技術(shù)編號(hào):8489589
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。同步整流是通過(guò)用有源控制的開(kāi)關(guān)例如晶體管(通常是功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET))替換二極管來(lái)提高整流效率的技術(shù)。用有源控制的開(kāi)關(guān)元件例如MOSFET替換二極管是有源整流的核心。當(dāng)導(dǎo)通時(shí),MOSFET具有恒定的非常低的電阻,其被稱為導(dǎo)通電阻RDS(on)。它們可以被制作成具有低至大約ΙΟπιΩ或甚至更低的導(dǎo)通電阻。然后MOSFET兩端的電壓降比二極管低得多,這導(dǎo)致下降的功耗和效率增益。但是,在高電流下,該電壓降可能超過(guò)二極管的電壓降。為了適...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。