一種基坑圍護(hù)樁樁頂水平位移監(jiān)測(cè)裝置及監(jiān)測(cè)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種監(jiān)測(cè)裝置及監(jiān)測(cè)方法，尤其涉及一種基坑圍護(hù)粧的位移監(jiān)測(cè)裝置及監(jiān)測(cè)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，圍護(hù)粧粧頂水平位移是深部基坑開挖及使用過程中的重要指標(biāo)，直接影響著基坑壁、道路、管線的安全和穩(wěn)定。由于新建基坑周圍建筑物密集，采用常規(guī)的全站儀監(jiān)測(cè)方法，由于監(jiān)測(cè)基點(diǎn)、工作基點(diǎn)和監(jiān)測(cè)測(cè)點(diǎn)建立困難和通視性差，很難獲得滿足精度的圍護(hù)粧體的水平位移監(jiān)測(cè)成果，難以及時(shí)準(zhǔn)確地評(píng)價(jià)基坑壁及周邊環(huán)境的穩(wěn)定性和安全性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種基坑圍護(hù)粧粧頂水平位移監(jiān)測(cè)裝置及監(jiān)測(cè)方法，解決現(xiàn)有的常規(guī)基坑圍護(hù)粧粧頂水平位移監(jiān)測(cè)方法中監(jiān)測(cè)基點(diǎn)、工作基點(diǎn)和監(jiān)測(cè)測(cè)點(diǎn)布設(shè)困難和通視性差的問題。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案是:一種基坑圍護(hù)粧粧頂水平位移監(jiān)測(cè)裝置，待測(cè)粧頂冠梁上設(shè)有固定錨栓，支架通過固定錨栓固定于待測(cè)粧頂冠梁上，所述支架上設(shè)有運(yùn)算處理器，激光發(fā)生器和激光接收器通過夾具固定于支架上，待測(cè)粧頂冠梁位于待測(cè)基坑圍護(hù)粧頂部；
[0005]參考粧頂冠梁位于參考圍護(hù)粧頂部，所述參考粧頂冠梁上以及參考圍護(hù)粧上設(shè)有與激光發(fā)生器向配合的反射貼片。
[0006]—種基坑圍護(hù)粧粧頂水平位移監(jiān)測(cè)方法，包括以下步驟:
[0007]a)在待測(cè)基坑圍護(hù)粧的頂冠梁上安裝激光發(fā)生器；
[0008]b)在參考圍護(hù)粧的頂冠梁上與激光發(fā)生器同一高程內(nèi)和參考圍護(hù)粧上分別安裝有與激光發(fā)生器相配合的反射貼片；
[0009]c)測(cè)量激光發(fā)生器到反射貼片間的距離:激光發(fā)生器產(chǎn)生高精度激光束，經(jīng)反射貼片反射到激光接收器中，再傳遞到運(yùn)算處理器，并記錄距離測(cè)試結(jié)果；
[0010]d)根據(jù)基坑開挖深度，確定監(jiān)測(cè)頻率，重復(fù)步驟C)，反復(fù)監(jiān)測(cè)激光發(fā)生器到反射貼片間的距離，并記錄測(cè)試結(jié)果；
[0011]e)比對(duì)相鄰兩次的監(jiān)測(cè)結(jié)果，取最大差值作為位移測(cè)試結(jié)果。
[0012]本發(fā)明的有益效果是:在基坑灌注粧冠梁位置角點(diǎn)同一高程內(nèi)設(shè)置位移監(jiān)測(cè)點(diǎn)；水平面內(nèi)，利用臨兩邊和對(duì)邊的圍護(hù)粧粧頂?shù)谋O(jiān)測(cè)點(diǎn)，進(jìn)行測(cè)試，得出監(jiān)測(cè)距離；豎直平面內(nèi)，利用基坑對(duì)面的圍護(hù)粧縱向監(jiān)測(cè)點(diǎn)，測(cè)試得出距離，通過比較，取得相對(duì)位移較大的作為該點(diǎn)的水平位移；由于各個(gè)監(jiān)測(cè)點(diǎn)和固定支架直接安裝在冠梁和圍護(hù)粧上，可以在灌注施工時(shí)實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)點(diǎn)留設(shè)，可以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)定位;監(jiān)測(cè)過程在基坑冠梁上實(shí)現(xiàn)，不設(shè)置常規(guī)的監(jiān)測(cè)基點(diǎn)，不存在通視問題，達(dá)到了準(zhǔn)確測(cè)量基坑圍護(hù)粧粧體水平位移的目的，克服和避免常規(guī)的基坑水平位移測(cè)量過程中設(shè)置基準(zhǔn)點(diǎn)困難、通視性差的難題，不受基坑周邊環(huán)境限制，監(jiān)測(cè)過程簡(jiǎn)單，監(jiān)測(cè)精度高。
【附圖說明】
[0013]本發(fā)明共有附圖4幅。
[0014]圖1為本發(fā)明的原理圖；
[0015]圖2為本發(fā)明的局部放大圖；
[0016]圖3為實(shí)施例1的監(jiān)測(cè)原理圖；
[0017]圖4為實(shí)施例2的監(jiān)測(cè)原理圖。
[0018]圖中附圖標(biāo)記如下:1、待測(cè)基坑圍護(hù)粧，2、待測(cè)粧頂冠梁，3、固定錨栓，4、支架，5、夾具，6、激光發(fā)生器，7、運(yùn)算處理器，8、激光接收器，9、發(fā)生激光束，10、反射貼片，11、反射激光束，12、參考粧頂冠梁，13、參考圍護(hù)粧。
【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合附圖1-4對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明:
[0020]如圖1、2所示，一種基坑圍護(hù)粧粧頂水平位移監(jiān)測(cè)裝置，待測(cè)粧頂冠梁2上設(shè)有固定錨栓3，支架4通過固定錨栓3固定于待測(cè)粧頂冠梁2上，所述支架4上設(shè)有運(yùn)算處理器7，激光發(fā)生器6和激光接收器8通過夾具5固定于支架4上，待測(cè)粧頂冠梁2位于待測(cè)基坑圍護(hù)粧I頂部；
[0021]參考粧頂冠梁12位于參考圍護(hù)粧13頂部，所述參考粧頂冠梁12上以及參考圍護(hù)粧13上設(shè)有與激光發(fā)生器6向配合的反射貼片10。
[0022]一種基坑圍護(hù)粧粧頂水平位移監(jiān)測(cè)方法，包括以下步驟:
[0023]a)在待測(cè)基坑圍護(hù)粧I的頂冠梁上安裝激光發(fā)生器6;
[0024]b)在參考粧頂冠梁12上與激光發(fā)生器6同一高程內(nèi)和參考圍護(hù)粧13上分別安裝有與激光發(fā)生器6相配合的反射貼片10;
[0025]c)測(cè)量激光發(fā)生器6到反射貼片10間的距離:激光發(fā)生器6產(chǎn)生高精度激光束，經(jīng)反射貼片10反射到激光接收器8中，再傳遞到運(yùn)算處理器7，并記錄距離測(cè)試結(jié)果；
[0026]d)根據(jù)基坑開挖深度，確定監(jiān)測(cè)頻率，重復(fù)步驟c，反復(fù)監(jiān)測(cè)激光發(fā)生器6到反射貼片10間的距離，并記錄測(cè)試結(jié)果；
[0027]e)比對(duì)相鄰兩次的監(jiān)測(cè)結(jié)果，取最大差值作為位移測(cè)試結(jié)果。
[0028]所述監(jiān)測(cè)頻率具體為:基坑深度小于5米時(shí)，2天測(cè)一次，基坑深度大于等于5米且小于1米時(shí)，I天測(cè)一次，基坑深度大于等于1米時(shí)，I天測(cè)兩次。
[0029]實(shí)施例1
[0030]如圖3所示，將臨近7米深基坑邊緣的A、B、C、D四點(diǎn)上的圍護(hù)粧作為參考圍護(hù)粧13，H點(diǎn)的圍護(hù)粧為待測(cè)基坑圍護(hù)粧I，則H點(diǎn)的待測(cè)基坑圍護(hù)粧水平位移監(jiān)測(cè)方法如下:
[0031]a)在待測(cè)基坑圍護(hù)粧I的頂冠梁上安裝激光發(fā)生器6;
[0032]b)在參考粧頂冠梁12上與激光發(fā)生器6同一高程內(nèi)和參考圍護(hù)粧13上分別安裝有與激光發(fā)生器6相配合的反射貼片10;
[0033]c)分別量測(cè)H點(diǎn)的激光發(fā)生器6到D、G、F、E、A的反射貼片10間的距離，再將數(shù)據(jù)信息傳遞到運(yùn)算處理器7，并記錄距離測(cè)試結(jié)果；
[0034]d)—天監(jiān)測(cè)一次激光發(fā)生器6到個(gè)點(diǎn)反射貼片10間的距離，并記錄測(cè)試結(jié)果；
[0035]e)比對(duì)相鄰兩次相應(yīng)兩點(diǎn)的監(jiān)測(cè)結(jié)果，取最大差值作為位移測(cè)試結(jié)果。
[0036]實(shí)施例2
[0037]如圖4所示，M、N兩點(diǎn)相對(duì)位于12米深基坑邊緣，NA上的圍護(hù)粧作為參考圍護(hù)粧13，M點(diǎn)的圍護(hù)粧為待測(cè)基坑圍護(hù)粧I，M點(diǎn)的待測(cè)基坑圍護(hù)粧水平位移監(jiān)測(cè)方法如下:
[0038]a)在待測(cè)基坑圍護(hù)粧I的頂冠梁上安裝激光發(fā)生器6;
[0039]b)參考粧頂冠梁12上與激光發(fā)生器6同一高程內(nèi)的N點(diǎn)安裝一個(gè)反射貼片10，參考圍護(hù)粧上兩個(gè)不同高度點(diǎn)1、J處分別安裝反射貼片10;
[0040]c)分別量測(cè)M點(diǎn)的激光發(fā)生器6到1、J的反射貼片10間的距離，再將數(shù)據(jù)信息傳遞到運(yùn)算處理器7，并記錄距離測(cè)試結(jié)果；
[0041]d)—天監(jiān)測(cè)兩次激光發(fā)生器6到個(gè)點(diǎn)反射貼片10間的距離，并記錄測(cè)試結(jié)果；
[0042]e)比對(duì)相鄰兩次相應(yīng)兩點(diǎn)的監(jiān)測(cè)結(jié)果，取最大差值作為位移測(cè)試結(jié)果。
[0043]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變型，這些改進(jìn)和變型也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基坑圍護(hù)粧粧頂水平位移監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于，待測(cè)粧頂冠梁(2)上設(shè)有固定錨栓(3)，支架(4)通過固定錨栓(3)固定于待測(cè)粧頂冠梁(2)上，所述支架(4)上設(shè)有運(yùn)算處理器(7)，激光發(fā)生器(6)和激光接收器(8)通過夾具(5)固定于支架(4)上，待測(cè)粧頂冠梁(2)位于待測(cè)基坑圍護(hù)粧(I)頂部； 參考粧頂冠梁(12)位于參考圍護(hù)粧(13)頂部，所述參考粧頂冠梁(12)上以及參考圍護(hù)粧(13)上設(shè)有與激光發(fā)生器(6)向配合的反射貼片(10)。2.一種基坑圍護(hù)粧粧頂水平位移監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，包括以下步驟: a)在待測(cè)基坑圍護(hù)粧(I)的頂冠梁上安裝激光發(fā)生器(6); b)在參考粧頂冠梁(12)上與激光發(fā)生器(6)同一高程內(nèi)和參考圍護(hù)粧(13)上分別安裝有與激光發(fā)生器(6)相配合的反射貼片(10); c)測(cè)量激光發(fā)生器(6)到反射貼片(10)間的距離:激光發(fā)生器(6)產(chǎn)生高精度激光束，經(jīng)反射貼片(10)反射到激光接收器8中，再傳遞到運(yùn)算處理器(7)，并記錄距離測(cè)試結(jié)果； d)根據(jù)基坑開挖深度，確定監(jiān)測(cè)頻率，重復(fù)步驟C，反復(fù)監(jiān)測(cè)激光發(fā)生器(6)到反射貼片(10)間的距離，并記錄測(cè)試結(jié)果； e)比對(duì)相鄰兩次的監(jiān)測(cè)結(jié)果，取最大差值作為位移測(cè)試結(jié)果。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基坑圍護(hù)粧粧頂水平位移監(jiān)測(cè)方法，其特征在于，所述監(jiān)測(cè)頻率具體為:基坑深度小于5米時(shí)，2天測(cè)一次，基坑深度大于等于5米且小于10米時(shí)，I天測(cè)一次，基坑深度大于等于1米時(shí)，I天測(cè)兩次。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基坑圍護(hù)樁樁頂水平位移監(jiān)測(cè)裝置及監(jiān)測(cè)方法；待測(cè)樁頂冠梁上設(shè)有固定錨栓，支架通過固定錨栓固定于待測(cè)樁頂冠梁上，所述支架上設(shè)有運(yùn)算處理器，激光發(fā)生器和激光接收器通過夾具固定于支架上，待測(cè)樁頂冠梁位于待測(cè)基坑圍護(hù)樁頂部；參考樁頂冠梁位于參考圍護(hù)樁頂部，所述參考樁頂冠梁上以及參考圍護(hù)樁上設(shè)有與激光發(fā)生器向配合的反射貼片。本發(fā)明的有益效果是：克服和避免常規(guī)的基坑水平位移測(cè)量過程中設(shè)置基準(zhǔn)點(diǎn)困難、通視性差的難題，不受基坑周邊環(huán)境限制，監(jiān)測(cè)過程簡(jiǎn)單，監(jiān)測(cè)精度高。
【IPC分類】E02D33/00
【公開號(hào)】CN105586994
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610003999
【發(fā)明人】李金奎, 李霞
【申請(qǐng)人】大連大學(xué)
【公開日】2016年5月18日
【申請(qǐng)日】2016年1月4日