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類單晶硅鑄錠用籽晶拼接結(jié)構(gòu)的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):8496664

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近年來(lái),硅單晶和硅多晶廣泛應(yīng)用于光伏太陽(yáng)能電池、液晶顯示等領(lǐng)域。目前類硅單晶的常用制造方法為定向凝固法,該方法在平底坩禍底部鋪設(shè)長(zhǎng)方體籽晶,籽晶規(guī)則排列形成籽晶層。硅料置于平底坩禍內(nèi),鋪設(shè)于籽晶層上。通過(guò)熔化階段的溫度控制,待硅料熔融后,籽晶從與硅液接觸的面開始逐漸熔化,再經(jīng)定向散熱而在未熔化籽晶上實(shí)現(xiàn)硅錠的定向生長(zhǎng),獲得與籽晶相似或一樣的晶粒。長(zhǎng)方體籽晶規(guī)則排列的拼接方式下,定向凝固法生長(zhǎng)類單晶的過(guò)程中,易產(chǎn)生位錯(cuò)源,進(jìn)而導(dǎo)致后續(xù)晶體位錯(cuò)增殖,或形成多晶...
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