專利名稱：多層環(huán)境隔離涂層及相關(guān)的制品和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及高溫機(jī)器部件。更具體而言，本發(fā)明涉及用于保護(hù)機(jī)器部件不暴露于高溫環(huán)境中的涂層系統(tǒng)。本發(fā)明還涉及用于保護(hù)制品的方法。
背景技術(shù)：
含硅材料如陶瓷、合金和金屬間化合物在用于被設(shè)計(jì)以在例如燃?xì)廨啓C(jī)、熱交換器和內(nèi)燃機(jī)的應(yīng)用中的高溫下使用的結(jié)構(gòu)方面提供了具有吸引力的性質(zhì)。然而，這些應(yīng)用的環(huán)境特征通常包含水蒸氣，這在高溫下已公知將會(huì)導(dǎo)致含硅材料產(chǎn)生明顯的表面凹縮和質(zhì)量損失。水蒸氣在高溫下與結(jié)構(gòu)材料反應(yīng)以形成揮發(fā)性的含硅物質(zhì)，這通常導(dǎo)致不可接受的高凹縮速度。
環(huán)境隔離涂層(EBC′s)被施涂到易于受到高溫水蒸氣腐蝕的含硅材料上，且通過阻止水蒸氣與材料表面之間的接觸而提供保護(hù)。環(huán)境隔離涂層被設(shè)計(jì)以在高溫含水蒸氣環(huán)境中在化學(xué)性質(zhì)方面是相對(duì)穩(wěn)定的，且使在材料表面與環(huán)境之間提供暴露路徑的相關(guān)孔隙率和垂直裂紋最小化。通過使環(huán)境隔離涂層與底層材料之間的熱膨脹失配最小化而使開裂部分地最小化，且通過使用多個(gè)不同材料層可實(shí)現(xiàn)改進(jìn)的附著力和環(huán)境阻力。美國(guó)專利No.6,410,148中所述的一種典型的常規(guī)環(huán)境隔離涂層系統(tǒng)包括施涂到含硅基底上的硅或二氧化硅粘結(jié)層；沉積在所述粘結(jié)層上的包括莫來石或莫來石-堿土金屬鋁硅酸鹽混合物的中間層；和沉積在所述中間層上的包括堿土金屬鋁硅酸鹽的頂層。在另一個(gè)實(shí)例美國(guó)專利No.6,296,941中，頂層是硅酸釔層而不是鋁硅酸鹽。
上述涂層系統(tǒng)可為嚴(yán)苛環(huán)境中的制品提供適當(dāng)?shù)谋Ｗo(hù)。然而，作用在環(huán)境隔離涂層頂層的局部區(qū)域上的開裂、剝落、揮發(fā)和其它機(jī)理使底層材料—例如硅粘結(jié)涂層—暴露于環(huán)境中，這導(dǎo)致快速氧化和揮發(fā)。一旦由于這些機(jī)理而局部去除粘結(jié)涂層，那么隨后底層含硅基底將迅速凹縮。基底材料的穿孔可導(dǎo)致系統(tǒng)災(zāi)難性失效，這是由于未設(shè)計(jì)用于高溫使用的零件突然直接暴露于高溫環(huán)境中所造成的。因此，需要提供受到具有可靠地耐受長(zhǎng)期暴露于包含水蒸氣的高溫環(huán)境的能力的堅(jiān)固環(huán)境隔離涂層系統(tǒng)保護(hù)的制品。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)這些和其它需求而提供了本發(fā)明的實(shí)施例。一個(gè)實(shí)施例是包括基底和設(shè)置在所述基底上的多個(gè)涂層單元的制品。每個(gè)涂層單元包括吸氧劑層和隔離層。更具體的實(shí)施例是包括含硅基底和設(shè)置在所述基底上的多個(gè)涂層單元的制品。每個(gè)涂層單元包括吸氧劑層和隔離層，所述吸氧劑層包括從包括元素硅和硅化物的組群中選擇出來的至少一種材料，所述隔離層包括從包括鋁硅酸鹽、硅酸鹽和鋁酸鹽的組群中選擇出來的至少一種材料。所述多個(gè)涂層單元形成了具有設(shè)置在連續(xù)的隔離層之間的至少一個(gè)吸氣劑層的一系列隔離層。


當(dāng)結(jié)合附圖閱讀以下詳細(xì)描述時(shí)將更好地理解本發(fā)明的這些和其它特征、方面和優(yōu)點(diǎn)，在所述附圖中相似的標(biāo)記表示相似的零件，其中圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的典型的環(huán)境隔離涂層系統(tǒng)的剖面示意圖；圖2是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的剖面示意圖；和圖3是本發(fā)明的一個(gè)典型實(shí)施例的剖面的顯微照片。
具體實(shí)施例方式
參見圖1，典型的環(huán)境隔離涂層系統(tǒng)10包括施涂到含硅基底25上的由硅形成的粘結(jié)涂層20；沉積在粘結(jié)涂層20上的通常由莫來石或莫來石-堿土金屬鋁硅酸鹽混合物形成的中間層30；和沉積在中間層30上的通常由堿土金屬鋁硅酸鹽或其它保護(hù)性陶瓷材料形成的頂層40。環(huán)境隔離涂層系統(tǒng)10高度依賴頂層40的存在和完整性，這是因?yàn)槠渌鼘犹峁┝巳醯枚嗟沫h(huán)境防護(hù)。如上所述，即使在該三層涂層系統(tǒng)中存在相對(duì)較小的缺陷也會(huì)導(dǎo)致整個(gè)部件的快速過早失效。這種失效具有相當(dāng)大的風(fēng)險(xiǎn)，這是因?yàn)樘沾赏繉禹攲?0在加工過程中易于產(chǎn)生缺陷且在部件的安裝和使用過程中易于損壞。
本發(fā)明的實(shí)施例引入冗余重復(fù)以增強(qiáng)環(huán)境隔離涂層系統(tǒng)的堅(jiān)固性。多個(gè)保護(hù)性涂層單元被設(shè)置在基底上，以使得與上述常規(guī)系統(tǒng)不相似的是，其中一個(gè)涂層單元的失效將遠(yuǎn)不可能使基底遭受直接暴露于環(huán)境中的風(fēng)險(xiǎn)。外部涂層單元的失效僅暴露出原始的保護(hù)性涂層單元而不暴露出基底或保護(hù)性較弱的涂覆層。通過這種方式，本發(fā)明的實(shí)施例大大減弱了對(duì)一種具體涂覆層的性能的依賴，有利于形成更堅(jiān)固更可靠的系統(tǒng)。
參見圖2，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例是包括基底105和設(shè)置在基底105上的多個(gè)110涂層單元115、120、125的制100。圖2示出了一個(gè)典型實(shí)施例，其中所述多個(gè)110涂層單元包括三個(gè)涂層單元115、120、125，但根據(jù)應(yīng)用情況可使用更多或更少的單元。每個(gè)涂層單元115包括吸氧劑層116和隔離層117。粘結(jié)涂層(未示出)可選地被設(shè)置與基底接觸，且多個(gè)110涂層單元被設(shè)置在該粘結(jié)涂層上。粘結(jié)涂層在某些實(shí)施例中包括硅或硅化物，且在一些實(shí)施例中具有在約25微米至約200微米范圍內(nèi)的厚度。
基底105在某些實(shí)施例中包括硅，所述實(shí)施例包括例如包含陶瓷化合物、金屬合金、金屬間化合物或其組合的基底。金屬間化合物的實(shí)例包括，但不限于，硅化鈮和硅化鉬。適合的陶瓷化合物的實(shí)例包括，但不限于，碳化硅和氮化硅。本發(fā)明的實(shí)施例包括其中基底包括陶瓷基體復(fù)合物(CMC)材料的那些實(shí)施例，所述實(shí)施例包括陶瓷基體復(fù)合物包括基體相和強(qiáng)化相的情況，所述兩相均包括碳化硅。不管材料成分如何，在一些實(shí)施例中基底105包括渦輪機(jī)組件的部件，例如尤其是燃燒器部件、罩殼、渦輪機(jī)葉片或渦輪機(jī)輪葉。
吸氧劑層116用以阻止或大體上抑制氧氣從環(huán)境擴(kuò)散進(jìn)入基底105內(nèi)。正如此處所使用地，“吸氧劑”意味著對(duì)氧原子或分子具有高親和力的物質(zhì)。在某些實(shí)施例中，吸氧劑層116包括硅。吸氧劑層材料的合適實(shí)例包括元素硅(包括，例如，基本上包括硅的材料)和硅化物(意味著具有硅和一種或多種附加化學(xué)元素的化合物)。吸氣劑層在一些實(shí)施例中的厚度達(dá)250微米。在某些實(shí)施例中，該厚度在約50微米至約150微米的范圍內(nèi)，且在具體實(shí)施例中，該厚度在約80微米至約120微米的范圍內(nèi)。
隔離層117，正如該術(shù)語在此所使用的，意味著被設(shè)計(jì)以提供對(duì)高溫含水蒸汽環(huán)境中的凹縮的阻力，且被設(shè)計(jì)以進(jìn)一步抑制水蒸氣滲透至底層和基底的涂層。在一些實(shí)施例中，隔離層117包括陶瓷，例如氧化物。適合的氧化物材料的實(shí)例包括鋁硅酸鹽、硅酸鹽和鋁酸鹽。堿土金屬鋁硅酸鹽例如鋁硅酸鍶鋇、稀土金屬硅酸鹽例如單硅酸釔和堿土金屬鋁酸鹽是特別適合的隔離層材料，但對(duì)高溫含水蒸氣環(huán)境中的凹縮具有相當(dāng)大的阻力的其它化合物也是適合的。在一些實(shí)施例中，隔離層117包括金屬。用作隔離層117的適合的金屬包括，但不限于，鉑、鈀、銠、釕、錸、鋨和銥，以及包括任何前述金屬中至少一種金屬的合金。在一些實(shí)施例中，隔離層117具有達(dá)750微米的厚度。在某些實(shí)施例中，該厚度在約75微米至約500微米的范圍內(nèi)。在具體實(shí)施例中，該厚度在約75微米至約125微米的范圍內(nèi)。隔離層117厚度的選擇將取決于多個(gè)設(shè)計(jì)考慮，所述設(shè)計(jì)考慮包括例如預(yù)期使用環(huán)境的性質(zhì)、選擇用作隔離層117的材料以及所需使用壽命。
本發(fā)明的多個(gè)實(shí)施例包括了沉積順序、材料選擇、層厚等的多種其它可選組合。在圖2所示的典型實(shí)施例中，多個(gè)110涂層單元被設(shè)置以形成一系列隔離層117、119、121，且至少一個(gè)吸氣劑層116、118、122被依次設(shè)置在連續(xù)的隔離層117、119、121之間。這種布置使得擴(kuò)散通過隔離層117、119、121到達(dá)基底105的氧氣大大減少。此外在圖2所示的典型實(shí)施例中，多個(gè)110涂層單元中的每個(gè)涂層單元與多個(gè)110涂層單元中的其它涂層單元大體上相同。正如在此使用的，“大體上相同”意味著等效于在正常工藝變型、層的位置、層的成分和層的厚度的限度范圍內(nèi)。圖2所示的實(shí)施例僅是本發(fā)明的實(shí)施例所提供的多種可能性中的一種可能性，且不是必要的。例如，在一些實(shí)施例中，至少一個(gè)涂層單元包括在層的厚度、成分或相對(duì)于涂層單元中其它層的位置方面與其它單元的相應(yīng)層不同的至少一層。例如，設(shè)置在制品上的一個(gè)涂層單元中的隔離層可包括稀土金屬硅酸鹽，而相同制品上的不同涂層單元中的隔離層可包括不同材料，例如鋁硅酸鹽。
在某些實(shí)施例中，多個(gè)110涂層單元中的至少一個(gè)涂層單元進(jìn)一步包括至少一個(gè)附加層(未示出)。該附加層可被設(shè)置在吸氣劑層或隔離層中的任一層之上或之下，或可被設(shè)置在這兩層之間。附加層可用以實(shí)施多種所希望的功能中的任何功能。例如，熱膨脹系數(shù)(CTE)介于隔離層材料與吸氣劑層材料的熱膨脹系數(shù)中間的附加層可被設(shè)置在吸氣劑層與隔離層之間以減小由于兩層之間的熱膨脹系數(shù)失配而產(chǎn)生的應(yīng)力。在一個(gè)具體實(shí)施例中，包括莫來石或莫來石與鋁硅酸鋇鍶(BSAS)的混合物的附加層被設(shè)置在包括元素硅的吸氣劑層與包括BSAS的隔離層之間。另一種可選方式是，包括稀土金屬二硅酸鹽的附加層被設(shè)置在包括元素硅的吸氣劑層與包括稀土金屬單硅酸鹽的隔離層之間。在另一個(gè)實(shí)施例中，設(shè)置在吸氣劑層與隔離層之間的附加層提供了擴(kuò)散隔離以使兩層之間的化學(xué)相互作用最小化。例如對(duì)于包括鉑族金屬的隔離層連同元素硅的隔離層被選擇用于一個(gè)或多個(gè)涂層單元的情況，由于在燃?xì)廨啓C(jī)部件的典型操作溫度下這些材料之間存在的反應(yīng)性，因此該功能是有用的。
任何附加層的厚度、化學(xué)成分和在涂層單元內(nèi)的位置將取決于多種因素，所述多種因素尤其包括單元中其它層的成分、它們的厚度和具體應(yīng)用環(huán)境。適用于本發(fā)明的實(shí)施例中的附加層所希望地具有基本上不會(huì)有助于涂層單元內(nèi)或多個(gè)涂層與基底之間的熱應(yīng)力的熱膨脹系數(shù)。在一個(gè)實(shí)施例中，附加層包括陶瓷材料，例如氧化物。附加層的厚度通常，盡管不是必要的，與下面所述的涂層單元中的其它層的厚度具有可比性。
每個(gè)涂層單元115、120、125的總厚度，以及多個(gè)110涂層單元的總厚度，取決于在前所述的用于選擇單個(gè)涂層厚度的多個(gè)設(shè)計(jì)考慮。在一些實(shí)施例中，多個(gè)110涂層單元中的每個(gè)涂層單元具有達(dá)約1000微米的厚度。在具體實(shí)施例中，涂層單元厚度在約75微米至約375微米的范圍內(nèi)。此外，在一些實(shí)施例中，多個(gè)110涂層單元的總厚度達(dá)約2000微米。在具體實(shí)施例中，該總厚度在約150微米至約750微米的范圍內(nèi)。
如圖2清楚地示出，本發(fā)明的實(shí)施例提供了冗余重復(fù)系統(tǒng)以減小系統(tǒng)性能對(duì)系統(tǒng)中任何單層的完整性的依賴。例如，如果最外層涂層單元125受到損壞，那么中間單元120提供了相等量的環(huán)境阻力，在中間單元120存在裂口的情況下，所述中間單元進(jìn)一步可由第一單元115替換。在常規(guī)環(huán)境隔離涂層系統(tǒng)10(圖1)中，頂部涂層40中的單個(gè)局部缺陷可迅速導(dǎo)致基底25受到直接腐蝕。然而，在本發(fā)明的系統(tǒng)中，頂部涂層121中的單個(gè)缺陷僅導(dǎo)致等效隔離層119發(fā)生暴露。本發(fā)明的實(shí)施例因此提供了用于侵蝕性環(huán)境中的更耐缺陷的可靠的環(huán)境隔離涂層系統(tǒng)。
為了充分利用上述屬性的優(yōu)點(diǎn)，本發(fā)明的具體實(shí)施例為包括含硅的基底105和設(shè)置在基底105上的多個(gè)110涂層單元115的制品。每個(gè)涂層單元115包括吸氧劑層116和隔離層117。吸氣劑層116包括從包括元素硅和硅化物的組群中選擇出來的至少一種材料。隔離層117包括從包括鋁硅酸鹽、硅酸鹽和鋁酸鹽的組群中選擇出來的至少一種材料。多個(gè)110涂層單元形成了具有設(shè)置在連續(xù)的隔離層之間的至少一個(gè)吸氣劑層116、118、122的一系列隔離層117、119、121。
在此所述的所有涂層可通過多種制造工藝中的任何制造工藝被沉積在基底25上，所述多種制造工藝包括但不限于噴涂工藝，例如等離子體噴涂、熱噴涂和類似噴涂工藝；氣相沉積工藝?yán)缥锢須庀喑练e、化學(xué)氣相沉積和類似氣相沉積工藝；和其它涂覆工藝?yán)珉婂?。根?jù)所選用的成分和用以沉積這些層的工藝，可對(duì)涂層進(jìn)行多種熱處理以提高強(qiáng)度、形成所希望的微觀結(jié)構(gòu)組成相，或產(chǎn)生其它所需特征。
實(shí)例在不進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)闡述的情況下，可以相信，通過此處的描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可最充分地使用本發(fā)明。下列實(shí)例被包括以在實(shí)踐要求保護(hù)的本發(fā)明的過程中為本領(lǐng)域的技術(shù)人員提供附加導(dǎo)引。所提供的實(shí)例僅代表有助于本申請(qǐng)的教導(dǎo)的使用。因此，正如所附技術(shù)方案所限定地，本實(shí)例不旨在以任何方式限制本發(fā)明。
參見圖3，含硅基底301經(jīng)過等離子體噴涂具有兩個(gè)涂層單元310、320。每個(gè)涂層單元包括具有元素硅的吸氧劑層302、305；包括設(shè)置在吸氣劑層302、305上的BSAS和莫來石的混合物的附加層303、306；和設(shè)置在附加層303、306上的BSAS隔離層304、307。每個(gè)單元的總厚度約為300-500微米。被涂覆的基底暴露于90％H2O-10％O2的環(huán)境中進(jìn)行500小時(shí)的循環(huán)蒸汽暴露(250個(gè)周期)，所述90％H2O-10％O2的環(huán)境具有與典型燃?xì)廨啓C(jī)的水蒸氣分壓大約相似的水蒸氣分壓。涂層系統(tǒng)在該暴露過程中積聚的損壞最小。觀察到在頂部涂層單元320的吸氧劑層305上具有薄的氧化物層，這與在常規(guī)環(huán)境隔離涂層系統(tǒng)(圖1)中的相似暴露的硅粘結(jié)涂層20上觀察到的情況幾乎一樣。另一方面，底部涂層單元310的吸氧劑層302的上面沒有氧化物層，這表明連續(xù)的頂部單元吸氣劑層305防止了氧氣和水蒸氣滲透至下部環(huán)境隔離涂層單元310。簡(jiǎn)而言之，底部涂層單元310在暴露過程中保持處于原始狀態(tài)，而頂部涂層單元320的行為與典型環(huán)境隔離涂層相似。
盡管在此描述了多個(gè)實(shí)施例，但從說明書中應(yīng)意識(shí)到，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可作出多種元素組合、變型、等效方式或改進(jìn)，且所述組合和改進(jìn)仍在所附技術(shù)方案所限定出的本發(fā)明的范圍內(nèi)。
一覽表典型的環(huán)境隔離涂層系統(tǒng)10粘結(jié)涂層20基底25中間層30頂層40制品100基底105多個(gè)110涂層單元115、120、125吸氧劑層116隔離層117一系列隔離層117、119、121吸氣劑層116、118、122含硅基底301兩個(gè)涂層單元310、320吸氧劑層302、305附加層303、306隔離層304、30權(quán)利要求
1.一種制品(100)，包括基底(105)；和設(shè)置在所述基底(105)上的多個(gè)涂層單元，其中每個(gè)涂層單元(115、120、125)包括吸氧劑層(116)，和隔離層(117)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品(100)，其中所述吸氧劑層(116)包括硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制品(100)，其中所述吸氧劑層(116)包括從包括元素硅和硅化物的組群中選擇出來的至少一種材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品(100)，其中所述隔離層(117)包括陶瓷。
5.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制品(100)，其中所述陶瓷包括氧化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制品(100)，其中所述氧化物包括從包括鋁硅酸鹽、硅酸鹽和鋁酸鹽的組群中選擇出來的至少一種材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品(100)，其中所述多個(gè)(110)涂層單元(115、120、125)形成了具有設(shè)置在連續(xù)的隔離層(117)之間的至少一個(gè)所述吸氣劑層的一系列所述隔離層(117)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品(100)，其中所述多個(gè)(110)涂層單元中的每個(gè)涂層單元(115、120、125)具有達(dá)約1000微米的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品(100)，其中所述多個(gè)(110)涂層單元(115、120、125)具有達(dá)約2000微米的總厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品(100)，其中所述吸氧劑層(116)具有達(dá)約250微米的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品(100)，其中所述隔離層(117)具有達(dá)約750微米的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品(100)，其中所述基底(105)包括硅。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品(100)，其中所述基底(105)包括陶瓷化合物，所述陶瓷化合物包括硅。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品(100)，其中所述陶瓷化合物包括從包括碳化硅和氮化硅的組群中選擇出來的至少一種材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品(100)，其中所述基底(105)包括渦輪機(jī)組件中的部件。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制品(100)，其中所述多個(gè)(110)涂層單元中的至少一個(gè)涂層單元(115、120、125)進(jìn)一步包括設(shè)置在從以下位置組群中選擇出來的位置處的至少一個(gè)附加層，所述位置組群包括a.在所述吸氧劑層(116)與所述隔離層(117)之間，b.在所述隔離層(117)之上，和c.在所述吸氧劑層(116)之下。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制品(100)，其中所述附加層被設(shè)置在所述吸氧劑層(116)與所述隔離層(117)之間，且其中所述附加層具有介于所述隔離層(117)與所述吸氧劑層(116)的相應(yīng)的熱膨脹系數(shù)中間的熱膨脹系數(shù)。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制品(100)，其中所述隔離層(117)包括鋁硅酸鍶鋇、所述吸氣劑層包括硅且所述附加層包括從包括莫來石、鋁硅酸鍶鋇及其混合物的組群中選擇出來的至少一種材料。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制品(100)，其中所述隔離層(117)包括稀土金屬單硅酸鹽、所述吸氣劑層包括硅且所述附加層包括稀土金屬二硅酸鹽。
20.一種制品(100)，包括包括硅的基底(105)；和設(shè)置在所述基底(105)上的多個(gè)(110)涂層單元(115、120、125)，其中每個(gè)涂層單元(115、120、125)包括包含從包括元素硅和硅化物的組群中選擇出來的至少一種材料的吸氧劑層(116)，和包含從包括鋁硅酸鹽、硅酸鹽和鋁酸鹽的組群中選擇出來的至少一種材料的隔離層(117)，其中所述多個(gè)(110)涂層單元(115、120、125)形成了具有設(shè)置在連續(xù)的隔離層(117)之間的至少一個(gè)所述吸氣劑層的一系列所述隔離層(117)。
全文摘要
提供一種包括基底(105)和設(shè)置在所述基底(105)上的多個(gè)(110)涂層單元(115、120、125)的制品(100)。每個(gè)涂層單元(115、120、125)包括吸氧劑層(116)和隔離層(117)。本發(fā)明的實(shí)施例引入冗余重復(fù)以增強(qiáng)涂層系統(tǒng)的堅(jiān)固性。多個(gè)保護(hù)性涂層單元被設(shè)置在基底(105)上，以使得其中一個(gè)所述涂層單元的失效將遠(yuǎn)不可能使基底(105)遭受直接暴露于環(huán)境中的風(fēng)險(xiǎn)。外部涂層單元(115、120、125)的失效僅暴露出原始的保護(hù)性涂層單元(115、120、125)，而不暴露基底(105)或保護(hù)性較弱的涂覆層。通過這種方式，本發(fā)明的實(shí)施例大大減輕了對(duì)一種具體涂覆層的性能的依賴，有利于形成更堅(jiān)固更可靠的系統(tǒng)。
文檔編號(hào)C04B41/89GK1807357SQ20061000514
公開日2006年7月26日 申請(qǐng)日期2006年1月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月13日
發(fā)明者P·J·梅施特, K·L·路思拉, J·S·薩克, C·A·約翰遜 申請(qǐng)人:通用電氣公司