專(zhuān)利名稱(chēng)：像素、使用該像素的顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施例涉及一種像素、使用該像素的顯示器及該像素的驅(qū)動(dòng)方法，更具 體地講，涉及一種可以顯示期望亮度的圖像而與發(fā)光元件的劣化無(wú)關(guān)的像素、 使用該像素的顯示器及該像素的驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
近來(lái)，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了與陰極射線(xiàn)管(CRT)相比能夠^f吏重量減輕并使體積減 小的各種平板顯示器。平板顯示器包括液晶顯示器(LCD)、場(chǎng)發(fā)射顯示器 (FED)、等離子體顯示面板(PDP)和有機(jī)發(fā)光顯示器。
在平板顯示器中，有機(jī)發(fā)光顯示器使用通過(guò)電子和空穴的復(fù)合來(lái)發(fā)光的 有機(jī)發(fā)光二極管。有機(jī)發(fā)光顯示器具有許多優(yōu)點(diǎn)，包括響應(yīng)速度快和能耗低。
有機(jī)發(fā)光顯示器的像素包括發(fā)光元件和像素電路。像素電路通常包括充 有與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓的存儲(chǔ)電容器，所述與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓被供應(yīng) 到發(fā)光元件，從而顯示預(yù)定亮度的圖像。然而，當(dāng)發(fā)光元件劣化時(shí)，傳統(tǒng)的 有機(jī)發(fā)光顯示器不能顯示期望亮度的圖像。
具體地講，當(dāng)數(shù)據(jù)信號(hào)被供應(yīng)到像素電路時(shí)，存儲(chǔ)電容器充有與數(shù)據(jù)信 號(hào)的電壓和施加到發(fā)光元件的電壓之間的差對(duì)應(yīng)的電壓。當(dāng)施加到發(fā)光元件 的電壓由于發(fā)光元件的劣化而改變時(shí)，充在存儲(chǔ)電容器中的電壓相應(yīng)地改變。 因此，不會(huì)顯示期望亮度的圖像。

發(fā)明內(nèi)容
因此，實(shí)施例涉及一種像素、使用該像素的顯示器及驅(qū)動(dòng)該像素的方法， 基本上克服了由現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)引起的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
因此，實(shí)施例的方面在于提供一種可以顯示期望亮度的圖像而與像素的 發(fā)光元件的劣化無(wú)關(guān)的像素、使用該像素的顯示器及該像素的驅(qū)動(dòng)方法。
可以通過(guò)提供一種像素來(lái)實(shí)現(xiàn)實(shí)施例的上述和/或其它方面，該像素包 括發(fā)光元件；第一晶體管，被構(gòu)造為當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線(xiàn)時(shí)傳輸來(lái)
自數(shù)據(jù)線(xiàn)的數(shù)據(jù)信號(hào)；第二晶體管，被構(gòu)造為將預(yù)定的電流從第一電源經(jīng)發(fā)
光元件供應(yīng)到第二電源；存儲(chǔ)電容器，被構(gòu)造為充有與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓， 存儲(chǔ)電容器的一端連接到第二晶體管的柵電極，存儲(chǔ)電容器的另一端連接到 發(fā)光元件；第三晶體管，被構(gòu)造為當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線(xiàn)時(shí)將基準(zhǔn)電源 的電壓供應(yīng)到發(fā)光元件。
存儲(chǔ)電容器可充有與數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓和基準(zhǔn)電源的電壓之間的差對(duì)應(yīng)的 電壓。所述預(yù)定的電流可以是與充在存儲(chǔ)電容器中的電壓對(duì)應(yīng)的電流?；鶞?zhǔn) 電源的電壓可以小于第一電源的電壓與發(fā)光元件的閾值電壓之和。第一晶體 管、第二晶體管和第三晶體管可以是NMOS晶體管。
該像素還可包括連接在第二晶體管和第一電源之間的第四晶體管，第四 晶體管被構(gòu)造成當(dāng)發(fā)射控制信號(hào)被供應(yīng)到發(fā)射控制線(xiàn)時(shí)截止，且當(dāng)發(fā)射控制 信號(hào)沒(méi)有被供應(yīng)到發(fā)射控制線(xiàn)時(shí)導(dǎo)通。當(dāng)掃描信號(hào)處于高電平時(shí)，發(fā)射控制 信號(hào)可以處于低電平。第四晶體管可以是NMOS晶體管。
可以通過(guò)提供一種顯示器來(lái)實(shí)現(xiàn)實(shí)施例的上述和/或其它方面，該顯示器 包括掃描驅(qū)動(dòng)器，被構(gòu)造為驅(qū)動(dòng)掃描線(xiàn)；數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，被構(gòu)造為驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù) 線(xiàn)；像素，設(shè)置在掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)的交叉處。每個(gè)像素可包括發(fā)光元件； 第一晶體管，被構(gòu)造為當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線(xiàn)時(shí)傳輸來(lái)自數(shù)據(jù)線(xiàn)的數(shù)據(jù) 信號(hào)；第二晶體管，被構(gòu)造為將預(yù)定的電流從第一電源經(jīng)發(fā)光元件供應(yīng)到第 二電源；存儲(chǔ)電容器，被構(gòu)造為充有與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓，存儲(chǔ)電容器的 一端連接到第二晶體管的柵電極，存儲(chǔ)電容器的另一端連接到發(fā)光元件；第 三晶體管，被構(gòu)造為當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線(xiàn)時(shí)將基準(zhǔn)電源的電壓供應(yīng)到 發(fā)光元件。
存儲(chǔ)電容器可以充有與數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓和基準(zhǔn)電源的電壓之間的差對(duì)應(yīng) 的電壓。所述預(yù)定的電流可以是與充在存儲(chǔ)電容器中的電壓對(duì)應(yīng)的電流。基 準(zhǔn)電源的電壓可以小于第一電源的電壓與發(fā)光元件的閾值電壓之和。第一晶 體管、第二晶體管和第三晶體管可以是NMOS晶體管。
該顯示器可包括連接在第二晶體管和第 一 電源之間的第四晶體管，第四 晶體管被構(gòu)造成當(dāng)發(fā)射控制信號(hào)被供應(yīng)到發(fā)射控制線(xiàn)時(shí)截止，且當(dāng)發(fā)射控制 信號(hào)沒(méi)有被供應(yīng)到發(fā)射控制線(xiàn)時(shí)導(dǎo)通。當(dāng)掃描信號(hào)處于高電平時(shí)，發(fā)射控制 信號(hào)可以處于低電平。
可以通過(guò)提供一種驅(qū)動(dòng)包括像素的顯示器的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)實(shí)施例的上述和
/或其它方面，該像素位于數(shù)據(jù)線(xiàn)和掃描線(xiàn)的交叉處，該像素具有發(fā)光元件，
該方法包括當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線(xiàn)時(shí)，傳輸來(lái)自數(shù)據(jù)線(xiàn)的數(shù)據(jù)信號(hào)； 將預(yù)定的電流從第一電源經(jīng)發(fā)光元件供應(yīng)到第二電源；當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到 掃描線(xiàn)時(shí)，將基準(zhǔn)電源的電壓供應(yīng)到發(fā)光元件。


通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明的以上和其它特 征及優(yōu)點(diǎn)對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得更加清楚，在附圖中 圖1示出了根據(jù)第一實(shí)施例的顯示器； 圖2示出了在圖1中的顯示器中使用的示例像素的電路圖； 圖3示出了圖2中的示例像素的示例驅(qū)動(dòng)方法的波形圖； 圖4示出了電流根據(jù)發(fā)光元件的劣化而改變的曲線(xiàn)圖； 圖5示出了根據(jù)第二實(shí)施例的顯示器； 圖6示出了在圖5中的顯示器中使用的示例像素的電路圖； 圖7示出了圖6中的示例像素的示例驅(qū)動(dòng)方法的波形圖。
具體實(shí)施例方式
以下，將參照附圖來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的特定示例性實(shí)施例。這里，當(dāng)?shù)?一元件被描述為連接或結(jié)合到第二元件時(shí)，第 一元件不但可以直接連接或結(jié) 合到第二元件，而且可以通過(guò)第三元件間接連接或結(jié)合到第二元件。此外， 為了清楚起見(jiàn)，省略了對(duì)完全理解本發(fā)明來(lái)講不必要的元件。此外，相同的 標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件。
圖1示出了根據(jù)第一實(shí)施例的顯示器。參照?qǐng)D1,顯示器可包括像素部 分130、掃描驅(qū)動(dòng)器110、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120和時(shí)序控制單元150。
像素部分130可以包括與掃描線(xiàn)Sl Sn和數(shù)據(jù)線(xiàn)Dl Dm連接的多個(gè)像 素140。掃描驅(qū)動(dòng)器IIO可驅(qū)動(dòng)掃描線(xiàn)Sl Sn。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120可驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線(xiàn) Dl Dm。時(shí)序控制單元150可控制掃描驅(qū)動(dòng)器110和&據(jù)驅(qū)動(dòng)器120。
時(shí)序控制單元150可對(duì)應(yīng)于外部同步信號(hào)產(chǎn)生數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)DCS和 掃描驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SCS。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)DCS可被提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120， 掃描驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SCS可被提供到掃描驅(qū)動(dòng)器110。此外，時(shí)序控制單元150 可向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120提供外部供應(yīng)的數(shù)據(jù)DATA。
掃描驅(qū)動(dòng)器110可從時(shí)序控制單元150接收掃描驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SCS。響 應(yīng)掃描驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SCS，掃描驅(qū)動(dòng)器110可順序地向掃描線(xiàn)Sl Sn提供掃 描信號(hào)。
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120可從時(shí)序控制單元150接收數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)DCS和數(shù) 據(jù)DATA。響應(yīng)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)DCS，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器120可根據(jù)數(shù)據(jù)DATA 產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)，并向數(shù)據(jù)線(xiàn)Dl Dm提供數(shù)據(jù)信號(hào)。
像素部分130可/人外部電源(例如第一電源ELVDD、第二電源ELVSS和 基準(zhǔn)電源VreQ接收功率，并可向像素140提供功率。當(dāng)像素140接收第一電 源ELVDD的功率、第二電源ELVSS的功率和基準(zhǔn)電源Vref的功率時(shí)，像素 140可產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)的光。
圖2示出了在圖1中的顯示器中使用的示例像素的電路圖。為了便于描 述，圖2示出了連接到第n掃描線(xiàn)Sn和第m數(shù)據(jù)線(xiàn)Dm的示例像素。
參照?qǐng)D2，像素140可包括發(fā)光元件和像素電路142,所述發(fā)光元件在這 里為有機(jī)發(fā)光二極管OLED。像素電路142可連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)Dm和掃描線(xiàn)Sn, 并可控制有機(jī)發(fā)光二極管OLED。
有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極可連接到像素電路142，有機(jī)發(fā)光二極管 OLED的陰極可連接到第二電源ELVSS。有機(jī)發(fā)光二極管OLED可產(chǎn)生具有 與來(lái)自像素電路142的電流對(duì)應(yīng)的預(yù)定亮度的光。
當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線(xiàn)Sn時(shí)，像素電路142可根據(jù)供應(yīng)到數(shù)據(jù)線(xiàn) Dm的數(shù)據(jù)信號(hào)控制供應(yīng)到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流的量。為了實(shí)現(xiàn)這 種控制，像素電路142可包括第一晶體管M1、第二晶體管M2、存儲(chǔ)電容器 Cst和第三晶體管M3。所有的晶體管可以是相同類(lèi)型的晶體管，例如，第一 晶體管Ml至第三晶體管M3均可為NMOS晶體管。
第二晶體管M2可以連接在第 一 電源ELVDD和有機(jī)發(fā)光二極管OLED 之間。第一晶體管Ml可以連接在第二晶體管M2和數(shù)據(jù)線(xiàn)Dm之間，并可 被掃描線(xiàn)Sn控制。存儲(chǔ)電容器Cst可以連接在第二晶體管M2的柵電極和第 二電極之間。第三晶體管M3可以連接在第二晶體管M2的第二電極和基準(zhǔn) 電源Vref之間，并可^^皮掃描線(xiàn)Sn控制。
第一晶體管Ml的柵電極可以連接到掃描線(xiàn)Sn,第一晶體管Ml的第一 電極可以連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)Dm。此外，第一晶體管M1的第二電極可以連接到存 儲(chǔ)電容器Cst的一端。當(dāng)由掃描線(xiàn)Sn供應(yīng)掃描信號(hào)時(shí)，第一晶體管M1導(dǎo)通，并將供應(yīng)到數(shù)據(jù)線(xiàn)Dm的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)降诙w管M2的柵電極。此時(shí)， 存儲(chǔ)電容器Cst充有與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓。
第二晶體管M2的柵電極可以與存儲(chǔ)電容器Cst的一端連接，第二晶體 管M2的第一電極可以連接到第一電源ELVDD。第二晶體管M2的第二電極 可以連接到存儲(chǔ)電容器Cst的另一端和有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極。第二 晶體管M2可以根據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器Cst中的電壓值來(lái)控制從第一電源 ELVDD經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED流到第二電源ELVSS的電流的量。
存儲(chǔ)電容器Cst的一端可以連接到第二晶體管M2的柵電極，存儲(chǔ)電容 器Cst的另一端可以連接到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極。存儲(chǔ)電容器Cst 可以充有與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓。
第三晶體管M3的柵電極可以連接到掃描線(xiàn)Sn，第三晶體管M3的第二 電極可以連接到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極。此外，第三晶體管M3的第 一電極可以連接到基準(zhǔn)電源Vref。當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線(xiàn)Sn時(shí)，第三晶 體管M3導(dǎo)通，從而將有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極的電壓保持為基準(zhǔn)電源 Vref的電壓。即，在存儲(chǔ)電容器Cst的一端充有與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓的同 時(shí)，存儲(chǔ)電容器Cst的另一端保持為基準(zhǔn)電源Vref的電壓。
圖3示出了圖2中的像素的示例驅(qū)動(dòng)方法的波形圖。參照?qǐng)D2和圖3， 首先，掃描信號(hào)凈皮供應(yīng)到掃描線(xiàn)Sn，即，掃描信號(hào)處于高電平。當(dāng)掃描信號(hào) 被供應(yīng)到掃描線(xiàn)Sn時(shí)，第一晶體管Ml和第三晶體管M3導(dǎo)通。
當(dāng)?shù)谌w管M3導(dǎo)通時(shí)，基準(zhǔn)電源Vref的電壓被供應(yīng)到有機(jī)發(fā)光二極 管OLED的陽(yáng)極。當(dāng)?shù)谝痪w管M1導(dǎo)通時(shí)，供應(yīng)到數(shù)據(jù)線(xiàn)Dm的數(shù)據(jù)信號(hào) 被提供到存儲(chǔ)電容器Cst的一端。在這種情況下，存儲(chǔ)電容器Cst充有與數(shù)據(jù) 信號(hào)的電壓和基準(zhǔn)電源Vref的電壓之間的差對(duì)應(yīng)的電壓。換句話(huà)說(shuō)，存儲(chǔ)電 容器Cst充有與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓，而與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化無(wú) 關(guān)。因此，當(dāng)存儲(chǔ)電容器Cst的一端充有與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓時(shí)，因?yàn)榇?儲(chǔ)電容器Cst的另一端保持為基準(zhǔn)電源Vref的電壓，所以存儲(chǔ)電容器Cst可 以充有期望的電壓。
當(dāng)停止向掃描線(xiàn)Sn供應(yīng)掃描信號(hào)時(shí)，第二晶體管M2將與充在存儲(chǔ)電容 器Cst中的電壓對(duì)應(yīng)的電流從第一電源ELVDD經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED提 供到第二電源ELVSS。因此，有機(jī)發(fā)光二極管OLED可以產(chǎn)生預(yù)定亮度的光。
第 一 電源ELVDD的電壓可以被設(shè)定為大于第二電源ELVSS的電壓，以 穩(wěn)定地供應(yīng)電流?；鶞?zhǔn)電源Vref的電壓可以被設(shè)定成小于第一電源ELVDD 的電壓與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的閾值電壓之和的電壓。
圖4示出了電流根據(jù)有機(jī)發(fā)光二極管的劣化而改變的曲線(xiàn)圖。在圖4中，
IOLED表示流過(guò)有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流的量，AVoLED表示由有機(jī)發(fā)光二
極管OLED的劣化引起的施加到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極的電壓的變 化。此外，在圖4中，數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓被設(shè)定為使得100nA的電流流到有機(jī) 發(fā)光二極管OLED。
參照?qǐng)D4,在包括具有兩個(gè)晶體管的像素電路的像素中，當(dāng)有機(jī)發(fā)光二 極管OLED的陽(yáng)才及的電壓變化時(shí)，有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流1ou^也變 化。在這個(gè)具體示例中，當(dāng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電壓改變0.2V時(shí)，有才幾 發(fā)光二極管OLED的電流101^的偏差為28%。因此，難以利用該像素顯示期 望亮度的圖像。
然而，根據(jù)像素電路具有三個(gè)晶體管的實(shí)施例，雖然有機(jī)發(fā)光二極管 OLED的電壓改變，但是有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流Ioled得以保持。因此， 示例像素可以顯示期望亮度的圖像，而與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化無(wú)關(guān)。
圖5示出了根據(jù)第二實(shí)施例的顯示器。參照?qǐng)D5,顯示器可包括像素部 分230、掃描驅(qū)動(dòng)器210、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器220和時(shí)序控制單元250。
像素部分230可以包括連接到掃描線(xiàn)Sl Sn、發(fā)射控制線(xiàn)El En和數(shù)據(jù) 線(xiàn)Dl Dm的多個(gè)像素240。掃描驅(qū)動(dòng)器210可驅(qū)動(dòng)掃描線(xiàn)Sl Sn和發(fā)射控制 線(xiàn)El En。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器220可驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線(xiàn)Dl Dm。時(shí)序控制單元250可控制 掃描驅(qū)動(dòng)器210和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器220。
時(shí)序控制單元250可對(duì)應(yīng)于外部提供的同步信號(hào)產(chǎn)生數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)控制信號(hào) DCS和掃描驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SCS。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)DCS可被提供到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng) 器220，掃描驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SCS可被^提供到掃描驅(qū)動(dòng)器210。此外，時(shí)序控 制單元250可向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器220提供外部供應(yīng)的數(shù)據(jù)DATA。
掃描驅(qū)動(dòng)器210可從時(shí)序控制單元250接收掃描驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SCS。響 應(yīng)掃描驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)SCS,掃描驅(qū)動(dòng)器210可順序地向掃描線(xiàn)Sl Sn提供掃 描信號(hào)。此外，掃描驅(qū)動(dòng)器210可產(chǎn)生發(fā)射控制信號(hào)，并可順序地向發(fā)射控 制線(xiàn)El En提供發(fā)射控制信號(hào)。可以設(shè)定供應(yīng)到第i發(fā)射控制線(xiàn)的發(fā)射控制 信號(hào)的寬度，使得當(dāng)供應(yīng)到第i掃描線(xiàn)的掃描信號(hào)處于高電平時(shí)，發(fā)射控制 信號(hào)不處于高電平。
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器220可從時(shí)序控制單元250接收數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)DCS和數(shù) 據(jù)DATA。響應(yīng)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)DCS,數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器220可根據(jù)數(shù)據(jù)DATA 產(chǎn)生數(shù)據(jù)信號(hào)，并向數(shù)據(jù)線(xiàn)Dl Dm提供數(shù)據(jù)信號(hào)。
像素部分230可從外部電源(例如第一電源ELVDD、第二電源ELVSS和 基準(zhǔn)電源Vref)接收功率，并可向像素240提供這些功率。當(dāng)像素240接收第 一電源ELVDD的功率、第二電源ELVSS的功率和基準(zhǔn)電源Vref的功率時(shí)， 像素240可產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)的光。
圖6示出了在圖5中的顯示器中使用的示例像素的電路圖。為了便于描 述，圖6示出了連接到第n掃描線(xiàn)Sn和第m數(shù)據(jù)線(xiàn)Dm的示例像素。
參照?qǐng)D6，根據(jù)實(shí)施例的像素240可包括發(fā)光元件和像素電路242，所述 發(fā)光元件在這里為有機(jī)發(fā)光二極管OLED。像素電路242可連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)Dm 和發(fā)射控制線(xiàn)En以及掃描線(xiàn)Sn，并可控制有才幾發(fā)光二極管OLED。
有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極可連接到像素電^各242,有機(jī)發(fā)光二極管 OLED的陰極可連接到第二電源ELVSS。有機(jī)發(fā)光二極管OLED可產(chǎn)生與從 像素電路242供應(yīng)的電流對(duì)應(yīng)的預(yù)定亮度的光。
當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線(xiàn)Sn時(shí)，像素電路242可根據(jù)供應(yīng)到數(shù)據(jù)線(xiàn) Dm的數(shù)據(jù)信號(hào)控制供應(yīng)到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的電流的量。為了實(shí)現(xiàn)這 種控制，像素電路242可包括第一晶體管M1、第二晶體管M2、存儲(chǔ)電容器 Cst、第三晶體管M3和第四晶體管M4。這里，第一晶體管Ml至第四晶體 管M4均可以是相同類(lèi)型的晶體管，例如NMOS晶體管。
第二晶體管M2可以連接在第四晶體管M4和有機(jī)發(fā)光二極管OLED之 間。第一晶體管Ml可以連接在第二晶體管M2和凄t據(jù)線(xiàn)Dm之間，并可被 掃描線(xiàn)Sn控制。存儲(chǔ)電容器Cst可以連接在第二晶體管M2的柵電極和第二 電極之間。第三晶體管M3可以連接在第二晶體管M2的第二電極和基準(zhǔn)電 源Vref之間，并可被掃描線(xiàn)Sn控制。第四晶體管M4可以連接在第一電源 ELVDD和第二晶體管M2的第一電極之間，并可被發(fā)射控制線(xiàn)En控制。
第一晶體管Ml的柵電極可以連接到掃描線(xiàn)Sn，第一晶體管Ml的第一 電極可以連接到數(shù)據(jù)線(xiàn)Dm。此外，第一晶體管M1的第二電極可以連接到存 儲(chǔ)電容器Cst的一端。當(dāng)由掃描線(xiàn)Sn供應(yīng)掃描信號(hào)時(shí)，第一晶體管M1導(dǎo)通， 并將供應(yīng)到數(shù)據(jù)線(xiàn)Dm的數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸?shù)降诙w管M2的柵電極。此時(shí)， 存儲(chǔ)電容器Cst充有與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓。
第二晶體管M2的柵電極可以連接到存儲(chǔ)電容器Cst的一端，第二晶體 管M2的第一電極可以連接到第四晶體管M4的第二電極。第二晶體管M2 的第二電極可以連接到存儲(chǔ)電容器Cst的另一端和有機(jī)發(fā)光二極管OLED的 陽(yáng)極。第二晶體管M2可以相應(yīng)于存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器Cst中的電壓值來(lái)控制 從第 一 電源ELVDD經(jīng)有機(jī)發(fā)光二極管OLED流到第二電源ELVSS的電流的 量。
存儲(chǔ)電容器Cst的一端可以連接到第二晶體管M2的柵電極，存儲(chǔ)電容 器Cst的另一端可以連接到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極。存儲(chǔ)電容器Cst 充有與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓。
第三晶體管M3的柵電極可以連接到掃描線(xiàn)Sn，第三晶體管M3的第二 電極可以連接到有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極。此外，第三晶體管M3的第 一電極可以連接到基準(zhǔn)電源Vref。當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線(xiàn)Sn時(shí)，第三晶 體管M3導(dǎo)通，從而將有機(jī)發(fā)光二極管OLED的陽(yáng)極的電壓保持為基準(zhǔn)電源 Vref的電壓。即，在存儲(chǔ)電容器Cst的一端充有與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓的同 時(shí)，存儲(chǔ)電容器Cst的另 一端保持為基準(zhǔn)電源Vref的電壓。
第四晶體管M4的柵電極可以連接到發(fā)射控制線(xiàn)En,第四晶體管M4的 第一電極可以連接到第一電源ELVDD。第四晶體管M4的第二電極可以連接 到第二晶體管M2的第一電極。在供應(yīng)發(fā)射控制信號(hào)的同時(shí)，第四晶體管M4 使第二晶體管M2與第一電源ELVDD電絕緣。在其余時(shí)間段內(nèi)，第四晶體管 M4將第二晶體管M2電連接到第一電源ELVDD。
圖7示出了表明圖6中的示例像素的示例驅(qū)動(dòng)方法的波形圖。從圖7可 以看出，當(dāng)供應(yīng)掃描信號(hào)，即掃描信號(hào)處于高電平時(shí)，供應(yīng)發(fā)射控制信號(hào)， 即發(fā)射控制信號(hào)處于低電平。從圖7還可以看出，在掃描信號(hào)處于高電平之 前，發(fā)射控制信號(hào)可以處于低電平；在發(fā)射控制信號(hào)處于高電平之前，掃描 信號(hào)可以處于低電平。
參照?qǐng)D6和圖7，首先，發(fā)射控制信號(hào)被供應(yīng)到發(fā)射控制線(xiàn)En。當(dāng)發(fā)射 控制信號(hào)被供應(yīng)到發(fā)射控制線(xiàn)En時(shí)，第四晶體管M4截止。當(dāng)?shù)谒木w管 M4截止時(shí)，第二晶體管M2與第一電源ELVDD電絕緣，從而防止不必要的 電流流到有機(jī)發(fā)光二極管OLED 。
接著，掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線(xiàn)Sn。當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線(xiàn)Sn時(shí)， 第一晶體管Ml和第三晶體管M3導(dǎo)通。
當(dāng)?shù)谌w管M3導(dǎo)通時(shí)，基準(zhǔn)電源Vref的電壓被供應(yīng)到有機(jī)發(fā)光二極 管OLED的陽(yáng)極。當(dāng)?shù)谝痪w管M1導(dǎo)通時(shí)，供應(yīng)到數(shù)據(jù)線(xiàn)Dm的數(shù)據(jù)信號(hào) 被提供到存儲(chǔ)電容器Cst的一端。在這種情況下，存儲(chǔ)電容器Cst充有與數(shù)據(jù) 信號(hào)的電壓和基準(zhǔn)電源Vref的電壓之間的差對(duì)應(yīng)的電壓。因此，存儲(chǔ)電容器 Cst充有與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓，而與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的劣化無(wú)關(guān)。 換句話(huà)說(shuō)，當(dāng)存儲(chǔ)電容器Cst的一端充有與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓時(shí)，因?yàn)榇?儲(chǔ)電容器Cst的另一端保持為基準(zhǔn)電源Vref的電壓，所以存儲(chǔ)電容器Cst可 以充有期望的電壓。
當(dāng)供應(yīng)到掃描線(xiàn)Sn的掃描信號(hào)變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，第一晶體管Ml和第三晶 體管M3截止。當(dāng)供應(yīng)到發(fā)射控制線(xiàn)En的發(fā)射控制信號(hào)變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，例如， 在掃描信號(hào)變?yōu)榈碗娖街?，第四晶體管M4導(dǎo)通。此時(shí)，第二晶體管M2 將與充在存儲(chǔ)電容器Cst中的電壓對(duì)應(yīng)的電流從第一電源ELVDD經(jīng)有機(jī)發(fā)光 二極管OLED供應(yīng)到第二電源ELVSS。因此，有機(jī)發(fā)光二極管OLED可以產(chǎn) 生預(yù)定亮度的光。
第一電源ELVDD的電壓可以被設(shè)定為大于第二電源ELVSS的電壓，以 穩(wěn)定地供應(yīng)電流。基準(zhǔn)電源Vref的電壓可以被設(shè)定成小于第一電源ELVDD 的電壓與有機(jī)發(fā)光二極管OLED的閾值電壓之和的電壓。
在這里已經(jīng)公開(kāi)了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，雖然采用了特定術(shù)語(yǔ)，但是 使用這些術(shù)語(yǔ)，且僅按照普通的和描述性的含義解釋這些術(shù)語(yǔ)，并不是出于 限制的目的。因此，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在不脫離如權(quán)利要 求中闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出各種形式上的和細(xì)節(jié)上 的改變。
權(quán)利要求
1、一種像素，包括發(fā)光元件；第一晶體管，被構(gòu)造為當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線(xiàn)時(shí)傳輸來(lái)自數(shù)據(jù)線(xiàn)的數(shù)據(jù)信號(hào)；第二晶體管，被構(gòu)造為將預(yù)定的電流從第一電源經(jīng)發(fā)光元件供應(yīng)到第二電源；存儲(chǔ)電容器，被構(gòu)造為充有與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓，存儲(chǔ)電容器的一端連接到第二晶體管的柵電極，存儲(chǔ)電容器的另一端連接到發(fā)光元件；第三晶體管，被構(gòu)造為當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線(xiàn)時(shí)將基準(zhǔn)電源的電壓供應(yīng)到發(fā)光元件。
2、 如權(quán)利要求l所述的像素，其中，存儲(chǔ)電容器被構(gòu)造為充有與數(shù)據(jù)信 號(hào)的電壓和基準(zhǔn)電源的電壓之間的差對(duì)應(yīng)的電壓。
3、 如權(quán)利要求2所述的像素，其中，所述預(yù)定的電流是與充在存儲(chǔ)電容 器中的電壓對(duì)應(yīng)的電 流。
4、 如權(quán)利要求l所述的像素，其中，基準(zhǔn)電源的電壓小于第一電源的電 壓與發(fā)光元件的閾值電壓之和。
5、 如權(quán)利要求l所述的像素，其中，第一晶體管、第二晶體管和第三晶 體管是NMOS晶體管。
6、 如權(quán)利要求1所述的像素，還包括連接在第二晶體管和第一電源之間 的第四晶體管，第四晶體管被構(gòu)造成當(dāng)發(fā)射控制信號(hào)被供應(yīng)到發(fā)射控制線(xiàn)時(shí) 截止，且當(dāng)發(fā)射控制信號(hào)沒(méi)有被供應(yīng)到發(fā)射控制線(xiàn)時(shí)導(dǎo)通。
7、 如權(quán)利要求6所述的像素，其中，在掃描信號(hào)處于高電平的同時(shí)，發(fā) 射控制信號(hào)不處于高電平。
8、 如權(quán)利要求6所述的像素，其中，第四晶體管是NMOS晶體管。
9、 如權(quán)利要求l所述的像素，其中，發(fā)光元件是有機(jī)發(fā)光二極管。
10、 一種顯示器,包括 掃描驅(qū)動(dòng)器，被構(gòu)造為驅(qū)動(dòng)掃描線(xiàn)； 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，被構(gòu)造為驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線(xiàn)； 像素，設(shè)置在掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)的交叉處，每個(gè)像素包括 發(fā)光元件；第一晶體管，被構(gòu)造為當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線(xiàn)時(shí)傳輸來(lái)自數(shù)據(jù) 線(xiàn)的數(shù)據(jù)信號(hào)；第二晶體管，被構(gòu)造為將預(yù)定的電流從第 一 電源經(jīng)發(fā)光元件供應(yīng)到 第二電源；存儲(chǔ)電容器，被構(gòu)造為充有與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓，存儲(chǔ)電容器的 一端連接到第二晶體管的柵電極，存儲(chǔ)電容器的另一端連接到發(fā)光元件；第三晶體管，被構(gòu)造為當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線(xiàn)時(shí)將基準(zhǔn)電源的 電壓供應(yīng)到發(fā)光元件。
11、 如權(quán)利要求IO所述的顯示器，其中，存儲(chǔ)電容器被構(gòu)造為充有與數(shù) 據(jù)信號(hào)的電壓和基準(zhǔn)電源的電壓之間的差對(duì)應(yīng)的電壓。
12、 如權(quán)利要求11所述的顯示器，其中，所述預(yù)定的電流是與充在存儲(chǔ) 電容器中的電壓對(duì)應(yīng)的電流。
13、 如權(quán)利要求IO所述的顯示器，其中，基準(zhǔn)電源的電壓小于第一電源 的電壓與發(fā)光元件的閾值電壓之和。
14、 如權(quán)利要求IO所述的顯示器，其中，第一晶體管、第二晶體管和第 三晶體管是NMOS晶體管。
15、 如權(quán)利要求IO所述的顯示器，還包括連接在第二晶體管和第一電源 之間的第四晶體管，第四晶體管被構(gòu)造成當(dāng)發(fā)射控制信號(hào)被供應(yīng)到發(fā)射控制 線(xiàn)時(shí)截止，且當(dāng)發(fā)射控制信號(hào)沒(méi)有被供應(yīng)到發(fā)射控制線(xiàn)時(shí)導(dǎo)通。
16、 如權(quán)利要求15所述的顯示器，其中，在掃描信號(hào)處于高電平的同時(shí)， 發(fā)射控制信號(hào)不處于高電平。
17、 如權(quán)利要求IO所述的顯示器，其中，發(fā)光元件是有機(jī)發(fā)光二極管。
18、 一種驅(qū)動(dòng)包括像素的顯示器的方法，所述像素位于數(shù)據(jù)線(xiàn)和掃描線(xiàn) 的交叉處，所述像素具有發(fā)光元件，所述方法包括當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線(xiàn)時(shí)，傳輸來(lái)自數(shù)據(jù)線(xiàn)的數(shù)據(jù)信號(hào)；將預(yù)定的電流從第 一 電源經(jīng)發(fā)光元件供應(yīng)到第二電源；當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線(xiàn)時(shí)，將基準(zhǔn)電源的電壓供應(yīng)到發(fā)光元件。
19、 如權(quán)利要求18所述的方法，其中，僅當(dāng)沒(méi)有掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描 線(xiàn)時(shí)，執(zhí)行供應(yīng)所述預(yù)定的電流的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種像素、使用該像素的顯示器及其驅(qū)動(dòng)方法，該像素可包括發(fā)光元件、第一晶體管、第二晶體管、存儲(chǔ)電容器和第三晶體管。第一晶體管可被構(gòu)造為當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線(xiàn)時(shí)傳輸來(lái)自數(shù)據(jù)線(xiàn)的數(shù)據(jù)信號(hào)。第二晶體管可被構(gòu)造為將預(yù)定的電流從第一電源經(jīng)發(fā)光元件供應(yīng)到第二電源。存儲(chǔ)電容器可充有與數(shù)據(jù)信號(hào)對(duì)應(yīng)的電壓，存儲(chǔ)電容器的一端連接到第二晶體管的柵電極，存儲(chǔ)電容器的另一端連接到發(fā)光元件。當(dāng)掃描信號(hào)被供應(yīng)到掃描線(xiàn)時(shí)，第三晶體管可將基準(zhǔn)電源的電壓供應(yīng)到發(fā)光元件。
文檔編號(hào)G09G3/20GK101206825SQ200710160808
公開(kāi)日2008年6月25日 申請(qǐng)日期2007年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月19日
發(fā)明者崔相武, 鄭在景 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社