76，另在保護層68 蝕刻出通孔76時，因無法透過半導(dǎo)體層64并繼續(xù)往絕緣層62蝕刻，所以通孔76的深度系僅能到達半導(dǎo)體層64。此通孔76為圖8的剖視圖中的保護層68沒有連接的部分。在保護層68上設(shè)有一電極層70，此電極層70可通過通孔76與對應(yīng)的第一、第二薄膜晶體管44、46的汲極86、88和半導(dǎo)體層64相接觸。如圖8所示，由于通孔的緣故，作為汲極88的第二金屬層66和半導(dǎo)體層64暴露在外，因此可與電極層70相接觸。以下請同時參閱圖6與圖7，與薄膜晶體管的汲極相接觸的電極層70和第二金屬層66重疊的部分，可形成該薄膜晶體管的儲存電容，在此第一實施例中，第一、第二共通電極線96、98有一部分往數(shù)據(jù)線90的方向延伸成長條狀，但未與數(shù)據(jù)線90接觸，此延伸部與電極層70重疊，并位于對應(yīng)的電極層70中間，進而形成儲存電容，因此第一、第二薄膜晶體管44、46分別連接第一、第二儲存電容M、56。利用上述電路布局所制造出來的液晶顯示面板如圖6所示，可與現(xiàn)有技術(shù)的圖3 同時比較，在相鄰掃描線48與相鄰數(shù)據(jù)線50的二個電極層66為分別二個畫素的畫素顯示區(qū)，在本發(fā)明的設(shè)計下，共通電極線52不會侵占到電極層70的透光區(qū)域的面積，且形成共通電極線52與掃描線48的金屬層不同，換句話說，可以讓共通電極線52更靠近掃描線48， 且因為共通電極線52與相對應(yīng)電極層70所形成的儲存電容較大，因為僅剩保護層68，故可以設(shè)計較小的面積來產(chǎn)生較大的儲存電容，利用這種設(shè)計便能提升畫素的開口率，同時由于共通電極線與掃描線由不同金屬層所形成，因此更可減少掃描線與共通電極線發(fā)生短路的機率。接下來請同時參閱圖7與本發(fā)明的液晶顯示面板的第二實施例的電路布局結(jié)構(gòu)示意圖，如圖9所示，圖8的虛線方框里的畫素電極結(jié)構(gòu)與圖7相同。由于第一實施例的儲存電容是位于電極層中間，會影響液晶層在運作時的配向問題，為了改善此狀況，而提出第二實施例，第二實施例與第一實施例的差異在于第一、第二共通電極線96、98有一部分往數(shù)據(jù)線90的方向延伸成長條狀，但未與數(shù)據(jù)線90接觸，此延伸部與電極層70重疊，并分別靠近第二、第一掃描線94、92，進而形成儲存電容，因此第一、第二薄膜晶體管44、46分別連接第一、第二儲存電容M、56。最后請同時參閱圖7與本發(fā)明液晶顯示面板的第三實施例的電路布局結(jié)構(gòu)示意圖，如圖10所示，圖10的虛線方框里的畫素電極結(jié)構(gòu)與圖7相同。為了增加儲存電容的面積，而提出第三實施例，第三實施例與第一實施例的差異在于第一、第二共通電極線96、98 有一部分系往相異兩側(cè)方向延伸成長條狀，但未與數(shù)據(jù)線90接觸，此延伸部系與電極層70 重疊，并分別靠近第二、第一掃描線94、92，進而形成儲存電容，因此第一、第二薄膜晶體管 44,46分別連接第一、第二儲存電容M、56。綜上所述，本發(fā)明是在同一道制程中，利用一金屬層形成晶體管的源、汲極、數(shù)據(jù)線以及共通電極線，并將共通電極線置于相鄰兩行的晶體管之間，如此可提升顯示面板的開口率，并避免掃描線與共通電極線在運作時發(fā)生短路，是一相當(dāng)實用的發(fā)明。以上所述者，僅為本發(fā)明一較佳實施例而已，并非用來限定本發(fā)明實施的范圍，故凡依本發(fā)明申請專利范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及精神所為的均等變化與修飾，均應(yīng)包括于本發(fā)明的申請專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種高顯示質(zhì)量的雙間極顯示面板，其特征在于包含多條平行的掃描線，其中包含有一第一掃描線與一第二掃描線；多條平行的數(shù)據(jù)線，其與該些掃描線互相垂直，且該些數(shù)據(jù)線中包含一第一資料線； 多條共通電極線，其與該些數(shù)據(jù)線互相平行，且該些共通電極線中包含一第一共通電極線與一第二共通電極線；以及多個雙間極畫素單元，每一該雙間極畫素單元連接一該數(shù)據(jù)線、二該掃描線與二該共通電極線，每一該共通電極線分別位于相鄰兩行的該些雙間極畫素單元之間，且連接其相鄰兩行的該些雙間極畫素單元，每一該雙間極畫素單元包含第一畫素，其連接該第一掃描線、該第一共通電極線與該第一資料線；以及第二畫素，其連接該第二掃描線、該第二共通電極線與該第一資料線，該第一、第二畫素位于該第一資料線的相異兩側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高顯示質(zhì)量的雙間極顯示面板，其特征在于該第一、第二畫素位于該第一、第二掃描線的相異兩側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高顯示質(zhì)量的雙間極顯示面板，其特征在于該第一畫素包含一第一薄膜晶體管，其間極連接該第一掃描線，其源極連接該第一數(shù)據(jù)線； 一第一液晶電容，其一端連接該第一薄膜晶體管的汲極，另一端連接一共通電極，以接收一第一共通電極訊號，該第一薄膜晶體管接收該第一數(shù)據(jù)線所傳輸?shù)囊粩?shù)據(jù)訊號，該第一掃描線控制該第一薄膜晶體管的開關(guān)狀態(tài)，使該第一薄膜晶體管根據(jù)該數(shù)據(jù)訊號控制該第一液晶電容的充放電；以及一第一儲存電容，其一端連接該第一薄膜晶體管的汲極，另一端連接該第一共通電極線，以接收該第一共通電極線所傳輸?shù)囊坏诙餐姌O訊號，該第一儲存電容維持該第一液晶電容的兩端的電位差。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高顯示質(zhì)量的雙間極顯示面板，其特征在于該第二畫素包含一第二薄膜晶體管，其間極連接該第二掃描線，其源極連接該第一數(shù)據(jù)線； 一第二液晶電容，其一端連接該第二薄膜晶體管的汲極，另一端連接一共通電極，以接收一第一共通電極訊號，該第二薄膜晶體管接收該第一數(shù)據(jù)線所傳輸?shù)囊粩?shù)據(jù)訊號，該第二掃描線控制該第二薄膜晶體管的開關(guān)狀態(tài)，使該第二薄膜晶體管根據(jù)該數(shù)據(jù)訊號控制該第二液晶電容的充放電；以及一第二儲存電容，其一端連接該第二薄膜晶體管的汲極，另一端連接該第二共通電極線，以接收該第二共通電極線所傳輸?shù)囊坏诙餐姌O訊號，該第二儲存電容維持該第二液晶電容的兩端的電位差。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高顯示質(zhì)量的雙間極顯示面板，其特征在于該顯示面板為液晶顯示面板。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高顯示質(zhì)量的雙間極顯示面板，其特征在于該第一、第二畫素的驅(qū)動方法包含下列步驟該第一數(shù)據(jù)線傳輸一數(shù)據(jù)訊號至該第一、第二畫素，且該第一、第二共通電極線分別傳輸一共通電極訊號至該第一、第二畫素；以及該第一、第二掃描線分別控制該第一、第二畫素接收該數(shù)據(jù)訊號。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高顯示質(zhì)量的雙間極顯示面板，其特征在于該第一薄膜晶體管的間極與該些掃描線由一第一金屬層所形成，該第一薄膜晶體管的源、汲極、該些共通電極線與該些資料線由一第二金屬層所形成，且該第一薄膜晶體管的源、汲極位于其閘極的上方。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高顯示質(zhì)量的雙間極顯示面板，其特征在于該第二薄膜晶體管的間極、該些掃描線由一第一金屬層所形成，該第二薄膜晶體管的源、汲極、該些共通電極線與該些資料線由一第二金屬層所形成，且該第二薄膜晶體管的源、汲極位于其閘極的上方。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的高顯示質(zhì)量的雙間極顯示面板，其特征在于該第一金屬層上覆蓋有一絕緣層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高顯示質(zhì)量的雙間極顯示面板，其特征在于該絕緣層上設(shè)有一半導(dǎo)體層，其位于該源、汲極的下方，且該第二金屬層設(shè)于該半導(dǎo)體層與該絕緣層上。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高顯示質(zhì)量的雙間極顯示面板，其特征在于該半導(dǎo)體層與該第二金屬層上覆蓋有一保護層，且該保護層具有位于該汲極上方的一通孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的高顯示質(zhì)量的雙間極顯示面板，其特征在于該保護層上設(shè)有一電極層，該電極層通過該通孔與對應(yīng)的該汲極相接觸。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的高顯示質(zhì)量的雙間極顯示面板，其特征在于該第一、第二共通電極線有一部分往該第一數(shù)據(jù)線的方向延伸，以與該電極層重疊。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的高顯示質(zhì)量的雙間極顯示面板，其特征在于該第一、第二共通電極線有一部分往該第一數(shù)據(jù)線的方向延伸，以與該電極層重疊，并分別靠近該第二、 第一掃描線。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的高顯示質(zhì)量的雙間極顯示面板，其特征在于該第一、第二共通電極線有一部分往相異兩側(cè)的方向延伸，以與該電極層重疊，并分別靠近該第二、第一掃描線。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的高顯示質(zhì)量的雙間極顯示面板，其特征在于該半導(dǎo)體層包含一非晶硅層，設(shè)于該絕緣層上；以及一奧姆接觸層，設(shè)于該非晶硅層上，并供該第二金屬層與該保護層設(shè)于其上。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的高顯示質(zhì)量的雙間極顯示面板，其特征在于該通孔位于部分的該半導(dǎo)體層與部分的該第二金屬層上方，使該半導(dǎo)體層與該第二金屬層通過該電極層相連接。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的高顯示質(zhì)量的雙間極顯示面板，其特征在于該通孔深度到達該半導(dǎo)體層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種高顯示質(zhì)量的雙閘極顯示面板，包含由資料線、掃瞄線、與共通電極線互相連接的多個雙閘極畫素單元，每一個雙閘極畫素單元包含第一畫素與第二畫素，其分別連接第一掃描線與第二掃描線，并共享一資料線，且每一條共通電極線設(shè)于相鄰兩行的雙閘極畫素單元之間，第一、第二畫素位于第一掃描線與第二掃描線的相異兩側(cè)，數(shù)據(jù)線傳輸數(shù)據(jù)訊號至畫素中，而掃描線則控制畫素接收該數(shù)據(jù)訊號。本發(fā)明可提升面板的畫素開口率，并減少掃描線與共通電極線發(fā)生短路的機率。
文檔編號G09G3/36GK102566183SQ201210059400
公開日2012年7月11日 申請日期2012年3月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月8日
發(fā)明者柳智忠 申請人:深超光電(深圳)有限公司