技術(shù)編號(hào):9553376
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在最近幾年,具有電阻變化元件的諸如PRAM (相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)或MRAM (磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器受到關(guān)注并且正在開(kāi)發(fā),其中電阻變化元件用作存儲(chǔ)器元件。MRAM是通過(guò)使用磁阻效應(yīng)在存儲(chǔ)器基元中存儲(chǔ)“I”或“O”信息來(lái)執(zhí)行存儲(chǔ)器操作的裝置,并且具有如非易失性、高速操作、高集成度和高可靠性的特征。除其它磁阻效應(yīng)之外,使用表現(xiàn)出隧穿磁阻(TMR)效應(yīng)的元件的大量MRAM已被報(bào)道。磁阻效應(yīng)元件中的一個(gè)磁阻效應(yīng)元件是磁性隧道結(jié)(MTJ)元件,其包括具...
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