技術(shù)編號(hào):8432335
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。目前市場(chǎng)上雙向保護(hù)的ESD器件較多,但兩個(gè)方向的性能基本都不是對(duì)稱(chēng)的。主要原因在于,目前的雙向保護(hù)ESD器件大多都采用圖1所示的NPN型的三極管結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)。該三極管包括N+襯底10、N-外延層11、P+阱區(qū)12、N+發(fā)射區(qū)13、介質(zhì)層14和電極15。其中,N-外延層11位于N+襯底10上,P+阱區(qū)12形成在N-外延層11內(nèi),N+發(fā)射區(qū)13形成在P+阱區(qū)12內(nèi),介質(zhì)層14內(nèi)形成有接觸孔,電極15位于該接觸孔內(nèi)并且和N+發(fā)射區(qū)13電接觸。N+襯底10作為三極管...
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