技術(shù)編號(hào)：8181482
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體分立器件和太陽能電池片的制造領(lǐng)域。背景技術(shù)磷擴(kuò)散是半導(dǎo)體分立器件、集成電路芯片和太陽能電池片制作PN結(jié)所必須的一道工藝，目前這道工藝所采用的技術(shù)是熱擴(kuò)散技術(shù)。半導(dǎo)體分立器件主要用于制造二極管、三極管、功率器件、IGBT及晶閘管等，該系列產(chǎn)品在國內(nèi)有上百億的銷售額，產(chǎn)能非常龐大。另一方面作為太陽能電池片的用途，硅片運(yùn)用也非常廣泛，全球70%以上的太陽能電池片是使用硅片作為電池片的。2011年已經(jīng)實(shí)現(xiàn)25GW的產(chǎn)能，多晶用量達(dá)到18萬噸是半導(dǎo)體用量的6倍，因此太陽能的產(chǎn)量比半導(dǎo)體產(chǎn)量更大。國內(nèi)能...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。