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中低溫?zé)Y(jié)復(fù)合特性熱敏電阻材料的組成和制備方法

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專利名稱::中低溫?zé)Y(jié)復(fù)合特性熱敏電阻材料的組成和制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
:本發(fā)明涉及一種中低溫?zé)Y(jié)的復(fù)合特性熱敏電阻材料的組成和制備方法,這里的復(fù)合特性熱敏電阻材料特指NTC-PTC復(fù)合熱敏電阻材料或稱為V型PTC材料,屬材料科學(xué)領(lǐng)域。傳統(tǒng)的正溫度系數(shù)熱敏電阻材料(簡(jiǎn)稱PTC材料)主要是指BaTiO3陶瓷,純BaTiO3是良好的絕緣體,而當(dāng)在其中摻雜微量的稀土元素(如La、Nb、Sb、Ta等)時(shí),元件的電阻率會(huì)降到102Ω·cm以下,并且在120℃附近具有正溫度系數(shù)(PTC)特性。傳統(tǒng)的PTC材料還有(Ba,Pb)TiO3、(Sr,Ba)TiO3等體系。傳統(tǒng)的負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻材料(簡(jiǎn)稱NTC材料)主要是由Mn、Ni、Co、Fe、Cu和Cr等過(guò)渡金屬元素的復(fù)合氧化物組成的。傳統(tǒng)的制備熱敏電阻材料的工藝一般是通過(guò)固相合成法。工藝步驟包括稱料-混料-預(yù)燒-粉碎(同時(shí)二次添加)-篩分-造粒-成型-燒結(jié)等。該工藝存在組分分布不均勻、易受雜質(zhì)污染、再現(xiàn)性差等缺點(diǎn)。而且燒結(jié)溫度一般都在1300℃以上,能耗高,不利于工藝控制。用熱敏電阻材料制作的熱敏電阻器作為單個(gè)元件單一功能使用時(shí),存在下列缺點(diǎn)對(duì)于NTC材料,在過(guò)電壓下由于自熱導(dǎo)致電阻逐漸下降,存在擊穿的可能;對(duì)于PTC材料,由于常溫下阻值較小,所以通電自熱作為加熱器時(shí),因沖擊電流大而影響其性能穩(wěn)定性及使用壽命。如果實(shí)現(xiàn)NTC-PTC功能復(fù)合,做成的元件既具有高溫限制(自保護(hù))功能,又具有抑制沖擊電流(自調(diào)節(jié))功能,因此可以實(shí)現(xiàn)溫度調(diào)節(jié)和過(guò)流保護(hù)等多重功能。在BaTiO3系PTC材料中添加Yb2O3、WO3等組分,于1350℃燒成,可以獲得NTC-PTC復(fù)合熱敏電阻材料(參考日本公開特許公報(bào)昭54-27555和54-29234),這種材料燒結(jié)溫度很高(1350℃)。日本專利(參考日本公開特許公報(bào)昭63-280401)和中國(guó)專利(ZL-92112906.8)利用PTC材料固相合成工藝,以(Sr,Pb)TiO3為基體材料,加入少量二次添加劑制備NTC-PTC復(fù)合熱敏電阻材料。但該工藝存在組分較難控制、易受雜質(zhì)污染、工藝再現(xiàn)性差等問(wèn)題。本發(fā)明的目的是制備一種具有新型組成的中低溫?zé)Y(jié)的NTC-PTC復(fù)合熱敏電阻材料。解決或改善傳統(tǒng)工藝中存在的上述問(wèn)題,降低材料的燒結(jié)溫度和電阻率,提高性能再現(xiàn)性。本發(fā)明通過(guò)在陶瓷材料中復(fù)合入玻璃相以制備NTC-PTC復(fù)合熱敏電阻材料。本發(fā)明研制的NTC-PTC復(fù)合熱敏電阻材料,指含有PbSiO3的(Sr,Pb)TiO3、(Ba,Pb)TiO3或(Sr,Ba)TiO3等玻璃-陶瓷復(fù)合材料,體系主成分的一般式為(Sr1-x-yBayPbx)TizO3+wPbmSinO2n+m其中x=0.1~0.9;y=0~0.9;z=0.8~1.2;w=0.001~1;m/n=0.1~10配方主成分中含有金屬元素Ti,還含有Sr,Ba,Pb三種金屬元素或其中的任意兩種,上述金屬元素的氧化物形成陶瓷相,即(Sr1-x-yBayPbx)TizO3,其總量占材料總量的50~99.9mol%;配方主成分中還含有Si等元素,與Pb等形成玻璃相,即PbmSinO2n+m,其總量占材料總量的0.1~30mol%。為了使陶瓷相(Sr1-x-yBayPbx)TizO3半導(dǎo)化,配方中至少含有一種微量元素,如Y、Yb、La、Sb、Nd、Dy、Bi、Ce、Nb等,其含量占材料總量的0.01~5mol%。為了降低材料的燒結(jié)溫度和增強(qiáng)PTC效應(yīng),配方中還添加有少量二次添加物,如AST(1/3Al2O3·3/4SiO2·1/4TiO2)、BaPbO3、Si3N4、BN和Mn、Fe、Li等化合物中的一種或多種,其含量占材料總量的0.001~15mol%。工藝工藝1和工藝2采用固相合成方法,工藝3和工藝4采用化學(xué)合成方法。工藝1和工藝2初始原料選自TiO2、SrCO3、Sr(NO3)2、PbO、Pb3O4、PbCO3、Pb(NO3)2、BaCO3、Ba(NO3)2、SiO2和Si(OC2H5)4等所需元素的氧化物或鹽中,半導(dǎo)化元素初始原料選自Y2O3、Y(NO3)3、Yb2O3、Yb(NO3)3、La2O3、La(NO3)3、Sb2O3、Nd2O3、Nd(NO3)3、Dy2O3、Bi2O3、Bi(NO3)3、Nb2O5、CeO2和Ce(NO3)3等所需元素的氧化物或鹽中,添加劑一般選擇純度較高的合成產(chǎn)物,如AST、BaPbO3、Si3N4、BN以及Mn(NO3)2、Fe(NO3)2、Li2CO3等。工藝1取消了傳統(tǒng)工藝中常用的篩分步驟,在二次添加工藝中引進(jìn)了化學(xué)處理方法,即通過(guò)化學(xué)手段進(jìn)行二次添加。制備的具體工藝步驟如下①將初始原料和半導(dǎo)化元素按配方配比稱量;②混合球磨(48小時(shí),乙醇-水混合介質(zhì),粒度小于1μm);③烘干(100~150℃,10~30小時(shí));④預(yù)燒(800~1000℃,1~2小時(shí));⑤粉碎(粒度小于1μm),并同時(shí)按比例加入添加劑;⑥干燥(100~150℃,10~30小時(shí))、造粒、成型(成型壓強(qiáng)100~500MPa);⑦燒結(jié)(1000~1300℃,5~180分鐘),即為本發(fā)明研制的復(fù)合熱敏電阻材料。工藝2特點(diǎn)在于配方主成分中陶瓷相(Sr1-xPbx)TiyO3單獨(dú)合成,玻璃相PbmSinO2n+m與添加劑同時(shí)加入。制備的具體工藝步驟如下①將初始原料和半導(dǎo)化元素按配方配比稱量;②混合球磨(48小時(shí),乙醇-水混合介質(zhì),粒度小于1μm);③烘干(100~150℃,10~30小時(shí));④預(yù)燒(800~1000℃,1~2小時(shí)),即合成陶瓷相(Sr1-xPbx)TiyO3;⑤粉碎陶瓷相(粒度小于1μm),并將添加劑和玻璃相原料按配方配比與陶瓷相(Sr1-xPbx)TiyO3粉體材料均勻混合;⑥干燥(100~150℃,10~30小時(shí))、造粒、成型(成型壓強(qiáng)100~500MPa);⑦燒結(jié)(1000~1300℃,5~180分鐘),即為本發(fā)明研制的復(fù)合熱敏電阻材料。工藝3和工藝4初始原料選自TiCl4、Ti(OC4H9)4、SrCO3、Sr(NO3)2、PbCO3、Pb(NO3)2、BaCO3、Ba(NO3)2和Si(OC2H5)4等所需元素的氧化物或鹽中,半導(dǎo)化元素初始原料選自Y2O3、Y(NO3)3、Yb2O3、Yb(NO3)3、La2O3、La(NO3)3、Sb2O3、Nd2O3、Nd(NO3)3、Dy2O3、Bi2O3、Bi(NO3)3、Nb2O5、CeO2、Ce(NO3)3等所需元素的氧化物或鹽中,添加劑一般選擇純度較高的合成產(chǎn)物,如AST、BaPbO3、Si3N4、BN以及Mn(NO3)2、Fe(NO3)2、Li2CO3等。工藝3是采用化學(xué)方法制備NTC-PTC復(fù)合熱敏電阻材料。制備的具體工藝步驟如下①將初始原料和半導(dǎo)化元素按配方配比稱量;②將已稱量的初始原料與半導(dǎo)化元素共同形成混合溶液(溶液中Ti離子濃度在0.01~10M之間);③以草酸(或草酸氨)為沉淀劑進(jìn)行共沉淀(沉淀溫度10~80℃);④將沉淀物洗滌(水洗數(shù)次后乙醇脫水三次以上)、分散(分散劑為正丁醇)、烘干(100~150℃,10~30小時(shí));⑤煅燒600~800℃,保溫0.5~1.5小時(shí),獲得主配方粉體材料;⑥將二次添加料與主配方粉體材料均勻混合;⑦干燥(100~150℃,10~30小時(shí))、成型(成型壓強(qiáng)100~500MPa);⑧燒結(jié)(1000~1300℃,5~180分鐘),即為本發(fā)明研制的復(fù)合熱敏電阻材料。工藝4特點(diǎn)在于配方主成分中陶瓷相(Sr1-xPbx)TiyO3單獨(dú)合成,玻璃相PbmSinO2n+m與添加劑同時(shí)加入。制備的具體工藝步驟如下①將初始原料和半導(dǎo)化元素按配方配比稱量;②將已稱量的初始原料與半導(dǎo)化元素共同形成混合溶液(溶液中Ti離子濃度在0.01~10M之間);③以草酸(或草酸氨)為沉淀劑進(jìn)行共沉淀(沉淀溫度10~80℃);④將沉淀物洗滌(水洗數(shù)次后乙醇脫水三次以上)、分散(分散劑為正丁醇)、烘干(100~150℃,10~30小時(shí));⑤煅燒600~800℃,保溫0.5~1.5小時(shí),獲得陶瓷相(Sr1-xPbx)TiyO3粉體材料;⑥將添加劑和玻璃相原料按配方配比與陶瓷相(Sr1-xPbx)TiyO3粉體材料均勻混合;⑦干燥(100~150℃,1~30小時(shí))、成型(成型壓強(qiáng)100~500MPa);⑧燒結(jié)(1000~1300℃,5~180分鐘),即為本發(fā)明研制的復(fù)合熱敏電阻材料。本發(fā)明設(shè)計(jì)了一種玻璃-陶瓷復(fù)合材料,制備出了NTC-PTC復(fù)合的熱敏電阻材料,材料的最小電阻率低,具有強(qiáng)而可調(diào)的NTC效應(yīng)和較大的PTC升阻比。由于采用新型配料、新的合成手段和化學(xué)處理方法,材料的燒結(jié)溫度大大降低。本發(fā)明的燒結(jié)溫度可降低至1100℃左右。同時(shí),通過(guò)特殊元素?fù)诫s和二次摻雜等手段,有效地抑制了Pb揮發(fā),提高了性能穩(wěn)定性。圖l~圖8為對(duì)應(yīng)于實(shí)施例1~8的各樣品的電阻率-溫度特性曲線。曲線中數(shù)據(jù)的起始測(cè)量溫度均為0℃。表1~表8中各參數(shù)代表的意義如下ρ25℃-室溫電阻率;ρmin-最小電阻率;α50℃-負(fù)溫度系數(shù),α+50℃-正溫度系數(shù),PTCjump-PTC升阻比;NTCdrop-NTC降阻比。下面例舉本發(fā)明的實(shí)施例例1.以Y元素?fù)诫s為例(見表1),固定添加劑(MnO2)的量為0.01mol%,主成分組成式為(Sr0.45Pb0.51)TiO3+4%PbSiO3。實(shí)驗(yàn)采用工藝4,取初始原料Ti(OC4H9)4300ml(濃度1.17M),Sr(NO3)233.43克,Pb(NO3)263.95克,分別與0.093M的Y(NO3)3溶液1.88ml、3.75ml、7.50ml、15.00ml、30.00ml、60.00ml、120.00ml形成1500ml混合溶液(計(jì)7組),向七組混合溶液中分別滴加草酸溶液(各含草酸約115克),將所得沉淀按工藝4條件洗滌、干燥、煅燒,獲得粉體材料。在粉體材料(約50克)中加入0.40M的Si(OC2H5)4溶液20.00ml,0.256%M的Mn(NO3)2(Mn的原料)溶液5.00ml,并使得它們均勻混合,干燥后于140MPa壓強(qiáng)下成型,于1160℃燒結(jié)60分鐘(升溫速率20℃/min)。所獲樣品的性能參數(shù)見表1,圖1曲線給出的是樣品的電阻率-溫度特性曲線。例2.主成分組成式為(Sr0.45Pb0.55-μ)TiO3+uPbSiO3,固定半導(dǎo)化元素(本例中為Y元素)和添加劑(FeO3/2)的量分別為0.8mol%和0.01mol%,改變玻璃相主成分SiO2含量u=0.3%,1.0%,2.0%,4.0%,12.0%(見表2)。實(shí)驗(yàn)采用工藝4,取初始原料Ti(OC4H9)4300ml(濃度1.17M),Sr(NO3)233.43克,Pb(NO3)263.95克,0.093M的Y(NO3)3溶液60.00ml各五份組成五組,每組分別形成1500ml混合溶液,向五組混合溶液中分別滴加草酸溶液(各含草酸約115克),將所得沉淀按工藝4條件洗滌、干燥、煅燒,獲得粉體材料。在五組粉體材料(各約50克)中分別加入0.40M的Si(OC2H5)4溶液1.50ml,5.00ml,10.00ml,20.00ml,60.00ml和0.256%M的Fe(NO3)2(Fe的原料)溶液5.00ml,并使得它們均勻混合,干燥后于140MPa壓強(qiáng)下成型,于1160℃燒結(jié)60分鐘(升溫速率20℃/min)。所獲樣品的性能參數(shù)見表2,圖2曲線給出的是樣品的電阻率-溫度特性曲線。例3.選擇Li2CO3作為添加劑,固定配方為(Sr0.45Pb0.51)TiO3+4%PbSiO3(見表3)。實(shí)驗(yàn)采用工藝3,取初始原料Ti(OC4H9)4300ml(濃度1.17M),Sr(NO3)233.43克,Pb(NO3)263.95克,0.40M的Si(OC2H5)4溶液20.00ml,0.093M的Y(NO3)3溶液60.00ml,并形成1500ml混合溶液,向混合溶液中滴加草酸溶液(各含草酸約115克),將所得沉淀按工藝3條件洗滌、干燥、煅燒,獲得粉體材料。在粉體材料中加入0.256%M的Li2CO3硝酸溶液2.50ml,并使得它們均勻混合,干燥后于140MPa壓強(qiáng)下成型,分別于1100℃,1110℃,1120℃,1130℃,1140℃,1150℃,1160℃,1170℃,1180℃燒結(jié)60分鐘(升溫速率20℃/min)。所獲樣品的性能參數(shù)見見表3和圖3,可見,樣品的性能可以根據(jù)燒結(jié)溫度進(jìn)行調(diào)節(jié)。例4.選擇Mn作為添加劑,固定配方為(Sr0.45Pb0.43)TiO3+12%PbSiO3(見表4)。實(shí)驗(yàn)采用工藝4,取初始原料Ti(OC4H9)4300ml(濃度1.17M),Sr(NO3)233.43克,Pb(NO3)263.95克,0.093M的Y(NO3)3溶液60.00ml,并形成1500ml混合溶液,向混合溶液中滴加草酸溶液(各含草酸約115克),將所得沉淀按工藝4條件洗滌、干燥、煅燒,獲得粉體材料。在粉體材料中加入0.40M的Si(OC2H5)4溶液60.00ml,0.256%M的Mn(NO3)2(Mn的原料)溶液5.00ml,并使得它們均勻混合,干燥后于140MPa壓強(qiáng)下成型,分別于1100℃,1110℃,1120℃,1130℃,1140℃,1150℃,1160℃,1170℃,1180℃燒結(jié)60分鐘(升溫速率20℃/min)。所獲樣品的性能參數(shù)見見表4和圖4,可見,樣品的性能隨燒結(jié)溫度相對(duì)穩(wěn)定。例5.對(duì)本發(fā)明實(shí)施例3和例4制備的粉體材料(見表5),于140MPa壓強(qiáng)下成型,分別以5℃/min,10℃/min,15℃/min,20℃/min,25℃/min的速率升溫至1150℃,燒結(jié)60分鐘。所獲樣品的性能參數(shù)見表5,圖5a和圖5b曲線給出了樣品(分別對(duì)應(yīng)例3和例4)的電阻率-溫度特性曲線。例6.固定配方為(Sr0.45Pb0.43)TiO3+12%PbSiO3,并固定添加劑(FeO3/2)的量為0.01mol%,以Bi、Nd、Dy、Sb、Nb、La、Yb和Ce等為半導(dǎo)化元素(見表6)。實(shí)驗(yàn)采用工藝2,取初始原料TiO228.04克,SrCO323.32克和PbO43.09克各八份組成八組,每組分別加入0.093M的Bi、Nd、Dy、Sb、Nb、La、Yb和Ce溶液30.00ml(該溶液由工藝2所敘的半導(dǎo)化元素原料配制而成),分別球磨48小時(shí)后于120℃烘干24小時(shí),再于860℃煅燒90分鐘,將煅燒后的粉料(約50克)粉碎后分別同時(shí)加入0.40M的Si(OC2H5)4溶液60.00ml和0.256%M的Fe(NO3)2溶液5.00毫升,均勻混合,干燥后于140MPa壓強(qiáng)下成型,于1160℃燒結(jié)60分鐘(升溫速率20℃/min)。所獲樣品的性能參數(shù)見表6,圖6曲線給出的是樣品的電阻率-溫度特性曲線。例7.固定配方為(Sr0.45Pb0.51)TiO3+4%PbSiO3,并固定半導(dǎo)化元素(Bi2O3)的量為0.8mol%(見表7)。實(shí)驗(yàn)采用工藝2,取初始原料TiO228.04克,SrCO323.32克和PbO43.09克各四份組成四組,每組分別加入0.093M的Bi(NO3)3溶液60.00ml,分別球磨48小時(shí)后于120℃烘干24小時(shí),再于860℃煅燒90分鐘,將煅燒后的粉料(約50克)粉碎后分別加入0.40M的Si(OC2H5)4溶液20.00ml,并依次分別加入Si3N4,AST,BaPbO3和BN各0.15克,均勻混合,干燥后于140MPa壓強(qiáng)下成型,于1160℃燒結(jié)60分鐘(升溫速率20℃/min)。所獲樣品的性能參數(shù)見表7,圖7曲線給出的是樣品的電阻率-溫度特性曲線。例8.固定配方為(Sr0.45Pb0.43)TiO3+12%PbSiO3,并固定半導(dǎo)化元素(Nd2O3)的量為0.8mol%(見表8)。實(shí)驗(yàn)采用工藝1,取TiO228.04克,BaCO348.48克各五份,SrCO3和PbO各五份,質(zhì)量分別為SrCO34.664克,3.498克,2.332克,1.166和0克;PbO4.309克,6.464克,8.618克,10.773克和12.927克,按表8對(duì)應(yīng)組成五組,每組分別同時(shí)加入0.093M的Nd(NO3)3溶液60.00ml和0.40M的Si(OC2H5)4溶液60.00ml,分別球磨48小時(shí)后于120℃烘干24小時(shí),再于860℃煅燒90分鐘,將煅燒后的粉料(約50克)粉碎后分別加入0.256%M的Mn(NO3)2溶液5.00毫升,均勻混合,干燥后于140MPa壓強(qiáng)下成型,于1160℃燒結(jié)60分鐘(升溫速率20℃/min)。所獲樣品的性能參數(shù)見表8,圖8曲線給出的是樣品的電阻率-溫度特性曲線。例9.為了提高性能穩(wěn)定性,可以將部分半導(dǎo)化元素和部分玻璃相成分PbO在二次添加工藝中加入。如固定配方為(Sr0.45Pb0.43)TiO3+12%PbSiO3,實(shí)驗(yàn)采用工藝2,取TiO228.04克,SrCO323.32克和PbO40.00克,加入0.093M的Nd(NO3)3溶液20.00ml球磨48小時(shí)后于120℃烘干24小時(shí),再于860℃煅燒90分鐘,將煅燒后的粉料(約50克)粉碎后分別同時(shí)加入PbO2.09克,0.093M的Nd(NO3)3溶液40.00ml,0.40M的Si(OC2H5)4溶液60.00ml和0.256%M的Mn(NO3)2溶液5.00毫升,均勻混合,干燥后于140MPa壓強(qiáng)下成型,于1160℃燒結(jié)60分鐘(升溫速率20℃/min)。所獲樣品的性能穩(wěn)定,再現(xiàn)性良好。上述實(shí)驗(yàn)例說(shuō)明,通過(guò)配方調(diào)整,可以使得樣品的室溫電阻率(ρ25℃)低于20Ω·cm,負(fù)溫度系數(shù)(α-50℃)低于-5.0%/℃,NTC電阻率下降超過(guò)3個(gè)數(shù)量級(jí),正溫度系數(shù)(α+50℃)高于+5.0%/℃,PTC電阻率上升超過(guò)4個(gè)數(shù)量級(jí)。利用本發(fā)明配方和工藝能夠獲得燒結(jié)溫度低,性能可調(diào),且穩(wěn)定性和再現(xiàn)性良好的NTC-PTC復(fù)合熱敏電阻材料。(表1)(表2)(表3)</tables>(表4)(表5)(表6)<p>(表7)</tables>[注]添加劑a,b,c,d分別代表Si3N3,AST,BaPbO3和BN,含量為相對(duì)于主成分的重量百分含量(表8)</tables>權(quán)利要求1.一種中低溫?zé)Y(jié)的復(fù)合特性熱敏電阻材料,其特征在于該材料的主成分組成為(Sr1-x-yBayPbx)TizO3+wPbmSinO2n+m其中x=0.1~0.9;y=0~0.9;z=0.8~1.2;w=0.001~1;m/n=0.1~10配方主成分中含有金屬元素Ti,含有Sr,Ba,Pb三種金屬元素或其中的任意兩種,上述金屬元素的氧化物形成陶瓷相,即(Sr1-x-yBayPbx)TizO3,其總量占材料總量的50~99.9mol%;配方主成分中含有Si元素,與Pb等形成玻璃相,即PbmSinO2n+m。其總量占材料總量的0.1~30mol%;配方中至少含有一種微量元素,為Y、Yb、La、Sb、Nd、Dy、Bi、Ce、Nb中的一種或兩種以上,其含量占材料總量的0.01~5mol%;配方中添加有少量二次添加物,為AST(1/3Al2O3·3/4SiO2·1/4TiO2)、BaPbO3、Si3N4、BN和Mn、Fe、Li化合物中的一種或多種,其含量占材料總量的0.001~15mol%。2.一種制備如權(quán)利要求1所述的中低溫?zé)Y(jié)的復(fù)合特性熱敏電阻材料的方法,其特征在于初始原料選自TiO2、SrCO3、Sr(NO3)2、PbO、Pb3O4、PbCO3、Pb(NO3)2、BaCO3、Ba(NO3)2、SiO2和Si(OC2H5)4等所需元素的氧化物或鹽中,半導(dǎo)化元素初始原料選自Y2O3、Y(NO3)3、Yb2O3、Yb(NO3)3、La2O3、La(NO3)3、Sb2O3、Nd2O3、Nd(NO3)3、Dy2O3、Bi2O3、Bi(NO3)3、Nb2O5、CeO2和Ce(NO3)3等所需元素的氧化物或鹽中,添加劑一般選擇純度較高的合成產(chǎn)物,為AST、BaPbO3、Si3N4、BN以及Mn(NO3)2、Fe(NO3)2、Li2CO3;該工藝包括如下步驟①將初始原料和半導(dǎo)化元素按配方配比稱量;②混合球磨(48小時(shí),乙醇-水混合介質(zhì),粒度小于1μm);③烘干(100~150℃,10~30小時(shí));④預(yù)燒(800~1000℃,1~2小時(shí));⑤粉碎(粒度小于1μm),并同時(shí)按比例加入添加劑;⑥干燥(100~150℃,10~30小時(shí))、造粒、成型(成型壓強(qiáng)100~500MPa);⑦燒結(jié)(1000~1300℃,5~180分鐘),即得到復(fù)合熱敏電阻材料。3.一種制備如權(quán)利要求1所述的中低溫?zé)Y(jié)的復(fù)合特性熱敏電阻材料的方法,其特征在于初始原料選自TiO2、SrCO3、Sr(NO3)2、PbO、Pb3O4、PbCO3、Pb(NO3)2、BaCO3、Ba(NO3)2、SiO2和Si(OC2H5)4等所需元素的氧化物或鹽中,半導(dǎo)化元素初始原料選自Y2O3、Y(NO3)3、Yb2O3、Yb(NO3)3、La2O3、La(NO3)3、Sb2O3、Nd2O3、Nd(NO3)3、Dy2O3、Bi2O3、Bi(NO3)3、Nb2O5、CeO2和Ce(NO3)3等所需元素的氧化物或鹽中,添加劑一般選擇純度較高的合成產(chǎn)物,為AST、BaPbO3、Si3N4、BN以及Mn(NO3)2、Fe(NO3)2、Li2CO3;該工藝包括如下步驟①將初始原料和半導(dǎo)化元素按配方配比稱量;②混合球磨(48小時(shí),乙醇-水混合介質(zhì),粒度小于1μm);③烘干(10~150℃,10~30小時(shí));④預(yù)燒(800~1000℃,1~2小時(shí)),即合成陶瓷相(Sr1-xPbx)TiyO3;⑤粉碎陶瓷相(粒度小于1μm),并將添加劑和玻璃相原料按配方配比與陶瓷相(Sr1-xPbx)TiyO3粉體材料均勻混合;⑥干燥(10~150℃,10~30小時(shí))、造粒、成型(成型壓強(qiáng)100~500MPa);⑦燒結(jié)(1000~1300℃,5~180分鐘),即得到復(fù)合熱敏電阻材料。4.一種制備如權(quán)利要求1所述的中低溫?zé)Y(jié)的復(fù)合特性熱敏電阻材料的方法,其特征在于初始原料選自TiCl4、Ti(OC4H9)4、SrCO3、Sr(NO3)2、PbCO3、Pb(NO3)2、BaCO3、Ba(NO3)2和Si(OC2H5)4等所需元素的氧化物或鹽中,半導(dǎo)化元素初始原料選自Y2O3、Y(NO3)3、Yb2O3、Yb(NO3)3、La2O3、La(NO3)3、Sb2O3、Nd2O3、Nd(NO3)3、Dy2O3、Bi2O3、Bi(NO3)3、Nb2O5、CeO2、Ce(NO3)3等所需元素的氧化物或鹽中,添加劑一般選擇純度較高的合成產(chǎn)物,為AST、BaPbO3、Si3N4、BN以及Mn(NO3)2、Fe(NO3)2、Li2CO3;該工藝包括如下步驟①將初始原料和半導(dǎo)化元素按配方配比稱量;②將已稱量的初始原料與半導(dǎo)化元素共同形成混合溶液(溶液中Ti離子濃度在0.01~10M之間);③以草酸(或草酸氨)為沉淀劑進(jìn)行共沉淀(沉淀溫度10~80℃);④將沉淀物洗滌(水洗數(shù)次后乙醇脫水三次以上)、分散(分散劑為正丁醇)、烘干(10~150℃,10~30小時(shí));⑤煅燒600~800℃,保溫0.5~1.5小時(shí),獲得主配方粉體材料;⑥將二次添加料與主配方粉體材料均勻混合;⑦干燥(100~150℃,10~30小時(shí))、成型(成型壓強(qiáng)100~500MPa);⑧燒結(jié)(1000~1300℃,5~180分鐘),即得到復(fù)合熱敏電阻材料。5.一種制備如權(quán)利要求1所述的中低溫?zé)Y(jié)的復(fù)合特性熱敏電阻材料的方法,其特征在于初始原料選自TiCl4、Ti(OC4H9)4、SrCO3、Sr(NO3)2、PbCO3、Pb(NO3)2、BaCO3、Ba(NO3)2和Si(OC2H5)4等所需元素的氧化物或鹽中,半導(dǎo)化元素初始原料選自Y2O3、Y(NO3)3、Yb2O3、Yb(NO3)3、La2O3、La(NO3)3、Sb2O3、Nd2O3、Nd(NO3)3、Dy2O3、Bi2O3、Bi(NO3)3、Nb2O5、CeO2、Ce(NO3)3等所需元素的氧化物或鹽中,添加劑一般選擇純度較高的合成產(chǎn)物,為AST、BaPbO3、Si3N4、BN以及Mn(NO3)2、Fe(NO3)2、Li2CO3;該工藝包括如下步驟①將初始原料和半導(dǎo)化元素按配方配比稱量;②將已稱量的初始原料與半導(dǎo)化元素共同形成混合溶液(溶液中Ti離子濃度在0.01~10M之間);③以草酸(或草酸氨)為沉淀劑進(jìn)行共沉淀(沉淀溫度10~80℃);④將沉淀物洗滌(水洗數(shù)次后乙醇脫水三次以上)、分散(分散劑為正丁醇)、烘干(100~150℃,10~30小時(shí));⑤煅燒600~800℃,保溫0.5~1.5小時(shí),獲得陶瓷相(Sr1-xPbx)TiyO3粉體材料;⑥將添加劑和玻璃相原料按配方配比與陶瓷相(Sr1-xPbx)TiyO3粉體材料均勻混合;⑦干燥(100~150℃,10~30小時(shí))、成型(成型壓強(qiáng)100~500MPa);⑧燒結(jié)(1000~1300℃,5~180分鐘),即得到復(fù)合熱敏電阻材料。全文摘要本發(fā)明涉及一種中低溫?zé)Y(jié)的NTC-PTC復(fù)合特性熱敏電阻材料,該材料主成分組成為(Sr文檔編號(hào)C04B35/00GK1160273SQ9710077公開日1997年9月24日申請(qǐng)日期1997年2月26日優(yōu)先權(quán)日1997年2月26日發(fā)明者李龍土,王德君,桂治輪申請(qǐng)人:清華大學(xué)
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