技術(shù)編號(hào)：8053553
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種使用氣相沉積方法生長材料的設(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，更具體地，涉及一種化學(xué)氣相沉積(CVD)和氫化物氣相外延生長(HVPE)等材料生長設(shè)備或其他實(shí)驗(yàn)設(shè)備。背景技術(shù)以GaN、ΙηΝ,ΑΙΝ, InGaN,AlGaN和AlInGaN為主的III族氮化物材料，是第三代半導(dǎo)體材料的代表。其中GaN、AlN具有禁帶寬、電子飽和漂移速率高、擊穿電場強(qiáng)度高、抗輻射強(qiáng)、熱穩(wěn)定性好和化學(xué)性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。III族氮化物材料在短波長發(fā)光二極管(LED)和激光二極管(LD)半導(dǎo)體器件，以及包括高頻、高溫、高功率晶體管和集成電路...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。