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一種基于電壓比較器的降柵壓電路的制作方法技術資料下載

技術編號:7460705

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本發(fā)明屬于電子,更進一步涉及一種電力電子中降低功率場效應晶體管MOSFET或絕緣柵雙極型晶體管IGBT柵極電壓的電路,該電路可用于MOSFET或IGBT受保護功率管遇到過流或短路時對MOSFET或IGBT受保護功率管的保護。背景技術目前,在電力電子中,常用的MOSFET或IGBT功率管過流或短路時的保護措施有兩種一種是軟關斷,另一種是降柵壓。軟關斷是指在檢測到器件過流或短路信號時,就迅速撤除受保護功率管的柵極信號,使MOSFET或IGBT受保護功率管關斷;...
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