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有源oled照明裝置的制作方法

文檔序號(hào):2585663閱讀:139來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):有源oled照明裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及照明裝置,尤其涉及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)照明裝置。
背景技術(shù)
近年來(lái),OLED作為一種新興技術(shù),已經(jīng)越來(lái)越多地應(yīng)用于照明技術(shù)領(lǐng)域和顯示技術(shù)領(lǐng)域。由于采用OLED的照明裝置,具有能耗低、平面化、大型化等諸多優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為未來(lái)照明裝置領(lǐng)域人們關(guān)注的焦點(diǎn)。
圖1為現(xiàn)有的OLED照明裝置結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示,現(xiàn)有OLED照明裝置包括基板I和封裝蓋2,其中,基板I上沉積有陽(yáng)極3,陽(yáng)極3上設(shè)有非常薄的多層有機(jī)層4,以及位于有機(jī)層4上的陰極5。現(xiàn)有的OLED的陽(yáng)極為整塊ITO導(dǎo)電層,這種方式所制備的OLED 照明裝置工藝相對(duì)簡(jiǎn)單,然而卻由于陽(yáng)極ITO電阻過(guò)大的原因存在如下問(wèn)題1)發(fā)光均勻性差,發(fā)光不均勻性高達(dá)40%以上;2)亮度高的地方發(fā)熱量很大,易燒壞從而導(dǎo)致整個(gè)光源發(fā)光失效;3)整體亮度很難提高;4)0LED裝置中只要出現(xiàn)一個(gè)缺陷點(diǎn)就會(huì)致使整個(gè)照明裝置發(fā)光失效。
而且,現(xiàn)有的OLED照明裝置還需要一個(gè)專(zhuān)用的直流恒流源,成本也比較昂貴。
另外,近年來(lái)還出現(xiàn)了一種有源矩陣OLED顯示面板(AMOLED),其下覆蓋有薄膜晶體管(TFT)陣列。AMOLED由于耗電量低、刷新率高,因而主要適用于電腦顯示器、大屏幕電視以及電子告示牌或看板等顯示領(lǐng)域。圖2示出了現(xiàn)有AMOLED制作的顯示器的電子線路結(jié)構(gòu)示意圖,其中TFT像素單元矩陣6包括I個(gè)TFT和兩個(gè)電容,并通過(guò)掃描線G1、G2、. . . Gn 和柵極驅(qū)動(dòng)器7相連,通過(guò)數(shù)據(jù)線D1、D2、. . . Dm和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器8相連,柵極驅(qū)動(dòng)器7和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器8和定時(shí)控制器9相連。在實(shí)際應(yīng)用中,在由AMOLED制作顯示器時(shí),為了使顯示效果好,通常在TFT像素單元中還要采用補(bǔ)償電路,這時(shí)每個(gè)TFT像素單元會(huì)包括幾個(gè)TFT和幾個(gè)電容,這使得TFT像素單元的結(jié)構(gòu)復(fù)雜,再加上現(xiàn)有的TFT像素單元面積尺寸小(一般為70 μ mX 210 μ m),因此具有如下問(wèn)題1)制作工藝比較困難,生產(chǎn)良率低;2)如果使用工藝成熟的底部出射OLED器件,由于像素開(kāi)口率往往很低(通常不到40% ),導(dǎo)致其發(fā)光穩(wěn)定性較差。這兩個(gè)問(wèn)題一定程度上限制了 AMOLED的大規(guī)模生產(chǎn)化。
此外,眾所周知,TFT在正向偏壓下容易造成其閾值電壓Vth漂移,導(dǎo)致TFT電流和電壓特性惡化,影響其供流能力,最終造成OLED發(fā)光失效。為了解決這一個(gè)問(wèn)題,通常需要在TFT上加一個(gè)負(fù)向偏壓來(lái)提高TFT信賴(lài)性。然而,當(dāng)整個(gè)裝置處于工作狀態(tài)時(shí),該方式無(wú)法實(shí)施。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的發(fā)明目的是提供一種有源OLED照明裝置,其電路簡(jiǎn)單,且開(kāi)口率高。
根據(jù)本發(fā)明的有源有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置由外部控制電源供電,包括一個(gè)發(fā)光像素單元或由兩個(gè)以上的發(fā)光像素單元構(gòu)成的發(fā)光像素單元陣列。其中每個(gè)發(fā)光像素單元包括一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管、以及相互對(duì)置的至少一對(duì)TFT組,每個(gè)TFT組包括一個(gè)或多個(gè)TFT,且每個(gè)TFT組的柵極經(jīng)柵極控制線連接到外部控制電源,漏極經(jīng)漏極控制線連接到外 部控制電源,各個(gè)TFT組的源極相互連接并經(jīng)源極控制線共同連接到所述有機(jī)發(fā)光二極管 的陽(yáng)極,所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接地。其中,外部控制電源為每個(gè)發(fā)光像素單元中的所 述至少一對(duì)TFT組提供交流電,以使每個(gè)發(fā)光像素單元中每對(duì)TFT組中的兩個(gè)TFT組交替 為有機(jī)發(fā)光二極管供電。
本發(fā)明的有源OLED照明裝置電路簡(jiǎn)單,發(fā)光均勻性好,發(fā)光像素單元的發(fā)光面積 較大,開(kāi)口率高,且發(fā)光穩(wěn)定性好。另外,由于對(duì)每一個(gè)TFT的均一性要求不高,所以制作良 率也很高,成本也比較低廉。


圖1示出了現(xiàn)有的OLED照明裝置結(jié)構(gòu)示意圖2示出了像素單元包含I個(gè)TFT和2個(gè)電容的AMOLED顯示面板電路示意圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的有源OLED照明裝置基本結(jié)構(gòu)示意圖4示出了外部控制電源向圖3所示的柵極控制線提供的輸入脈沖電壓信號(hào);
圖5示出了作為與圖3所示的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例相對(duì)比的實(shí)施例的有源OLED 照明裝置基本結(jié)構(gòu)示意圖6示出了外部控制電源所能提供的余弦波信號(hào)。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖通過(guò)具體實(shí)施方式
進(jìn)一步詳細(xì)描述本發(fā)明,但本發(fā)明并不僅僅限于 此。
本發(fā)明提供一種有源有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置,其由外部控制電源供電。該有源 有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置包括一個(gè)發(fā)光像素單元或由兩個(gè)以上的發(fā)光像素單元構(gòu)成的發(fā) 光像素單元陣列。每個(gè)發(fā)光像素單元包括一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管、以及相互對(duì)置的至少一對(duì) TFT組。每個(gè)TFT組包括一個(gè)或多個(gè)TFT。當(dāng)每個(gè)TFT組包括兩個(gè)以上的TFT時(shí),所述兩個(gè) 以上的TFT可以串聯(lián)也可以并聯(lián)。在每個(gè)發(fā)光像素單元中,每個(gè)TFT組的柵極經(jīng)柵極控制 線連接到外部控制電源,漏極經(jīng)漏極控制線連接到外部控制電源。各個(gè)TFT組的漏極的輸 入電壓一致,而且,各個(gè)TFT組的源極相互連接并經(jīng)源極控制線共同連接到有機(jī)發(fā)光二極 管的陽(yáng)極,所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接地。另外,外部控制電源為每個(gè)發(fā)光像素單元中的 所述至少一對(duì)TFT組提供交流電,以使其中的每對(duì)TFT組中的兩個(gè)TFT組交替為有機(jī)發(fā)光 二極管供電。
“相互對(duì)置”的含義是指在幾何位置上相對(duì)布置。所述在每個(gè)發(fā)光像素單元中相對(duì) 配置的一對(duì)TFT組,只要幾何位置上相對(duì)布置即可,至于每個(gè)TFT組中的TFT如何配置,用 戶可以根據(jù)需要確定。例如,當(dāng)每個(gè)發(fā)光像素單元包含一對(duì)TFT組時(shí),所述一對(duì)TFT組中的 兩個(gè)TFT組分別設(shè)置于發(fā)光像素單元上下兩側(cè)、左右兩側(cè)、或相對(duì)的對(duì)角的位置;當(dāng)每個(gè)發(fā) 光像素單元包含兩對(duì)TFT組時(shí),所述兩對(duì)TFT組中的四個(gè)TFT組分別設(shè)置于發(fā)光像素單元 的上、下、左、右四側(cè)、或者位于四個(gè)角的位置。
優(yōu)選地,為了簡(jiǎn)化線路,相鄰兩個(gè)發(fā)光像素單元中相鄰的兩個(gè)TFT組的柵極相連 并通過(guò)柵極控制線連接到外部控制電源,且該相鄰兩個(gè)TFT組的漏極相連并通過(guò)漏極控制線連接到外部控制電源。
當(dāng)所述發(fā)光像素單元陣列為一列多行的陣列時(shí),在每個(gè)發(fā)光像素單元中的兩個(gè) TFT組分別設(shè)置于發(fā)光像素單元上下兩側(cè)的情況下,在相鄰兩個(gè)發(fā)光像素單元中的相鄰兩 個(gè)TFT組的柵極連接在一起然后經(jīng)柵極控制線共同連接到外部控制電源,漏極連接在一起 然后經(jīng)漏極控制線連接到外部控制電源;外部控制電源經(jīng)位于奇數(shù)行的柵極控制線與位于 偶數(shù)行的柵極控制線輸入交流電,經(jīng)漏極控制線施加正向偏壓。
當(dāng)所述發(fā)光像素單元陣列為一行多列的陣列時(shí),在每個(gè)發(fā)光像素單元中的兩個(gè) TFT組分別設(shè)置于發(fā)光像素單元左右兩側(cè)的情況下,在相鄰兩個(gè)發(fā)光像素單元中的相鄰兩 個(gè)TFT組的柵極連接在一起然后經(jīng)柵極控制線共同連接于外部控制電源,漏極連接在一起 然后經(jīng)漏極控制線連接于外部控制電源,所述外部控制電源經(jīng)位于奇數(shù)列的柵極控制線與 位于偶數(shù)列的柵極控制線輸入交流電,經(jīng)漏極控制線施加正向偏壓。
當(dāng)所述發(fā)光像素單元陣列的每行、每列包含兩個(gè)以上的發(fā)光像素單元時(shí),在每個(gè) 發(fā)光像素單元中的兩個(gè)TFT組分別設(shè)置于發(fā)光像素單元上下兩側(cè)的情況下,每行的各發(fā)光 像素單元中位于同一側(cè)的TFT組的柵極連接在一起,漏極連接在一起然后經(jīng)漏極控制線共 同連接于外部控制電源;其中,所述發(fā)光像素單元陣列中位于第一行的各發(fā)光像素單元中 的上側(cè)TFT組的柵極連接在一起然后經(jīng)柵極控制線共同連接于外部控制電源,位于最后一 行的各發(fā)光像素單元中的下側(cè)TFT組的柵極連接在一起然后經(jīng)柵極控制線共同連接于外 部控制電源。所述發(fā)光像素單元陣列中相鄰兩行發(fā)光像素單元中的相鄰TFT組的柵極連接 在一起然后經(jīng)柵極控制線共同連接于外部控制電源。外部控制電源經(jīng)位于奇數(shù)行的柵極控 制線與位于偶數(shù)行的柵極控制線輸入交流電,經(jīng)漏極控制線施加正向偏壓。
當(dāng)所述發(fā)光像素單元陣列的每行、每列包含兩個(gè)以上的發(fā)光像素單元時(shí),在每個(gè) 發(fā)光像素單元中的兩個(gè)TFT組分別設(shè)置于發(fā)光像素單元左右兩側(cè)的情況下,在所述發(fā)光像 素單元陣列中,每列的各發(fā)光像素單元中位于同一側(cè)的TFT組的柵極連接在一起,漏極連 接在一起然后經(jīng)漏極控制線共同連接于外部控制電源;其中,所述發(fā)光像素單元陣列中位 于第一列的各發(fā)光像素單元中的左側(cè)TFT組的柵極連接在一起然后經(jīng)柵極控制線共同連 接于外部控制電源,位于最后一列的各發(fā)光像素單元中的右側(cè)TFT組的柵極連接在一起然 后經(jīng)柵極控制線共同連接于外部控制電源。所述發(fā)光像素單元陣列中相鄰兩列發(fā)光像素單 元中的相鄰TFT組的柵極連接在一起然后經(jīng)柵極控制線共同連接于外部控制電源,所述外 部控制電源經(jīng)位于奇數(shù)列的柵極控制線與位于偶數(shù)列的柵極控制線輸入交流電,經(jīng)漏極控 制線施加正向偏壓。
當(dāng)所述發(fā)光像素單元陣列的每行、每列包含兩個(gè)以上的發(fā)光像素單元時(shí),在發(fā)光 像素單元中的兩個(gè)TFT組設(shè)置于發(fā)光像素單元相對(duì)的對(duì)角的位置的情況下,在所述發(fā)光像 素單元陣列中,每行或每列的各發(fā)光像素單元中位于同一側(cè)的TFT組的柵極連接在一起, 漏極連接在一起然后經(jīng)漏極控制線共同連接于外部控制電源;其中,所述發(fā)光像素單元陣 列中位于第一行或第一列的各發(fā)光像素單元中的最外側(cè)的TFT組的柵極連接在一起然后 經(jīng)柵極控制線共同連接于外部控制電源,位于最后一行或最后一列的各發(fā)光像素單元中的 最外側(cè)的TFT組的柵極連接在一起然后經(jīng)柵極控制線共同連接于外部控制電源。所述發(fā) 光像素單元陣列中相鄰兩行或相鄰兩列的發(fā)光像素單元中的相鄰TFT組的柵極連接在一 起然后經(jīng)柵極控制線共同連接到外部控制電源,所述外部控制電源經(jīng)位于奇數(shù)行或奇數(shù)列的柵極控制線與位于偶數(shù)行或偶數(shù)列的柵極控制線輸入交流電,經(jīng)漏極控制線施加正向偏壓。
以上僅給出幾種具體的情況的說(shuō)明。其實(shí),還有更多可能的實(shí)現(xiàn)方式。例如,每個(gè)發(fā)光像素單元包含兩對(duì)TFT組時(shí),所述兩對(duì)TFT組中的四個(gè)TFT組分別設(shè)置于發(fā)光像素單元的上下兩側(cè)和左右兩側(cè)、或者設(shè)置于四個(gè)角的位置。
當(dāng)兩對(duì)TFT組中的四個(gè)TFT組分別設(shè)置于發(fā)光像素單元的四個(gè)側(cè)邊時(shí),例如,在每個(gè)發(fā)光像素單元中,位于上側(cè)和左側(cè)的TFT組的柵極和漏極分別連接在一起,位于下側(cè)和右側(cè)的TFT組的柵極和漏極分別連接在一起。而且,每行、每列中的各個(gè)發(fā)光像素單元中位于同一側(cè)的TFT組的柵極、漏極分別連接在一起。為了進(jìn)一步簡(jiǎn)化線路,相鄰兩個(gè)發(fā)光像素單元中相鄰的兩個(gè)TFT組的柵極和漏極分別連接在一起。
當(dāng)兩對(duì)TFT組中的四個(gè)TFT組分別設(shè)置于發(fā)光像素單元的四個(gè)角的位置時(shí),可以將每行的各發(fā)光像素單元中位于同一側(cè)的TFT組的柵極、漏極分別連接在一起,也可以將每列的各發(fā)光像素單元中位于同一側(cè)的TFT組的柵極、漏極分別連接在一起。
所述外部控制電源提供的交流電可以是脈沖電壓信號(hào)或余弦波信號(hào),從而使每個(gè)發(fā)光像素單元中兩個(gè)TFT組交替為OLED供電。在本發(fā)明的上述有源有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置中,所述TFT可以為非晶硅TFT或多晶硅TFT,所述多晶硅例如可以為低溫多晶硅LTPS。 另外,每個(gè)發(fā)光像素單元面積尺寸可以為ΙΟΟμηιΧΙΟΟμηι到2cmX2cm。
另外,本發(fā)明的有源有機(jī)發(fā)光二極管的各個(gè)發(fā)光像素單元中的有機(jī)發(fā)光二極管可以根據(jù)需要選擇發(fā)白光的有機(jī)發(fā)光二極管、也可以選擇紅色或綠色或其它顏色的有機(jī)發(fā)光二極管。
本發(fā)明由于采用TFT,所以可以單獨(dú)控制每一個(gè)發(fā)光像素單元,發(fā)光均勻性問(wèn)題能得到很好解決,至少能達(dá)到80%以上。而且,當(dāng)某一個(gè)發(fā)光像素單元出現(xiàn)缺陷時(shí),不會(huì)影響其他發(fā)光像素單元,更不會(huì)導(dǎo)致整個(gè)照明裝置發(fā)光失效。
此外,本發(fā)明的照明裝置與有源OLED顯示器相比,由于不象顯示器那樣需要控制每一個(gè)顯示像素灰階變化而必須采用電容器,僅需要TFT即可,從而電路簡(jiǎn)單,因此本發(fā)明具有如下優(yōu)勢(shì)
1、由于電路簡(jiǎn)單且發(fā)光像素單元的發(fā)光面積較大,開(kāi)口率可以高達(dá)65%以上,提高了發(fā)光穩(wěn)定性;
2、本發(fā)明的照明裝置對(duì)每一個(gè)TFT的均一性要求不像顯示器那么高,因此制作良率就會(huì)很高,成本也會(huì)低廉。
3、在工作過(guò)程當(dāng)中,本發(fā)明對(duì)TFT采用了負(fù)向偏壓補(bǔ)償,有效提高了 TFT可靠性, 從而進(jìn)一步提高了本發(fā)明照明裝置的工作壽命。
還有,由于生產(chǎn)有源OLED照明與有源OLED顯示器的生產(chǎn)設(shè)備可以共用,所以一套生產(chǎn)設(shè)備可以根據(jù)市場(chǎng)情況切換是生產(chǎn)有源OLED照明還是生產(chǎn)AMOLED顯示器,從而在制造以及設(shè)備成本上可以較好地控制。
另外,本發(fā)明如果采用非晶硅TFT制作,則生產(chǎn)設(shè)備和工藝成熟、簡(jiǎn)單,生產(chǎn)良率聞,且容易大面積化。
本發(fā)明將有源方式適用于OLED照明,使得利用本發(fā)明更容易制作大面積照明光源。
下面給出根據(jù)本發(fā)明所制作的有源有機(jī)發(fā)光二極管的照明裝置的幾個(gè)具體實(shí)施例。
實(shí)施例(一)
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一種有源OLED照明裝置等效電路圖。圖4示出了外部控制電源提供到柵極控制線的輸入電壓信號(hào),即脈沖電壓信號(hào)。
如圖3所示,本發(fā)明的有源OLED照明裝置由外部控制電源供電,包括由6個(gè)發(fā)光像素單元11、12、21、22、31、和32組成的三行兩列陣列。每個(gè)發(fā)光像素單元包括設(shè)置于上下兩側(cè)的一對(duì)TFT組、和一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管,該一對(duì)TFT組中的兩個(gè)TFT組分別與有機(jī)發(fā)光二極管連接。
本實(shí)施例以發(fā)光像素單元的面積為O. 5mmXO. 5mm, TFT類(lèi)型為非晶硅為例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明。假設(shè)TFT的電子遷移率Ueff S0.5cm2/Vs,單位面積柵氧化層電容Cm 為2. 44X10_4F/m2,柵極源極電壓與閾值電壓之差Vgs-Vth為6V,TFT溝道寬長(zhǎng)比W/L為 25 μ m/6 μ m,則根據(jù)如下公式I可以得到,TFT
權(quán)利要求
1.一種有源有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置,其由外部控制電源供電,其特征在于,該有源有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置包括一個(gè)發(fā)光像素單元或由兩個(gè)以上的發(fā)光像素單元構(gòu)成的發(fā)光像素單元陣列,每個(gè)發(fā)光像素單元包括一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管、以及相互對(duì)置的至少一對(duì)TFT組,每個(gè)TFT組包含一個(gè)或多個(gè)TFT,且每個(gè)TFT組的柵極經(jīng)柵極控制線連接到外部控制電源,漏極經(jīng)漏極控制線連接到外部控制電源,各個(gè)TFT組的源極相互連接并經(jīng)源極控制線共同連接到所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極,所述有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接地,其中,外部控制電源為每個(gè)發(fā)光像素單元中的所述至少一對(duì)TFT組提供交流電,以使每個(gè)發(fā)光像素單元中每對(duì)TFT組中的兩個(gè)TFT組交替為有機(jī)發(fā)光二極管供電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置,其特征在于,當(dāng)每個(gè)發(fā)光像素單元包含一對(duì)TFT組時(shí),所述一對(duì)TFT組中的兩個(gè)TFT組分別設(shè)置于發(fā)光像素單元上下兩側(cè)、左右兩側(cè)、或相對(duì)的對(duì)角的位置;當(dāng)每個(gè)發(fā)光像素單元包含兩對(duì)TFT組時(shí),所述兩對(duì)TFT組中的四個(gè)TFT組分別設(shè)置于發(fā)光像素單元的上下兩側(cè)和左右兩側(cè)、或者位于四個(gè)角的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置,其特征在于,相鄰兩個(gè)發(fā)光像素單元中相鄰的兩個(gè)TFT組的柵極相連并通過(guò)柵極控制線連接到外部控制電源,且該相鄰兩個(gè)TFT組的漏極相連并通過(guò)漏極控制線連接到外部控制電源。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置,其特征在于,當(dāng)所述發(fā)光像素單元陣列為一行多列的陣列且每個(gè)發(fā)光像素單元包含左右對(duì)置的一對(duì)TFT組的情況下,在相鄰兩個(gè)發(fā)光像素單元中的相鄰的兩個(gè)TFT組的柵極連接在一起然后經(jīng)柵極控制線共同連接于外部控制電源,漏極連接在一起然后經(jīng)漏極控制線連接于外部控制電源;外部控制電源經(jīng)位于奇數(shù)列的柵極控制線與位于偶數(shù)列的柵極控制線輸入交流電,經(jīng)漏極控制線施加正向偏壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置,其特征在于,當(dāng)所述發(fā)光像素單元陣列為一列多行的陣列且每個(gè)發(fā)光像素單元包含上下對(duì)置的一對(duì)TFT組的情況下,在相鄰兩個(gè)發(fā)光像素單元中的相鄰兩個(gè)TFT組的柵極連接在一起然后經(jīng)柵極控制線共同連接于外部控制電源,漏極連接在一起然后經(jīng)漏極控制線連接于外部控制電源;所述外部控制電源經(jīng)位于奇數(shù)行的柵極控制線與位于偶數(shù)行的柵極控制線輸入交流電,經(jīng)漏極控制線施加正向偏壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置,其特征在于,當(dāng)所述發(fā)光像素單元陣列的每行、每列包含兩個(gè)以上的發(fā)光像素單元時(shí),在每個(gè)發(fā)光像素單元包含上下對(duì)置的一對(duì)TFT組的情況下,在所述發(fā)光像素單元陣列中,每行的各發(fā)光像素單元中位于同一側(cè)的TFT組的柵極連接在一起,漏極連接在一起然后經(jīng)漏極控制線共同連接于外部控制電源;其中,所述發(fā)光像素單元陣列中位于第一行的各發(fā)光像素單元中的上側(cè)TFT組的柵極連接在一起然后經(jīng)柵極控制線共同連接于外部控制電源,位于最后一行的各發(fā)光像素單元中的下側(cè)TFT組的柵極連接在一起然后經(jīng)柵極控制線共同連接于外部控制電源,所述發(fā)光像素單元陣列中相鄰兩行發(fā)光像素單元中的相鄰TFT組的柵極連接在一起然后經(jīng)柵極控制線共同連接于外部控制電源,外部控制電源經(jīng)位于奇數(shù)行的柵極控制線與位于偶數(shù)行的柵極控制線輸入交流電,經(jīng)漏極控制線施加正向偏壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置,其特征在于,當(dāng)所述發(fā)光像素單元陣列的每行、每列包含兩個(gè)以上的發(fā)光像素單元時(shí),在每個(gè)發(fā)光像素單元包含左右對(duì)置的一對(duì)TFT組的情況下,在所述發(fā)光像素單元陣列中,每列的各發(fā)光像素單元中位于同一側(cè)的TFT組的柵極連接在一起,漏極連接在一起然后經(jīng)漏極控制線共同連接于外部控制電源;其中,所述發(fā)光像素單元陣列中位于第一列的各發(fā)光像素單元中的左側(cè)TFT組的柵極連接在一起然后經(jīng)柵極控制線共同連接于外部控制電源,位于最后一列的各發(fā)光像素單元中的右側(cè)TFT組的柵極連接在一起然后經(jīng)柵極控制線共同連接于外部控制電源,相鄰兩列發(fā)光像素單元中的相鄰TFT組的柵極連接在一起然后經(jīng)柵極控制線共同連接于外部控制電源,外部控制電源經(jīng)位于奇數(shù)列的柵極控制線與位于偶數(shù)列的柵極控制線輸入交流電,經(jīng)漏極控制線施加正向偏壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置,其特征在于,當(dāng)所述發(fā)光像素單元陣列的每行、每列包含兩個(gè)以上的發(fā)光像素單元時(shí),每個(gè)發(fā)光像素單元包含設(shè)置在相對(duì)的對(duì)角的一對(duì)TFT組的情況下,在所述發(fā)光像素單元陣列中,每行或每列的各發(fā)光像素單元中位于同一側(cè)的TFT組的柵極連接在一起,漏極連接在一起然后經(jīng)漏極控制線共同連接于外部控制電源;其中,所述發(fā)光像素單元陣列中位于第一行或第一列的各發(fā)光像素單元中的最外側(cè)的TFT組的柵極連接在一起然后經(jīng)柵極控制線共同連接于外部控制電源,位于最后一行或最后一列的各發(fā)光像素單元中的最外側(cè)的TFT組的柵極連接在一起然后經(jīng)柵極控制線共同連接于外部控制電源;相鄰兩行或相鄰兩列的發(fā)光像素單元中的相鄰TFT組的柵極連接在一起然后經(jīng)柵極控制線共同連接到外部控制電源,外部控制電源經(jīng)位于奇數(shù)行或奇數(shù)列的柵極控制線與位于偶數(shù)行或偶數(shù)列的柵極控制線輸入交流電,經(jīng)漏極控制線施加正向偏壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任何一項(xiàng)所述的有源有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置,其特征在于,當(dāng)每個(gè)TFT組包括兩個(gè)以上的TFT時(shí),所述兩個(gè)以上的TFT并聯(lián)或者串聯(lián)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任何一項(xiàng)所述的有源有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置,其特征在于,所述TFT為非晶硅或多晶硅TFT。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任何一項(xiàng)所述的有源有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置,其特征在于,在每個(gè)發(fā)光像素單元中,所述至少一對(duì)TFT組中各個(gè)TFT組的漏極電位相同。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任何一項(xiàng)所述的有源有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置,其特征在于,由所述外部控制電源所輸入的交流電為脈沖電壓信號(hào)或余弦波信號(hào)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任何一項(xiàng)所述的有源有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置,其特征在于,每個(gè)發(fā)光像素單元面積尺寸范圍為100 μ mX 100 μ m到2cmX2cm。
全文摘要
本發(fā)明提供一種有源有機(jī)發(fā)光二極管照明裝置,其由外部控制電源供電,包括一個(gè)發(fā)光像素單元或由兩個(gè)以上的發(fā)光像素單元構(gòu)成的發(fā)光像素單元陣列。每個(gè)發(fā)光像素單元包括一個(gè)有機(jī)發(fā)光二極管、以及相互對(duì)置的至少一對(duì)TFT組,每個(gè)TFT組包括一個(gè)或多個(gè)TFT,且每個(gè)TFT組的柵極經(jīng)柵極控制線連接到外部控制電源,漏極經(jīng)漏極控制線連接到外部控制電源,各個(gè)TFT組的源極相互連接并經(jīng)源極控制線共同連接到有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極,有機(jī)發(fā)光二極管的陰極接地。外部控制電源為每個(gè)發(fā)光像素單元中的兩個(gè)TFT組提供交流電,以使每個(gè)發(fā)光像素單元中兩個(gè)TFT組交替為有機(jī)發(fā)光二極管供電。本發(fā)明的照明裝置,電路簡(jiǎn)單,開(kāi)口率高,使用壽命長(zhǎng)。
文檔編號(hào)G09G3/32GK103021325SQ20111029535
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2011年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月27日
發(fā)明者邱勇, 吳空物 申請(qǐng)人:昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司, 清華大學(xué), 北京維信諾科技有限公司
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