專利名稱：一種全橋芯片植入式顱壓傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微機(jī)械電子技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種全橋芯片植入式顱壓傳感器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)代臨床醫(yī)療中，腦水腫、顱腦損傷、帕金森癥的治療過(guò)程中都需要掌握病人顱內(nèi)壓力的狀況。盧頁(yè)內(nèi)壓(Intracranial Pressure, ICP)是指盧頁(yè)腔內(nèi)容物對(duì)盧頁(yè)腔壁上所產(chǎn)生的壓力，又稱腦壓，是神經(jīng)外科臨床和科研的重要觀察指標(biāo)。顱內(nèi)壓增高是顱內(nèi)疾病或顱內(nèi)繼發(fā)性病變的一種反映，如不能及時(shí)發(fā)現(xiàn)顱內(nèi)壓增高并采取有效的治療措施，則可能導(dǎo)致嚴(yán)重后果，甚至危及生命。在臨床工作中，單純依靠觀察神經(jīng)系統(tǒng)癥狀或CT、MRI影像學(xué)資料判斷顱內(nèi)壓是否增高，很難說(shuō)明顱內(nèi)壓的實(shí)際水平，故采用持續(xù)的顱內(nèi)壓監(jiān)測(cè)作為“早期報(bào)警系統(tǒng)”，有利于早期發(fā)現(xiàn)和及時(shí)處理顱內(nèi)壓增高和顱內(nèi)疾病，并提高療效。因此，顱內(nèi)壓作為神經(jīng)外科臨床和科研的重要指標(biāo)一直受到神經(jīng)外科臨床和科研人員的重視，是神經(jīng)外科臨床和科研的重要觀察指標(biāo)。顱壓傳感器已有相關(guān)的研究和應(yīng)用，如美國(guó)INTEGRANEUROSCIENCES公司 生產(chǎn)的型號(hào)為110-4L的CAMINO光纖顱內(nèi)壓力監(jiān)測(cè)系統(tǒng)還有通過(guò)手術(shù)放置在硬腦膜下的無(wú)線電電子式顱內(nèi)壓力檢測(cè)傳感器等，但都存在以下問(wèn)題:1)價(jià)格昂貴，普及應(yīng)用十分困難；2)無(wú)線電充電效率過(guò)低；3)測(cè)壓位置不佳導(dǎo)致的測(cè)壓不準(zhǔn)。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種全橋芯片植入式顱壓傳感器，主要優(yōu)勢(shì)在于測(cè)量精準(zhǔn)，小尺寸、可靠性好的封裝設(shè)計(jì)帶來(lái)更小的顱腦創(chuàng)傷，減輕患者病痛，使用方便。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:一種全橋芯片植入式顱壓傳感器，包括外殼1、敏感芯片2、金絲引線3、生物膠4、電纜線5、后續(xù)電路6，外殼I作為基座，其上通過(guò)生物膠4粘接有敏感芯片2，敏感芯片2中的方形薄膜位于外殼I頂部缺口的正下方，在敏感芯片2的方形薄膜上配有四個(gè)阻值相同的壓阻條，四個(gè)壓阻條構(gòu)成惠斯通電橋，惠斯通電橋通過(guò)金絲引線3和電纜線5連接，通過(guò)電纜線5實(shí)現(xiàn)給傳感器提供橋路電源和輸出與壓力相關(guān)的電壓信號(hào)，電纜線5將電壓信號(hào)提供給后續(xù)電路6處理。所述的敏感芯片2采用了(100)晶面硅。敏感芯片2上的四個(gè)壓阻條沿著[110]和[I 了0]晶向布置。所述的敏感芯片2采用250um厚雙面拋光N型單晶硅片材料制作。由于本發(fā)明是將傳感器植入硬腦膜下測(cè)量，其中敏感芯片2采用MEMS工藝，集感應(yīng)壓力與測(cè)量電路于一體，同時(shí)為了簡(jiǎn)化封裝去掉了轉(zhuǎn)接電路板，故具有測(cè)量準(zhǔn)確，尺寸小，創(chuàng)傷小，可靠性高的優(yōu)點(diǎn)。


圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為壓阻條敏感芯片2上的分布示意圖。圖3為壓阻條構(gòu)成的惠斯通電橋示意圖。圖4為本發(fā)明的應(yīng)用示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)與工作原理詳細(xì)說(shuō)明。參見(jiàn)圖1，一種全橋芯片植入式顱壓傳感器，包括外殼1、敏感芯片2、金絲引線3、生物膠4、電纜線5、后續(xù)電路6，外殼I作為基座，其上通過(guò)生物膠4粘接有敏感芯片2，敏感芯片2中的方形薄膜位于外殼I頂部缺口的正下方，在敏感芯片2的方形薄膜上配有由MEMS工藝特制的四個(gè)阻值相同的壓阻條，四個(gè)壓阻條構(gòu)成惠斯通電橋，惠斯通電橋通過(guò)金絲引線3和電纜線5連接，通過(guò)電纜線5實(shí)現(xiàn)給傳感器提供橋路電源和輸出與壓力相關(guān)的電壓信號(hào)，就形成了傳感器的工作部分，由于極小的封裝尺寸限制，在外殼內(nèi)部不適合設(shè)置轉(zhuǎn)接電路板，所以由金絲引線3將惠斯通電橋的信號(hào)與傳輸?shù)诫娎|線5上，并用生物膠4將焊接點(diǎn)固定在一側(cè)，電纜線5將電壓信號(hào)提供給后續(xù)電路6處理。所述的敏感芯片2采用了(100)晶面硅。所述的四個(gè)壓阻條沿著[110]和[1了0]晶向布置。所述的敏感芯片2采用250um厚雙面拋光N型單晶硅片材料制作。參見(jiàn)圖2和3，四個(gè)壓阻條分別為電阻Rl、R2、R3和R4，在敏感芯片2上，電阻Rl與電阻R3平行布置，電阻R2與電阻R4平行布置，四個(gè)壓阻條構(gòu)成惠斯通電橋。本發(fā)明的工作原理是:完成穿刺動(dòng)作后，將傳感器頭部置于與斜角邊鉆孔相對(duì)的硬腦膜下的腦組織上，使傳感器敏感芯片2朝向腦皮層，被測(cè)介質(zhì)壓力直接作用在鍍有絕緣保護(hù)層的傳感器上。分布于敏感芯片2上的四個(gè)壓阻條構(gòu)成惠斯通電橋，組成壓力測(cè)量電路，當(dāng)顱壓作用于傳感器芯片時(shí)，使得方膜結(jié)構(gòu)發(fā)生變形，壓阻條在方形薄膜的應(yīng)力作用下其阻值發(fā)生變化，壓阻條組成的惠斯通電橋失去平衡，在恒定電源的激勵(lì)下輸出一個(gè)與外界壓力相對(duì)應(yīng)的電信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)傳感器芯片對(duì)腦顱壓的測(cè)量。本發(fā)明中敏感芯片2上的壓阻條阻值的變化量通過(guò)壓阻效應(yīng)的相關(guān)公式計(jì)算而
來(lái)，壓阻效應(yīng)是指當(dāng)半導(dǎo)體材料受到應(yīng)力作用時(shí)，由于載流子遷移率的變化，使其電阻率發(fā)
生變化的現(xiàn)象。當(dāng)壓阻條處于一定應(yīng)力作用下時(shí)，其阻值變化與其所受應(yīng)力之間的比例關(guān)
系式如下:
權(quán)利要求
1.一種全橋芯片植入式顱壓傳感器，包括外殼(I)、敏感芯片(2)、金絲引線(3)、生物膠(4)、電纜線(5)、后續(xù)電路(6)，其特征在于:外殼(I)作為基座，其上通過(guò)生物膠(4)粘接有敏感芯片()2，敏感芯片(2)中的方形薄膜位于外殼(I)頂部缺口的正下方，在敏感芯片(2)的方形薄膜上配有四個(gè)阻值相同的壓阻條，四個(gè)壓阻條構(gòu)成惠斯通電橋，惠斯通電橋通過(guò)金絲引線(3 )和電纜線(5 )連接，通過(guò)電纜線(5 )實(shí)現(xiàn)給傳感器提供橋路電源和輸出與壓力相關(guān)的電壓信號(hào)，電纜線(5)將電壓信號(hào)提供給后續(xù)電路(6)處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全橋芯片植入式顱壓傳感器，其特征在于:所述的敏感芯片(2)采用了(100)晶面硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全橋芯片植入式顱壓傳感器，其特征在于:敏感芯片(2)上的四個(gè)壓阻條沿著[110]和[1了0]晶向布置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種全橋芯片植入式顱壓傳感器，其特征在于:所述的敏感芯片(2)采用250um厚雙面拋光 N型單晶硅片材料制作。
全文摘要
一種全橋芯片植入式顱壓傳感器，包括敏感芯片，敏感芯片中的方形薄膜位于外殼頂部缺口的正下方，敏感芯片與外殼通過(guò)生物膠固粘，敏感芯片的中間布置有四個(gè)壓阻條，構(gòu)成惠斯通電橋，當(dāng)腦顱壓作用于傳感器芯片時(shí)，壓力作用于方形薄膜，進(jìn)而使薄膜發(fā)生變形，壓阻條在方形薄膜的應(yīng)力作用下其阻值發(fā)生變化，惠斯通電橋失去平衡，輸出一個(gè)與外界壓力相對(duì)應(yīng)的電信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)傳感器芯片對(duì)腦顱壓的測(cè)量，本發(fā)明具測(cè)量準(zhǔn)確，尺寸小，創(chuàng)傷小，可靠性高的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)A61B5/03GK103110414SQ201210563420
公開(kāi)日2013年5月22日 申請(qǐng)日期2012年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月21日
發(fā)明者趙玉龍, 孟夏薇, 趙友 申請(qǐng)人:西安交通大學(xué)