技術(shù)編號：8486083
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 隨著2 X納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)后摩爾時代的臨近，器件的結(jié)構(gòu)尺寸越來越小，新制程 和新材料引入獨(dú)特的圖形設(shè)計規(guī)則和測量要求，如三維快閃存儲器3D (3-Dimens iona 1) Flash、鰭型場效應(yīng)晶體管FinFET (Fin-Field-Effect-Transistor)、沉浸式光刻、光學(xué) 鄰近校正 OPC (Optical Proximity Correction)、基于設(shè)計的測量 DBM (Design Based Metrology)、雙重掩膜DP...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。