專利名稱：一種用于人工耳蝸內(nèi)植器的全密封結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種人工耳蝸內(nèi)植器，特別是涉及一種用于人工耳蝸內(nèi)植器的全密封
結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
多道人工耳蝸(又名仿生耳、電子耳蝸、耳蝸植入)是聽覺科學(xué)、信息工程、醫(yī)學(xué)、
聽力學(xué)、生物醫(yī)學(xué)、電子學(xué)、微電子技術(shù)和微加工技術(shù)相結(jié)合的跨多學(xué)科的現(xiàn)代高新技術(shù)產(chǎn)
品。它是根據(jù)人耳的聽覺生理機(jī)制，利用電剌激的方法恢復(fù)全聾人聽覺的唯一有效裝置。其
效果相當(dāng)顯著，植入后病人可恢復(fù)聽覺，與正常人一樣進(jìn)行有意義的交流。
人工耳蝸由二個(gè)部分組成一、語音處理器，簡稱為外裝置；二、解碼剌激器，植入
于人的體內(nèi)，簡稱為內(nèi)裝置(內(nèi)植剌激器)。 內(nèi)植剌激器是安置在人體內(nèi)部長期工作的一個(gè)電子裝置，由于人體內(nèi)的組織充滿 生理體液，剌激器的密封技術(shù)是非常關(guān)鍵的核心，稍有不慎，液體滲透進(jìn)入腔體，將使電子 裝置的工作失效，導(dǎo)致手術(shù)治療失敗，給病人帶來極大的痛苦，危害患者的健康。
長期以來，國內(nèi)外都將人體神經(jīng)剌激裝置體內(nèi)剌激器腔體密封結(jié)構(gòu)作為植入器件 的主要關(guān)鍵技術(shù)，予以封鎖，不進(jìn)行技術(shù)交流。 為了打破封鎖和壟斷，本發(fā)明專利申請人運(yùn)用多學(xué)科的技術(shù)(如微電子器件的封 裝技術(shù)、人體生物相容性材料技術(shù)、微加工、焊接技術(shù)等)，開發(fā)研制出如下所述的一種用于 人工耳蝸內(nèi)植器的全密封結(jié)構(gòu)裝置。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題，本發(fā)明提供一種用于人工耳蝸內(nèi)植器的全密
封結(jié)構(gòu)，其將人工耳蝸內(nèi)植解碼剌激電路完全封裝在密封裝置內(nèi)，避免人體生理體液對內(nèi)
部電路的侵蝕，保證了內(nèi)植器長時(shí)間正常工作。 本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是 —種用于人工耳蝸內(nèi)植器的全密封結(jié)構(gòu)，包含由陶瓷基板和陶瓷殼體所形成的陶 瓷腔體，和設(shè)置于該陶瓷腔體內(nèi)的陶瓷基板正面上的解碼剌激器，陶瓷腔體內(nèi)充有惰性氣 體，此外，該用于人工耳蝸內(nèi)植器的全密封結(jié)構(gòu)還包含與所述陶瓷腔體燒結(jié)為一體的鈦殼 支架、與該鈦殼支架焊接為一體的鈦殼頂蓋，以及與該鈦殼支架焊接為一體的鈦殼底蓋，所 述鈦殼支架與鈦殼頂蓋形成鈦殼密封上腔體包覆所述陶瓷腔體，所述鈦殼支架與鈦殼底蓋 形成鈦殼密封下腔體保護(hù)人工耳蝸內(nèi)植器的電極與接收線圈焊點(diǎn)，該電極與接收線圈焊點(diǎn) 設(shè)置于陶瓷基板背面上。 所述鈦殼頂蓋與所述鈦殼支架可以用一件階梯凹槽的鈦殼頂蓋替代，此時(shí)，陶瓷 腔體利用集成電路封裝技術(shù)，燒結(jié)在鈦殼頂蓋上。 所述鈦殼支架與鈦殼底蓋直接焊接為一體，或先套接在一起后焊接為一體，焊接 是利用激光焊接。
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所述電極與接收線圈焊點(diǎn)的表面和解碼剌激器的表面設(shè)置有派瑞林密封涂層。 所述鈦殼底蓋上設(shè)置有線圈出孔，該線圈出孔上設(shè)置有密封柱圈。 本發(fā)明所提供的用于人工耳蝸內(nèi)植器的全密封結(jié)構(gòu)，通過提供多重密封保護(hù)，不
僅能夠?qū)⑷斯ざ亙?nèi)植解碼剌激電路完全封裝在密封裝置內(nèi)，避免人體體液對內(nèi)植器內(nèi)部
電路的侵蝕，避免解碼剌激器工作失效，保證了內(nèi)植器長時(shí)間正常工作，而且能防止內(nèi)部物
質(zhì)外泄，造成對人體的危害。 以下將結(jié)合附圖，對本發(fā)明的其他方面和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)給予詳細(xì)闡釋。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的陶瓷密封封裝結(jié)構(gòu)的示意圖； 圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的陶瓷腔體與鈦殼密封上腔體的封裝結(jié)構(gòu)示意
圖； 圖3是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的本發(fā)明的整體密封封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的內(nèi)植器的密封結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的內(nèi)植器的密封結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖6是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的內(nèi)植器的密封結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中l(wèi)l.陶瓷基版，12.電子元器件，13.解碼剌激器芯片，14.派瑞林涂層，15.陶 瓷頂蓋，16.低熔點(diǎn)合金材料，17.陶瓷殼體，18、38.鈦殼頂蓋，19、29.鈦殼支架，110、 120、 220、320.焊縫，lll.鈦殼上腔體，112、212、312.鈦殼底蓋，113.鈦殼下腔體，114.電極出 孔，115、215.線圈出孔，116.密封柱圈，117.電極，118.接收線圈，119.焊點(diǎn)。
具體實(shí)施例方式
請參閱圖l，如圖所示，依據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的用于人工耳蝸內(nèi)植器的全密封結(jié) 構(gòu)包含陶瓷基板11、陶瓷殼體15，以及由該兩者通過低熔點(diǎn)合金材料16燒結(jié)形成的陶瓷腔 體17。陶瓷基板11上印制有解碼剌激器3的電路走線(未圖示)，陶瓷腔體17內(nèi)的陶瓷 基板11的正面上采用貼片工藝設(shè)置有電子元器件12和解碼剌激器13，該電子元器件12和 解碼剌激器13表面涂覆有派瑞林涂層4。陶瓷腔體17內(nèi)充有惰性氣體。
請繼續(xù)參閱圖2，依據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例還包括與所述陶瓷腔體17燒結(jié)為一體 的鈦殼支架19，該所述陶瓷腔體17利用集成電路封裝技術(shù)，燒結(jié)在鈦殼支架19上，鈦殼支 架19的上部，焊接有鈦殼頂蓋18，該鈦殼頂蓋18和鈦殼支架19形成的鈦殼密封上腔體111 將所述陶瓷腔體17包覆，能避免陶瓷腔體17直接承受外力沖擊。 請接著參閱圖3和圖4，鈦殼支架19的下方，同時(shí)焊接有鈦殼底蓋112，該鈦殼底 蓋112與所述鈦殼支架19形成鈦殼密封下腔體113保護(hù)人工耳蝸內(nèi)植器的電極117與接收 線圈118的焊點(diǎn)119不與外界接觸，該電極117與接收線圈118的焊點(diǎn)119設(shè)置于與陶瓷 基板ll背面上，表面涂覆有派瑞林涂層(未圖示)。鈦殼底蓋112上設(shè)置有電極出孔114 和線圈出孔115，線圈出孔115上卡設(shè)有密封柱圈116。 制造如圖l至圖4所示的本發(fā)明的實(shí)施例一時(shí)，首先利用集成電路芯片制造工藝 及技術(shù)，加工內(nèi)植器封裝陶瓷基板ll，在陶瓷基板11上印制解碼剌激器13的電路走線，采 用貼片工藝將電子元器件12及解碼剌激器13焊接在陶瓷基板11上，表面涂覆派瑞林涂層
414，利用集成電路封裝工藝，按集成電路密封國標(biāo)軍用級要求，將其封裝在陶瓷腔體17內(nèi)， 形成內(nèi)層陶瓷密封腔體。封裝時(shí)，陶瓷腔體17內(nèi)充惰性氣體，避免電子元器件12及解碼剌 激器13長時(shí)間形成氧化。將封裝好的陶瓷殼體15，利用集成電路封裝技術(shù)，燒結(jié)在鈦殼支 架19上，蓋上鈦殼頂蓋18，利用激光焊接技術(shù)，將鈦殼支架19與鈦殼頂蓋18焊接為一體， 形成鈦殼密封上腔體111，將陶瓷殼體17封裝于其內(nèi)部。接著，將人工耳蝸電極117及接收 線圈118穿入鈦殼底蓋112的電極開孔114和線圈出孔115，卡好密封柱116，將其焊接在 陶瓷基板11背面，涂覆派瑞林涂層14保護(hù)，再用激光焊接技術(shù)，將鈦殼底蓋112也焊接在 鈦殼支架19上，形成底部密封腔體113，密封保護(hù)電極117與接收線圈118的焊點(diǎn)119。再 將其整體涂覆派瑞林涂層后澆注硅膠。從而達(dá)到人工耳蝸內(nèi)植器密封的目的。
圖5顯示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的內(nèi)植器密封結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，與第一實(shí)施例 不同的是，本發(fā)明的第二實(shí)施例首先將鈦殼底蓋212套接在鈦殼支架29上，然后再將該鈦 殼底蓋212與鈦殼支架29焊接為一體。這樣可使鈦殼底蓋212與鈦殼支架29的焊縫220 遠(yuǎn)離線圈出孔215，避免激光焊接時(shí)損壞鉑金絲。第二實(shí)施例的制作方法與第一實(shí)施例類 似，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以參照第一實(shí)施例實(shí)現(xiàn)，因此在此不予贅述。
圖6顯示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的內(nèi)植器密封結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，第 一實(shí)施例和第二實(shí)施例的鈦殼頂蓋與鈦殼支架用一件階梯凹槽的鈦殼頂蓋38替代，此時(shí)， 陶瓷腔體利用集成電路封裝技術(shù)，燒結(jié)于鈦殼頂蓋38上，鈦殼頂蓋38與鈦殼底蓋312利用 激光技術(shù)焊接為一體，焊縫如圖中320所示。這樣形成鈦殼密封腔時(shí)，僅需焊接一次，并且 形成的密封結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)簡單，多密封結(jié)構(gòu)進(jìn)行其他處理時(shí)，比較容易。同第二實(shí)施例一樣，該 第三實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)方法在此也不再予以贅述。 本發(fā)明在電子元器件和解碼剌激器表面涂覆派瑞林涂層，能對人工耳蝸內(nèi)植器構(gòu) 成第一密封防護(hù)層；在陶瓷腔體內(nèi)充入惰性氣體，避免電子元器件及解碼剌激器長時(shí)間形 成氧化，能對人工耳蝸內(nèi)植器構(gòu)成第二密封保護(hù)層；利用鈦殼頂蓋和鈦殼支架形成的鈦殼 密封上腔體將所述陶瓷腔體包覆，避免陶瓷腔體直接承受外力沖擊，能對解碼剌激器個(gè)構(gòu) 成第三密封保護(hù)層。本發(fā)明所提供的用于人工耳蝸內(nèi)植器的全密封結(jié)構(gòu)，通過提供多重密 封保護(hù)，不僅能避免人體體液對內(nèi)植器內(nèi)部電路的侵蝕，保證內(nèi)植器長時(shí)間正常工作，而且 能夠?qū)⑷斯ざ亙?nèi)植解碼剌激電路完全封裝在密封裝置內(nèi)，防止因其內(nèi)部物質(zhì)外泄而造成 的人體不適應(yīng)癥狀。本發(fā)明密封結(jié)構(gòu)技術(shù)符合人體使用要求，可應(yīng)用于各學(xué)科臨床醫(yī)學(xué)的 各個(gè)神經(jīng)剌激裝置中植入體內(nèi)的剌激系統(tǒng)。 綜上所述，雖然本發(fā)明已揭露了較佳的實(shí)施例，但該些較佳實(shí)施例并非用以限制 本發(fā)明，該領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可以用其它具體形式來 體現(xiàn)本發(fā)明的精神，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種用于人工耳蝸內(nèi)植器的全密封結(jié)構(gòu)，包含由陶瓷基板和陶瓷殼體所形成的陶瓷腔體，和設(shè)置于該陶瓷腔體內(nèi)的陶瓷基板正面上的解碼刺激器，陶瓷腔體內(nèi)充有惰性氣體，其特征在于，該用于人工耳蝸內(nèi)植器的全密封結(jié)構(gòu)還包含與所述陶瓷腔體燒結(jié)為一體的鈦殼支架、與該鈦殼支架焊接為一體的鈦殼頂蓋，以及與該鈦殼支架焊接為一體的鈦殼底蓋，所述鈦殼支架與鈦殼頂蓋形成鈦殼密封上腔體包覆所述陶瓷腔體，所述鈦殼支架與鈦殼底蓋形成鈦殼密封下腔體保護(hù)人工耳蝸內(nèi)植器的電極與接收線圈焊點(diǎn)，該電極與接收線圈焊點(diǎn)設(shè)置于陶瓷基板背面上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于人工耳蝸內(nèi)植器的全密封結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈦殼 支架與鈦殼底蓋直接焊接為一體。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于人工耳蝸內(nèi)植器的全密封結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈦殼 支架與鈦殼底蓋先套接在一起，后焊接為一體。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于人工耳蝸內(nèi)植器的全密封結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電極 與接收線圈的焊點(diǎn)和所述解碼剌激器的表面設(shè)置有派瑞林密封涂層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于人工耳蝸內(nèi)植器的全密封結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈦 殼支架與鈦殼底蓋和鈦殼頂蓋是利用激光焊接為一體。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于人工耳蝸內(nèi)植器的全密封結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈦殼 底蓋上設(shè)置有線圈出孔，該線圈出孔上設(shè)置有密封柱圈。
7. —種用于人工耳蝸內(nèi)植器的全密封結(jié)構(gòu)，包含由陶瓷基板和陶瓷殼體所組成的陶瓷 腔體，以及設(shè)置于該陶瓷腔體內(nèi)的陶瓷基板正面上的解碼剌激器，陶瓷腔體內(nèi)充有惰性氣 體，其特征在于，該用于人工耳蝸內(nèi)植器的全密封結(jié)構(gòu)還包含與所述陶瓷腔體燒結(jié)為一體 的鈦殼頂蓋，以及與該鈦殼頂蓋焊接為一體的鈦殼底蓋，所述鈦殼頂蓋為階梯狀。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于人工耳蝸內(nèi)植器的全密封結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈦殼 底蓋上還設(shè)置有線圈出孔，該線圈出孔上設(shè)置有密封柱圈。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于人工耳蝸內(nèi)植器的全密封結(jié)構(gòu)，其采用集成電路芯片密封封裝技術(shù)，將解碼刺激器電路元器件及芯片封裝在密封陶瓷腔體內(nèi)，再利用激光焊接技術(shù)，將鈦殼焊接為上下兩個(gè)密封腔體，上腔體密封保護(hù)解碼刺激器陶瓷殼體，下腔體密封保護(hù)電極與接收線圈焊點(diǎn)，同時(shí)運(yùn)用派瑞林密封涂層技術(shù)，加強(qiáng)內(nèi)植器的密封，將人工耳蝸內(nèi)植解碼刺激電路完全封裝在雙層密封裝置內(nèi)，避免人體體液對內(nèi)部電路的侵蝕，保證內(nèi)植器長時(shí)間正常工作。
文檔編號A61F2/18GK101744674SQ20081020468
公開日2010年6月23日 申請日期2008年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月16日
發(fā)明者吉為民, 沈廣波, 范寶華, 范明磊, 遲放魯 申請人:上海冠芯電子科技有限公司