技術(shù)編號：8137342
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)概括而言，本發(fā)明的領(lǐng)域涉及用于使硅錠生長的硅粉熔體的制備，特別涉及用于生產(chǎn)單晶或多晶硅錠的硅粉熔體的制備。用于微電子電路制造的大多數(shù)單晶硅是通過丘克拉斯基法(Czochralski法， “Cz”法)制備的。在這種方法中，在坩鍋中使多晶硅熔融，將晶種浸入該熔融硅，以足以實(shí)現(xiàn)該錠塊所需的直徑的方式提拉晶種并以該直徑使單晶生長，由此制造單晶硅錠。被熔融以形成熔融硅的多晶硅通常是通過Siemens法制成的塊狀多晶硅或通過流化床反應(yīng)法制成的粒狀多晶硅。塊狀多晶硅的形狀通常不規(guī)則，具有尖銳的鋸齒狀邊緣， 因?yàn)樗峭ㄟ^將...
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