技術(shù)編號(hào)：7513495
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是與信號(hào)產(chǎn)生電路有關(guān)，尤指一種應(yīng)用厚柵極氧化層金屬氧化物 半導(dǎo)體晶體管元件來實(shí)現(xiàn)濾波電路中的電容元件以改善操作于低電壓時(shí)產(chǎn)生嚴(yán)重漏電流的鎖相回路電路。 背景技術(shù)近幾年來，隨著半導(dǎo)體制程的發(fā)展以及可攜式電子產(chǎn)品的普及化，使用 低電壓設(shè)計(jì)以降低功率且在電路中使用較小尺寸的晶體管元件來降低成本， 已成為各種電路設(shè)計(jì)技術(shù)中的基本需求。隨著半導(dǎo)體制程由點(diǎn)一八制程、點(diǎn)一二制程一路演進(jìn)至六十五奈米(65 nanometer),半導(dǎo)體元件的柵極氧化層 (gate o...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。