技術(shù)編號(hào)：9564706
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明屬半導(dǎo)體制造工藝可制造性設(shè)計(jì)領(lǐng)域，具體涉及一種考慮拋光液影響的特 征尺寸級(jí)化學(xué)機(jī)械拋光工藝仿真方法，該方法中采用計(jì)算流體力學(xué)方法對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光工 藝中的流體效應(yīng)和顆粒磨損進(jìn)行建模，以預(yù)測(cè)化學(xué)機(jī)械拋光材料的移除速率。背景技術(shù) 隨著納米集成電路制造工藝特征尺寸不斷下降，芯片版圖圖案越來越難以精 確制造，由此導(dǎo)致工藝偏差日益嚴(yán)重、成品率急劇下降?；瘜W(xué)機(jī)械拋光工藝（Chemical Mechanical Polishing，CMP)是集成電路制造過程中導(dǎo)致...
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