專利名稱：一種低氡析出率頁巖磚的加工工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于建筑材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及ー種低氡析出率頁巖磚的加工エ藝。
背景技術(shù)：
現(xiàn)代高層住宅內(nèi)氡氣來源于建筑材料的貢獻占60% 70%，建筑材料氡的析出率是影響住宅內(nèi)氡氣濃度的直接因素。頁巖磚是我國大部分城市使用的建筑材料之一，主要原材料是頁巖和煤矸石。目前這些建材廠主要從建筑材料的物理力學(xué)性質(zhì)方面考慮建材加エエ藝過程，而沒有考慮建筑材料氡放射 性引起居民內(nèi)照射問題。

發(fā)明內(nèi)容
(一)發(fā)明目的
根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題，本發(fā)明提供了ー種能夠使氡析出率降低的頁巖磚加工エ藝，該エ藝能夠從源頭上減少室內(nèi)氡濃度，減少居民所受輻射。(ニ)技術(shù)方案
為了解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下
一種低氡析出率頁巖磚的加工エ藝，該エ藝是將主要原材料頁巖和煤矸石破碎、過篩后混合，然后經(jīng)加壓成型、干燥、焙燒制得頁巖磚，關(guān)鍵在于，所述頁巖和煤矸石破碎的粒度小于2mm，加壓成型時負(fù)壓小于85kPa，頁巖和煤矸石混合的配比為1:1 3:2，干燥溫度為80 100で，焙燒溫度為1000 1020で。優(yōu)選地，該エ藝對頁巖采用四次破碎，對煤矸石采取二次破碎。優(yōu)選地，頁巖和煤矸石的混合，是由傳感器控制混合配比的。(三)有益效果
采用本發(fā)明提供的一種低氡析出率頁巖磚的加工エ藝，該エ藝具有以下有益效果
(I)提高了煤矸石利用率。與頁巖和煤矸石的傳統(tǒng)配比2:1相比，本發(fā)明提供的頁巖和煤矸石的配比為3:2 1 :1，増加了煤矸石的比例，提高了煤矸石利用效率，減少了頁巖開采量，節(jié)約了資源。(2)頁巖和煤矸石破碎的粒度小于2_，可明顯降低成品頁巖磚氡析出率，確保壓制的頁巖磚的密度増加。


圖1 :低氡析出率頁巖磚的加工エ藝。
具體實施例方式下面結(jié)合說明書附圖和具體實施方式
對本發(fā)明做進ー步闡述。實施例1
一種低氡析出率頁巖磚的加工エ藝，該エ藝是將主要原材料頁巖和煤矸石破碎、過篩后混合，然后經(jīng)加壓成型、干燥、焙燒制得頁巖磚，エ藝流程圖如圖1所示。具體操作方法為
首先，將原材料頁巖采用四次破碎，對煤矸石采取二次破碎，然后將破碎后原材料分別存在不同存貯庫中，并用孔徑為2mm的振動篩篩選，大于該粒徑的返回破碎エ藝的最后ー級破碎，然后用傳感器進行配比混合，比例為1:1。其次，將混合材料在SOkPa下加壓成型，經(jīng)80°C條件下干燥，并在1000°C高溫焙燒下制得成品頁巖磚。采用該エ藝制得的頁巖磚，采用活性炭盒吸附，然后用高純鍺Y譜儀測量，得到頁巖磚的氡析出率為2. 11 ±0. 63mBq. m 2. s 1。
實施例2
與實施例的エ藝方法、步驟相同，不同的是該エ藝所用加壓成型時負(fù)壓為75kPa，頁 巖和煤矸石混合的配比為3:2，干燥溫度為100°C，焙燒溫度為1020°C。采用該エ藝制得的頁巖磚，采用活性炭盒吸附，然后用高純鍺Y譜儀測量，得到頁巖磚的氡析出率為2. 251 ±0. 18mBq. m 2. s權(quán)利要求
1.一種低氡析出率頁巖磚的加工工藝，該工藝是將主要原材料頁巖和煤矸石破碎、過篩后混合，然后經(jīng)加壓成型、干燥、焙燒制得頁巖磚，其特征在于，所述頁巖和煤矸石破碎的粒度小于2mm，加壓成型時負(fù)壓小于85kPa，頁巖和煤矸石混合的配比為3:2 1 :1，干燥溫度為 8(Tl00°C，焙燒溫度為 100(Tl02(TC。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低氡析出率頁巖磚的加工工藝，其特征在于，頁巖和煤矸石破碎次數(shù)分別為四次、二次破碎。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低氡析出率頁巖磚的加工工藝，其特征在于頁巖和煤矸石的混合，是由傳感器控制混合配比的。
全文摘要
本發(fā)明屬于建筑材料技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種低氡析出率頁巖磚的加工工藝，該工藝是將主要原材料頁巖和煤矸石破碎、過篩后混合，然后經(jīng)加壓成型、干燥、焙燒制得頁巖磚，關(guān)鍵在于，所述頁巖和煤矸石破碎的粒度小于2mm，加壓成型時負(fù)壓小于85kPa，頁巖和煤矸石混合的配比為3:2~11，干燥溫度為80~100℃，焙燒溫度為1000~1020℃，采用該工藝能夠使氡析出率降低，從源頭上減少室內(nèi)氡濃度，減少居民所受輻射。
文檔編號C04B30/00GK103011759SQ201210552368
公開日2013年4月3日 申請日期2012年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月19日
發(fā)明者劉福東, 冀東, 王春紅, 張永貴 申請人:中國原子能科學(xué)研究院