技術(shù)編號(hào)：8024131
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種氣體分布電極，特別是涉及一種用于等離子體蝕刻機(jī)器的氣體分布電極。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體工藝中，干式蝕刻(dry etch)工藝一般為等離子體蝕刻，其將蝕刻氣體注入真空反應(yīng)室中，再利用射頻源(RF power)讓蝕刻氣體產(chǎn)生等離子體。等離子體中含有自由基(radicals)與正負(fù)離子，其中自由基會(huì)擴(kuò)散并吸附到晶片表面，而離子會(huì)轟擊至晶片表面，以物理方式來(lái)移除晶片表面的材料。在離子轟擊的過(guò)程中，晶片表面原子間的化學(xué)鍵結(jié)會(huì)被破壞，所以在離子轟擊的幫助下，上述的自由基很快地就可和晶片表面的原子或分子產(chǎn)生反...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。