技術(shù)編號：7261060
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。一種。該發(fā)光元件，至少包含第一電性半導體層；第二電性半導體層；以及有源層，位于該第一電性半導體層與該第二電性半導體層之間，且該有源層包括由多個勢壘層與多個阱層交錯堆疊而形成的多重量子阱結(jié)構(gòu)，其中該多個勢壘層分別包含至少一個次勢壘層。上述的元件可增加空穴和電子結(jié)合的機率，提高發(fā)光效率。專利說明[0001]本申請是申請日為2009年12月21日且發(fā)明名稱為“”的中國發(fā)明專利申請200910260838.3的分案申請。[0002]本發(fā)明涉及發(fā)光元件，尤其是一種具...
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