一種心音分析板卡的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型設(shè)及一種屯、音分析板卡。
【背景技術(shù)】
[0002] 當(dāng)今社會(huì)，屯、臟疾病已成為威脅人類(lèi)健康的"頭號(hào)殺手"。全世界每年因屯、臟病死 亡的人數(shù)占死亡總數(shù)的1/4 ;在美國(guó)，每天大約有650萬(wàn)人死于屯、臟?。晃覈?guó)平均每天就有 13698人因屯、臟病而死亡，占死亡總數(shù)的1/3。醫(yī)學(xué)表明，80%的屯、臟疾病都是可W預(yù)防的， 但是眾多的死亡人數(shù)中只有1/4的患者能夠在屯、臟病的早期發(fā)現(xiàn)癥狀。所W，一款便捷實(shí) 用的屯、音分析儀器將極大地滿(mǎn)足廣大屯、臟病患者和健康關(guān)注人±的日常屯、臟監(jiān)測(cè)需求，具 有廣闊的市場(chǎng)前景和巨大的社會(huì)效益。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本實(shí)用新型的目的是提供一種利用連接器I與連接器II連接子板與母板敏感度 高的、收集與分析為一體的、使用方便的一種屯、音分析板卡。
[0004] 上述的目的通過(guò)W下的技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：
[0005] -種屯、音分析板卡，其組成包括：子板1、母板2、連接器，所述的連接器分為連接 器I3與連接器II4,所述的子板1開(kāi)有通口，所述的通口內(nèi)分別裝入所述的連接器I3與 所述的連接器II4,所述的連接器I3與所述的連接器II4的底端均連接所述的母板2,所 述的母板2與所述的子板1之間連接有支柱；所述的母板2包括FPGA忍片，所述的FPGA忍 片與連接器I3之間為雙向連通，所述的FPGA忍片與連接器II4之間為雙向連通，所述的 FPGA忍片與8路按鍵開(kāi)關(guān)和8路發(fā)光二極管均為雙向連通，所述的FPGA忍片與數(shù)據(jù)緩存 孤R2SDRAM之間為雙向連通，所述的FPGA忍片與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)NorFlash之間為雙向連通，所 述的FPGA忍片與程序加載Flash(PROM)之間為雙向連通，所述的FPGA忍片與W太網(wǎng)PHY 忍片之間為雙向連通，所述的W太網(wǎng)PHY忍片與RJ45插座之間為雙向連通。
[0006] 所述的一種屯、音分析板卡，所述的子板1包括忍片，所述的忍片與總線(xiàn)電平轉(zhuǎn)換 忍片之間為雙向連通，所述的總線(xiàn)電平轉(zhuǎn)換忍片與所述的連接器I3之間為雙向連通，所 述的連接器II4與DIP40插座之間為雙向連通。
[0007] 有益效果：
[0008] 1.本實(shí)用新型的子板與母板之間上放置有支柱，便于子板與母板的固定。
[0009] 2.本實(shí)用新型的FPGA程序存儲(chǔ)Flash選擇Xilinx公司PROMXCF32PV0G48C，該 PROM可存儲(chǔ)32Mbit的程序代碼，滿(mǎn)足系統(tǒng)對(duì)FPGA程序存儲(chǔ)的要求。
[0010] 3.本實(shí)用新型的母板采用一片存儲(chǔ)容量為512Mbits的NorFlash (PC28F512M29EWH，Micron)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，在滿(mǎn)足系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求的同時(shí)，留有較大的存儲(chǔ)余 量，便于后續(xù)系統(tǒng)的擴(kuò)展。
[0011] 4.本實(shí)用新型的高速數(shù)據(jù)緩存的讀寫(xiě)速率和存儲(chǔ)容量都留有較大的余量，便于后 續(xù)系統(tǒng)的擴(kuò)展。
[001引【附圖說(shuō)明】：
[0013] 附圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014] 附圖2是附圖1的主視圖。
[0015] 附圖3是母板的框架圖。
[0016] 附圖4是子板的框架圖。
【具體實(shí)施方式】 [0017] ：
[001引實(shí)施例1
[0019] 一種屯、音分析板卡，其組成包括：子板1、母板2、連接器，所述的連接器分為連接 器I3與連接器II4,所述的子板1開(kāi)有通口，所述的通口內(nèi)分別裝入所述的連接器I3與 所述的連接器II4,所述的連接器I3與所述的連接器II4的底端均連接所述的母板2,所 述的母板2與所述的子板1之間連接有支柱；所述的母板2包括FPGA忍片，所述的FPGA 忍片與連接器I3之間為雙向連通，所述的FPGA忍片與連接器II4之間為雙向連通，所述 的FPGA忍片與8路按鍵開(kāi)關(guān)和8路發(fā)光二極管均為雙向連通，所述的FPGA忍片與數(shù)據(jù)緩 存孤R2SDRAM之間為雙向連通，所述的FPGA忍片與數(shù)據(jù)存儲(chǔ)NorFlash之間為雙向連 通，所述的FPGA忍片與程序加載Flash(PROM)之間為雙向連通，所述的FPGA忍片與W太 網(wǎng)PHY忍片之間為雙向連通，所述的W太網(wǎng)PHY忍片與RJ45插座之間為雙向連通。母板 與上位機(jī)通信采取W太網(wǎng)LAN口實(shí)現(xiàn)。FPGA所包含的MAC軟核與外部的W太網(wǎng)PHY忍片 (88E1111-B2-BAB1C000,Marvel1)配合，可W實(shí)現(xiàn) 100M，全雙工的LAN口，與PC通信。
[0020] 實(shí)施例2
[0021] 實(shí)施例1所述的一種屯、音分析板卡，所述的子板1包括忍片，所述的忍片與總線(xiàn)電 平轉(zhuǎn)換忍片之間為雙向連通，所述的總線(xiàn)電平轉(zhuǎn)換忍片與所述的連接器I3之間為雙向連 通，所述的連接器II4與DIP40插座之間為雙向連通。
[0022] 忍片：
[0023] 根據(jù)系統(tǒng)需求，F(xiàn)PGA忍片選擇Xi1inx公司Vbtex-5系列中的高性能FPGA XC5VLX85T-FFG1136,其資源如下：
[0024] 程序加載Flash:
[00巧]FPGA程序加載Flash選擇Xilinx公司PROMXCF32PV0G48C，該P(yáng)ROM可存儲(chǔ) 32Mbit的程序代碼，滿(mǎn)足系統(tǒng)對(duì)FPGA程序存儲(chǔ)的要求。上電后，F(xiàn)PGA可自行從PROM加載程序。 [002引通信模塊：
[0027] 母板（2)與上位機(jī)通信采取W太網(wǎng)LAN口實(shí)現(xiàn)。FPGA所包含的MAC軟核與外部的 W太網(wǎng)PHY忍片（88E1111-B2-BAB1C000，Marve11)配合，可W實(shí)現(xiàn) 100M，全雙工的LAN口， 與PC通信。
[0028] 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)Flash:
[0029] 根據(jù)系統(tǒng)要求，所需存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)有：測(cè)試過(guò)程的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)（32M)、過(guò)程配置 數(shù)據(jù)（1M)、驗(yàn)證結(jié)果（8M)。母板（2)采用一片存儲(chǔ)容量為512Mbits的NorFlash (PC28F512M29EWH，Micron)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，在滿(mǎn)足系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求的同時(shí)，留有較大的存儲(chǔ)余 量，便于后續(xù)系統(tǒng)的擴(kuò)展。
[0030] 數(shù)據(jù)緩存：
[0031] 高速數(shù)據(jù)緩存由FPGA外掛的外部孤R2SDRAM(MT47冊(cè)2M16HR-2祀:G，Micron)實(shí) 現(xiàn)；設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速率為DDR2-400,存儲(chǔ)容量為512Mbits。讀寫(xiě)速率和存儲(chǔ)容量都留有較 大的余量，便于后續(xù)系統(tǒng)的擴(kuò)展。
[0032] 板到板連接器：
[0033] 子板（1)上被測(cè)SRAMIS61LV6416-8讀寫(xiě)速度為125MHz(周期8ns)，故母板（2) 與子板（1)通信的電連接器必須采用高速電連接器，W確保母板（2)與子板（1)之間通信 信號(hào)在較高的速率下，仍然可W準(zhǔn)確無(wú)誤。所選用的Samtec電連接器為較易采購(gòu)的高速 Board-to-Board接插件，管腳數(shù)目為120pins,管腳間距為0. 5mm。設(shè)計(jì)中，母板（2)上放 置2片Samtec連接器，共有240個(gè)管腳與子板（1)連接，可滿(mǎn)足母板（2)與子板（1)的所有 信號(hào)(數(shù)據(jù)、電源、地）連接需求。
[0034] 母板（2)與子板（1)之間連接信號(hào)的具體數(shù)目如下表所示，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)完全滿(mǎn)足設(shè) 計(jì)要求，并有較大的余量，便于后續(xù)功能擴(kuò)展。
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