專利名稱：一種光纖預(yù)制棒的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光纖預(yù)制棒的制備方法，尤其涉及外沉積(OVD)工藝通過降低光纖預(yù)制棒中羥基含量從而制造出低水峰光纖的光纖預(yù)制棒的制備方法。
背景技術(shù)：
常規(guī)單模光纖(G.652B)在1360～1460nm波長范圍內(nèi)的傳輸損耗較高，影響了光通信系統(tǒng)在該波段的應(yīng)用，其原因是羥基(OH)基團系列諧波振動吸收造成該波段內(nèi)損耗增大。由于1383nm左右為OH主要振動吸收峰，習慣上將1383±3nm吸收峰稱為水峰。ITU-T規(guī)定，G652C規(guī)范要求在光纖經(jīng)過氫損之后，其1383±3nm的最大衰減系數(shù)必須小于或等于1310nm規(guī)定的衰減系數(shù)，一般稱這種光纖為“低水峰光纖”。
石英光纖的制造方法都經(jīng)過光纖預(yù)制棒的制備，然后在拉絲設(shè)備中拉絲成預(yù)定尺寸和要求的光纖。光纖預(yù)制棒的制造方法主要有四種外部氣相沉積法(OVD)、軸向氣相沉積法(VAD)、改良的化學氣相沉積法(MCVD)、以及等離子體化學氣相沉積法(PCVD)。
對于外部氣相沉積法(OVD)和軸向氣相沉積法(VAD)沉積工藝制造光纖預(yù)制棒，都將SiCl4和GeCl4在氫氧焰熱源的作用下發(fā)生水解，生成粉末顆粒體(Soot)，沉積在靶棒上。由于氫氧焰燃燒產(chǎn)生大量水(包括化學形式的羥基和物理吸附的水分子)，在含有氯氣和氦氣的氣氛中進行脫水和燒結(jié)。OVD和VAD制造低水峰光纖的專利已有報道，如在美國專利文獻US6131415中描述，將外包后形成的沉積的粉末(Soot)預(yù)制棒放在燒結(jié)爐中，在1200℃條件下通入氯氣和氦氣的混合氣體進行脫水，使預(yù)制棒中的羥基質(zhì)量含量低于0.8ppb，從而制造出低水峰光纖。
對于管內(nèi)法(PCVD和MCVD)沉積工藝制造光纖預(yù)制棒，由于原材料鹵化物中的含氫雜質(zhì)與羥基雜質(zhì)，載流氣體的水汽，以及沉積用的石英基管管壁中羥基向內(nèi)部擴散，同事預(yù)制棒熔縮工藝采用的氫氧焰產(chǎn)生的水分子也向管內(nèi)擴散，使得羥基含量較高。為了制造出低水峰光纖，光纖制造商通過提高原材料純度(低OH含量的石英玻璃基管與套管)、純化載氣及各種參與反應(yīng)氣體所含有的水分，并提高管內(nèi)法的系統(tǒng)密閉性能，利用感應(yīng)爐塌縮成棒技術(shù)等方法，來降低預(yù)制棒中的羥基含量，制造出低水峰光纖。US5692087將MCVD車床改造成無氫火焰車床，即采用等離子體火焰進行預(yù)制棒的沉積與塌縮，避免了氫氧焰產(chǎn)生的水分子向管內(nèi)的擴散，同時在塌縮工藝中通入CCl4與O2的混合氣體，脫去芯層內(nèi)部的部分羥基，該發(fā)明專利制造的單模光纖在1383nm處的羥基峰損耗低于0.40dB/km，拉絲光纖長度僅0.7km，而且沒有提及氫老化試驗后光纖衰減的變化量。
傳統(tǒng)的OVD工藝的沉積與脫水燒結(jié)都是分開完成，即先沉積疏松體，再脫水燒結(jié)成玻璃體。這種分開完成的工藝要較管內(nèi)法一次沉積燒結(jié)成棒的工藝在消除內(nèi)部水分方面更有優(yōu)勢；但其生成的石英棒內(nèi)有羥基含量，抗氫損能力較差，氫老化后1383nm衰減系數(shù)增加量大于0.005dB/km。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種克服了傳統(tǒng)OVD法制造光纖預(yù)制棒的缺陷，可以大幅度提高合格率，提高光纖的抗氫老化性能的光纖預(yù)制棒的制備方法，該方法利用現(xiàn)有的OVD外沉積設(shè)備，采用管外沉積法制造出低水峰光纖，并可打通擴展波段(1360-1460nm)的通信窗口，提高單模光纖的通信容量，降低系統(tǒng)成本。
本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容為，一種光纖預(yù)制棒的制備方法，包括如下步驟(1)、將特制的低羥基的高純石英棒放入一容器內(nèi)，然后通入含氘氣體進行氘氫置換反應(yīng)，同時氘原子占據(jù)石英玻璃中的非橋氧懸鍵，減少了石英棒內(nèi)羥基擴散的幾率；(2)、用等離子火焰對一根低羥基的高純石英棒外表面進行蝕洗，降低甚至消除石英棒棒外表面的羥基含量，并形成清潔、平滑的外表面；蝕洗為等離子蝕洗，蝕洗厚度為0.5～1.5mm；(3)、將含有SiCl4、GeCl4的混合氣體按照預(yù)定比例和流量通入氫氧噴燈，發(fā)生火焰水解反應(yīng)，生成SiO2和GeO2的反應(yīng)物，沉積在高純石英棒表面；如此來回沉積一定層數(shù)，直至形成一定厚度的疏松體芯層；關(guān)閉GeCl4流量，只剩SiCl4參與反應(yīng)，來回沉積一定層數(shù)，直至形成具有一定厚度的僅有SiO2的疏松體包層；(4)、在高純氦氣、氯氣的混合氣體環(huán)境下，在1000～1200℃溫度下，對疏松體預(yù)制棒進行脫水處理；然后在1500～1700℃的溫度下，將已經(jīng)脫水的疏松體預(yù)制棒進行燒結(jié)處理，形成實心的光纖預(yù)制棒。
制成的光纖預(yù)制棒的包層材料直徑和芯層材料直徑的比例滿足光纖的包芯比的尺寸要求，包層材料直徑和芯層材料直徑的比例為14～16；將該預(yù)制棒進行拉絲，即可形成預(yù)定尺寸的低水峰光纖。
為了提高合格率、降低生產(chǎn)成本，上述制備方法中經(jīng)燒結(jié)處理，形成實心的光纖預(yù)制棒的包層材料直徑和芯層材料直徑的比例為3～6；將該光纖預(yù)制棒用高頻感應(yīng)爐在1900～2100℃溫度下，將其延伸成直徑較細的預(yù)制棒芯棒；采用套管工藝或外沉積工藝經(jīng)過脫水燒結(jié)后在光纖預(yù)制棒芯棒外形成外包層，形成實心的光纖預(yù)制棒，所制成的光纖預(yù)制棒的包層材料直徑和芯層材料直徑的比例為14～16。
在上述制備方法中，所沉積的GeO2和SiO2顆粒是采用外沉積的工藝方法沉積到高純石英棒上面。
在上述制備方法中，采用的低羥基的高純石英棒的外徑為5～15mm。
在上述制備方法中，含氘氣體為氘氣(D2)與氦氣(He)、氬氣(Ar)、氮氣(N2)中的一種或多種混合氣體，氘氣占總氣體體積含量的0.5％～6％。
本發(fā)明的制備方法中，將SiCl4和GeCl4氣體通入氫氧火焰，進行火焰水解反應(yīng)，生成SiO2和GeO2，沉積在石英棒外表面，但這種方法也可以采用其他熱源使SiCl4和GeCl4發(fā)生反應(yīng)，如等離子火焰，僅采用O2、N2、Ar等氣體，可以進一步降低羥基含量。
在上述制備方法中，進行氘氫置換反應(yīng)時氘氫置換反應(yīng)的溫度為20～100℃，氘氫置換反應(yīng)的壓力為1.5～2.5大氣壓，氘氫置換反應(yīng)的時間為4～8天。
本發(fā)明的生產(chǎn)環(huán)境溫度控制為20～25℃，空氣的相對濕度小于或等于20％。
本發(fā)明制備的光纖預(yù)制棒，在經(jīng)過拉絲制成的低水峰光纖在1310nm波長處的衰減小于0.320dB/km，經(jīng)過氫老化試驗后測量1383nm波長處的羥基峰值衰減小于1310nm波長處的衰減，其衰減小于0.310dB/km。
本發(fā)明制備的光纖預(yù)制棒，在經(jīng)過拉絲制成的低水峰光纖進行氫老化試驗后，1383nm衰減系數(shù)增加量小于0.005dB/km。
本發(fā)明低水峰光纖的制造方法與傳統(tǒng)的OVD工藝的不同之處在于(1)、沉積所用的靶棒為低羥基的高純度石英棒，在含氘氣氛中發(fā)生氘氫置換反應(yīng)，降低或甚至消除石英棒內(nèi)的羥基含量，并與石英玻璃網(wǎng)絡(luò)中的非橋氧懸鍵結(jié)合，消除網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)缺陷。
(2)、沉積所用的石英棒要經(jīng)過等離子火焰的蝕洗，將石英棒表面吸附的羥基徹底驅(qū)除。
(3)、在沉積過程中，反應(yīng)產(chǎn)物SiO2和GeO2是直接沉積在石英棒表面，在沉積過程結(jié)束后，石英棒不用抽出，得到的疏松體預(yù)制棒連同中心的石英棒一起在燒結(jié)爐內(nèi)經(jīng)過脫水燒結(jié)過程后，完全燒結(jié)在一起，形成透明的預(yù)制棒。
(4)、該低水峰光纖具有較強的抗氫損能力，氫老化后1383nm衰減系數(shù)增加量小于0.005dB/km，且1383nm衰減系數(shù)低于1310nm波長處的衰減系數(shù)。
本發(fā)明的有益效果在于第一，本發(fā)明提供的方法所制造光纖預(yù)制棒，其通過拉絲制得的單模光纖在1310nm波長處的衰減系數(shù)小于0.320dB/km，氫老化試驗后測量1383nm波長處的羥基峰衰減系數(shù)小于1310nm波長處的衰減，其衰減系數(shù)小于0.310dB/km。第二，本發(fā)明提供的方法所制造光纖預(yù)制棒，其通過拉絲制得的單模光纖具有優(yōu)越的抗氫老化特性，按照IEC氫損測試規(guī)范進行光纖氫損試驗，氫老化后該光纖1383nm衰減系數(shù)增加量小于0.005dB/km，具有優(yōu)良的抗環(huán)境氫氣影響的能力。第三，本發(fā)明利用OVD外沉積工藝設(shè)備的優(yōu)越性，特別適合降低沉積物中的羥基含量，尤其適合大規(guī)模生產(chǎn)，降低成本。第四，本發(fā)明提供的方法所制造光纖預(yù)制棒，其通過拉絲制得的單模光纖具有優(yōu)越的PMD特性，其PMD值均小于 第五，本發(fā)明提供的方法所制作的光纖具有極低的熔接損耗，其熔接損耗均小于0.01dB/km。
四

圖1本發(fā)明方法所采用的外沉積(OVD)設(shè)備的示意圖。
圖2為兩種包層材料和芯層材料不同比例的預(yù)制棒的橫截面示意圖。
圖3本發(fā)明方法所制造的低水峰單模光纖預(yù)制棒的折射率剖面示意圖及光纖的折射率剖面示意圖。
圖4本發(fā)明制備的光纖預(yù)制棒進行拉絲制得的低水峰光纖的衰減譜。
圖5本發(fā)明制備的光纖預(yù)制棒進行拉絲制得的低水峰光纖經(jīng)過氫老化試驗后的衰減譜圖形。
五具體實施例方式
下面結(jié)合附圖詳細的描述本發(fā)明制造方法和所使用的設(shè)備本發(fā)明所設(shè)計的低羥基的高純石英棒為合成法制作，在制作過程中，經(jīng)過脫水過程，其中的羥基含量被降低至10ppb，甚至1ppb以下，目的是為了防止羥基對光纖的衰減造成影響。將低羥基的高純石英棒放入一容器內(nèi)，然后通入含氘氣體的混合氣體進行氘氫置換反應(yīng)，反應(yīng)時間大約為4～8天，反應(yīng)溫度為20℃～100℃，反應(yīng)壓力為1.5～2.5倍的大氣壓，目的是讓氘原子占據(jù)石英玻璃中的非橋氧懸鍵，減少了石英棒內(nèi)羥基擴散的幾率。沉積前該高純石英棒經(jīng)過等離子蝕洗過程，原因是石英棒外表面吸附了一層羥基，對光纖的衰減會造成影響，蝕洗的厚度一般為0.5～1mm。
本發(fā)明所涉及的OVD光纖預(yù)制棒制造設(shè)備示意圖如圖1所示，其中SiCl4、GeCl4高純原材料，在載氣高純氧的攜帶下，通入氫氧噴燈，在高溫下發(fā)生水解或氧化反應(yīng)，生成SiO2和GeO2顆粒，沉積在石英靶棒外表面。沉積過程中，靶棒不斷旋轉(zhuǎn)和來回移動，使噴燈中產(chǎn)生的顆粒均勻地沉積在靶棒的外表面。沉積結(jié)束后，疏松體被放置在燒結(jié)爐內(nèi)進行脫水燒結(jié)，進一步驅(qū)除疏松體內(nèi)的羥基。疏松體在燒結(jié)爐內(nèi)先用高純氦氣吹掃后，通入高純氯氣、氦氣的混合氣體，在1100℃～1200℃溫度下進行250分鐘～500分鐘的脫水處理。充分脫水的疏松體在1500℃～1700℃溫度下進行玻璃化，成為極低羥基含量的預(yù)制棒。最后得到的透明預(yù)制棒被放置在一個800℃～1000℃的保溫爐內(nèi)進行保溫大約8～15小時，在保溫爐內(nèi)通入氬氣或氮氣中的一種，以利于預(yù)制棒內(nèi)的氦氣等殘余氣體的溢出。
圖2為兩種包層直徑和芯層直徑不同比例的預(yù)制棒橫截面示意圖。
在高純石英棒外表面沉積足夠厚度的芯層和外包層，經(jīng)過脫水燒結(jié)過程，得到的預(yù)制棒包層材料直徑和芯層材料直徑的比例在14～16之間，如圖2中的(a)所示，經(jīng)過拉絲過程得到的光纖截止波長和模場直徑滿足質(zhì)量標準。
為了提高合格率、降低生產(chǎn)成本，是在高純石英棒外表面沉積足夠厚度的芯層和外包層，經(jīng)過脫水燒結(jié)過程，得到的預(yù)制棒該包層材料直徑和芯層材料直徑的比例在3～6之間，如圖2中的(b)，經(jīng)過脫水燒結(jié)過程后得到的是預(yù)制棒的芯棒母棒；該芯棒經(jīng)過延伸過程后得到外徑在18～22mm之間的芯棒，再經(jīng)過外沉積后得到包層材料直徑和芯層材料直徑比例在14～16之間的預(yù)制棒，經(jīng)過拉絲過程得到的光纖截止波長和模場直徑滿足質(zhì)量標準。
圖3為本發(fā)明方法所制造的低水峰單模光纖預(yù)制棒的折射率剖面示意圖及光纖的折射率剖面示意圖。由于石英棒的折射率較低，必須在沉積芯層的過程中多加入一部分GeO2，以提高中心的折射率。如圖3所示，本發(fā)明方法中介紹了幾種不同的沉積方式，其中(a)代表未采取增加GeO2沉積量的預(yù)制棒折射率和光纖折射率，(b)代表采用錐形模式增加GeO2沉積量的預(yù)制棒折射率和光纖折射率，(c)代表采用梯形模式增加GeO2沉積量的預(yù)制棒折射率和光纖折射率?？梢郧宄陌l(fā)現(xiàn)，(c)的梯形模式可以很好地解決中心凹陷的問題，減少了由于純石英材料過低而帶來的折射率過低的問題。
圖4為本發(fā)明制備的光纖預(yù)制棒進行拉絲制得的低水峰光纖的衰減譜，該光纖1310nm的衰減系數(shù)為0.314dB/km，1383nm的衰減系數(shù)為0.304dB/km，1550nm的衰減系數(shù)為0.188dB/km。按照IEC氫老化測試規(guī)范，在室溫條件下將光纖置于氫氣分壓為0.01的氣氛中，連續(xù)監(jiān)測光纖在1240nm波長處的衰減變化。當1240nrn波長處的衰減增加大于或等于0.03dB/km后將光纖從氫老化試驗裝置中取出，14天后測試1383nm波長處的衰減系數(shù)。該光纖經(jīng)過氫老化試驗后測試的衰減譜見圖5，測試表明，1383nm衰減系數(shù)為0.309dB/km，即1383nm的附加損耗為0.005dB/km，具有較強的抗氫致衰減能力。
實施例一在溫度為25℃、干燥空氣提供的相對濕度為5％、潔凈度為1000級(即美國聯(lián)邦標準設(shè)定的潔凈級別M4.5)的生產(chǎn)車間中，將含有SiCl4、GeCl4的混合氣體按照預(yù)定比例和流量通入氫氧噴燈，發(fā)生火焰水解反應(yīng)，生成SiO2和GeO2的反應(yīng)物，沉積在高純石英棒表面；如此來回沉積一定層數(shù)，直至形成一定厚度的疏松體芯層；關(guān)閉GeCl4流量，只剩SiCl4參與反應(yīng)，來回沉積一定層數(shù)，直至形成具有一定厚度的僅有SiO2的疏松體包層；在高純氦氣、氯氣的混合氣體環(huán)境下，在1180攝氏度的溫度下，對疏松體預(yù)制棒進行脫水處理，處理時間為4小時；然后在1550攝氏度的溫度下，將已經(jīng)脫水的疏松體預(yù)制棒進行燒結(jié)處理，形成實心的光纖預(yù)制棒。該光纖預(yù)制棒的相對折射率差(％)為Δ＝0.330，外包層材料和芯層材料的比例是14.8。然后在拉絲設(shè)備上拉絲成預(yù)定尺寸的光纖。該光纖的部分指標如下

實施例二在溫度為25℃、干燥空氣提供的相對濕度為5％、潔凈度為1000級(即美國聯(lián)邦標準設(shè)定的潔凈級別M4.5)的生產(chǎn)車間中，將含有SiCl4、GeCl4的混合氣體按照預(yù)定比例和流量通入氫氧噴燈，發(fā)生火焰水解反應(yīng)，生成SiO2和GeO2的反應(yīng)物，沉積在高純石英棒表面，其間采用錐形模式增加靠近中心部分的GeO2的摻雜比例；如此來回沉積一定層數(shù)，直至形成一定厚度的疏松體芯層；關(guān)閉GeCl4流量，只剩SiCl4參與反應(yīng)，來回沉積一定層數(shù)，直至形成具有一定厚度的僅有SiO2的疏松體包層；在高純氦氣、氯氣的混合氣體環(huán)境下，在1100攝氏度的溫度下，對疏松體預(yù)制棒進行脫水處理，處理時間為8小時；然后在1510攝氏度的溫度下，將已經(jīng)脫水的疏松體預(yù)制棒進行燒結(jié)處理，形成實心的光纖預(yù)制棒。該光纖預(yù)制棒的相對折射率差(％)為Δ＝0.326，外包層材料和芯層材料的比例是15.1。然后在拉絲設(shè)備上拉絲成預(yù)定尺寸的光纖。該光纖的部分指標如下

實施例三在溫度為25℃、干燥空氣提供的相對濕度為5％、潔凈度為1000級(即美國聯(lián)邦標準設(shè)定的潔凈級別M4.5)的生產(chǎn)車間中，將含有SiCl4、GeCl4的混合氣體按照預(yù)定比例和流量通入氫氧噴燈，發(fā)生火焰水解反應(yīng)，生成SiO2和GeO2的反應(yīng)物，沉積在高純石英棒表面，其間采用梯形模式增加靠近中心部分的GeO2的摻雜比例；如此來回沉積一定層數(shù)，直至形成一定厚度的疏松體芯層；關(guān)閉GeCl4流量，只剩SiCl4參與反應(yīng)，來回沉積一定層數(shù)，直至形成具有一定厚度的僅有SiO2的疏松體包層；在高純氦氣、氯氣的混合氣體環(huán)境下，在1100攝氏度的溫度下，對疏松體芯棒進行脫水處理，處理時間為8小時；然后在1510攝氏度的溫度下，將已經(jīng)脫水的疏松體芯棒進行燒結(jié)處理，形成實心的光纖預(yù)制棒。該光纖預(yù)制棒的相對折射率差(％)為Δ＝0.326，外包層材料和芯層材料的比例是3.5。采用高頻感應(yīng)爐，在1900攝氏度溫度下，將已經(jīng)形成的預(yù)制棒芯棒母棒延伸成直徑為18mm的預(yù)制棒芯棒。采用套管工藝或外沉積工藝經(jīng)過脫水燒結(jié)后在光纖預(yù)制棒芯棒外形成外包層，形成包層材料和芯層材料比例為14.88的光纖預(yù)制棒。最后在拉絲設(shè)備上拉絲成預(yù)定尺寸的光纖。該光纖的部分指標如下

權(quán)利要求
1.一種光纖預(yù)制棒的制備方法，包括如下步驟(1)、將特制的低羥基的高純石英棒放入一容器內(nèi)，然后通入含氘氣體進行氘氫置換反應(yīng)，同時氘原子占據(jù)石英玻璃中的非橋氧懸鍵，減少了外界羥基向石英棒內(nèi)擴散的幾率；(2)、用等離子火焰對一根低羥基的高純石英棒外表面進行蝕洗，降低甚至消除石英棒棒外表面的羥基含量，并形成清潔、平滑的外表面；蝕洗為等離子蝕洗，蝕洗厚度為0.5～1.5mm；(3)、將含有SiCl4、GeCl4的混合氣體按照預(yù)定比例和流量通入氫氧噴燈，發(fā)生火焰水解反應(yīng)，生成SiO2和GeO2的反應(yīng)物，沉積在高純石英棒表面；如此來回沉積一定層數(shù)，直至形成一定厚度的疏松體芯層；關(guān)閉GeCl4流量，只剩SiCl4參與反應(yīng)，來回沉積一定層數(shù)，直至形成具有一定厚度的僅有SiO2的疏松體包層；(4)、在高純氦氣、氯氣的混合氣體環(huán)境下，在1000～1200℃的溫度下，對疏松體預(yù)制棒進行脫水處理；然后在1500～1700℃的溫度下，將已經(jīng)脫水的疏松體預(yù)制棒進行燒結(jié)處理，形成實心的光纖預(yù)制棒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的任何一種光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于所制成的光纖預(yù)制棒的包層材料直徑和芯層材料直徑的比例為14～16。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于制得的光纖預(yù)制棒的包層材料直徑和芯層材料直徑的比例為3～6，將該預(yù)制棒采用高頻感應(yīng)爐，在1900～2100℃的溫度下，將已經(jīng)形成的預(yù)制棒芯棒母棒延伸成直徑較細的預(yù)制棒芯棒；采用套管工藝或外沉積工藝經(jīng)過脫水燒結(jié)后在光纖預(yù)制棒芯棒外形成外包層，形成實心的光纖預(yù)制棒，所制成的光纖預(yù)制棒的包層材料直徑和芯層材料直徑的比例為14～16。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于采用的低羥基的高純石英棒的外徑為5～15mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于含氘氣體為氘氣(D2)與氦氣(He)、氬氣(Ar)、氮氣(N2)中的一種或多種混合氣體，氘氣占總氣體體積含量的0.5％～6％。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于進行氘氫置換反應(yīng)時，氘氫置換反應(yīng)的溫度為20～100℃，氘氫置換反應(yīng)的壓力為1.5～2.5大氣壓，氘氫置換反應(yīng)的時間為4～8天。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于所沉積的GeO2和SiO2顆粒是采用外沉積的工藝方法沉積到高純石英棒上面。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于光纖預(yù)制棒的生產(chǎn)環(huán)境溫度為20～25℃，空氣的相對濕度小于或等于20％。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種光纖預(yù)制棒的制備方法，該方法采用低羥基的高純度石英棒，通過氘氫置換反應(yīng)，使氘原子占據(jù)石英玻璃中的非橋氧懸鍵，減少了石英棒內(nèi)羥基擴散的幾率，采用等離子火焰蝕洗將石英棒表面吸附的羥基徹底驅(qū)除，再將GeO
文檔編號C03B37/018GK101066834SQ20071002294
公開日2007年11月7日 申請日期2007年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月28日
發(fā)明者查健江, 馮術(shù)娟, 嚴薇, 曲風西, 李興元, 江鋒, 尤茂勇, 陸劍鋒, 吳江, 卞進良, 梁樂天 申請人:江蘇法爾勝光子有限公司