專利名稱：淺色靜電放電安全陶瓷的制作方法
背景發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明一般地涉及陶瓷材料，該陶瓷材料具有用于靜電電荷安全放電的靜電放電耗散性質(zhì)。
相關(guān)領(lǐng)域描述在日益進(jìn)步的科技時代，靜電放電可以是代價高或危險的。靜電放電(ESD)會引燃易燃材料，破壞電子元件，向清潔的環(huán)境中吸引玷污物，或者使產(chǎn)品粘在一起。這些效應(yīng)可造成重大的損失。
靜電電荷可以在摩擦起電過程中產(chǎn)生。在這些摩擦起電過程中，互相接觸的表面上產(chǎn)生了相反的電荷。當(dāng)這些表面分離時，不同的電荷仍然保留下來。電荷也可以通過磁場或其它過程產(chǎn)生。
當(dāng)這些靜電電荷放電時，可能會對敏感的電子裝置造成破壞。靜電放電可能會改變半導(dǎo)體裝置的電性質(zhì)，從而降低其性能或?qū)ζ湓斐善茐摹ｌo電放電還會影響電子系統(tǒng)的運行，造成儀器故障或失靈。在清潔房間內(nèi)，帶電的表面會吸引和固定玷污物，使得難以從環(huán)境中除去這些玷污物。靜電電荷還會將玷污物吸引到硅片或電子線路表面上。這些玷污物會產(chǎn)生隨機的缺陷，從而降低產(chǎn)率。靜電放電還會在織物(web)制造過程和易燃粉末制造過程中造成危險。
ESD對產(chǎn)品的破壞可造成重大的經(jīng)濟損失。估計每年電子工業(yè)中ESD破壞所造成的損失高達(dá)數(shù)十億美元。如果包括相關(guān)的維修、重新加工、運輸、勞力和管理費用，ESD造成的經(jīng)濟損失是更大的。
對ESD的控制在電子工業(yè)中特別重要，但是要求較高，需要能夠成功用于各種自動化電子生產(chǎn)過程的高密度而堅固的ESD安全材料。
由于上述原因，通常需要提供一種改進(jìn)的靜電放電耗散材料，該材料應(yīng)具有適用于包括電子工業(yè)在內(nèi)的高要求用途的性質(zhì)。
概述本發(fā)明的方面涉及一種靜電耗散陶瓷元件，該元件具有穩(wěn)定的氧化鋯基體(base)，該元件的表面電阻率為1×105至1×1012歐姆/平方(square)，包含至少2體積％的散射材料。所述穩(wěn)定的氧化鋯的的含量可為60-95重量％。
本發(fā)明的另外方面涉及一種靜電耗散陶瓷材料，該材料包含穩(wěn)定的氧化鋯、電阻率調(diào)節(jié)劑和散射材料。穩(wěn)定的氧化鋯的含量可為陶瓷材料的60-95重量％。電阻率調(diào)節(jié)劑的含量可為5-30重量％，散射材料可至少占所述靜電耗散陶瓷材料的2體積％。
本發(fā)明的其它方面涉及制造電子元件的方法。該方法包括提供用來支承電子元件的支承裝置，和對電子元件進(jìn)行加工。該支承裝置的材料包含60-95重量％穩(wěn)定的氧化鋯和至少2體積％的散射材料。該支承裝置的表面電阻率可為1×105至1×1012歐姆/平方。
本發(fā)明的方面還涉及制造硬盤驅(qū)動器的方法。該方法包括為硬盤驅(qū)動器元件提供支承物，并對硬盤驅(qū)動器元件進(jìn)行加工。該支承物包含一種靜電耗散材料，該材料包含65-90重量％的穩(wěn)定的氧化鋯和至少2體積％的散射材料。該支承裝置的表面電阻率可為1×105至1×1012歐姆/平方。
附圖簡述結(jié)合這些附圖，可以更好地理解本發(fā)明，并使其各個目的、特征和優(yōu)點對本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見。


圖1比較參比材料和示例材料的漫反射系數(shù)。
圖2說明添加劑對漫反射系數(shù)的影響。
圖3顯示添加劑對亮度L*的影響。
在不同的圖中，對相近或相同的對象使用相同的指示符號。
優(yōu)選實施方式的描述根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，提供一種包含穩(wěn)定的二氧化鋯基體和散射材料的靜電耗散陶瓷元件。所述穩(wěn)定的氧化鋯基體占該元件的60-95重量％，所述散射材料占該元件的2體積％。該元件還可包含電阻率調(diào)節(jié)劑。靜電耗散陶瓷元件的表面電阻率為1×105至1×1012歐姆/平方，其體電阻率可為1×104至1×1011歐姆厘米。
所述穩(wěn)定的氧化鋯可用2.6-10摩爾％的穩(wěn)定金屬氧化物進(jìn)行穩(wěn)定。該穩(wěn)定劑包括氧化釔，氧化鈧，稀土元素氧化物例如鑭、鈰、鈧、釹、鐿、鉺、釓、釤和鏑的氧化物之類的稀土氧化物，以及氧化鎂與氧化鈣之類的堿土氧化物。更具體地說，氧化釔的用量可為2-10摩爾％，在一些情況下為2.5-4.5摩爾％，具體的例子為2.6、2.8和3.0摩爾％。氧化釔部分穩(wěn)定的氧化鋯(Y-PSZ)具有極好的機械性能，這是由于氧化鋯部分為四方結(jié)構(gòu)。這些機械性能在ESD安全材料中是有益的，這是因為它們能夠用來有益地發(fā)揮結(jié)構(gòu)功能。
在一個實施方式中，散射材料具有淺的顏色、低的折射率，而且對陶瓷加工的嚴(yán)酷作用具有穩(wěn)定性。在例如陶瓷加工過程中經(jīng)歷的條件下，該材料應(yīng)當(dāng)基本不與陶瓷基體和任何減小電阻率的材料反應(yīng)。這種散射材料可包括釔鋁石榴石(YAG)、鋁酸鋅、鋁酸鎂、磷酸釔之類的穩(wěn)定磷酸鹽、硅酸鎂之類的穩(wěn)定硅酸鹽、硅鋁酸鈹之類的穩(wěn)定硅鋁酸鹽和氟化鈣之類的穩(wěn)定氟化物。這些材料本身可以加入將要燒結(jié)的混合料，或者也可以它們的組成部分加入，使其在其中反應(yīng)生成該種材料。例如，向氧化鋯中加入氧化鋁和氧化鋅的混合物，在燒結(jié)過程中可生成鋁酸鋅。
所述散射材料的折射率與基體陶瓷材料可顯著不同。折射率可至少相差0.25。然而，折射率也可相差0.3、0.5或更多。例如YAG、鋁酸鋅和鋁酸鎂的折射率分別為1.83、1.879、1.72。這些折射率與氧化鋯的折射率(2.2)至少相差0.25。
下表示例性地列出了散射材料的折射率。
這些散射材料還應(yīng)基本不與基體陶瓷材料和任何的電阻率調(diào)節(jié)劑反應(yīng)，散射材料的熔點要高于陶瓷加工溫度。例如，在高達(dá)1200℃或1400℃的條件下，在3％氧化釔穩(wěn)定的氧化鋯和氧化鋅存在下，釔鋁石榴石(YAG)是穩(wěn)定的。另一方面，在這些條件下，氧化鋁之類的散射材料則會與氧化鋅反應(yīng)形成鋁酸鋅。因此，優(yōu)選的散射材料將隨著基體材料、電阻率調(diào)節(jié)劑和加工條件改變。
散射材料的粒度會影響該材料的效果。大顆粒尺寸散射光線的效果較差，小顆粒尺寸的散射效果也較差。當(dāng)散射材料的粒度為50納米至5微米(im)時，效果最佳。粒度也可為0.2微米至2微米。
一種示例性的元件可為在可見波長的特定范圍內(nèi)具有較高漫反射系數(shù)的淺色元件。根據(jù)CIE1976L*a*b標(biāo)度(scale)，該元件的亮度L*可約大于50。亮度可大于75或80。該元件在可見光的藍(lán)色和綠色區(qū)域中應(yīng)具有較高的漫反射系數(shù)。例如，在450納米處的漫反射系數(shù)可大于20。
一種示例性的元件還可相對密實(dense)并具有高的強度。相對密度可大于理論密度的95％。例如，相對密度可不小于理論密度的98、99或99.5％。根據(jù)在3毫米×4毫米×50毫米的棒上的4點測試，強度至少可為600兆帕。例如，強度可為700兆帕、800兆帕、900兆帕或高于1100兆帕。
單獨使用氧化鋯會具有過高的電阻率，從而無法減少靜電積累，無法安全放電?？捎锰砑觿﹣斫档碗娮杪省８鶕?jù)用途，優(yōu)選的電阻率可在1×105至1×1012歐姆/平方(表面電阻率)和1×104至1×1011歐姆厘米(體電阻率)的范圍內(nèi)變化。添加劑形成導(dǎo)體或半導(dǎo)體分離晶粒相，該相在基體組合物內(nèi)形成獨立的第二相。電阻率調(diào)節(jié)劑可包括例如金屬氧化物、金屬碳化物、金屬氮化物、金屬氧碳化物、金屬氮氧化物和金屬氧碳氮化物等材料。下表提供了基體材料和電阻率調(diào)節(jié)添加劑的各種組合。不同的電阻率調(diào)節(jié)劑或各種電阻調(diào)節(jié)劑與基體材料的組合會對材料的電阻率產(chǎn)生不同的影響。另外，各種材料和材料的組合會對給定波長下的漫反射系數(shù)或顏色亮度產(chǎn)生不同的影響。例如，氧化鋅(ZnO)是特別有效的用于氧化鋯基體材料的添加劑。然而，ZnO對于氧化鋁之類的其它基體材料可能會有不同的效果，或者可能會與這些其它基體材料發(fā)生反應(yīng)。
在各種示例性的實施方式中，電阻率調(diào)節(jié)劑的加入量可為10-40體積％。例如，可向Y-PSZ中加入15-35體積的氧化鋅。在其它例子中，LaMNO3的加入量可為20-30體積％，LaCrO3的加入量可為10-40體積％，ZrC的加入量可為10-25體積％，BaO.6Fe2O3的加入量在25體積％附近。在一個具有氧化釔穩(wěn)定的韌性氧化鋯多晶(Y-TZP)基體材料的實施方式中，可優(yōu)選使用氧化錫和氧化鋅，這是由于它們價格較為便宜、毒性較低、顏色較淺。
在一個特定的實施方式中，靜電耗散陶瓷元件可包含70-85重量％穩(wěn)定的氧化鋯、15-25重量％的氧化鋅和大于2體積％的YAG。
在另一個特殊的實施方式中，靜電耗散陶瓷材料可包含60-90重量％穩(wěn)定的氧化鋯、5-30重量％的電阻率調(diào)節(jié)劑和至少2體積％的散射材料。根據(jù)電阻率調(diào)節(jié)劑種類、電阻率調(diào)節(jié)劑的量和加工條件等因素，材料的表面電阻率可為1×105至1×1012歐姆/平方。體電阻率可為1×104至1×1011歐姆厘米。按照CIE1976L*a*b標(biāo)度(scale)，該元件的亮度L*可約大于50。該材料在450納米還可具有大于20的漫反射系數(shù)。材料的相對密度可大于95、98或99％。
在另一個示例性的實施方式中，所述陶瓷材料可包含60-95重量％的氧化鋯和分散材料。表面電阻率可為1×105至1×1012歐姆/平方(square)。所含的散射材料的折射率與氧化鋯的折射率至少相差0.25。體電阻率為1×104至1×1011歐姆厘米。該靜電耗散陶瓷材料可具有大于50的亮度L*，在450納米的漫反射系數(shù)可大于20。該材料還可具有大于98的密度。
另一個靜電耗散陶瓷材料的例子的表面電阻率為1×105至1×1012歐姆/平方，相對密度至少為98，包含陶瓷基體和0.2-10重量％的散射材料。該散射材料可為YAG、鋁酸鋅、鋁酸鎂、磷酸釔、硅酸鎂、硅鋁酸鈹或氟化鈣。該散射材料可為磷酸鹽、硅酸鹽、硅鋁酸鹽或氟化物。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，某些工具、支架之類的元件和部件用ESD安全的即靜電耗散材料制成。強度足夠大、足夠機械牢固的ESD安全材料傾向于是密實即低孔隙率的。本發(fā)明可得到例如淺色密實的陶瓷。本工業(yè)中的許多加工都通過視覺系統(tǒng)實現(xiàn)了自動化。這些視覺系統(tǒng)通常依靠材料間的差異來有效確定部件的位置。如果部件、工具、自動化機械和制造表面之間有強烈的差異，會改進(jìn)這些自動化系統(tǒng)的操作。例如磁性記錄頭基本上是黑色的。使用淺色的ESD耗散工具可以改進(jìn)視覺系統(tǒng)的光學(xué)識別能力和性能。
本發(fā)明的另一方面涉及制造電子元件的方法。該方法包括提供用來支承電子元件的支承裝置，并對該電子元件進(jìn)行加工。該支承裝置的材料包含60-95重量％穩(wěn)定的氧化鋯和至少2體積％的散射材料。該支承裝置的表面電阻率可為1×105至1×1012歐姆/平方。
所述支承裝置可以是夾具、工具、支架或其它制造部件。在一個例子中，所述電子元件為磁阻頭。加工可包括對磁阻頭支承面進(jìn)行磨光或機械加工。
本發(fā)明的其它方面涉及制造硬盤驅(qū)動器的方法。該方法包括為硬盤驅(qū)動器元件提供支承物，并對硬盤驅(qū)動器元件進(jìn)行加工。該支承物包含一種靜電耗散材料，該材料包含65-90重量％穩(wěn)定的氧化鋯和至少2體積％的散射材料。該靜電耗散材料的表面電阻率可為1×105至l×1012歐姆/平方。
該硬盤驅(qū)動器元件可以是例如磁阻頭。加工可包括磨光、機械加工以及采集(pick)和安放(place)過程。支承物可以是夾具。
實施例實施例1將3摩爾％氧化釔穩(wěn)定的氧化鋯、氧化鋅和釔鋁石榴石粉末混合起來，其中這三種組分的含量分別為70重量％、17.5重量％和12.5重量％。還制備了參比樣，該參比樣包含82％釔穩(wěn)定的氧化鋯和18％的氧化鋅。將參比樣和樣品壓成圓片，在1400℃燒制1小時，再在1350℃的氬氣氣氛下、在200兆帕壓力進(jìn)行熱等靜壓45分鐘。該方法制得了相對密度大于98％的樣品和參比樣品。然后在650℃的空氣氣氛下對樣品進(jìn)行退火，直至表面電阻超過
用伊利諾斯州Bensonville的Prostat公司生產(chǎn)的PRF-912表面電阻探針測量表面電阻。結(jié)果列于下表。
用弗吉尼亞州的Hunter Associates Laboratory of Reston制造的Miniscan XE脈沖分光計測量樣品和參比樣品的漫反射系數(shù)。如圖1所示，樣品S1的漫反射系數(shù)平均高于參比材料的漫反射系數(shù)。具體來說，在光譜的藍(lán)端，樣品的漫反射系數(shù)顯著地大于參比材料。CIEL*a*b值列于下表。L*測量值顯示了亮度并在0-100之間變化，其中100為白色，1為黑色。當(dāng)a*測量值為正值時表示紅色，當(dāng)其為負(fù)值時，表示綠色。當(dāng)b*測量值為正值時表示黃色，當(dāng)其為負(fù)值時，表示藍(lán)色。樣品的亮度與參比樣品接近。然而，樣品顯示比參比樣品更多的紅色和更少的黃色。
實施例2按照與實施例1相同的操作過程制備了大量樣品。這些樣品的組成列于下表。在每種樣品中，材料的平衡是18.7重量％氧化鋅和81.3重量％氧化鋯的混合物。表的最后一列是散射材料添加劑的體積分?jǐn)?shù)，假定散射材料與樣品其它組分沒有顯著的互溶度。又是在忽略互溶的情況下，與添加劑一起另外加入氧化鋅，將氧化鋅的體積分?jǐn)?shù)保持在20％。
熱等靜壓處理之后，對樣品表面進(jìn)行磨光，并在空氣中、650℃下對樣品進(jìn)行加熱，直至表面電阻超過1
用Miniscan XE脈沖分光計測定漫反射系數(shù)，CIEL*，a*，b*標(biāo)度列于下表。表面電阻顯示出從1.16至703
的變化。L*測量值為75.14至85.79。a*測量值是-1.71至1.15，b*測量值為10.85至40.34。在450納米的漫反射系數(shù)為20.2-43.27。這些結(jié)果的圖表形式見圖2和3。
圖2顯示散射材料添加劑對450納米的漫反射系數(shù)的影響。橫軸表示添加劑的體積百分?jǐn)?shù)，縱軸表示漫反射的百分?jǐn)?shù)。隨著YAG體積百分?jǐn)?shù)的增加，漫反射系數(shù)從20％增加到最高43.27％。當(dāng)加入大約10體積％的鋁酸鋅或鋁酸鎂時，450納米處的漫反射系數(shù)分別為28.51和39.63。甚至較小量的釔鋁石榴石，對漫反射系數(shù)也有影響。添加劑含量優(yōu)選大于2體積％。
圖3說明添加劑對亮度L*的影響。橫軸表示添加劑的體積百分?jǐn)?shù)，縱軸表示L*。同樣地，隨著YAG含量的增加，L*值增大。當(dāng)鋁酸鋅含量為10體積％時，L*＝85.79，當(dāng)鋁酸鎂含量為10體積％時，L*＝75.14。在這些實施例中，添加劑的粒度小于5微米。粒度通?？蔀?.05-5微米，較佳的是0.2-2微米。
權(quán)利要求
1.一種靜電耗散陶瓷元件，所述元件包含60-95重量％穩(wěn)定的氧化鋯、具有1×105至1×1012歐姆/平方的表面電阻率、且包含至少2體積％的散射材料。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，其特征在于，所述散射材料的折射率與氧化鋯的折射率至少相差0.25。
3.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，其特征在于，所述體電阻率為1×104至1×1011歐姆厘米。
4.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，所述元件的亮度L*大于約50。
5.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，所述元件的亮度L*大于約75。
6.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，所述元件具有大于約95％理論密度的密度。
7.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，所述元件具有大于約98％理論密度的密度。
8.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，所述元件具有大于約99％理論密度的密度。
9.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，所述元件在450納米處具有大于20％的漫反射系數(shù)。
10.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，其特征在于，所述散射材料的粒度為約0.05-約5微米。
11.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，其特征在于，所述散射材料的粒度為0.2-2微米。
12.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，其特征在于，所述散射材料選自下組釔鋁石榴石、鋁酸鋅、鋁酸鎂、磷酸釔、硅酸鎂、硅鋁酸鈹和氟化鈣。
13.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，其特征在于，所述散射材料選自下組磷酸鹽類、硅酸鹽類、硅鋁酸鹽類和氟化物類。
14.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，其特征在于，所述散射材料具有高于1200℃的熔點，且在1200℃基本不與氧化鋯反應(yīng)。
15.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，所述元件還包含電阻率調(diào)節(jié)劑。
16.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，所述元件還包含選自下組的電阻率調(diào)節(jié)劑氧化鋅、氧化錫、氧化銦、氧化鎵和氧化鎘。
17.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，所述元件根據(jù)4點彎曲測試法測得的彎曲強度大于600兆帕。
18.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，所述元件根據(jù)4點彎曲測試法測得的彎曲強度至少為800兆帕。
19.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，所述元件根據(jù)4點彎曲測試法測得的彎曲強度至少為900兆帕。
20.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，所述元件根據(jù)4點彎曲測試法測得的彎曲強度至少為1100兆帕。
21.如權(quán)利要求1所述的靜電耗散陶瓷元件，所述元件包含70-85重量％穩(wěn)定的氧化鋯、15-25重量％的氧化鋅和至少2體積％的釔鋁石榴石。
22.一種靜電耗散陶瓷元件，所述元件包含60-95重量％穩(wěn)定的氧化鋯、5-30重量％的電阻率調(diào)節(jié)劑和至少2體積％的散射材料。
23.如權(quán)利要求22所述的靜電耗散陶瓷元件，其特征在于，所述散射材料的折射率與氧化鋯的折射率至少相差0.25。
24.如權(quán)利要求22所述的靜電耗散陶瓷元件，其特征在于，所述表面電阻率為1×105至1×1012歐姆/平方。
25.如權(quán)利要求22所述的靜電耗散陶瓷元件，所述元件的亮度L*大于約50。
26.如權(quán)利要求22所述的靜電耗散陶瓷元件，所述元件具有大于約95％理論密度的密度。
27.如權(quán)利要求22所述的靜電耗散陶瓷元件，所述元件在450納米處具有大于20％的漫反射系數(shù)。
28.如權(quán)利要求22所述的靜電耗散陶瓷元件，其特征在于，所述散射材料的粒度為約0.05-約5微米。
29.如權(quán)利要求22所述的靜電耗散陶瓷元件，其特征在于，所述散射材料選自下組釔鋁石榴石、鋁酸鋅、鋁酸鎂、磷酸釔、硅酸鎂、硅鋁酸鈹和氟化鈣。
30.如權(quán)利要求22所述的靜電耗散陶瓷元件，其特征在于，所述散射材料在所述靜電耗散陶瓷材料中占2-10體積％。
31.如權(quán)利要求22所述的靜電耗散陶瓷元件，所述元件根據(jù)4點彎曲測試法測得的彎曲強度大于600兆帕。
32.如權(quán)利要求22所述的靜電耗散陶瓷元件，所述元件包含70-85重量％穩(wěn)定的氧化鋯、15-25重量％的氧化鋅和至少2體積％的釔鋁石榴石。
33.一種制造電子元件的方法，所述方法包括提供用來支承電子元件的支承裝置，所述支承裝置包含60-95重量％穩(wěn)定的氧化鋯和至少2體積％的散射材料，所述支承裝置的表面電阻率為1×105至1×1012歐姆/平方；和對所述電子元件進(jìn)行加工。
34.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，所述支承裝置為載體。
35.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，所述支承裝置為夾具。
36.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，所述電子元件為磁阻頭。
37.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，所述加工為磨光。
38.如權(quán)利要求33所述的方法，其特征在于，所述加工為對磁阻頭支承面進(jìn)行機械加工。
39.一種制造硬盤驅(qū)動器的方法，所述方法包括提供用來支承硬盤驅(qū)動器元件的支承物，所述支承物包含靜電耗散材料，所述靜電耗散材料包含60-95重量％穩(wěn)定的氧化鋯和至少2體積％的散射材料，所述靜電耗散材料的表面電阻率為1×105至1×1012歐姆/平方；和對所述硬盤驅(qū)動元件進(jìn)行加工。
40.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于，所述硬盤驅(qū)動元件為磁阻頭。
41.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于，所述加工為磨光。
42.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于，所述加工為采集和安放過程。
43.如權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于，所述支承物為夾具。
全文摘要
本發(fā)明的方面涉及一種靜電耗散陶瓷元件，該元件含有穩(wěn)定的氧化鋯基體，表面電阻率為1×10
文檔編號C04B35/48GK1795515SQ200480013963
公開日2006年6月28日 申請日期2004年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月21日
發(fā)明者M·A·辛普森 申請人:圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司