技術(shù)編號(hào)：7517774
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是一種基于砷化鎵(GaAs)贗配高電子遷移率晶體管(PHEMT)的射頻功率 單刀雙擲開關(guān)(SPDT)電路。屬于微波單片集成電路領(lǐng)域。背景技術(shù)DC-2000MHZ的微波系統(tǒng)，特別是移動(dòng)通信系統(tǒng)中，功率放大器PA到天線ANT和低 噪聲放大器LNA到天線間通常需要一個(gè)功率開關(guān)SW來控制收發(fā)切換。在目前的微波通訊系 統(tǒng)中，功率開關(guān)通常有兩種形式，一種是采用分立的硅(si)材料的PIN二極管，采用混合電 路的方式完成，其特點(diǎn)是體積大，工作頻帶窄，控制電路復(fù)雜。...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。