技術(shù)編號(hào)：8198822
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于微電子和光電子用化合物半導(dǎo)體材料制備技術(shù)領(lǐng)域，是有關(guān)退火處理降低銦磷(InP)單晶中的熱應(yīng)力和改善晶體的電學(xué)均勻性的技術(shù)，特別是指一種。背景技術(shù) InP單晶是一種制造微波器件、光纖通信用光電子器件等的重要襯底材料。生長(zhǎng)出的InP單晶需要切割成標(biāo)準(zhǔn)尺寸的晶片，然后經(jīng)過倒角、研磨、拋光、清洗等加工過程，成為商品晶片供用戶使用。在整個(gè)加工過程中，保持晶片的機(jī)械強(qiáng)度、避免碎裂對(duì)于提高生產(chǎn)成品率、降低成本是至關(guān)重要的。目前，缺乏有關(guān)晶體退火處理，降低殘留熱應(yīng)力和提高材料的電學(xué)均勻性的可靠技術(shù)工藝。發(fā)明內(nèi)容本...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。