技術(shù)編號:8137342
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)概括而言,本發(fā)明的領(lǐng)域涉及用于使硅錠生長的硅粉熔體的制備,特別涉及用于生產(chǎn)單晶或多晶硅錠的硅粉熔體的制備。用于微電子電路制造的大多數(shù)單晶硅是通過丘克拉斯基法(Czochralski法, “Cz”法)制備的。在這種方法中,在坩鍋中使多晶硅熔融,將晶種浸入該熔融硅,以足以實(shí)現(xiàn)該錠塊所需的直徑的方式提拉晶種并以該直徑使單晶生長,由此制造單晶硅錠。被熔融以形成熔融硅的多晶硅通常是通過Siemens法制成的塊狀多晶硅或通過流化床反應(yīng)法制成的粒狀多晶硅。塊狀多晶硅的形狀通常不規(guī)則,具有尖銳的鋸齒狀邊緣, 因?yàn)樗峭ㄟ^將...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。