專利名稱：：波形發(fā)生器及使用該波形發(fā)生器的等離子體顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種波形發(fā)生器以及使用該波形發(fā)生器的等離子體顯示面板。
背景技術(shù)：
：等離子體顯示面板(PDP)通過使用在惰性氣體混合物的放電期間產(chǎn)生的147nm的紫外(UV)線從熒光材料發(fā)光來顯示圖像。近來，隨著技術(shù)的發(fā)展，可以容易地將PDP制造的薄而大，并使其提供畫面質(zhì)量顯著提高的圖像。在PDP中，為了實(shí)現(xiàn)圖像的灰度級(jí)，一幀被劃分為多個(gè)子場(chǎng)，每個(gè)子場(chǎng)具有不同數(shù)量的將被驅(qū)動(dòng)的發(fā)射物(emission)。根據(jù)放電次數(shù)，每個(gè)子場(chǎng)被劃分為用于初始化整個(gè)屏幕的復(fù)位時(shí)間段、用于選擇將被導(dǎo)通的單元(cell)的尋址時(shí)間段和用于實(shí)現(xiàn)灰度級(jí)的維持時(shí)間段。在PDP中，為了顯示圖像，各種形狀的驅(qū)動(dòng)波形被提供給電極。例如，等離子體顯示裝置提供斜波和方波來掃描電極，從而顯示圖像。因此，等離子體顯示裝置的掃描驅(qū)動(dòng)器包括用于產(chǎn)生斜波的開關(guān)元件和用于產(chǎn)生方波的開關(guān)元件，這增大了制造成本。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例，提供了一種能夠使用一個(gè)開關(guān)元件產(chǎn)生方波和斜波的波形發(fā)生器以及一種使用所述波形發(fā)生器的PDP。在本發(fā)明示例性實(shí)施例中，波形發(fā)生器包括第一晶體管，具有漏極、柵極和源極。第一電阻器和第一二極管結(jié)合在第一輸入端和柵極之間的公共節(jié)點(diǎn)。第二電阻器結(jié)合在柵極和第二輸入端之間。第一電容器結(jié)合在第一電阻器和第一二極管之間的公共節(jié)點(diǎn)與漏極之間。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一電阻器是可變電阻器。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一晶體管的漏極結(jié)合到維持電源，第一晶體管的源極結(jié)合到輸出端，從而當(dāng)高電壓被施加到第一輸入端時(shí)提供上升的斜波波形。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一晶體管的漏極結(jié)合到輸出端，第一晶體管的源極結(jié)合到基本電源，從而當(dāng)高電壓被施加到第一輸入端時(shí)提供下降的斜波波形。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，連接第一二極管，以允許電流從第一電阻器流向第一晶體管的4冊(cè)極。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，所述波形發(fā)生器還包括結(jié)合在第一晶體管的柵極和第一輸入端之間的第三二極管，用于允許電流從第一晶體管的柵極流向第一輸入端。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，所述波形發(fā)生器還包括結(jié)合在第二電阻器和第一晶體管的柵極之間的第二二極管，用于允許電流從第二電阻器流向第一晶體管的4冊(cè)極。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，所述波形發(fā)生器還包括結(jié)合在第一電容器和第一晶體管的漏極之間的穩(wěn)壓器。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，穩(wěn)壓器包括第四二極管，結(jié)合為允許電流從第一電容器流向第一晶體管的漏極；第三電阻器，與第四二極管并聯(lián)。在本發(fā)明示例性實(shí)施例中，提供了一種等離子體顯示裝置，包括放電單元，位于掃描電極、維持電極和尋址電極的交叉區(qū)域；掃描驅(qū)動(dòng)器。掃描驅(qū)動(dòng)器包括選擇電路，用于選擇性地將第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的電壓提供給掃描電極；電容器，結(jié)合在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間；第一波形發(fā)生器，結(jié)合到用于提供基本電源電壓的基本電源，第一波形發(fā)生器被構(gòu)造為交替地向第二節(jié)點(diǎn)提供快速下降到基本電源電壓的快速下降的波形和以一定的斜率下降到基本電源電壓的下降的斜波波形；第二波形發(fā)生器，結(jié)合到用于提供維持電源電壓的維持電源，第二波形發(fā)生器被構(gòu)造為向第一節(jié)點(diǎn)提供快速增加到維持電源電壓的快速增加的波形和以一定的斜率上升到維持電源電壓的上升的斜波形波；能量回收電路，用于向掃描電極提供維持脈沖；掃描脈沖提供器，結(jié)合在第一節(jié)點(diǎn)和掃描電源之間。第一波形發(fā)生器和第二波形發(fā)生器中的每個(gè)包括第一晶體管，具有漏極、柵極和源極；第一電阻器和第一二極管，結(jié)合在第一輸入端和柵極之間的公共節(jié)點(diǎn)；第二電阻器，結(jié)合在柵極和第二輸入端之間；第一電容器，結(jié)合在第一電阻器和第一二極管之間的公共節(jié)點(diǎn)與漏極之間。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一電阻器是可變電阻器。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一波形發(fā)生器的第一晶體管的漏極結(jié)合到第二節(jié)點(diǎn)，第一波形發(fā)生器的第一晶體管的源極結(jié)合到基本電源。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第二波形發(fā)生器的第一晶體管的漏極結(jié)合到維持電源，第二波形發(fā)生器的第一晶體管的源極結(jié)合到第一節(jié)點(diǎn)。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，連接第一二極管，以允許電流從第一電阻器流向柵極。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，所述等離子體顯示裝置還包括結(jié)合在柵極和第一輸入端之間的第三二極管，用于允許電流從柵極流向第一輸入端。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，所述等離子體顯示裝置還包括結(jié)合在第二電阻器和柵極之間的第二二極管，用于允許電流,人第二電阻器流向4冊(cè)極。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，所述等離子體顯示裝置還包括結(jié)合在第一電容器和漏才及之間的穩(wěn)壓器。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，穩(wěn)壓器包括第四二極管，結(jié)合為允許電流從第一電容器流向漏極；第三電阻器，與第四二極管并聯(lián)。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，能量回收電路包括源電容器，用于充入從掃描電極回收的電壓；電感器，結(jié)合在源電容器和掃描電極之間；第二晶體管，結(jié)合在電感器和第二節(jié)點(diǎn)之間，被構(gòu)造為在電壓從掃描電極提供給源電容器時(shí)導(dǎo)通；第三晶體管，結(jié)合在電感器和第一節(jié)點(diǎn)之間，被構(gòu)造為在電壓從源電容器提供給掃描電極時(shí)導(dǎo)通。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，在第二晶體管導(dǎo)通之后，第一波形發(fā)生器將基本電源電壓提供給掃描電極。此外，在第三晶體管導(dǎo)通之后，第二波形發(fā)生器將維持電源電壓提供給掃描電極。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，所述等離子體顯示裝置還包括位于第一輸入端和第一電阻器之間以及第二輸入端和第二電阻器之間的集成電路。集成電路包括第一集成電路晶體管和第二集成電路晶體管，結(jié)合在第i通道的第一電源和基本電源之間，其中，i是自然數(shù)。第一集成電路晶體管和第二集成電路晶體管的公共端結(jié)合到第一電阻器。集成電路還包括第三集成電路晶體管和第四集成電路晶體管，結(jié)合在第i+l通道的第一電源和基本電源之間。第三集成電路晶體管和第四集成電路晶體管的公共端結(jié)合到第二電阻器。集成電路還包括OR門，對(duì)從第一輸入端和第二輸入端提供的電壓執(zhí)行OR運(yùn)算，以將OR運(yùn)算結(jié)果提供給第一集成電路晶體管和第二集成電路晶體管的柵極；第一反相器，將OR運(yùn)算結(jié)果反相，并將反相的OR運(yùn)算結(jié)果提供給第二集成電路晶體管；第二反相器，將第二輸入端提供的電壓反相，并將反相的電壓提供給第四集成電路晶體管。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，所述等離子體顯示裝置還包括位于第一輸入端和第一電阻器之間以及第二輸入端和第二電阻器之間的集成電路。集成電路包括第一集成電路晶體管和第二集成電路晶體管，結(jié)合在第i通道的第一電源和基本電源之間。第一集成電路晶體管和第二集成電路晶體管的公共端結(jié)合到第一電阻器。集成電路還包括第三集成電路晶體管和第一集成電路電阻器，結(jié)合在第i+l通道的第一電源和基本電源之間。第三集成電路晶體管和第一集成電路電阻器的公共端結(jié)合到第二電阻器。集成電路還包括NOR門，對(duì)從第一輸入端和第二輸入端提供的電壓執(zhí)行NOR運(yùn)算，以將NOR運(yùn)算結(jié)果提供給第二集成電路晶體管的柵極。在本發(fā)明的一個(gè)示例性實(shí)施例中，所述等離子體顯示裝置還包括位于第一輸入端和第一電阻器之間以及第二輸入端和第二電阻器之間的集成電路。集成電路包括第一集成電路晶體管和第一集成電路電阻器，結(jié)合在第i通道的第一電源和基本電源之間。第一集成電路晶體管和第一集成電路電阻器的公共端結(jié)合到第一電阻器。集成電路還包括第二集成電路晶體管和第二集成電路電阻器，結(jié)合在第i+l通道的第一電源和基本電源之間。第二集成電路晶體管和第二集成電路電阻器的公共端結(jié)合到第二電阻器。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，集成電路還包括第三集成電路晶體管，結(jié)合在第一晶體管的柵極和基本電源之間；NOR門，結(jié)合到第三集成電路晶體管的柵極，第一輸入端和第二輸入端一皮輸入到NOR門。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第一輸入端結(jié)合到第一集成電路晶體管的柵極，第二輸入端結(jié)合到第二集成電路晶體管的柵極。通過下面結(jié)合附圖對(duì)特定示例性實(shí)施例進(jìn)行的描述，本發(fā)明的這些和/或其他實(shí)施例和特點(diǎn)將會(huì)變得更加清楚和更容易理解，其中圖1A和圖1B示出根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的波形發(fā)生器；圖2示出圖1A和圖1B所示的第一電容器的寄生電容；圖3示出根據(jù)本發(fā)明第二示例性實(shí)施例的波形發(fā)生器；圖4A和圖4B示出根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的波形發(fā)生器；圖5示出使用傳統(tǒng)門集成電路(gateintegratedcircuit)向波形發(fā)生器提供電源的示例；圖6示出門集成電路被改變以向波形發(fā)生器提供電源的第一示例性實(shí)施例；圖7示出門集成電路被改變以向波形發(fā)生器提供電源的第二示例性實(shí)施例；圖8示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的波形發(fā)生器的仿真結(jié)果；圖9示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的波形發(fā)生器一皮應(yīng)用于掃描驅(qū)動(dòng)器的示例；圖10示出在維持時(shí)間段提供給掃描電極的維持脈沖和開關(guān)的操作過程；圖IIA至圖IID示出對(duì)應(yīng)于圖10的操作過程的電流路徑；圖12示出在復(fù)位時(shí)間段和尋址時(shí)間段提供給掃描電極的驅(qū)動(dòng)波形和開關(guān)的操作過程；圖13A至圖13D示出通過圖12的驅(qū)動(dòng)波形產(chǎn)生的電流路徑；圖14示出在復(fù)位時(shí)間段和尋址時(shí)間段提供給掃描電極的驅(qū)動(dòng)波形的另一示例性實(shí)施例；圖15是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子體顯示裝置的示意圖。具體實(shí)施例方式下面將參照附圖來描述根據(jù)本發(fā)明的特定示例性實(shí)施例。這里，當(dāng)?shù)谝辉幻枋鰹榻Y(jié)合至第二元件時(shí)，該第一元件可以直接結(jié)合至第二元件，或者，該第一元件可以經(jīng)第三元件間接結(jié)合至第二元件。此外，為了簡(jiǎn)明，略掉了對(duì)全面理解本發(fā)明不重要的一些元件。此外，相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件。圖1A和圖1B示出根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的波形發(fā)生器。參照?qǐng)D1A和圖1B,根據(jù)本發(fā)明第一示例性實(shí)施例的波形發(fā)生器包括第一晶體管Q1、結(jié)合在第一晶體管Q1的柵極和漏極之間的第一電容器Cl、結(jié)合在第一晶體管Ql的柵極和第一電容器Cl之間的第一二極管Dl、結(jié)合在第一輸入端R和第一二極管D1之間的第一電阻器Rl以及結(jié)合在第二輸入端H和第一晶體管Ql的斥冊(cè)極之間的第二電阻器R2。第一晶體管Ql的漏極結(jié)合至維持電源Vs，或者用作輸出端Vout,第一晶體管Ql的源極結(jié)合至基本電源GND,或者用作輸出端Vout。當(dāng)提供上升的斜波時(shí)，如圖1A所示，第一晶體管Ql的漏極結(jié)合至維持電源Vs,第一晶體管Q1的源極用作輸出端Vout。隨后，當(dāng)提供下降的斜波時(shí)，如圖IB所示，第一晶體管Ql的源極結(jié)合至基本電源GND,第一晶體管Ql的漏極用作輸出端Vout。第一晶體管Ql為各種晶體管之一，如雙極結(jié)晶體管(BJT)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。第一晶體管Ql對(duì)應(yīng)于向其柵極提供的電壓，向輸出端Vout提供斜波或方波(硬切換)。第二輸入端H經(jīng)第二電阻器R2向第一晶體管Ql的柵極提供電壓(低電壓或高電壓)。相應(yīng)地，第一晶體管Q1向輸出端Vout提供快速上升或快速下降的電壓。第一輸入端R經(jīng)第一電阻器R1向第一晶體管Q1的柵極提供電壓(低電壓或高電壓)。相應(yīng)地，第一晶體管Q1向輸出端Vout提供下降的斜波波形的電壓或上升的斜波波形的電壓。第一電阻器R1是可變電阻器?？刂频谝浑娮杵鱎1的電阻值，從而能夠控制斜波的斜率。第一二極管Dl結(jié)合在第一電阻器R1和第一晶體管Ql的柵極之間。第一二極管Dl防止第二輸入端H經(jīng)第二電阻器R2提供的電壓被提供給第一電容器Cl。第一電容器Cl結(jié)合在第一晶體管Ql的漏極和在第一二極管Dl和第一電阻器Rl之間的節(jié)點(diǎn)之間。第一電容器Cl在第一晶體管Ql的漏極和柵極之間緩慢地放電，從而產(chǎn)生斜波。如圖2所示，在第一晶體管Ql的柵極和源極之間形成寄生電容Cgs,在第一晶體管Ql的漏極和柵極之間形成寄生電容Cdg。當(dāng)?shù)谝痪w管Ql的柵電壓被設(shè)置為不小于閾值電壓Vth的電壓時(shí)，形成溝道，從而電流在第一晶體管Ql的漏極和源極之間流過。當(dāng)柵電壓^皮i殳置為不小于閾值電壓Vth的電壓時(shí)，寄生電容Cgs被充電，寄生電容Cdg被放電。在寄生電容Cdg的電壓被完全放電時(shí)，第一晶體管Ql的柵極和源極之間的電壓被設(shè)置為闊值電壓Vth。在第一晶體管Qi的柵極和源極之間的電壓被設(shè)置為閾值電壓Vth時(shí)，輸出波形的斜率被確定。在一般驅(qū)動(dòng)方法中，由于寄生電容Cdg的大小可以忽略，所以第一晶體管Ql執(zhí)行快速下降或上升硬切換操作。根據(jù)本發(fā)明，第一電容器C1被添加以增加第一晶體管Q1的柵極和漏極之間的電容器的電容量，從而產(chǎn)生斜波。根據(jù)第一晶體管Ql的柵極的電阻和第一電容器C1的電容量來確定斜波的斜率。即，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例，控制第一電阻器Rl(可變電阻器)的電阻值，從而可確定斜波的斜率?，F(xiàn)在將描述操作過程。首先，當(dāng)高電壓被提供給第一輸入端R時(shí)，由于第一電阻器R1和第一電容器Cl,從第一晶體管Q1輸出斜波。當(dāng)如圖IA所示進(jìn)行連接時(shí)，以一定的斜率從維持電源Vs下降的斜脈沖被施加到輸出端Vout。當(dāng)如圖1B所示進(jìn)行連接時(shí)，從輸出端Vout的任意電壓下降到基本電源GND的電壓的斜脈沖被施加到輸出端Vout。當(dāng)高電壓被提供給第二輸入端H時(shí)，第一電容器Q1導(dǎo)通。因此，當(dāng)如圖1A所示進(jìn)行連接時(shí)，維持電源Vs被提供給輸出端Vout,當(dāng)如圖IB所示進(jìn)行連接時(shí)，基本電源GND的電壓被提供給輸出端Vout。另一方面，如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的波形發(fā)生器可另外包括位于第二電阻器R2和第一晶體管Ql的柵極之間的第二二極管D2以及結(jié)合在第一晶體管Ql的柵極和第一輸入端R之間的第三二極管D3。第二二極管D2防止第一晶體管Ql的柵極將不必要的電流提供給第二電阻器R2。形成第三二極管D3，以使電流可從第一晶體管Ql的柵極流到第一輸入端R。第三二極管D3提供第一晶體管Ql的柵極的電壓可快速下降的路徑。圖4A和圖4B示出根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的波形發(fā)生器。在圖4A和圖4B中，與圖1A和圖IB中的部件相同的部件用相同的標(biāo)號(hào)來表示，并略去其詳細(xì)描述。參照?qǐng)D4A和圖4B，根據(jù)本發(fā)明第三示例性實(shí)施例的波形發(fā)生器另外包括第一電容器Cl和第一晶體管Ql的漏極之間的穩(wěn)壓器4。穩(wěn)壓器4防止第一晶體管Ql的漏極電壓的改變影響第一晶體管Ql的4冊(cè)才及電壓。因此，穩(wěn)壓器4包括位于第一電容器C1和第一晶體管Ql的漏極之間的第四二極管D4以及與第四二極管D4并聯(lián)的第三電阻器R3。設(shè)置第四二極管D4，以使電流可從第一電容器Cl流向第一晶體管Ql的漏極。第三電阻器R3與第四二極管D4并聯(lián)。第三電阻器R3防止第一晶體管Ql的漏極電壓的改變影響第一晶體管Ql的柵極電壓。圖5示出使用傳統(tǒng)門集成電路6向波形發(fā)生器提供電源的示例。在圖5中，為了方便，假設(shè)第一晶體管Q1的漏極與維持電源Vs結(jié)合。參照?qǐng)D5,門集成電路6包括分別按照通道設(shè)置的晶體管Q10和Qll以及晶體管Q12和Q13，以及與第11晶體管Qll和第13晶體管Q13分別結(jié)合的反相器10和11。分別"t安照通道設(shè)置的晶體管Q10和Qll以及Q12和Q13被串聯(lián)地設(shè)置在第一電源VCC和基本電源GND之間。第10晶體管Q10和第12晶體管Q12與第一電源VCC結(jié)合，第11晶體管Qll和第13晶體管Q13與基本電源GND結(jié)合。第10晶體管Q10和第11晶體管Qll的公共端與第一電阻器R1結(jié)合。第12晶體管Q12和第13晶體管Q13的公共端與第二電阻器R2結(jié)合。第一輸入端R與OR門8的輸入端結(jié)合。第二輸入端H與OR門8的輸入端、第二反相器11以及第12晶體管Q12的柵極結(jié)合。OR門8的輸出端與第一反相器10和第10晶體管Q10的柵極結(jié)合。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>在上面的表l中，0表示低電壓，l表示高電壓，H/S表示硬切換狀態(tài)?，F(xiàn)在將參照表1和圖5描述操作過程。首先，0^皮輸入到第一輸入端R和第二輸入端H。當(dāng)0凈皮輸入到第一輸入端R和第二車lr入端H時(shí)，OR門8輸出0。因此，與OR門8結(jié)合的第11晶體管Qll導(dǎo)通，基本電源GND被提供給第一電阻器Rl。當(dāng)0被提供給第二輸入端H時(shí)，第13晶體管Q13導(dǎo)通，從而基本電源GND被提供給第二電阻器R2。在這種情況下，在先前時(shí)間段施加到第一晶體管Ql的柵極的電壓經(jīng)第三二極管D3快速降低到基本電源GND，從而第一晶體管Q1截止。當(dāng)0被輸入到第一輸入端R而且1一皮輸入到第二輸入端H時(shí)，OR門8輸出1。當(dāng)OR門8輸出l時(shí)，第10晶體管Q10導(dǎo)通。因此，第一電源VCC的電壓被提供給第一電阻器R1。當(dāng)1被提供給第二輸入端H時(shí)，第12晶體管Q12導(dǎo)通，從而第一電源VCC的電壓被提供給第二電阻器R2。在這種情況下，第一晶體管Q1根據(jù)通過第二電阻器R2提供的電壓硬切換。因此，維持電源Vs被輸出到輸出端Vout。當(dāng)1^皮輸入到第一輸入端R而且1一皮輸入到第二輸入端H時(shí)，OR門8輸出1。當(dāng)OR門8輸出1時(shí)，第10晶體管Q10導(dǎo)通，從而第一電源VCC的電壓被提供給第一電阻器R1。當(dāng)1被輸入到第二輸入端H時(shí)，第12晶體管Q12導(dǎo)通，從而第一電源VCC的電壓被提供給第二電阻器R2。在這種情況下，第一晶體管Q1根據(jù)通過第二電阻器R2提供的電壓硬切換。因此，維持電源Vs被輸出到輸出端Vout。當(dāng)1一皮輸入到第一輸入端R而且0一皮輸入到第二IIT入端H時(shí)，OR門8輸出1。當(dāng)OR門8輸出1時(shí)，第10晶體管Q10導(dǎo)通，從而第一電源VCC的電壓被提供給第一電阻器R1。當(dāng)0被提供給第二輸入端H時(shí)，第13晶體管Q13導(dǎo)通，從而基本電源GND的電壓被提供給第二電阻器R2。在這種情況下，對(duì)應(yīng)于施加到第一電阻器Rl的電壓，第一晶體管Ql向輸出端Vout提供從維持電源Vs以預(yù)定的斜率下降的斜波波形。如上所述，4艮據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的波形發(fā)生器與傳統(tǒng)的門集成電路6結(jié)合，從而被穩(wěn)定地驅(qū)動(dòng)。另一方面，根據(jù)本發(fā)明另外的示例性實(shí)施例，門集成電路的結(jié)構(gòu)被部分改變，以驅(qū)動(dòng)波形發(fā)生器。圖6示出門集成電路被改變以向波形發(fā)生器提供電源的第一示例性實(shí)施例。參照?qǐng)D6,門集成電路6'包括位于第j(j是奇數(shù)或偶數(shù))通道中的第一電源VCC和基本電源GND之間的第10晶體管Q10'和第11晶體管Qll',以及位于第j+l通道中的第一電源VCC和基本電源GND之間的第12晶體管Q12'和第十電阻器R10。第十電阻器R10的電阻值大于第一電阻器R1和第二電阻器R2的電阻值。第10晶體管Q10'和第11晶體管Q11'的公共端與第一電阻器R1結(jié)合。第12晶體管Q12'和第十電阻器R10的公共端與第二電阻器R2結(jié)合。第10晶體管Q10'的柵極與第一輸入端R結(jié)合，第12晶體管Q12'的柵極與第二輸入端H結(jié)合。第11晶體管Qll'的柵極與NOR門10的輸出端結(jié)合。NOR門10對(duì)第一輸入端R和第二輸入端H提供的電壓執(zhí)行NOR運(yùn)算?，F(xiàn)在將參照表1和圖6來描述操作過程。當(dāng)?shù)谝惠斎攵薘和第二輸入端H輸入0時(shí)，NOR門10輸出1。當(dāng)NOR門10輸出1時(shí)，第11晶體管Qll'.導(dǎo)通，從而基本電源GND被提供給第一晶體管Ql的柵極。當(dāng)0被輸入到第一輸入端R和第二輸入端H時(shí)，第10晶體管Q10'和第12晶體管Q12'截止。因此，在先前時(shí)間段施加到第一晶體管Ql的柵極的電壓經(jīng)第11晶體管Qll'快速降低，從而第一晶體管Ql截止。當(dāng)0被輸入到第一輸入端R而且1被輸入到第二輸入端H時(shí)，NOR門10輸出0。當(dāng)NOR門10輸出0時(shí)，第11晶體管Qll'截止。當(dāng)0被輸入到第一輸入端R時(shí)，與第一輸入端R結(jié)合的第10晶體管Q10'截止。當(dāng)l被輸入到第二輸入端H時(shí)，第12晶體管Q12'導(dǎo)通，從而第一電源VCC的電壓被提供給第二電阻器R2。在這種情況下，第一晶體管Ql才艮據(jù)通過第二電阻器R2提供的電壓硬切換。因此，維持電源Vs被輸出到輸出端Vout。當(dāng)1被輸入到第一輸入端R而且1被輸入到第二輸入端H時(shí)，NOR門10輸出0。當(dāng)NOR門10輸出0時(shí)，第11晶體管Qll'截止。當(dāng)1被輸入到第一輸入端R時(shí)，第10晶體管Q10'導(dǎo)通，從而第一電源VCC的電壓被施加到第一電阻器R1。當(dāng)1被輸入到第二輸入端H時(shí)，第12晶體管Q12'導(dǎo)通，從而第一電源VCC的電壓被提供給第二電阻器R2。在這種情況下，第一晶體管Ql根據(jù)通過第二電阻器R2提供的電壓硬切換。因此，維持電源Vs被車#出到1#出端Vout。當(dāng)1被輸入到第一輸入端R而且0被輸入到第二輸入端H時(shí)，NOR門10輸出0。當(dāng)NOR門10輸出0時(shí)，第11晶體管Qll'截止。當(dāng)1被輸入到第一輸入端R時(shí)，第10晶體管Q10'導(dǎo)通，從而第一電源VCC的電壓被提供給第一電阻器R1。當(dāng)04皮輸入到第二輸入端H時(shí)，第12晶體管Q12'截止。在這種情況下，對(duì)應(yīng)于施加到第一電阻器R1的電壓，第一晶體管Q1向輸出端Vout提供從維持電源Vs以一定的斜率(如預(yù)定的斜率)下降的斜波波形。圖7示出門集成電路被改變以向波形發(fā)生器提供電源的第二示例性實(shí)施例。在圖7中，晶體管和電阻器分別位于門集成電路6"的通道中。參照?qǐng)D7，門集成電路6"的通道分別包括晶體管Q10"和電阻器R10'以及晶體管Qll"和電阻器Rll。門集成電路6"的兩個(gè)通道包括NOR門12和第13晶體管Q13。第10電阻器R10'的電阻值大于第一電阻器R1和第二電阻器R2的電阻值。第10晶體管Q10"和第10電阻器R10'的公共端與第一電阻器R1結(jié)合。位于第i通道的第10晶體管Q10"的^H及與第一輸入端R結(jié)合。第11晶體管Qll"和第11電阻器Rll的公共端與第二電阻器R2結(jié)合。第11晶體管Qll"的柵極與第二輸入端H結(jié)合。位于第i(i是自然數(shù))通道和第i+l通道的NOR門12對(duì)第一輸入端R和第二輸入端H提供的電壓執(zhí)行NOR運(yùn)算，以輸出所得到的電壓。從NOR門12輸出的電壓被提供給第13晶體管Q13的柵極。第13晶體管Q13位于第一晶體管Ql的柵極和基本電源GND之間?，F(xiàn)在將參照表1和圖7來描述操作過程。當(dāng)0被輸入到第一輸入端R和第二輸入端H時(shí)，NOR門12輸出1。當(dāng)NOR門12輸出1時(shí)，第13晶體管Q13導(dǎo)通，從而基本電源GND被提供給第一晶體管Ql的柵極。在這種情況下，第一晶體管Ql截止。當(dāng)0被輸入到第一輸入端R和第二輸入端H時(shí)，第10晶體管Q10"和第11晶體管Qll"截止。因此，第一電源VCC不被提供給第一電阻器R1和第二電阻器R2。當(dāng)0被輸入到第一輸入端R而且1一皮輸入到第二輸入端H時(shí)，NOR門12輸出0。當(dāng)NOR門12輸出0時(shí)，第13晶體管Q13截止。當(dāng)0凈皮輸入到第一輸入端R時(shí)，與第一輸入端R結(jié)合的第10晶體管Q10"截止。當(dāng)l被輸入到第二輸入端H時(shí)，與第二輸入端H結(jié)合的第11晶體管Qll"導(dǎo)通。當(dāng)?shù)趌l晶體管Qll"導(dǎo)通時(shí)，第一電源VCC被提供給第二電阻器R2，從而第一晶體管Q1被硬切換。因此，維持電源Vs被輸出到輸出端Vout。當(dāng)1被輸入到第一輸入端R而且1被輸入到第二輸入端H時(shí)，NOR門12輸出0。當(dāng)NOR門12輸出0時(shí)，第13晶體管Q13截止。當(dāng)1凈皮輸入到第一輸入端R時(shí)，與第一輸入端R結(jié)合的第10晶體管Q10"導(dǎo)通。當(dāng)l被輸入到第二輸入端H時(shí)，與第二輸入端H結(jié)合的第11晶體管Q11"導(dǎo)通。當(dāng)?shù)?1晶體管Q11"導(dǎo)通時(shí)，第一電源VCC被提供給第二電阻器R2，從而第一晶體管Q1被石更切換。因此，維持電源Vs被輸出到輸出端Vout。當(dāng)1凈皮輸入到第一輸入端R而且0^皮輸入到第二輸入端H時(shí)，NOR門12輸出0。當(dāng)NOR門12輸出0時(shí)，第13晶體管Q13截止。當(dāng)04皮輸入到第二輸入端H時(shí)，與第二輸入端H結(jié)合的第11晶體管Qll"截止。當(dāng)1被輸入到第一輸入端R時(shí)，與第一輸入端R結(jié)合的第10晶體管Q10"導(dǎo)通。當(dāng)?shù)?0晶體管Q10"導(dǎo)通時(shí)，第一電源VCC的電壓被4是供給第一電阻器R1。因此，對(duì)應(yīng)于施加到第一電阻器Rl的電壓，第一晶體管Ql向輸出端Vout提供從維持電源Vs以一定的斜率(如預(yù)定的斜率)下降的斜波。圖8示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的波形發(fā)生器的仿真結(jié)果。參照?qǐng)D8，當(dāng)電源被提供(硬切換)給第二電阻器R2時(shí)，波形發(fā)生器輸出快速上升和下降的方波。當(dāng)電源被提供給第一電阻器R1時(shí)，波形發(fā)生器輸出斜波。即，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的波形發(fā)生器可以使用一個(gè)晶體管穩(wěn)定地產(chǎn)生方波和斜波。圖9示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的波形發(fā)生器被應(yīng)用于掃描驅(qū)動(dòng)器的示例。在圖9中，掃描驅(qū)動(dòng)器與掃描電極結(jié)合，以向掃描電極提供驅(qū)動(dòng)波形。即，圖9所示的Y一OUT與掃描電極結(jié)合。PDP包括由與掃描電極并行的維持電極和與掃描電極交叉并面對(duì)掃描電極的尋址電極形成的放電單元。參照?qǐng)D9，4艮據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的PDP的掃描驅(qū)動(dòng)器包括與掃描電極結(jié)合的選擇電路110、第一波形發(fā)生器IOO和第二波形發(fā)生器102、能量回收電路104和用于提供掃描脈沖的掃描脈沖提供器106。為每個(gè)掃描電極提供選擇電路110。選擇電路110控制晶體管Sch和Scl的導(dǎo)通和截止，并選擇性地將提供給第一節(jié)點(diǎn)Nl(或第一端)和第二節(jié)點(diǎn)N2(或第二端)的電壓提供給掃描電極。在晶體管Sch和Scl中的每個(gè)中形成內(nèi)部二極管。形成晶體管Sch的內(nèi)部二極管，以將來自掃描電極的電流提供給第二節(jié)點(diǎn)N2。形成晶體管Scl的內(nèi)部二極管，以將來自第一節(jié)點(diǎn)Nl的電流提供纟合掃描電才及。第一波形發(fā)生器100用于提供下降的斜波波形和減小到基本電源GND的電壓。因此，晶體管Yg的源極與基本電源GND結(jié)合，晶體管Yg的漏極與第二節(jié)點(diǎn)N2結(jié)合。由于已經(jīng)詳細(xì)描述了第一波形發(fā)生器100的詳細(xì)結(jié)構(gòu)和操作過程，所以將略掉其描述。第二波形發(fā)生器102用于提供上升的斜波波形和增加到維持電源Vs的電壓。因此，晶體管Ys的源極與第一節(jié)點(diǎn)Nl結(jié)合，晶體管Ys的漏極與維持電源Vs結(jié)合。由于已經(jīng)詳細(xì)描述了第二波形發(fā)生器102的詳細(xì)結(jié)構(gòu)和操作過程，所以將略掉其描述。掃描脈沖提供器106在尋址時(shí)間段向掃描電極提供掃描脈沖。因此，掃描脈沖提供器106包括位于掃描電源Vscl和第一節(jié)點(diǎn)Nl之間的晶體管Ysc。能量回收電路104在每個(gè)子場(chǎng)的維持時(shí)間段提供維持脈沖。能量回收電路104從由掃描電極和維持電極等效地形成的面板電容器回收能量，從而當(dāng)維持脈沖被提供時(shí)可以減少功耗，并且能量回收電路104使用回收的能量再次提供維持脈沖。能量回收電路104包括晶體管Yf、晶體管Yr、二極管D5至D8、電感器L和源電容器Cs。源電容器Cs在維持時(shí)間段從面板電容器回收能量，以充入電壓并將充入的電壓提供給面板電容器。因此，源電容器Cs具有可充入對(duì)應(yīng)于維持電源Vs的一半的電壓的電容量。電感器L位于源電容器Cs和掃描電極之間。電感器L與面板電容器形成諧振電路。因此，從源電容器Cs和面板電容器提供的電壓增加到大約維持電壓Vs。晶體管Yf位于電感器L和第二節(jié)點(diǎn)N2之間。當(dāng)能量從面板電容器回收到源電容器Cs時(shí)，晶體管Yf導(dǎo)通。在晶體管Yf導(dǎo)通從而在源電容器Cs中充入能量后，包括在第一波形發(fā)生器100中的晶體管Yg導(dǎo)通，從而基本電源GND被提供給第二節(jié)點(diǎn)N2。在這種情況下，晶體管Yg根據(jù)提供給第二電阻器R2的電壓導(dǎo)通。晶體管Yr位于電感器L和第一節(jié)點(diǎn)Nl之間。當(dāng)在源電容器Cs中充入的電壓被提供給掃描電極時(shí)，晶體管Yr導(dǎo)通。在晶體管Yr導(dǎo)通從而電壓被提供給掃描電極后，包括在第二波形發(fā)生器102中的晶體管Ys導(dǎo)通，從而維持電源Vs被提供給第一節(jié)點(diǎn)Nl。晶體管Ys根據(jù)輸入端Ys(H)經(jīng)第二電阻器R2提供的電壓導(dǎo)通。即，能量回收電路104使用包括在第一波形發(fā)生器100中的晶體管Yg和包括在第二波形發(fā)生器102中的晶體管Ys來提供基本電源GND和維持電源Vs。因此，可以從能量回收電路104去除兩個(gè)晶體管，從而可降低制造成本。第五二極管D5位于維持電源Vs和第三節(jié)點(diǎn)N3之間。設(shè)置第五二極管D5，以使電流可以從第三節(jié)點(diǎn)N3向維持電源Vs提供。第五二極管D5防止第三節(jié)點(diǎn)N3的電壓增加到不小于維持電源Vs。第六二極管D6位于基本電源GND和第三節(jié)點(diǎn)N3之間。設(shè)置第六二極管D6，以使電流可以從基本電源GND向第三節(jié)點(diǎn)N3提供。第六二極管D6防止第三節(jié)點(diǎn)N3的電壓減小到不大于基本電源GND。第七二極管D7位于第二節(jié)點(diǎn)N2和晶體管Yf之間，用于防止電流從第三節(jié)點(diǎn)N3流向第二節(jié)點(diǎn)N2。第八二極管D8位于晶體管Yr和第一節(jié)點(diǎn)Nl之間，用于防止電流,人第一節(jié)點(diǎn)Nl流向第三節(jié)點(diǎn)N3。電容器C結(jié)合在第一節(jié)點(diǎn)N1和第二節(jié)點(diǎn)N2之間。電容器C傳輸?shù)谝还?jié)點(diǎn)Nl和第二節(jié)點(diǎn)N2之間的電壓的改變量。圖10示出在維持時(shí)間段提供給掃描電極的維持脈沖和開關(guān)的操作過程。圖IIA至圖IID示出對(duì)應(yīng)于圖10的操作過程的電流路徑?，F(xiàn)在將參照?qǐng)D10至圖IID來描述操作過程。首先，在第一時(shí)間段Tl,晶體管Yr導(dǎo)通。當(dāng)晶體管Yr導(dǎo)通時(shí)，如圖11A所示，在源電容器Cs中充入的電壓經(jīng)電感器L、晶體管Yr、第八二極管D8和晶體管Scl的內(nèi)部二極管被提供給掃描電極。因此，掃描電極的電壓增加到大約維持電源Vs的電壓。在第二時(shí)間段T2，晶體管Ys導(dǎo)通。晶體管Ys根據(jù)輸入端Ys(H)經(jīng)第二電阻器R2施加的電壓導(dǎo)通。當(dāng)晶體管Ys導(dǎo)通時(shí)，如圖11B所示，維持電源Vs經(jīng)晶體管Ys和晶體管Scl的內(nèi)部二極管被提供給掃描電極。隨后，維持電源Vs纟皮提供給掃描電極，/人而穩(wěn)定地產(chǎn)生維持》文電。在第三時(shí)間段T3，晶體管Yf導(dǎo)通。當(dāng)晶體管Yf導(dǎo)通時(shí)，如圖IIC所示，在面板電容器中充入的電壓經(jīng)晶體管Sch的內(nèi)部二極管、第七二極管D7、晶體管Yf和電感器L被提供給源電容器Cs。此時(shí)，使用對(duì)應(yīng)于維持電源Vs的大約1/2的電壓對(duì)源電容器Cs充電。在第四時(shí)間段T4,晶體管Yg導(dǎo)通。晶體管Yg根據(jù)輸入端Yg(H)經(jīng)第二電阻器R2施加的電壓導(dǎo)通。當(dāng)晶體管Yg導(dǎo)通時(shí)，掃描電極經(jīng)晶體管Sch的內(nèi)部二極管和晶體管Yg與基本電源GND結(jié)合。根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的掃描驅(qū)動(dòng)器通過上述過程在每個(gè)維持脈沖的維持時(shí)間段向掃描電極提供維持脈沖。根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例，由于使用提供斜脈沖的晶體管Yg和晶體管Ys來提供基本電源GND和維持電源Vs，所以可減少制造成本。圖12示出在復(fù)位時(shí)間段和尋址時(shí)間段提供給掃描電極的驅(qū)動(dòng)波形和開關(guān)的操作過程。圖13A至圖13D示出通過圖12的驅(qū)動(dòng)波形產(chǎn)生的電流路徑。現(xiàn)在將參照?qǐng)D12至圖13D來描述操作過程。首先，在1一時(shí)刻P1，晶體管Ysc導(dǎo)通。當(dāng)晶體管Ysc導(dǎo)通時(shí)，負(fù)極性的掃描電源Vscl被提供給第一節(jié)點(diǎn)N1。此時(shí)，第二節(jié)點(diǎn)N2從晶體管Yg接收基本電源GND。隨后，在第十時(shí)間段TIO，晶體管Ys和晶體管Sch導(dǎo)通。晶體管Ys根據(jù)輸入端Yrr(R)經(jīng)第一晶體管Ql提供的電壓導(dǎo)通。當(dāng)晶體管Ys和晶體管Sch導(dǎo)通時(shí)，形成圖13A所示的電流路徑。當(dāng)晶體管Ys導(dǎo)通時(shí)，維持電源Vs的電壓被提供給第一節(jié)點(diǎn)Nl。隨后，第一節(jié)點(diǎn)Nl的電壓從負(fù)極性的掃描電源Vscl緩慢地增加到維持電源Vs。此時(shí)，第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓通過電容器C從基本電源GND緩慢地增加到維持電源Vs的電壓和掃描電源Vscl的電壓(絕對(duì)值電壓)之和。因此，上升的斜波波形一皮施加到掃描電才及。在上升的斜波波形被施加到掃描電極之后，在第二時(shí)刻P2，晶體管Scl導(dǎo)通。晶體管Scl的導(dǎo)通時(shí)刻與晶體管Ys的導(dǎo)通時(shí)刻部分重疊。隨后，形成圖13B所示的電流路徑，從而晶體管Scl導(dǎo)通。因此，掃描電極的電壓被減小到施加到第一節(jié)點(diǎn)Nl的維持電源Vs。隨后，在第十一時(shí)間段Tll,晶體管Scl導(dǎo)通的狀態(tài)保持，晶體管Yg導(dǎo)通。晶體管Yg根據(jù)輸入端Yfr(R)經(jīng)第一電阻器Rl施加的電壓導(dǎo)通。當(dāng)晶體管Yg和晶體管Scl導(dǎo)通時(shí)，形成圖13C所示的電流路徑。當(dāng)晶體管Yg導(dǎo)通時(shí)，第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓從維持電源Vs的電壓和掃描電源Vscl的電壓(絕對(duì)值電壓)之和緩慢地減小到基本電源GND的電壓。此時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)Nl的電壓通過電容器C從維持電源Vs的電壓緩慢地減小到負(fù)極性的掃描電源Vscl的電壓。因此，下降的斜波波形被施加到掃描電極。在下降的斜波波形被施加到掃描電極之后，在第十二時(shí)間段T12,掃描脈沖被提供給掃描電極。當(dāng)提供掃描脈沖時(shí)，如圖13D所示，晶體管Scl和晶體管Ysc導(dǎo)通。隨后，負(fù)極性的掃描電源Vscl的電壓被提供給掃描電極。隨后，在不提供掃描脈沖的時(shí)間段，晶體管Sch和晶體管Yg導(dǎo)通。隨后，基本電源GND的電壓被提供給掃描電極。圖14示出在復(fù)位時(shí)間段和尋址時(shí)間段提供給掃描電極的驅(qū)動(dòng)波形的另一示例性實(shí)施例。在圖14中，略掉與圖12的部分相同的部分的詳細(xì)描述。參照?qǐng)D14，首先，在第一時(shí)刻P1'之前，晶體管Ysc導(dǎo)通。當(dāng)晶體管Ysc導(dǎo)通時(shí)，負(fù)極性的掃描電源Vscl被提供給第一節(jié)點(diǎn)Nl。此時(shí)，第二節(jié)點(diǎn)N2從晶體管Yg4妄收基本電源GND。隨后，在第一時(shí)刻P1'，晶體管Yr導(dǎo)通。當(dāng)晶體管Yr導(dǎo)通時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)Nl的電壓增加到一定的電壓(如預(yù)定電壓)。才艮據(jù)晶體管Yr的導(dǎo)通時(shí)刻確定.第一節(jié)點(diǎn)Nl的增加電壓。當(dāng)?shù)谝还?jié)點(diǎn)Nl的電壓增加時(shí)，對(duì)應(yīng)于第一節(jié)點(diǎn)Nl的增加電壓，第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓增加。因此，一定的電壓(如預(yù)定電壓)-故施加到掃描電才及。隨后，在第十時(shí)間段TIO，晶體管Ys和晶體管Sch導(dǎo)通。晶體管Ys根據(jù)輸入端Yrr(R)經(jīng)第一電阻器Rl提供的電壓導(dǎo)通。當(dāng)晶體管Ys導(dǎo)通時(shí)，維持電源Vs的電壓被提供給第一節(jié)點(diǎn)Nl。隨后，第一節(jié)點(diǎn)Nl的電壓從一定的電壓(如預(yù)定電壓)緩慢地上升到維持電源Vs。此時(shí)，第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓從所述一定的電壓(如預(yù)定電壓)緩慢地增加到維持電源Vs的電壓和掃描電源Vscl的電壓(絕對(duì)值電壓)之和。因此，上升的4+波波形的電壓^皮施加到掃描電極。圖15是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子體顯示裝置的示意圖。如圖15所示，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的等離子體顯示裝置包括等離子體顯示面板(PDP)100、控制器200、尋址電極驅(qū)動(dòng)器300、掃描電極驅(qū)動(dòng)器400和維持電極驅(qū)動(dòng)器500。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，控制晶體管的導(dǎo)通和截止，以使可經(jīng)掃描電極驅(qū)動(dòng)器400將各種驅(qū)動(dòng)波形提供給掃描電極。根據(jù)本發(fā)明，由于可使用一個(gè)晶體管產(chǎn)生方波和斜波，所以可減少制造成本。盡管顯示和描述了本發(fā)明示例性實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行各種改變，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。權(quán)利要求1、一種波形發(fā)生器，包括第一晶體管，具有漏極、柵極和源極；第一電阻器和第一二極管，結(jié)合在第一輸入端和柵極之間的公共節(jié)點(diǎn)；第二電阻器，結(jié)合在柵極和第二輸入端之間；第一電容器，結(jié)合在第一電阻器和第一二極管之間的公共節(jié)點(diǎn)與漏極之間。2、如權(quán)利要求1所述的波形發(fā)生器，其中，第一電阻器是可變電阻器。3、如權(quán)利要求1所述的波形發(fā)生器，其中，第一晶體管的漏極結(jié)合到維持電源，第一晶體管的源極結(jié)合到輸出端，從而當(dāng)高電壓被施加到第一輸入端時(shí)提供上升的斜波波形。4、如權(quán)利要求1所述的波形發(fā)生器，其中，第一晶體管的漏極結(jié)合到輸出端，第一晶體管的源極結(jié)合到基本電源，從而當(dāng)高電壓被施加到第一輸入端時(shí)提供下降的斜波波形。5、如權(quán)利要求1所述的波形發(fā)生器，其中，連接第一二極管，以允許電流從第一電阻器流向第一晶體管的柵極。6、如權(quán)利要求1所述的波形發(fā)生器，還包括結(jié)合在第一晶體管的柵極和第一輸入端之間的第三二極管，用于允許電流從第一晶體管的柵極流向第一輸入端。7、如權(quán)利要求1所述的波形發(fā)生器，還包括結(jié)合在第二電阻器和第一晶體管的柵極之間的第二二極管，用于允許電流從第二電阻器流向第一晶體管的4冊(cè)極。8、如權(quán)利要求1所述的波形發(fā)生器，還包括結(jié)合在第一電容器和第一晶體管的漏極之間的穩(wěn)壓器。9、如權(quán)利要求8所述的波形發(fā)生器，其中，穩(wěn)壓器包括第四二極管，結(jié)合為允許電流從第一電容器流向第一晶體管的漏極；第三電阻器，與第四二極管并聯(lián)。10、一種等離子體顯示裝置，包括;故電單元，位于掃描電才及、維持電極和尋址電才及的交叉區(qū)域；掃描驅(qū)動(dòng)器，包括選擇電路，用于選擇性地將第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間的電壓提供給掃描電才及；電容器，結(jié)合在第一節(jié)點(diǎn)和第二節(jié)點(diǎn)之間；第一波形發(fā)生器，結(jié)合到用于提供基本電源電壓的基本電源，第一波形發(fā)生器被構(gòu)造為交替地向第二節(jié)點(diǎn)提供快速下降到基本電源電壓的快速下降的波形和以一定的斜率下降到基本電源電壓的下降的斜波波形；第二波形發(fā)生器，結(jié)合到用于提供維持電源電壓的維持電源，第二波形發(fā)生器被構(gòu)造為向第一節(jié)點(diǎn)提供快速增加到維持電源電壓的快速增加的波形和以一定的斜率上升到維持電源電壓的上升的斜波波形；能量回收電路，用于向掃描電極提供維持脈沖；掃描脈沖提供器，結(jié)合在第一節(jié)點(diǎn)和掃描電源之間；其中，第一波形發(fā)生器和第二波形發(fā)生器中的每個(gè)包括第一晶體管，具有漏才及、柵-極和源極；第一電阻器和第一二極管，結(jié)合在第一輸入端和柵極之間的公共節(jié)點(diǎn)；第二電阻器，結(jié)合在柵極和第二輸入端之間；第一電容器，結(jié)合在第一電阻器和第一二極管之間的公共節(jié)點(diǎn)與漏極之間。11、如權(quán)利要求IO所述的等離子體顯示裝置，其中，第一電阻器是可變電阻器。12、如權(quán)利要求IO所述的等離子體顯示裝置，其中，第一波形發(fā)生器的第一晶體管的漏極結(jié)合到第二節(jié)點(diǎn)，第一波形發(fā)生器的第一晶體管的源極結(jié)合到基本電源。13、如權(quán)利要求IO所述的等離子體顯示裝置，其中，第二波形發(fā)生器的第一晶體管的漏極結(jié)合到維持電源，第二波形發(fā)生器的第一晶體管的源極結(jié)合到第一節(jié)點(diǎn)。14、如權(quán)利要求IO所述的等離子體顯示裝置，其中，連接第一二極管，以允許電流從第一電阻器流向4冊(cè)極。15、如權(quán)利要求IO所述的等離子體顯示裝置，還包括結(jié)合在柵極和第一輸入端之間的第三二極管，用于允許電流從柵極流向第一輸入端。16、如權(quán)利要求IO所述的等離子體顯示裝置，還包括結(jié)合在第二電阻器和柵極之間的第二二極管，用于允許電流乂人第二電阻器流向柵極。17、如權(quán)利要求IO所述的等離子體顯示裝置，還包括結(jié)合在第一電容器和漏極之間的穩(wěn)壓器。18、如權(quán)利要求17所述的等離子體顯示裝置，其中，穩(wěn)壓器包括第四二極管，結(jié)合為允許電流從第一電容器流向漏極；第三電阻器，與第四二極管并聯(lián)。19、如權(quán)利要求IO所述的等離子體顯示裝置，其中，能量回收電路包括源電容器，用于充入從掃描電極回收的電壓；電感器，結(jié)合在源電容器和掃描電極之間；第二晶體管，結(jié)合在電感器和第二節(jié)點(diǎn)之間，被構(gòu)造為在電壓從掃描電極提供給源電容器時(shí)導(dǎo)通；第三晶體管，結(jié)合在電感器和第一節(jié)點(diǎn)之間，被構(gòu)造為在電壓從源電容器提供給掃描電極時(shí)導(dǎo)通。20、如權(quán)利要求19所述的等離子體顯示裝置，其中，在第二晶體管導(dǎo)通之后，第一波形發(fā)生器將基本電源電壓提供給掃描電才及，其中，在第三晶體管導(dǎo)通之后，第二波形發(fā)生器將維持電源電壓提供給掃描電才及。21、如權(quán)利要求IO所述的等離子體顯示裝置，還包括位于第一輸入端和第一電阻器之間以及第二輸入端和第二電阻器之間的集成電路，其中，集成電路包括第一集成電路晶體管和第二集成電路晶體管，結(jié)合在第i通道的第一電源和基本電源之間，其中，i是自然數(shù)，第一集成電路晶體管和第二集成電路晶體管的公共端結(jié)合到第一電阻器；第三集成電路晶體管和第四集成電路晶體管，結(jié)合在第i+l通道的第一電源和基本電源之間，第三集成電路晶體管和第四集成電路晶體管的公共端結(jié)合到第二電阻器；OR門，對(duì)從第一輸入端和第二輸入端提供的電壓執(zhí)行OR運(yùn)算，以將OR運(yùn)算結(jié)果提供給第一集成電路晶體管和第二集成電路晶體管的柵極；第一反相器，將OR運(yùn)算結(jié)果反相，并將反相的OR運(yùn)算結(jié)果提供給第二集成電路晶體管；第二反相器，將第二輸入端提供的電壓反相，并將反相的電壓提供給第四集成電路晶體管。22、如權(quán)利要求IO所述的等離子體顯示裝置，還包括位于第一輸入端和第一電阻器之間以及第二輸入端和第二電阻器之間的集成電路，其中，集成電路包括第一集成電路晶體管和第二集成電路晶體管，結(jié)合在第i通道的第一電源和基本電源之間，第一集成電路晶體管和第二集成電路晶體管的公共端結(jié)合到第一電阻器；第三集成電路晶體管和第一集成電路電阻器，結(jié)合在第i+l通道的第一電源和基本電源之間，第三集成電路晶體管和第一集成電路電阻器的公共端結(jié)合到第二電阻器；NOR門，對(duì)從第一輸入端和第二輸入端提供的電壓執(zhí)行NOR運(yùn)算，以將NOR運(yùn)算結(jié)果提供給第二集成電路晶體管的柵極。23、如權(quán)利要求IO所述的等離子體顯示裝置，還包括位于第一輸入端和第一電阻器之間以及第二輸入端和第二電阻器之間的集成電路，其中，集成電路包括第一集成電路晶體管和第一集成電路電阻器，結(jié)合在第i通道的第一電源和基本電源之間，第一集成電路晶體管和第一集成電路電阻器的公共端結(jié)合到第一電阻器；第二集成電路晶體管和第二集成電路電阻器，結(jié)合在第i+l通道的第一電源和基本電源之間，第二集成電路晶體管和第二集成電路電阻器的公共端結(jié)合到第二電阻器。24、如權(quán)利要求23所述的等離子體顯示裝置，其中，集成電路還包括第三集成電路晶體管，結(jié)合在第一晶體管的柵極和基本電源之間；NOR門，結(jié)合到第三集成電路晶體管的柵極，第一輸入端和第二輸入端被輸入到NOR門。25、如權(quán)利要求24所述的等離子體顯示裝置，其中，第一輸入端結(jié)合到第一集成電路晶體管的柵極，第二輸入端結(jié)合到第二集成電路晶體管的柵極。全文摘要本發(fā)明提供了一種波形發(fā)生器及一種使用該波形發(fā)生器的等離子體顯示裝置。能夠使用一個(gè)開關(guān)元件產(chǎn)生方波和斜波的波形發(fā)生器包括第一晶體管，具有漏極、柵極和源極。第一電阻器和第一二極管結(jié)合在第一輸入端和柵極之間的公共節(jié)點(diǎn)。第二電阻器結(jié)合在柵極和第二輸入端之間。第一電容器結(jié)合在第一電阻器和第一二極管之間的公共節(jié)點(diǎn)與漏極之間。文檔編號(hào)G09G3/288GK101431322SQ20081016961公開日2009年5月13日申請(qǐng)日期2008年10月9日優(yōu)先權(quán)日2007年11月8日發(fā)明者崔鐘基,樸練俱,梁鶴哲,金晙淵申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社