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薄膜晶體管的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):7255576

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本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管,包括一源極;一漏極,該漏極與該源極間隔設(shè)置;一半導(dǎo)體層,所述半導(dǎo)體層與所述源極及漏極接觸設(shè)置,所述半導(dǎo)體層位于所述源極與漏極之間的部分形成一溝道;以及一柵極,該柵極通過一第一絕緣層與該半導(dǎo)體層、源極及漏極絕緣設(shè)置;其中,所述源極包括一源極本體及一源極延伸部,所述漏極包括一漏極本體及一漏極延伸部,所述源極延伸部及漏極延伸部相互間隔設(shè)置且覆蓋部分溝道,且所述源極延伸部及漏極延伸部的功函數(shù)與所述半導(dǎo)體層的功函數(shù)不相同。專利說明薄膜晶體管...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。

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