專利名稱：一種自控式電磁槍的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及物理教學(xué)演示裝置，尤其涉及一種自控式電磁槍的教學(xué)演示裝置。
背景技術(shù)：
應(yīng)用電磁現(xiàn)象制作而成的電磁炮或電磁槍是中學(xué)教學(xué)中的重要內(nèi)容，如何直觀、 形象、有趣地演示電磁現(xiàn)象，提高學(xué)生的學(xué)習(xí)和科學(xué)探索的興趣，一直是教學(xué)工作者的期求。目前，現(xiàn)有的電磁炮或電磁槍的演示裝置大多功能較為單一，操作不便，演示效果很不盡人意。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種通過(guò)智能控制、多級(jí)加速且顯示直觀的自控式電磁槍。本實(shí)用新型解決的技術(shù)問(wèn)題是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的一種自控式電磁槍，包括槍管、至少一組主繞線圈、電源，還包括至少一組副繞線圈，所述主繞線圈與副繞線圈分別繞接于槍管上，所述副繞線圈穿過(guò)其前一主繞線圈的中心，所述電源分別和主繞線圈與副繞線圈相連。作為改進(jìn)，本實(shí)用新型還包括至少一個(gè)液體冷卻裝置，所述液體冷卻裝置安裝于槍管的下側(cè)。優(yōu)選地，本實(shí)用新型還包括市電和變壓器，所述市電通過(guò)變壓器與電源相連。優(yōu)選地，所述主繞線圈包括主線圈、控制器、第一電容、第一可控硅整流管、第一電壓檢測(cè)裝置，所述主線圈、第一電容、第一可控硅整流管、第一電壓檢測(cè)裝置依次相連，所述控制器與第一電壓檢測(cè)裝置相連。優(yōu)選地，所述控制器為單片機(jī)。優(yōu)選地，所述副繞線圈包括副線圈、第二電容、第二可控硅整流管、第二電壓檢測(cè)裝置，所述副線圈、第二電容、第二可控硅整流管、第二電壓檢測(cè)裝置依次相連。作為進(jìn)一步改進(jìn)，本實(shí)用新型還包括紅外接收裝置和紅外發(fā)送裝置，所述紅外接收裝置和紅外發(fā)送裝置分別安裝于主繞線圈一側(cè)的上、下兩端。 優(yōu)選地，還包括供彈裝置和機(jī)發(fā)裝置，所述供彈裝置和機(jī)發(fā)裝置相連，并均安裝于槍體中。本實(shí)用新型提供了一種自控式電磁槍，可以自動(dòng)控制彈體的發(fā)射，通過(guò)多級(jí)加速， 使彈體的運(yùn)行速度更快，并能直觀顯示彈體在槍管中運(yùn)行的速度，可應(yīng)用于電磁現(xiàn)象的教學(xué)實(shí)驗(yàn)中。

附圖1為本實(shí)用新型一種自控式電磁槍的結(jié)構(gòu)示意圖；[0014]附圖2為槍管部分結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面由具體實(shí)施例配合所附的圖式詳加說(shuō)明，以致更容易了解本實(shí)用新型的目的、技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及其所達(dá)成的功效。附圖1為本實(shí)用新型一種自控式電磁槍的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，一種自控式電磁槍，包括槍體和槍管1組成，電源2、供彈裝置8和機(jī)發(fā)裝置7均安裝于槍體中，市電6 通過(guò)槍體的一端(指遠(yuǎn)離槍管的一端)經(jīng)過(guò)變壓器5接入電源2，液體冷卻裝置9安裝于槍管的下側(cè)，用于散發(fā)掉彈體穿過(guò)槍管1后遺留于槍管中的熱量。機(jī)發(fā)裝置7與供彈裝置8 相連，扣動(dòng)機(jī)發(fā)裝置7后，供彈裝置8中的彈體就會(huì)自動(dòng)流向槍管口。附圖2為槍管部分結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，主繞線圈3繞接于槍管1上，包括主線圈、單片機(jī)31、第一可控硅整流管32、第一電壓檢測(cè)裝置33、第一電容34，主線圈、第一可控硅整流管32、第一電壓檢測(cè)裝置33、第一電容34構(gòu)成閉合回路，單片機(jī)與電壓檢測(cè)裝置相連，由于電源2與主繞線圈3電性相連，所以閉合第一可控硅整流管32時(shí)，第一電容34 開(kāi)始充電，而在電容充滿后的放電過(guò)程中，槍管上的主線圈就會(huì)有磁感應(yīng)線的分布，使槍管內(nèi)產(chǎn)生強(qiáng)大的磁力，彈體被磁場(chǎng)磁化，從而被牽引加速到達(dá)主線圈的中央位置，根據(jù)電磁原理，主繞線圈3中央位置的磁勢(shì)最弱，即是主繞線圈3的兩端向中央位置均產(chǎn)生磁力，所以當(dāng)彈體到達(dá)主繞線圈3的中央位置后，被主繞線圈3后端的磁力所阻礙，為了使彈體能順利通過(guò)槍管1，當(dāng)彈體到達(dá)主繞線圈3時(shí)，應(yīng)斷開(kāi)第一可控硅整流管32，使磁場(chǎng)消失，此時(shí)記錄下第一電壓檢測(cè)裝置33的即時(shí)電壓，當(dāng)電壓達(dá)到這個(gè)值時(shí)，第一可控硅整流管32就迅速斷開(kāi)，達(dá)到智能控制的目的。為了使彈體能迅速通過(guò)槍管1，我們可以采取多個(gè)主繞線圈3共同工作，需要注意的時(shí)，彈體通過(guò)每個(gè)主繞線圈3時(shí)該主繞線圈3的即時(shí)電壓不一定相同， 應(yīng)區(qū)分開(kāi)來(lái)第一可控硅整流管32的即時(shí)斷開(kāi)電壓。在本實(shí)用新型實(shí)施例中，采用了 4級(jí)主繞線圈3工作，當(dāng)然也可以采取其他數(shù)量。為了顯示方便，更有利于教學(xué)，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，在主繞線圈3的一側(cè)的上下兩端還增添了彈體速度監(jiān)控模塊，包括紅外接收裝置 10和紅外發(fā)送裝置11，通過(guò)紅外接收裝置10接收彈體的及時(shí)運(yùn)動(dòng)軌跡，由紅外發(fā)送裝置11 將即時(shí)運(yùn)動(dòng)軌跡發(fā)送到計(jì)算機(jī)或其他數(shù)據(jù)處理器中進(jìn)行處理，得出彈體的運(yùn)行速度，直觀地顯示出來(lái)。作為進(jìn)一步改進(jìn)，在本實(shí)用新型中，增加了副繞線圈4，每一副繞線圈4都通過(guò)其前一個(gè)主繞線圈3的中央，斷開(kāi)主繞線圈3的同時(shí)，開(kāi)啟副繞線圈4，使彈體加速過(guò)程更多，更迅速通過(guò)槍管1。副繞線圈4包括第二可控硅整流管41、第二電壓檢測(cè)裝置42、第二電容43，其加速原理和控制方法與主繞線圈3相同，這里不在闡述。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應(yīng)的改變以及變形，而所有的這些改變以及變形都應(yīng)該屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種自控式電磁槍，包括槍體、槍管、至少一組主繞線圈、電源，所述槍體與槍管相連，其特征在于，還包括至少一組副繞線圈，所述主繞線圈與副繞線圈分別繞接于槍管上， 所述副繞線圈穿過(guò)其前一主繞線圈的中心，所述電源分別和主繞線圈與副繞線圈相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自控式電磁槍，其特征在于，還包括至少一個(gè)液體冷卻裝置， 所述液體冷卻裝置安裝于槍管的下側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自控式電磁槍，其特征在于，還包括市電和變壓器，所述市電通過(guò)變壓器與電源相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自控式電磁槍，其特征在于，所述主繞線圈包括主線圈、控制器、第一電容、第一可控硅整流管、第一電壓檢測(cè)裝置，所述主線圈、第一電容、第一可控硅整流管、第一電壓檢測(cè)裝置依次相連，所述控制器與第一電壓檢測(cè)裝置相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的自控式電磁槍，其特征在于，所述控制器為單片機(jī)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自控式電磁槍，其特征在于，所述副繞線圈包括副線圈、第二電容、第二可控硅整流管、第二電壓檢測(cè)裝置，所述副線圈、第二電容、第二可控硅整流管、 第二電壓檢測(cè)裝置依次相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的自控式電磁槍，其特征在于，還包括紅外接收裝置和紅外發(fā)送裝置，所述紅外接收裝置和紅外發(fā)送裝置分別安裝于主繞線圈一側(cè)的上、下兩端。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的自控式電磁槍，其特征在于，還包括供彈裝置和機(jī)發(fā)裝置，所述供彈裝置和機(jī)發(fā)裝置相連，并均安裝于槍體中。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種自控式電磁槍，包括槍管、至少一組主繞線圈、電源，還包括至少一組副繞線圈，所述主繞線圈與副繞線圈分別繞接于槍管上，所述副繞線圈穿過(guò)其前一主繞線圈的中心，所述電源分別和主繞線圈與副繞線圈相連。本實(shí)用新型可以自動(dòng)控制彈體的發(fā)射，通過(guò)多級(jí)加速，使彈體的運(yùn)行速度更快，并能直觀顯示彈體在槍管中運(yùn)行的速度，可應(yīng)用于電磁現(xiàn)象的教學(xué)實(shí)驗(yàn)中。
文檔編號(hào)G09B23/18GK201974992SQ201120073730
公開(kāi)日2011年9月14日 申請(qǐng)日期2011年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月18日
發(fā)明者桂培炎 申請(qǐng)人:桂培炎