技術(shù)編號：9196181
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體設(shè)備在進(jìn)行沉積反應(yīng)時往往需要使晶圓及腔室加熱或維持在沉積反應(yīng)所需要的溫度，所以加熱盤必需具備加熱結(jié)構(gòu)以滿足給晶圓預(yù)熱的目的。大多數(shù)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備，在沉積過程中還會有等離子體參與沉積反應(yīng)，因等離子體能量的釋放以及化學(xué)氣體間反應(yīng)的能量釋放，加熱盤及晶圓的溫度會隨著射頻及工藝時間的增加溫度會不斷的上升，如果在進(jìn)行相同溫度下的工藝，需要等待加熱盤降到相同的溫度后才能進(jìn)行，這樣會耗費(fèi)大量的時間，設(shè)備的產(chǎn)能相對比較低。如果晶圓和加熱盤的溫度升溫過快，晶圓和加...
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