技術(shù)編號(hào)：8269968
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于在真空處理過(guò)程中使用的組件以及執(zhí)行真空處理過(guò)程的方法，真空處理過(guò)程包括物理或化學(xué)涂覆過(guò)程或等離子體蝕刻過(guò)程。背景技術(shù)在用于表面工程目的的系統(tǒng)中在生產(chǎn)和研宄時(shí)使用真空制造和處理方法比如物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)和低溫等離子處理。真空處理過(guò)程可能固有地不穩(wěn)定(例如，反應(yīng)磁控派射過(guò)程可以在派射革E狀態(tài)、磁滯行為和電弧之間展現(xiàn)快速轉(zhuǎn)變)或者在處理參數(shù)方面易于漂移(例如由于材料消耗或由于諸如室溫和除氣的局部環(huán)境變化)。作為這樣的不穩(wěn)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。