技術編號：9913240
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種多方向生長晶粒的ITO薄膜及其制備方法、LED芯片及其制備方 法，特別是一種多方向生長晶粒的ITO薄膜的制備方法，屬于光電。背景技術 LED發(fā)光二極管因其耗電低、安全、重量輕、壽命長被廣泛應用于路燈照明、背光 源、亮化領域。LED發(fā)光二極管的亮度和壽命主要受光提取效率較低的影響，這是因為光從 氮化鎵材料中發(fā)出要經(jīng)過透明導電層ΙΤ0、鈍化層再射入空氣，其中氮化鎵的折射率是3.2_ 3.6，ITO的折射率是1.4-2，都和空氣的折射率相差很大，導...
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