專利名稱：：噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：.本發(fā)明是有關(guān)于一種噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，且特別是有關(guān)于一種熱汽泡式噴墨印字頭(thermalinkjetprinthead)的力口熱器件結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
：目前的噴墨印字頭(inkjetprinthead)加熱器件結(jié)構(gòu)(heatingelementsstructure)有各種的樣式。在美國專禾UUS4，532,530中揭露一種如圖1的噴墨印字頭加熱器件，其中包含襯底(substrate)100、禾由下層(underglazelayer)102、玻璃平臺(glassmesa)104、電阻器(resistor)106、導(dǎo)線(lead)108、第一層二氧化硅層(Si02layer)110、鉭層(tantalumlayer)112以及第二層二氧化硅層l14。從圖1可知，當(dāng)電流通過導(dǎo)線108流入電阻器106時，圖1電阻器106內(nèi)的點(diǎn)狀區(qū)域代表會開始發(fā)熱的區(qū)域，但是因?yàn)樵诓糠职l(fā)熱區(qū)域l16上方具有結(jié)構(gòu)較厚的第二層二氧化硅層114，導(dǎo)致部分發(fā)熱區(qū)域116無法有效熱消散，而因熱應(yīng)力效應(yīng)造成加熱器件脆裂。在美國專禾UUS4，951，063中揭露另一種如圖2的噴墨印字頭加熱器件，其中包含襯底200、禾由下層202、多晶鞋力口熱構(gòu)件(polysiliconheatingelement)204、禾由上層(overglazelayer)206、電極(electrode)208、熱解氮化硅膜(pyrolyticsiliconnitride)210、組層(tantalumlayer)212以及保護(hù)層(passivationlayer)214。同樣地，從圖2可知，當(dāng)電流通過電極208流入多晶硅加熱構(gòu)件204時，其中的點(diǎn)狀區(qū)域代表會開始發(fā)熱的區(qū)域。然而，因?yàn)樵诓糠职l(fā)熱區(qū)域216上方有結(jié)構(gòu)較厚的保護(hù)層214，使部分發(fā)熱區(qū)域216無法有效熱消散，導(dǎo)致熱應(yīng)力效應(yīng)而造成加熱器件脆裂。在美國專禾IJUS5，980，025中所公開的一種如圖3的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，除一般的襯底300、釉下層302、柵氧化層(gateoxidelayer)304、氧化物混合層(composite1ayer)306、鋁電極(aluminumelectrode)308、多晶硅層310、緩沖氧化層(bufferoxidelayer)312、氮化層(nitridelayer)314、鉭層316以及聚醯亞胺層(polyimidelayer)318之夕卜，還提議用更高摻雜(doping)濃度處理其中的多晶硅層310，使其具有高摻雜多晶硅(heavily-dopedn++polysilicon)的力口熱端(heaterends)320，以降低多晶硅層310兩端發(fā)熱的現(xiàn)象。但是，高摻雜的加熱端320于高溫加熱時，摻雜濃度會發(fā)生變化，進(jìn)而影響噴墨頭壽命和打印口叩質(zhì)。從圖3可知，當(dāng)電流通過鋁電極308流入加執(zhí)端320時，其中的點(diǎn)狀區(qū)域代表會開始發(fā)熱的區(qū)域，但是在部分發(fā)熱區(qū)域322上方有結(jié)構(gòu)較厚的聚醯亞胺層318，使部分發(fā)熱區(qū)域322無法有效執(zhí)消散，所以會因?yàn)闊釕?yīng)力效應(yīng)造成加熱器件脆裂美國專利US6，267，471中還提出一種如圖4的噴黑歪印字頭加熱器件，中在制作噴墨印字頭加熱器件時，會在已經(jīng)形成介電質(zhì)基層(basslayer)402與摻雜多晶硅404的襯底400之上，形成一層金屬娃化物406，以改善摻雜多晶娃404與后續(xù)形成的金屬接觸窗部件contactm6mber)的附著性。而且，在圖4中還揭露在金屬硅化物406中形成咼摻雜區(qū)408，以降低此處的發(fā)熱現(xiàn)象，但仍有上述的發(fā)熱問題，而導(dǎo)致噴墨頭壽命及打印品質(zhì)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，適用于熱汽泡式噴墨印字頭上，可降低噴墨印字頭制造成本、增加噴墨印字頭使用壽命、并且提高打印品質(zhì)。本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)可以從本發(fā)明所揭露的技術(shù)特征中得到近一步的了解?；谏鲜銎渲械囊粋€或部份或全部目的或其它目的，本發(fā)明一實(shí)施例提出一種噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，包括一襯底(substrate)、一絕緣層(insulatinglayer)、一電阻層(resistiveheaterlayer)、一熱消散層(heatdissipationlayer)、一第一保護(hù)層以及一導(dǎo)電層。絕緣層是位于襯底之上，而電阻層是位于絕緣層之上，其中電阻層具有一個加熱區(qū)(heatingregion)與兩個對應(yīng)的非力口熱區(qū)(non—heatingregions)。熱消散層則是位于電阻層的非加熱區(qū)與絕緣層之間。第一保護(hù)層覆蓋電阻層，導(dǎo)電層則分別與電阻層的非加熱區(qū)電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述熱消散層的材料包括金屬或非金屬。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述熱消散層的材料包括金、銀、鉭(tantalum)、鴿(tungsten)或金屬復(fù)合材料(metalcomposite)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述熱消散層的材料包括鉆石(diamond)、合成碳或碳化物的非金屬。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述電阻層的材料包括摻雜多晶硅。電阻層的非加熱區(qū)內(nèi)的摻雜濃度(dopantconcentration)可大于力口熱區(qū)內(nèi)的摻雜濃度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述噴黑耍印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)還包括還包括空穴效應(yīng)保護(hù)層，覆蘭皿第一保護(hù)層在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述噴黑歪印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)還包括一第一保護(hù)層，覆生隱導(dǎo)電層并露出加執(zhí)區(qū)上的第保護(hù)層在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第保護(hù)層的材料為—氧化硅或氮化桂在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述空穴效應(yīng)保護(hù)層可延伸覆主第保護(hù)層在本發(fā)明的一實(shí)施例中，還包括一第保護(hù)層，覆生導(dǎo)電層與第一保護(hù)層在本發(fā)明的一實(shí)施例中，還包括空穴效應(yīng)保護(hù)層覆生第保護(hù)層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述絕緣層的材料包括氧化娃。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述第保護(hù)層的材料包括一氧化硅、氮化硅或碳化硅。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述噴墨印字頭加執(zhí)J、"器件結(jié)構(gòu)還包括接觸窗(contactwindc>w)，位于第一保護(hù)層內(nèi)，用以電性連接導(dǎo)電層以及電阻層的非加區(qū)本發(fā)明另實(shí)施例提出一種噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，包括一襯底、一絕緣層、一電阻層、~■執(zhí)消散層、第一保護(hù)層、一導(dǎo)電層以及一接觸窗。絕緣層是位于襯底之上，而電阻層是位于絕緣層之上，苴z、中電阻層具有一個加熱區(qū)與兩個對應(yīng)的非加熱區(qū)。執(zhí)■/、、、消散層則是位于電阻層的非加熱區(qū)與絕緣層之間。第保護(hù)層覆蓋電阻層，導(dǎo)電層則位于第—保護(hù)層之上。接觸窗，位于該第一保護(hù)層內(nèi)，用以電性連接導(dǎo)電層以及電阻層的這些非加熱區(qū)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述電阻層的材料包括摻雜多晶硅，電阻層的這些非加熱區(qū)內(nèi)的摻雜濃度大于加熱區(qū)內(nèi)的摻雜濃度在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述電阻層罔子摻雜濃度在加熱區(qū)為1.0X1015—6.0X10ions/'cn21貫在非加熱區(qū)中離子摻雜濃度約為1.0X102'_-1.0X1030'ons/2cmo在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)還包括一第二保護(hù)層，可覆蓋導(dǎo)電層并露出加夫冉區(qū)上的第一保護(hù)層，或覆蓋導(dǎo)電層與第一保護(hù)層。本發(fā)明再—-實(shí)施例提出一種噴墨印字頭加熱器件，包括襯底、一絕緣層、一電阻層、一熱消散層、第保護(hù)層、一導(dǎo)電層、一接觸窗以及一第二保護(hù)層絕緣層是位于襯底之上，而電阻層是位于絕緣層之上，中電阻層具有一加熱區(qū)與一對應(yīng)的非加熱區(qū)。執(zhí)"、、消散層則是位于電阻層的非加熱區(qū)與絕緣層之間。第保護(hù)層覆蓋電阻層，導(dǎo)電層則位于第一保護(hù)層之上接觸窗，位于該第一保護(hù)層內(nèi)，用以電性連接導(dǎo)電層以及電阻層的非加熱區(qū)。第二保護(hù)層覆蓋該導(dǎo)電層及至少該電阻層的該非加熱區(qū)之上的一部分。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述熱消散層與電阻層的非加熱區(qū)接觸連接。本發(fā)明再—實(shí)施例提出一種噴墨印字頭加熱器件，包括襯底、一絕緣層、一電阻層、一熱消散層、第保護(hù)層以及一導(dǎo)電層。絕緣層是位于襯底之上，而電阻層是位于絕緣層之上，其中電阻層具有一加熱區(qū)與一對應(yīng)的非加熱區(qū)。電阻層的材料包括摻雜多晶硅，該電阻層的該非加熱區(qū)內(nèi)的摻雜濃度大于該加熱區(qū)內(nèi)的J參雜濃度。熱消散層絕緣層之間。第一保護(hù)層覆保護(hù)層之上，與電阻層的在本發(fā)明的一實(shí)施例中件還包括一第保護(hù)層，覆非加熱區(qū)之上的一部分。本發(fā)明因?yàn)樵谝r底和電所以由電阻層非加熱區(qū)所產(chǎn)過夫惑消散層熱消散，使實(shí)際熱消散層所隔出的電阻層區(qū)加扭"、、至咼溫o所以，電阻層效應(yīng)而損毀。換言之，本發(fā)計(jì)可以有效提咼噴墨頭器件使用般半導(dǎo)體晶圓代工廠于大量生產(chǎn)，并由此大幅降穩(wěn)定性。為讓本發(fā)明的上述特征文特舉較佳實(shí)施例，并配合中:圖1是美國專禾ljUS4，位于電阻層的非加熱區(qū)與蓋電阻層。導(dǎo)電層位于第非加熱區(qū)電性連接。，上述噴黑歪印字頭加執(zhí)"、、器蘭導(dǎo)電層及至少電阻層的阻層之間設(shè)有夫A消散層，生的執(zhí)可以快速有效的通有效率的加執(zhí)區(qū)被局限在域，同時非加熱區(qū)不會被非加執(zhí)區(qū)不會因?yàn)閳?zhí)應(yīng)力明所提供的執(zhí)消散層的設(shè)的壽命此外，本發(fā)明可的材料及制程，因此有利低制造成本及提咼口叩質(zhì)和和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂下圖，作詳細(xì)i兌明如下，532，530的噴墨印字頭加熱器件示意圖。圖2是美國專利US4，951，063的噴墨印字頭加熱器件示意圖。圖3是美國專利US5，980，025的噴墨印字頭加熱器件示意圖。圖4是美國專利US6，267,471的噴墨印字頭加熱器件的半成品示意圖。圖5是本發(fā)明第一實(shí)施例的一種噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)的示意圖。圖6是依照本發(fā)明第二實(shí)施例的一種噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)的示意圖。圖7是依照本發(fā)明第三實(shí)施例的一種噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)的示意圖。圖8是依照本發(fā)明第四實(shí)施例的一種噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)的示意圖。圖9是依照本發(fā)明第五實(shí)施例的一種噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)的示意圖。具體實(shí)施例方式下文中參看附圖，以便更充分地描述本發(fā)明，且隨附圖式中顯示本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以許多不同形式來體現(xiàn)，且不應(yīng)將苴/、解釋為限于本文所陳述的實(shí)施例。實(shí)際上提供這匙實(shí)施例，p是為了將本發(fā)明的范疇完全傳達(dá)至所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中有通常知識者。在附圖中，為明確起見未按比例繪制各層以及區(qū)域的尺寸及其相對尺寸此外，本發(fā)明所提到的方向用語，例如"上"、下左右"等，僅是參考附圖的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而非用來限制本發(fā)明圖5是依照本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種噴甲承印字頭加熱器ft結(jié)構(gòu)的示思圖請參M圖5，第實(shí)施例的噴黑審印字頭加*惑器件結(jié)構(gòu)500，包括一襯底502、絕緣層504、一電阻層506、一熱消散層508、~■第保護(hù)層510以及一導(dǎo)電層512絕緣層504是位于襯底502之上，且絕緣層504的材料例如氧化硅或其它絕緣材料。電阻層506是位于絕緣層504之上，其中電阻層506有加熱區(qū)(heatingregion506a與對應(yīng)的1非加熱區(qū)unheatedregions)506b，在圖5是以虛線分隔7其中加熱區(qū)506a是提供熱予墨水，以對墨水進(jìn)行加熱，非加熱區(qū)506b并未用來對墨水加熱。于本發(fā)明一最佳實(shí)施例中，一加熱區(qū)5Q6a對應(yīng)二個非加熱區(qū)5Q6b。熱消散層508則是位于電阻層506的非加熱區(qū)506b與絕緣層504之間，其中熱消散層508的材料比如像是金、銀、組(tantalum)、鉤(tungsten)或金屬復(fù)合材料(metalcomposite)等金屬或者像是鉆石(diamond)、合成碳或碳化物等非金屬，但本發(fā)明不限于前述所列舉的材料。于最佳實(shí)施例中，電阻層506的加熱區(qū)506a是位于熱消散層508之間且熱消散層508接觸連接電阻層506的非加熱區(qū)506b。第一保護(hù)層510是覆蓋電阻層506，其中第一保護(hù)層51O可以是單層結(jié)構(gòu)或是多層結(jié)構(gòu)，而其材料例如是二氧化硅、氮化硅或碳化硅，但本發(fā)明不限于這些材料。導(dǎo)電層512則分別與電阻層506的非加熱區(qū)506b電性連接，且導(dǎo)電層512的材料可選擇鋁(Al)或鋁銅(AlCu)等金屬或合金，但本發(fā)明不限于這些材料。另外，噴墨印字頭加熱器件500結(jié)構(gòu)還包括一第二保護(hù)層514，覆蓋導(dǎo)電層512并露出加熱區(qū)506a上的第一保護(hù)層510，其中第二保護(hù)層514的材料例如二氧化硅或氮化硅，但本發(fā)明不限于這些材料。此外，于一實(shí)施例中，第二保護(hù)層514覆蓋至少非加熱區(qū)506b之上的一部分，如圖5所示。第一保護(hù)層510內(nèi)可形成接角蟲窗(contactwindow)516，用以電性連接導(dǎo)電層512以及電阻層506的非加執(zhí)"、、區(qū)506請繼續(xù)參昭/、、、圖5，以下大致描述第一實(shí)施例的噴黑歪印字頭加犰器件結(jié)構(gòu)500的制程，但本發(fā)明不限于口/、能用以下方式來制作第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)首先，可由硅心片chip)作為襯底502，在此襯底502上通過爐管或其它制程長出絕緣層504。接下來，通過微影及蝕刻方式在絕緣層504上形成熱消散層508，并將加熱區(qū)506a之部位凈空。接著，進(jìn)行電阻層506的制程，比如在絕緣層504和熱消散層508上成長多曰曰曰'硅后，在多晶硅中泰參雜離子，進(jìn)而兀成電阻層506完成電阻層506后是進(jìn)行第保護(hù)層510的制程，再通過微影及蝕刻方式，定義出相對應(yīng)于導(dǎo)電層512及電阻層506的接觸洞亦即接觸窗516的位置)，此接觸洞是用來將電流從導(dǎo)電層512傳導(dǎo)至電阻層506。之后，將導(dǎo)電金屬長在接觸洞以及第一保護(hù)層510上并且通過蝕刻方式將導(dǎo)電層512位置定義出來完成導(dǎo)電層512后，于導(dǎo)電層512上長出第二保護(hù)層514，此導(dǎo)電層512上的第二保護(hù)層514僅需覆蓋住導(dǎo)電層512即可。以上制程即可完成第實(shí)施例所提出的噴黑承字頭加熱器件結(jié)構(gòu)500圖6是依照、本發(fā)明的第二實(shí)施例的一種噴黑耍印字頭加執(zhí)'、、、器件結(jié)構(gòu)的示意圖，其中使用與圖5相同的器件符號來代表相同或類似的器件。請參照、圖6，在第一保護(hù)層510上面可加上層空穴效應(yīng)保護(hù)層(cavitationlayer)600，如鉭層Ctantal關(guān)layer)。這層空穴效應(yīng)保護(hù)層600可用來減少噴黑耍印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)5Q.0在工作時照歪水噴發(fā)所造成的沖擊，因此可增加噴墨印字頭加執(zhí)V、、器件結(jié)構(gòu)500壽命。當(dāng)然，這層空穴效應(yīng)保護(hù)層600還可延伸覆蓋第二保護(hù)層514。以上的第與第二實(shí)施例的噴墨印字頭加執(zhí)"、、器件幺士5口構(gòu)500主要精神在于多加一層熱消散層508從圖5中得知熱消散層508上有電阻層506，且電阻層506通過接觸窗516與導(dǎo)電層512電性相接，當(dāng)電流通過接觸窗516流入電阻層506的非加執(zhí)八"區(qū)506b時，則熱消散層508上方的非加執(zhí)/、、、區(qū)506b所產(chǎn)生的熱可以快速有效的通過執(zhí)"i、消散層506熱消散，使實(shí)際有效率的加熱區(qū)506被局限在執(zhí)'"、消散層508所隔出的電阻層506區(qū)域，故電阻層506的非加熱區(qū)506b將不會被加執(zhí)'、、、至咼溫。所以電阻層506的非加熱區(qū)506b不會因?yàn)闊釕?yīng)力效應(yīng)而損毀。也就是說，第一與第二實(shí)施例所提供的熱消散層508的設(shè)計(jì)可以有效提高噴墨頭器件的壽命。下表1為第二實(shí)施例所提出的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)中各層厚度范圍，但本發(fā)明不以此數(shù)據(jù)為限。下表l的數(shù)據(jù)范圍同時亦可用于第一實(shí)施例，但本發(fā)明仍不以此為限。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>如圖6所示，于一實(shí)施例中，導(dǎo)電層512邊緣至電阻層506的加熱區(qū)506a邊緣的距離L的范圍可以是^5^m。電阻層506可摻雜的離子種類有磷(phosphorous)、硼(boron)、石申(arsenic)、銻(antimony)等離子，其離子摻雜濃度在加熱區(qū)506a中約為1.0XI015—6.0XI02Qions/cm2;而在非加熱區(qū)506b中離子摻雜濃度約為1.0X10一1.0X103Qions/cm2。圖7是本發(fā)明的第三實(shí)施例的一種噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)的示意圖，其中使用與圖5相同的器件符號來代表相同或類似的器件。請參照圖7，電阻層700的非加熱區(qū)700b內(nèi)的摻雜濃度(dopingconcentration)可大于加熱區(qū)700a內(nèi)的摻雜濃度。如此一來，可進(jìn)一步降低非加熱區(qū)700b工作時的高溫。至于其制程例如是在完成電阻層70Q后，通過光罩分別摻雜不同濃度的離子至電阻層700中的非加熱區(qū)70Ob及加犰區(qū)700a。為了讓非加熱區(qū)700b在工作時不要產(chǎn)生高溫，當(dāng)在摻雜離子的過程中，會摻雜濃度較高的離子在非加熱區(qū)域700b中，以得到較低電阻值。此外，電阻層700中的加熱區(qū)700a則摻雜濃度較低的離子，以得到適當(dāng)?shù)碾娮柚担⑶耶a(chǎn)生出較高發(fā)熱功率。圖8是依照本發(fā)明的第四實(shí)施例的一種噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)的示意圖，其中使用與圖5相同的器件符號來代表相同或類似的器件。請#照、圖8，第四實(shí)施例中的第一保護(hù)層800覆蓋導(dǎo)電層512與第一保護(hù)層510而且，圖8中可使用較薄的第一保護(hù)層510，厚度范圍例如是從100oA--5000人，并且可以是多層結(jié)構(gòu)，如氧化硅、氮化硅、碳化硅所組成。由于不需將加區(qū)506a上方的第二二保護(hù)層800去除，因此這個部份可作為絕緣層，用來保護(hù)噴墨印字頭加賣A器件結(jié)構(gòu)其中，第二保護(hù)層800厚度范圍可以從1000A--iooooA，且可以使用二氧化硅、氮化娃、碳化硅等材料。圖9是依照本發(fā)明的第五實(shí)施例的一種噴甲歪印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)的示意'圖，其中使用與圖8相同的器件符號來代表相同或類的器件請參照圖9，在第一保護(hù)層800上方可多層空穴效應(yīng)保護(hù)層90.0，用來減少噴墨印字頭加器件結(jié)構(gòu)在工作時，氣泡對于噴墨印字頭加犰器件結(jié)構(gòu)表面的沖擊。此空穴效應(yīng)保護(hù)層900的厚度可以是1000人—10000A，且使用的材料可以是鉭(tantum)o綜上所述，本發(fā)明的特點(diǎn)之在于設(shè)置層位在襯底和電阻層之間的熱消散層，并由此將電阻層所產(chǎn)生的熱快速有效地通過這層熱消散層熱消散，使實(shí)際有效率的加熱區(qū)被局限在熱消散層所隔出的電阻層區(qū)域，同時非加熱區(qū)不會被加熱至咼溫。所以，電阻層不會因?yàn)闊釕?yīng)力效應(yīng)而損毀，進(jìn)而有效提咼噴黑歪頭器件的壽命。另一方面，導(dǎo)電層通過位于導(dǎo)電層與電阻層之間的第一保護(hù)層，與電阻層的非加熱區(qū)電性連接。此外，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)可使用一般半導(dǎo)體晶圓代工廠的材料及制程，因此有利于大量生產(chǎn)，并由此大幅降低制造成本及提高品質(zhì)和穩(wěn)定性。雖本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。此外，本發(fā)明的任一實(shí)施例或權(quán)利要求書不須達(dá)成本發(fā)明所揭露的全部目的或優(yōu)點(diǎn)或特點(diǎn)、另外，摘要部分和標(biāo)題僅是用來輔助專利文件搜尋之用并非用來限制本發(fā)明的權(quán)利要求。權(quán)利要求1、一種噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一襯底；一絕緣層，位于該襯底之上；一電阻層，位于該絕緣層之上，其中該電阻層至少具有一加熱區(qū)與兩個對應(yīng)的非加熱區(qū)；一熱消散層，位于該電阻層的該些非加熱區(qū)與該絕緣層之間；一第一保護(hù)層，覆蓋該電阻層；以及一導(dǎo)電層，分別與該電阻層的該些非加熱區(qū)電性連接。2、如權(quán)利要求1所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該熱消散層的材料包括金屬或非金屬。3、如權(quán)利要求2所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該熱消散層的材料包括金、銀、鉭、鎢或金屬復(fù)合材料。4、如權(quán)利要求2所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該熱消散層的材料包括鉆石、合成碳或碳化物。5、如權(quán)利要求l所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電阻層的材料包括摻雜多晶硅。6、如權(quán)利要求5所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電阻層的該些非加熱區(qū)內(nèi)的摻雜濃度大于該加熱區(qū)內(nèi)的摻雜濃度。7、如權(quán)利要求1所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括-空穴效應(yīng)保護(hù)層，覆蓋該第-保護(hù)層。8、如權(quán)利要求1所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括-第二保護(hù)層，覆蓋該導(dǎo)電層并露出該加熱區(qū)上的該第-保護(hù)層。9、如權(quán)利要求8所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二保護(hù)層的材料包括二氧化硅或氮化硅。10、如權(quán)利要求8所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括-空穴效應(yīng)保護(hù)層，覆蓋該第-保護(hù)層。11、如權(quán)利要求10所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該空穴效應(yīng)保護(hù)層延伸覆蓋該第二保護(hù)層。12、如權(quán)利要求1所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括-第二保護(hù)層，覆蓋該導(dǎo)電層與該第-保護(hù)層。13、如權(quán)利要求12所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括-空穴效應(yīng)保護(hù)層，覆蓋該第二保護(hù)層。14、如權(quán)利要求1所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該絕緣層的材料包括二氧化硅。15、如權(quán)利要求1所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第-保護(hù)層的材料包括二氧化硅、氮化硅或碳化硅。16、如權(quán)利要求1所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括-接觸窗，位于該第-保護(hù)層內(nèi)，用以電性連接該導(dǎo)電層以及該電阻層的該些非加熱區(qū)。17、-種噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括-襯底；-絕緣層，位于該襯底之上；-電阻層，位于該絕緣層之上，該電阻層至少具有-個加熱區(qū)與兩個對應(yīng)的非加熱區(qū)；-熱消散層，位于該電阻層的該些非加熱區(qū)與該絕緣層之間；-第-保護(hù)層，覆蓋該電阻層；-導(dǎo)電層，位于第-保護(hù)層之上；以及-接觸窗，位于該第-保護(hù)層內(nèi)，用以電性連接該導(dǎo)電層以及該電阻層的該些非加熱區(qū)。18、如權(quán)利要求17所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電阻層的材料包括摻雜多晶硅，該電阻層的該些非加熱區(qū)內(nèi)的摻雜濃度大于該加熱區(qū)內(nèi)的摻雜濃度。19、如權(quán)利要求18所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電阻層離子摻雜濃度在該加熱區(qū)為1.0只10'5-6.OxlOZOlonS/CmZ，在該些非加熱區(qū)中離子摻雜濃度約為1.Ox102’-1.Ox1O3Oions/cmZ。20、如權(quán)利要求17所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括-第二保護(hù)層，覆蓋該導(dǎo)電層并露出該加熱區(qū)上的該第-保護(hù)層。21、如權(quán)利要求17所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括-第二保護(hù)層，覆蓋該導(dǎo)電層與該第-保護(hù)層。22、-種噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括-襯底；-絕緣層，位于該襯底之上；-電阻層，位于該絕緣層之上，該電阻層至少具有-加熱區(qū)與-對應(yīng)的非加熱區(qū)；-熱消散層，位于該電阻層的該非加熱區(qū)與該絕緣層之間；-第-保護(hù)層，覆蓋該電阻層；-導(dǎo)電層，位于第-保護(hù)層之上；-接觸窗，位于該第-保護(hù)層內(nèi)，用以電性連接該導(dǎo)電層以及該電阻層的該非加熱區(qū)；以及-第二保護(hù)層，覆蓋該導(dǎo)電層及至少該電阻層的該非加熱區(qū)之上的-部分。23、件結(jié)構(gòu)如權(quán)利要求22所述的噴墨印字頭加熱器其特征在于，該熱消散層與該電阻層的該非加熱區(qū)接觸連接。24、-種噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括-襯底；-絕緣層，位于該襯底之上；-電阻層，位于該絕緣層之上，該電阻層至少具有-加熱區(qū)與-對應(yīng)的非加熱區(qū)，其中該電阻層的材料包括摻雜多晶硅，該電阻層的該非加熱區(qū)內(nèi)的摻雜濃度大于該加熱區(qū)內(nèi)的摻雜濃度；-熱消散層，位于該電阻層的該非加熱區(qū)與該絕緣層之間；-第-保護(hù)層，覆蓋該電阻層；以及-導(dǎo)電層，位于第-保護(hù)層之上，與該電阻層的該非加熱區(qū)電性連接。25、如權(quán)利要求24所述的噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括-第二保護(hù)層，覆蓋該導(dǎo)電層及至少該電阻層的該非加熱區(qū)之上的-部分。全文摘要一種噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)，包括一個襯底、一絕緣層、一電阻層、一熱消散層、一第一保護(hù)層以及一導(dǎo)電層。絕緣層是位于襯底之上，而電阻層是位于絕緣層之上，其中電阻層具有一個加熱區(qū)與兩個對應(yīng)的非加熱區(qū)。熱消散層則是位于電阻層的非加熱區(qū)與絕緣層之間。第一保護(hù)層覆蓋電阻層，導(dǎo)電層則分別與電阻層的非加熱區(qū)電性連接。由于熱消散層的存在，因此可以有效提高噴墨印字頭加熱器件結(jié)構(gòu)的壽命。文檔編號B41J2/14GK101407130SQ2007101499公開日2009年4月15日申請日期2007年10月8日優(yōu)先權(quán)日2007年10月8日發(fā)明者李明玲,李致淳,賴偉夫申請人:國際聯(lián)合科技股份有限公司