技術(shù)編號：9842324
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems)結(jié)構(gòu)中的應(yīng)力主要來源于熱應(yīng)力、內(nèi)應(yīng)力和外應(yīng)力。各薄膜層因熱膨脹系數(shù)的差異導(dǎo)致應(yīng)力的產(chǎn)生為熱應(yīng)力；晶格失配、雜質(zhì)原子、晶界弛豫……等微觀結(jié)構(gòu)的變化所產(chǎn)生的應(yīng)力為內(nèi)應(yīng)力(也稱本征應(yīng)力)；當(dāng)材料表面不是很致密，環(huán)境中一些極性分子會吸附在空隙上，吸附的極性分子之間的互作用產(chǎn)生的應(yīng)力為外應(yīng)力。因此，在MEMS工藝過程中，不可避免地會產(chǎn)生殘余應(yīng)力，當(dāng)沿材料厚度方向應(yīng)力分布非均勻即存在應(yīng)力梯度時...
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