專利名稱：用于圖像顯示裝置的玻璃基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子體顯示板(下面稱PDP)等的用于圖像顯示裝置的玻璃基板的制造方法。
背景技術(shù)：
用大畫面顯示高質(zhì)量電視圖像的圖像顯示裝置，有許多方式。PDP就是其中之一，下面以PDP為例進(jìn)行說明。
PDP由顯示圖像的前面玻璃基板和與其相對的背面玻璃基板等2塊構(gòu)成。在前面玻璃基板上，在其1個主面上形成由條狀透明電極和總線電極構(gòu)成的顯示電極；覆蓋該顯示電極，并用作電容器的電介體膜；在該電介體膜上的MgO保護(hù)層。另一方面，在背面玻璃基板上，在其1個主面上形成條狀地址電極；覆蓋該條狀地址電極的電介體膜；在其上的隔壁和在各隔壁間各自發(fā)出紅色、綠色及藍(lán)色光的熒光體層。
在前面玻璃基板和背面玻璃基板方面，通常采用可以容易形成大面積、平坦性優(yōu)良且成本低、由浮法制得的玻璃基板。例如這些技術(shù)，在(株)電子ジヤ一ナル編，電子ジヤ一ナル別冊《2001 FPDテクノロジ一大全》(株)電子ジヤ一ナル出版，2000年10月25日，p706～p710中已作了公開。
所謂浮法，是一種在還原性氣氛中，在熔融的金屬錫上，通過把熔融的玻璃材料加以上浮·傳送，使玻璃形成板狀的方法。另外，由于大面積板玻璃具有精度優(yōu)良且制造成本低等特點(diǎn)，所以，在用于各種窗的玻璃制造等中廣泛采用浮法。
然而，當(dāng)在用浮法制造的浮法玻璃基板上(下面稱作玻璃基板)，采用銀材料形成Ag電極時，往往在玻璃基板表面上形成黃色(下面稱作黃變)的著色層。
玻璃基板的著色現(xiàn)象是由于存在于玻璃基板表面的還原性2價錫離子(下面稱作Sn++)和銀離子(下面稱作Ag+)通過氧化還原反應(yīng)生成銀膠體，而通過銀膠體在波長350nm～450nm附近產(chǎn)生光吸收所致。
即，在浮法窯內(nèi)的成型過程中，玻璃基板表面處于如下所述的狀態(tài)暴露在含氫的還原性氣氛中，由熔融的錫(Sn)形成Sn++并形成Sn++的厚度為數(shù)微米的還原層。在具有還原層的玻璃基極表面，當(dāng)采用銀材料形成總線電極(下面稱作Ag電極)時，在進(jìn)行熱處理時，Ag+從Ag電極脫離，通過與玻璃基板中所含的堿金屬離子間的離子交換，Ag+侵入玻璃基板中。并且，侵入的Ag+被存在于還原層中的Sn++還原，生成銀(Ag)膠體。在該銀(Ag)膠體作用下，玻璃基板就變成黃色的狀態(tài)。該現(xiàn)象在透明電極上形成Ag電極的PDP前面玻璃基板中也同樣引起。
玻璃基板，特別是前面玻璃基板在著色為黃色時，作為圖像顯示裝置就成為大問題。這是因為，由于玻璃基板的著色，面板可看到黃色，商品價值下降，同時，藍(lán)色的顯示亮度下降，所以顯示色度發(fā)生變化，特別是在顯示白色時，由于色溫度下降而使圖像質(zhì)量變差。
上述的問題不限于PDP，在玻璃基板上具有形成Ag電極結(jié)構(gòu)的圖像顯示裝置也同樣遇到這類問題。
本發(fā)明以解決上述課題為目的，提供一種可以抑制玻璃基板發(fā)生黃變的用于圖像顯示裝置的玻璃基板的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的用于圖像顯示裝置的玻璃基板的制造方法，就是當(dāng)在玻璃基板上形成Ag電極的面上Sn++的量超過規(guī)定值時，控制使浮法窯內(nèi)的還原能力降低。
另外，本發(fā)明的用于圖像顯示裝置的玻璃基板的制造方法就是，首先，使浮法窯內(nèi)的還原能力減弱，使形成Ag電極的玻璃基板的Sn++的量控制在規(guī)定值以下。此時，當(dāng)所得到的玻璃基板的Sn++的量超過規(guī)定值時，則通過去除該表面，可使Sn++的量在規(guī)定值以下。


圖1是表示PDP簡要結(jié)構(gòu)的剖面立體圖。
圖2是表示反射光譜和波長對玻璃基板表面除去量的關(guān)系圖。
圖3是表示反射率和玻璃著色度(b*)對波長220nm的關(guān)系圖。
圖4是玻璃基板的反射光譜Rs(λ)和不存在Sn++的狀態(tài)下反射光譜RB(λ)之差ΔR的關(guān)系圖。
圖5是玻璃基板的反射光譜分析結(jié)果圖。
圖6是說明玻璃基板的反射光譜Rs(λ)和在Sn++不存在的狀態(tài)下反射光譜RB(λ)之差ΔR達(dá)到最大時的波長λ*圖。
圖7是實施例1的玻璃基板制造裝置的簡要構(gòu)成圖。
圖8是實施例2的玻璃基板制造裝置的簡要構(gòu)成圖。
圖9是實施例3的玻璃基板制造裝置的簡要構(gòu)成圖。
附圖參照符號一覽表1PDP(圖像顯示裝置)2前面基板3前面玻璃基板4掃描電極4b、5b總線電極(Ag電極)5維持電極6顯示電極7，12介電質(zhì)層8保護(hù)層9背面基板10背面玻璃基板11地址電極(Ag電極)13隔壁14R，14G，14B熒光體層15放電空間21熔融爐22浮法窯23玻璃帶24熔融錫25氛圍氣26運(yùn)送輥
27緩慢冷卻窯28裁斷裝置29表面除去窯30蝕刻液32反射率測定裝置100玻璃基板具體實施方式
實施例1關(guān)于本發(fā)明的實施例1，以圖像顯示裝置的PDP為例加以說明。
PDP是由作為顯示圖像側(cè)的前面玻璃基板和與其相對的背面玻璃基板等2塊玻璃基板構(gòu)成的。
圖1是表示PDP簡要結(jié)構(gòu)的剖面立體圖。
PDP1的前面基板2，是由下列材料依次層壓形成的在前面玻璃基板3的1個主面上形成的由掃描電極4和維持電極5構(gòu)成的顯示電極6；介電質(zhì)層7；例如由MgO形成的保護(hù)層8。為了降低電阻，掃描電極4和維持電極5具有的結(jié)構(gòu)是在透明電極4a、5a上層壓由金屬材料構(gòu)成的總線電極4b、5b。
背面基板9的構(gòu)成是在玻璃基板10的1個主面上形成的地址電極11；介電質(zhì)層12；在介電質(zhì)層12上位于地址電極11之間的隔壁13；隔壁13之間的熒光體層14R、14G、14B。
再有，前面基板2和背面基板9夾住隔壁13，顯示電極6和地址電極11垂直相交，與其對置，圖像顯示區(qū)域外的周圍用密封材料加以密封。另外，在前面基板2和背面基板9之間形成的放電空間15，用66.5kPa(500托)的壓力封入如Ne-Xe5％的放電氣體。
另外，放電空間15的顯示電極6和地址電極11的交叉部，作為放電單元16(單元發(fā)光區(qū)域)工作。
這里，在前面玻璃基板3及背面玻璃基板10，如上所述，可以采用容易大面積化的，平坦性優(yōu)良的，廉價的，且通過浮法得到的玻璃基板。
在以上構(gòu)成中，由于前面玻璃基板3上形成了Ag電極4b、5b，當(dāng)在前面玻璃基板3上存在Sn++時，在Ag電極4b、5b之間即使存在透明電極4a、5a也往往產(chǎn)生黃變。且，該黃變?nèi)Q于黃變的程度，對圖像顯示裝置的圖像顯示特性產(chǎn)生影響。
另外，為了調(diào)查對特性的影響，首先，對形成Ag電極4b、5b的PDP1的前面玻璃基板3的Sn++量進(jìn)行分析。在外觀質(zhì)量存在問題時，對采用銀材料形成的地址電極11的背面玻璃基板10的Sn++量也同樣進(jìn)行分析。
具體的分析方法是，通過測定玻璃基板在波長220nm的反射率來進(jìn)行。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，隨著玻璃基板的Sn++量增加，在波長220nm附近的反射率增加，該反射率和銀膠體產(chǎn)生的玻璃基板著色有關(guān)系。反射率的測定，用一般的測定裝置進(jìn)行。
另一方面，存在于玻璃基板的Sn++量，可用二次離子質(zhì)譜法(SIMSSecondary Ion-Mass Spectrometry)或ICP發(fā)光分析法(ICPInductively-Coupled Plasma)求得。
因此，可以允許玻璃基板黃變的Sn++量規(guī)定值，可從采用上述分析法測定的玻璃基板存在的Sn++量和所測得的反射率的關(guān)系得到的工作曲線上確定。因此，從反射率可以判斷未破壞玻璃基板Sn++的規(guī)定值。
下面介紹本發(fā)明人的研究結(jié)果。
首先，與浮法得到的玻璃基板的非錫接觸面的(下面稱作頂面)表面同樣，在波長200～300nm測定除去3、7、15、20μm的玻璃基板反射光譜。其結(jié)果示于圖2。圖2顯示出未除去的玻璃基板測定結(jié)果，作為比較。這里，除去頂面的表面的理由是頂面一方錫的附著及擴(kuò)散量比錫接觸面(下面稱作底面)要少，通常在頂面形成Ag電極所致。還有，當(dāng)在底面形成Ag電極時，產(chǎn)生的著色是頂面形成時的2～3倍。
從圖2可以判斷，在波長220nm附近的峰值A(chǔ)反射率，隨著除去量增加至15μm而減少，另一方面，在超過15μm以上時，反射率的減少達(dá)到飽和。另外，從玻璃基板的頂面向深度方向，考慮Sn++量單純下降，其與圖2所示的結(jié)果一致。從上述理由可以認(rèn)為，在該反射率的峰值A(chǔ)的減少起因于Sn++量。
其次，為了弄清反射光譜上出現(xiàn)的波長220nm附近的峰值A(chǔ)的反射率與玻璃基板黃變的關(guān)系，測定了上述在玻璃基板上實際形成Ag電極的玻璃基板著色度。即，把Ag糊用絲網(wǎng)印刷法涂布厚5μm，于600℃進(jìn)行燒結(jié)，在玻璃基板上形成Ag電極，研究玻璃基板著色度和波長220nm的反射率的關(guān)系。結(jié)果示于圖3。這里的玻璃基板著色度，用L*a*b*表色系統(tǒng)(參照J(rèn)ISZ 8729)的b*進(jìn)行評價。即，著色度b*值愈大，意指黃色著色愈大。還有，玻璃基板著色度，可從未形成Ag電極的面進(jìn)行測定。
圖3表示對波長220nm的光，玻璃基板的反射率和玻璃基板著色度b*之間存在正相關(guān)系。
從以上的討論可知，玻璃基板在波長220nm的反射率增加與存在于玻璃基板的Sn++量，至少與成為黃變原因的還原性物質(zhì)有關(guān)。因此，通過測定波長220nm的反射率，可以分析形成Ag電極的玻璃基板的Sn++量。借此，可以推斷玻璃基板的黃變程度。
還有，在圖2中，從玻璃基板表面除去15μm或15μm以上之后，波長220nm附近的反射率(2％左右)被認(rèn)為，并不是由于存在Sn++而產(chǎn)生的，而是其他波長具有的峰值的反射光譜的下部造成的。即，在波長220nm的反射率減少達(dá)到飽和，是由于有微量的Sn++存在于玻璃基板所致。即，如圖4所示，玻璃基板的反射光譜Rs(λ)和表面除去15μm或15μm以上的玻璃基板反射率減少達(dá)到飽和狀態(tài)的反射光譜RB(λ)之差ΔR(λ)＝Rs(λ)-RB(λ)是由于Sn++的存在。
另外，在波長220nm的反射率，也可從圖2所示的反射光譜分布中讀取。另外，為了正確研究與Sn++相關(guān)的反射光譜的信號強(qiáng)度，首先，例如在比180～280nm更寬的波長范圍內(nèi)測定反射光譜。其次，把該反射光譜，用數(shù)學(xué)公式1，通過曲線配合法，分成圖5所示的與Sn++相關(guān)的成分和不相關(guān)成分的2種高斯型反射光譜。再通過與Sn++相關(guān)成分的峰值面積比較，正確求出與Sn++相關(guān)的反射光譜的信號強(qiáng)度。
M1exp{(1240/λ-1240/M2)2M32}+M4exp{(1240/λ-1240/M5)2M62}]]>式中λ為波長(單位nm)，M1～M6為配合參數(shù)。
還有，測定波長的下限定為180nm的理由是，在比180nm小的短波長，可以避免因大氣中氧進(jìn)行光吸收所產(chǎn)生的測定誤差。另外，為了避免測定誤差所必須建立的真空或不含氧的測定體系，或節(jié)省測定的準(zhǔn)備所花費(fèi)的時間等。
另外，起因于Sn++的反射率峰值波長位置，往往因玻璃基板的制造條件或組成而有若干變化。因此，在更寬的波長范圍內(nèi)，例如在200nm～250nm測定反射率，對提高Sn++的分析精度是有效的。例如，如圖6所示，在波長200nm～250nm，玻璃基板的反射光譜RS(λ)和Sn++不存在狀態(tài)下的反射光譜RB(λ)之差ΔR(λ)＝RS(λ)-RB(λ)達(dá)到最大的波長λ*，可以認(rèn)為是表示Sn++存在的波長。在這里，從該波長λ*的反射率RS(λ*)或反射率差ΔR(λ*)＝RS(λ*)-RB(λ*)，可以分析玻璃基板的Sn++量。在這里，反射率差ΔR(λ*)意指，玻璃基板在波長200nm～250nm的反射光譜RS(λ)和Sn++不存在狀態(tài)下的反射光譜RB(λ)之差ΔR(λ)＝RS(λ)-RB(λ)的最大值。另外，圖2的結(jié)果表示，Sn++僅存在于從玻璃基板最外面至15μm左右深的區(qū)域。這里，離玻璃基板頂面15μm或15μm以上，優(yōu)選除去20μm或20μm以上時的反射光譜RS(λ)設(shè)為Sn++不存在的狀態(tài)。
另外，在反射光譜的下部所包含的寬范圍內(nèi)進(jìn)行分析時，例如，在求出波長200nm～250nm的平均反射率時，可由此分析Sn++含量。
其次，介紹一下形成上述Ag電極的玻璃基板的Sn++含量分析結(jié)果的判斷基準(zhǔn)。
由于Sn++的存在，從Ag電極還原Ag+、生成Ag膠體，在玻璃基板上產(chǎn)生黃變。因此，由于可從Sn++的含量決定玻璃基板上發(fā)生變色(黃變)的程度，所以，用作圖像顯示裝置時，以Sn++含量的規(guī)定值作為判斷基準(zhǔn)。然而，Sn++含量的測定是破壞檢查，是不實用的。如上所述，在這里從與Sn++含量相關(guān)的反射率來判斷Sn++含量的規(guī)定值。
從圖2的結(jié)果可知，為了防止黃變，在顯示Sn++存在的波長的反射率，例如在波長220nm的反射率RS(220)、反射光譜差ΔR(λ)達(dá)到最大的波長λ*的反射率RS(λ*)、反射率差ΔR(λ*)、或在波長200nm～250nm的平均反射率RS-平均(200～250)小者是優(yōu)選的。具體地說，反射率RS(220)在5％或5％以下，或反射率RS(λ*)在5％或5％以下，或反射率差ΔR(λ*)在3％或3％以下，或平均反射率RS-平均(200～250)在5％或5％以下。此時，可以確認(rèn)，即使在該玻璃基板上形成Ag電極、制造圖像顯示裝置時，Sn++的含量仍不成為玻璃基板的黃變問題。
但是，玻璃基板的Sn++含量少，往往是浮法窯內(nèi)氣氛的還原力弱所致。在這種情況下，在制造玻璃基板時，錫浴中所含的金屬錫相繼發(fā)生氧化、揮發(fā)掉的問題。因此，玻璃基板的Sn++含量過少也是不好的。
從上述觀點(diǎn)可知，反射率RS(220)在2.5％～5％的范圍，或反射率RS(λ*)在2.5％～5％的范圍，或反射率差ΔR(λ*)在0.5％～3％的范圍，或平均反射率RS-平均(200～250)在2.5％～5％的范圍是優(yōu)選的。
即，對玻璃基板測定反射率的結(jié)果表明，在超出上述范圍時，在玻璃基板上存在超出規(guī)定值的Sn++。因此，當(dāng)在該玻璃基板上形成Ag電極、制造圖像顯示裝置時，在用于圖像顯示裝置時，產(chǎn)生成為問題的黃變。
因此，在Sn++量超過規(guī)定值時，可以控制制造工序中浮法窯使還原力降低，從而使玻璃基板的Sn++量減少。使浮法窯內(nèi)還原力降低的具體方法，可通過降低浮法窯內(nèi)的氫濃度來實現(xiàn)。例如，作為通常的浮法窯內(nèi)的氣體，對氫+氮含氫2～10體積％(vol％)的比例。因此，在上述氫比例范圍內(nèi)，當(dāng)Sn++量超出規(guī)定值時，通過改變氫濃度可以控制浮法窯內(nèi)的還原能力。即，當(dāng)還原力減弱時，降低氫濃度，當(dāng)還原力增強(qiáng)時，提高氫濃度，借此控制還原力。
下面采用圖7說明玻璃基板的制造方法。
圖7顯示實施方案1的玻璃基板制造裝置之例。
首先，把投入熔融爐21的玻璃基板材料，通過加熱至高溫熔融后，供給浮法窯22。浮法窯22的下部為熔融錫24，上部空間為防止錫氧化而用還原性氛圍氣25(氫氣和氮?dú)獾幕旌蠚?充滿。
然后，把熔融的玻璃連續(xù)移送至熔融錫24上成型為板狀的玻璃帶23。
其次，把玻璃帶23通過輸送輥26從錫浴中送出，移送至緩慢冷卻窯27。在該緩慢冷卻窯27中，玻璃帶23被緩慢冷卻，成型時產(chǎn)生的偏差得到緩和。
另外，在緩慢冷卻工序后，設(shè)置表面分析工序，用反射率測定裝置測定反射率，分析玻璃基板的Sn++量。在該工序中，測定玻璃基板的顯示Sn++存在的波長反射率，即，測定波長為220nm的反射率RS(220)、或反射率差ΔR(λ)達(dá)到最大的波長λ*時的反射率RS(λ*)、或反射率差ΔR(λ*)、或波長為200nm～250nm的平均反射率RS-平均(200～250)。
另外，通過反射率的測定，當(dāng)Sn++量超過規(guī)定值時，控制氫濃度使浮法窯22內(nèi)的還原力減弱。其中，從防止黃變的觀點(diǎn)看，上述反射率盡可能低者是優(yōu)選的。另一方面，為了使玻璃基板的Sn++量減少，當(dāng)浮法窯22內(nèi)的氛圍氣體25的還原力過弱時，在玻璃基板制造時，熔融錫24中所含的金屬錫被相繼氧化、揮發(fā)的問題發(fā)生。
因此，與玻璃基板的Sn++量相當(dāng)?shù)姆瓷渎?，在高于上述值時，使氫氣濃度下降來加以控制。另外，在低于上述值時，為防止金屬錫被氧化，提高氫濃度來加以控制浮法窯的氛圍。
最后，玻璃帶23，在切斷工序中用裁斷裝置28切斷成任意大小，完成玻璃基板100。
采用上述得到的玻璃基板、制造的圖像顯示裝置的PDP，不產(chǎn)生對該圖像顯示特性有影響的黃變，可進(jìn)行良好的圖像顯示。
在這里，反射率的測定是非破壞·非接觸的，由于可在短時間內(nèi)進(jìn)行，所以，對玻璃基板制造工序中的工序管理也可能適用。另外，由于圖像顯示裝置對面內(nèi)均勻性有特別要求，所以，為了把握住玻璃基板表面的偏差，最好在幾處測定反射率。
還有，作為Sn++量的評價方法，可以舉出二次離子質(zhì)譜法(SIMSSecondary Ion-Mass Spectrometry)或ICP發(fā)光分析法(ICPInductively-CoupledPlasma)等，但由于這些是破壞檢查，難以大面積測定，不適于玻璃基板制造工序的玻璃基板Sn++量的即時測定。然而，采用這些方法測定規(guī)定樣品中的Sn++量，通過測定同樣樣品的反射率，事先制成工作曲線，就可以從反射率定量Sn++的量。
另外，當(dāng)Sn++量超過規(guī)定值時，在圖像顯示裝置的背面玻璃基板中使用該玻璃基板，當(dāng)Sn++量在規(guī)定值以下時，也可在圖像顯示裝置的前面玻璃基板中選擇使用。
實施例2關(guān)于本發(fā)明的實施例2，根據(jù)圖8，對與實施例1不同的工序的玻璃基板制造方法加以說明。
圖8顯示實施例2中所用的玻璃基板制造裝置之例。
在實施例1中，即使控制使浮法窯22內(nèi)的還原力減弱，在玻璃基板的Sn++量超過規(guī)定值時，如圖8所示，用表面去除窯29進(jìn)行表面去除工序。
即，在表面去除工序，去除玻璃基板的Ag電極形成面，以致使Sn++量達(dá)到規(guī)定值以下的區(qū)域。
這里的表面去除，可以采用的方法是把玻璃基板100浸漬在氟酸溶液或氫氧化鈉水溶液等蝕刻液30中，對玻璃基板表面進(jìn)行蝕刻的化學(xué)法、或拋光研磨法或噴砂法等物理法。還有，從上述反射率等研究中，玻璃基板表面的除去量以3μm～15μm左右為宜。
因此，控制浮法窯22內(nèi)的還原力使之降低和通過玻璃基板表面的除去，均可靠地降低玻璃基板的Sn++量。
另外，為了使玻璃基板的Sn++量降低，進(jìn)一步除去所制造的玻璃基板表面，與無需控制浮法窯22內(nèi)的還原力而除去表面的場合相比，可以降低玻璃基板表面的去除量。即，從圖2可見，在無需控制浮法窯22內(nèi)的還原力時，Sn++的存在可深達(dá)玻璃表面下15μm左右。因此，為了完全除去，對大面積玻璃基板在15μm或15μm以上，優(yōu)選20μm或20μm以上，必須一樣深的除去。另外，在除去后必須進(jìn)行鏡面加工，除去量愈大，成本愈極端地上升。因此，降低玻璃基板表面的去除量，從成本方面考慮是非常有利的。
實施例3關(guān)于本發(fā)明的實施例3，根據(jù)圖9，對與實施例1不同的工序的玻璃基板制造方法加以說明。
圖9顯示實施例3中所用的玻璃基板制造裝置之例。
在實施例2的制造裝置中，在表面除去窯29中除去表面的工序后，設(shè)置圖9所示的第二表面分析工序。
即，采用第二表面分析工序的反射率測定裝置32，進(jìn)行玻璃基板100的Sn++量分析，由此可嚴(yán)密控制玻璃基板的表面狀態(tài)，進(jìn)一步提高實施例2的效果。還有，根據(jù)需要，通過反復(fù)追加表面分析工序和表面去除工序，可更加有效地提高其效果。
下面，對基于本發(fā)明制成的PDP進(jìn)行研究的結(jié)果加以說明。
首先，對用浮法制成的玻璃基板(旭硝子制，PD-200)，除去玻璃基板表面還原層使殘量不同，使在波長210nm～250nm范圍內(nèi)的反射光譜RS(λ)和反射光譜RB(λ)之差ΔR(λ)＝RS(λ)-RB(λ)的最大值達(dá)到0.1％、0.8％、2.1％、3.3％、4.0％。表面除去方法，可采用把玻璃基板浸漬在由氟酸水溶液(10％)組成的蝕刻液中，通過浸漬時間控制表面去除量。氟酸水溶液溫度設(shè)為27℃，蝕刻速度每分鐘為2μm。且，在規(guī)定時間浸漬后進(jìn)行水洗。然后，進(jìn)行反射光譜的測定。
采用這些玻璃基板制成解像度·結(jié)構(gòu)不同的3種PDP，調(diào)查反射光譜之差ΔR(λ)和PDP的黃變著色度(b*)的關(guān)系。
其中，3種PDP具有以下的結(jié)構(gòu)。
PDP111，相當(dāng)于VGA(480×640像素)，在Ag電極(總線電極)和玻璃基板間具有透明電極4A、5A。另外，PDP222，相當(dāng)于XGA(768×1024像素)，在Ag電極和玻璃基板間具有透明電極4A、5A。而PDP333，相當(dāng)于XGA，在Ag電極和玻璃基板間沒有透明電極。
3種PDP的反射光譜差ΔR(λ)和PDP的黃變著色度(b*)的測定結(jié)果示于表1。b*值愈小愈好，實際上只要b*值在2或2以下，黃變就沒有問題。因此，可以確定，在Ag電極和透明基板之間有透明電極，對像素間隔大的構(gòu)造PDP111，ΔR(λ)約為3％或3％以下，在Ag電極和透明基板之間有透明電極，對像素間隔小的構(gòu)造PDP222，ΔR(λ)約為2％或2％以下，無透明電極構(gòu)造的PDP333，只要ΔR約為1％或1％以下就沒有問題。
表1

還有，本發(fā)明的效果不限于PDP，采用浮法的玻璃基板等，在表面存在Sn++的玻璃基板上，具有配置Ag電極結(jié)構(gòu)的圖像顯示裝置，可得到同樣的效果。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性按照本發(fā)明，提供一種抑制玻璃基板發(fā)生黃變，可良好顯示圖像的圖像顯示裝置用的玻璃基板制造方法。
權(quán)利要求
1.一種用于圖像顯示裝置的玻璃基板的制造方法，其中，當(dāng)玻璃基板的Sn++的量超過規(guī)定值時，需降低浮法窯內(nèi)的還原力。
2.一種用于圖像顯示裝置的玻璃基板的制造方法，其中，降低浮法窯內(nèi)的還原力，以致使玻璃基板的Sn++量在規(guī)定值以下，當(dāng)后來所得到的玻璃基板的Sn++量超過規(guī)定值時，除去形成Ag電極的表面使之達(dá)到規(guī)定值以下。
3.按照權(quán)利要求1或2中所述的用于圖像顯示裝置的玻璃基板的制造方法，其中，Sn++量的規(guī)定值，在L*a*b*表色系統(tǒng)中，是通過Ag電極還原Ag+而產(chǎn)生Ag膠體形成的玻璃基板著色度的量為規(guī)定b*值。
4.按照權(quán)利要求1或2中所述的用于圖像顯示裝置的玻璃基板的制造方法，其中，通過降低浮法窯內(nèi)的氫濃度來減少浮法窯內(nèi)的還原力。
全文摘要
本發(fā)明涉及為提高圖像質(zhì)量的用于圖像顯示裝置的玻璃基板的制造方法。通過控制使浮法窯(22)內(nèi)的還原力減弱，從而使玻璃基板的形成Ag電極的面上的Sn
文檔編號C03B18/00GK1684915SQ20038010006
公開日2005年10月19日 申請日期2003年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月29日
發(fā)明者足立大輔, 辻弘恭, 住田圭介 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社