專利名稱：一種新型真空吸筆的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及光伏電池制造領(lǐng)域，特別涉及晶體硅電池制造過(guò)程的硅片 吸取工具。
背景技術(shù)：
在光伏電池，特別是晶體硅太陽(yáng)電池的制造過(guò)程中，在對(duì)硅片進(jìn)行表面制 絨清洗后，需將硅片通過(guò)真空吸筆吸附置于石英舟中，然后將裝載硅片的石英
舟置于擴(kuò)散爐中進(jìn)行擴(kuò)散；在擴(kuò)散完成后，使用真空吸筆將硅片取出置于另一 載具上經(jīng)過(guò)去磷硅玻璃及刻蝕后，再使用真空吸筆將硅片放入石墨舟進(jìn)行PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor D印osition，等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)工 序。目前，在晶體硅太陽(yáng)電池制造過(guò)程中，使用的真空吸筆的結(jié)構(gòu)參見(jiàn)圖1，真 空吸筆包括氣體通道管部1G以及與氣體通道管部的一端相連的吸盤16，氣體通 道管部10具有手持部12以及氣體通孔14，所述吸盤16的中部具有圓形內(nèi)凹 162，與吸盤表面具有高度差以形成環(huán)形透氣縫隙164。當(dāng)吸附硅片時(shí)，用手指 堵住位于所述手持部12的氣體通孔14,將所述吸盤16靠近硅片的側(cè)面即可將 硅片吸取并移至另一置放位置，然后松開(kāi)堵住氣體通孔14的手指，硅片即可從 吸盤松開(kāi)。在實(shí)際的使用過(guò)程當(dāng)中，特別是當(dāng)使用的硅片較薄時(shí)，比如，硅片 厚度低于200微米時(shí)，發(fā)現(xiàn)在吸盤吸取的地方會(huì)出現(xiàn)明顯圓形吸痕，或使硅片 在局部產(chǎn)生應(yīng)力，形成鼓包，導(dǎo)致本工序或者后續(xù)工序中的破片率升高；更有 甚者，會(huì)在硅片表面形成圓形的孔洞，造成基體材料硅片的大量報(bào)廢，使生產(chǎn) 成本增力口。
實(shí)用新型內(nèi)容
為解決上述問(wèn)題，減少太陽(yáng)電池生產(chǎn)過(guò)程中的材料報(bào)廢，降低生產(chǎn)過(guò)程中 的硅片破片率，本實(shí)用新型提出一種新型真空吸筆，所述真空吸筆包括氣體通 道管部以及與氣體通道管部相連的吸盤，其中，所述氣體通道管部包括手持部 及位于手持部的氣體通孔，其特征在于，所述吸盤中部具有至少一個(gè)矩形條狀 凹陷，與所述吸盤表面具有高度差以形成透氣縫隙。
如上所述，根據(jù)本實(shí)用新型的目的，所述矩形條狀凹陷為兩個(gè)矩形條狀凹 陷呈十字形設(shè)置，或?yàn)槿齻€(gè)矩形條狀凹陷呈放射狀正三角形態(tài)設(shè)置或工字形設(shè) 置。當(dāng)然，根據(jù)所需吸附力的大小，也可對(duì)應(yīng)設(shè)置一個(gè)或多個(gè)矩形條狀凹陷。
采用本實(shí)用新型的真空吸筆，有效減少了吸附面積；另外還可以使吸附力 在薄片吸附面上更為均勻分布，從而在吸附硅片時(shí)，不會(huì)在局部形成吸痕或者 形成鼓包，甚至在硅片表面形成孔洞，降低了后段工藝的破片率及硅片的報(bào)廢， 有效節(jié)約生產(chǎn)成本。


圖1為已有的真空吸筆的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為圖1所示真空吸筆的左視圖； 圖3為本實(shí)用新型的一實(shí)施例的真空吸筆的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4為本實(shí)用新型的另一實(shí)施例的真空吸筆的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖5為本實(shí)用新型的又另一實(shí)施例的真空吸筆的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
如圖3所示，本實(shí)用新型的真空吸筆包括氣體通道管部20以及與氣體通道 管部的一端相連的吸盤26,所述氣體通道管部20包括手持部22以及位于所述 手持部的氣體通孔24,所述吸盤的中部具有矩形條狀凹陷262,與吸盤表面具 有高度差以形成環(huán)形透氣縫隙264。當(dāng)吸附硅片時(shí)，用手指堵住所述手持部22 的氣體通閉孔24,將所述吸盤26靠近硅片的側(cè)面即可將硅片吸取并移至另一置 放位置，然后松開(kāi)堵住氣體通閉孔24的手指，硅片即可從吸盤松開(kāi)，置于硅片 放置容器中。
具體的，在本實(shí)施例中，矩形條狀凹陷262為兩個(gè)且呈十字型設(shè)置。另也 可如圖4所示的本實(shí)用新型另一實(shí)施例的設(shè)計(jì)，矩形條狀凹陷262，為三個(gè)矩形 條狀凹陷且呈放射狀正三角形態(tài)設(shè)置；或如圖5所示的本實(shí)用新型又另一實(shí)施 例的設(shè)計(jì)，矩形條狀凹陷262"為三個(gè)矩形條狀凹陷呈工字形設(shè)置。當(dāng)然，本 實(shí)用新型的真空吸筆的矩形條狀凹陷可以根據(jù)實(shí)際所需吸附力的大小設(shè)置一個(gè) 或多個(gè)。
如上所述，本實(shí)用新型的真空吸筆，由于其吸盤上的凹陷改為矩形條狀凹 陷，有效減少了吸附面積；另，優(yōu)選的，采用多個(gè)矩形條狀凹陷，還可以使吸 附力在薄片吸附面上更為均勻分布，從而在吸附薄片如200微米以下的硅片時(shí)， 不會(huì)在局部形成吸痕或者形成鼓包，甚至在硅片表面形成孔洞，降低了后段工 藝的破片率及硅片的報(bào)廢，有效節(jié)約生產(chǎn)成本。
以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并非用于限定本實(shí)用新型，本領(lǐng) 域的技術(shù)人員在不脫離本實(shí)用新型的精神及公開(kāi)的范圍內(nèi)，仍可作一些更動(dòng)或 潤(rùn)色，故本實(shí)用新型的權(quán)利保護(hù)范圍以權(quán)利要求書限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1、一種用于吸附薄片的真空吸筆，包括氣體通道管部以及與所述氣體通道管部的一端相連的吸盤，其中，所述氣體通道管部包括手持部及位于所述手持部的氣體通孔，其特征在于，所述吸盤上具有至少一個(gè)矩形條狀凹陷，所述矩形條狀凹陷與所述吸盤表面具有高度差，形成透氣縫隙。
2、 如權(quán)利要求1所述的真空吸筆，其特征在于，所述矩形條狀凹陷為兩個(gè) 且呈十字形設(shè)置。
3、 如權(quán)利要求1所述的真空吸筆，其特征在于，所述矩形條狀凹陷為三個(gè) 且呈放射狀正三角形態(tài)設(shè)置。
4、 如權(quán)利要求1所述的真空吸筆，其特征在于，所述矩形條狀凹陷為三個(gè) 且呈工字形設(shè)置。
專利摘要本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)電池制造領(lǐng)域，特別涉及太陽(yáng)電池制造工藝過(guò)程中對(duì)薄片基體材料的進(jìn)行取放的真空吸筆。本實(shí)用新型真空吸筆包括氣體通道管部以及與氣體通道管部相連的吸盤，氣體通道管部包括手持部及氣體通孔。在所述吸盤上具有至少一個(gè)條狀凹陷，所述條狀凹陷與吸盤表面具有高度差，從而在條狀凹陷邊緣形成透氣縫隙。本實(shí)用新型真空吸筆可以有效降低吸附過(guò)程中吸盤對(duì)薄片基體材料造成的吸附損傷，降低破片率，節(jié)省生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)B25J15/06GK201374344SQ200820238019
公開(kāi)日2009年12月30日 申請(qǐng)日期2008年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月26日
發(fā)明者潘建宇, 列 肖 申請(qǐng)人:洛陽(yáng)尚德太陽(yáng)能電力有限公司;無(wú)錫尚德太陽(yáng)能電力有限公司