技術(shù)編號：9454247
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在對靜態(tài)隨機(jī)存儲器(Static RAM, SRAM)進(jìn)行讀取時，SRAM的存儲單元能夠提供的電流大小表征了對這個存儲單元的讀取的難易程度。SRAM的存儲單元能夠提供的電流越大，則讀取成功的可能性越高，反之讀取就越容易失敗。在SRAM的測試電路中，測試存儲單元的電流大小并對存儲單元的電流大小做出統(tǒng)計，能夠幫助SRAM芯片的設(shè)計者和生產(chǎn)者快速判斷工藝制程的好壞，進(jìn)而對生產(chǎn)工藝或設(shè)計做出改進(jìn).現(xiàn)今，專用集成電路(Applicat1nSpecific Integ...
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