技術(shù)編號(hào)：9525649
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 半導(dǎo)體器件，特別是場(chǎng)效應(yīng)控制開(kāi)關(guān)器件(例如結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET)、金屬氧化 物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（M0SFET)和絕緣柵雙極晶體管（IGBT))通常用于各種應(yīng)用，其包括 但不限于在電源和功率轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車(chē)、空調(diào)器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的逆變器中的開(kāi)關(guān)。 當(dāng)切斷晶體管時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗和過(guò)電壓通常出現(xiàn)在第一和第二負(fù)載端子(例如FET 的漏極和源極或IGBT的集電極和發(fā)射極)之間。因?yàn)榫w管的一個(gè)特性是在第一和第二負(fù) 載端子之間的規(guī)定擊穿電壓Vbr，所以晶體管設(shè)計(jì)的...
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